説明

株式会社ブイ・テクノロジーにより出願された特許

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【課題】光を少なくとも2回以上、繰り返し放射して同一のパターンを継続して生成する際にも、パターンの生成を安定化させる。
【解決手段】マイクロミラーデバイスに光源から光を間欠的に少なくとも2回以上、繰り返し放射して同一のパターンを継続して生成する際に、光の放射回数が予め設定された所定回数に達するまでは、光源から1ショットの光が放射された後、次の1ショットの光の放射が行われるまでの間の予め設定されたタイミングで直前に転送されたパターン情報と同一のパターン情報をマイクロミラーデバイスに転送する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の移動方向と直角な方向に複数基の露光ヘッドが配設された露光装置にて、各フォトマスク面の照度を容易に測定し校正する、照度の測定及び校正方法、並びに露光装置を提供する。
【解決手段】マスクホルダ30にフォトマスクPM3を装着するマスク搬送トレイ41に、照度測定ユニット70を保持させ、照度を測定するフォトマスク面に対応した位置に照度測定ユニットを合わせ、測定した照度を標準照度と対比した校正を各フォトマスク面について行うこと。露光ヘッドHは光源80、マスクホルダを備え、マスク搬送トレイを、マスクホルダに移動させるトレイ搬送機構40を備え、フォトマスク面に対応した位置に該照度測定ユニットを合わせ照度を測定し校正する露光装置。 (もっと読む)


【課題】放電発光する光の利用効率を向上する。
【解決手段】発光管4内部に封入したキセノンガス中での放電により発光する光源1と、前記発光管4を所定間隔の隙間を有して取り囲んで設けられた水冷管2とを備え、前記隙間に外部から冷却水を導入及び導入された冷却水を排水可能に構成された光源装置であって、前記発光管4の外周面4a又は前記水冷管2の内周面2b又は外周面2aに、前記光源1で放電発光する光のうち必要な波長帯の光よりも波長の短い光の照射により励起されて前記必要な波長帯に含まれる波長の光を発する蛍光塗料5を、前記光源1で放電発光する必要な波長帯の光に前記蛍光塗料5が励起されて発する光を重畳させて外部に放出可能に適切な膜厚で塗布したものである。 (もっと読む)


【課題】低コスト且つ高生産効率で量子ドットの半導体層を形成でき、またこの量子ドットの半導体層をもつ半導体装置を大量生産することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体粒子1(ナノ粒子)が面心立方格子の格子点の位置に存在し、面心立方格子の一面に存在する各絶縁体粒子1は、その3軸が直交する位置にある4個の絶縁体粒子1が面心の位置にある絶縁体粒子1に接触している。そして、導電体粒子2(ナノ粒子)が絶縁体粒子1の相互間の隙間に位置する。この絶縁体粒子1の直径をRとすると、立方格子の1辺の長さaは、√2×Rとなる。導電体粒子2は、接触していない絶縁体粒子1の相互間の隙間に位置するので、導電体粒子2の直径は、a−R以下であればよい。導電体粒子の代わりに、半導体粒子を使用することもできる。 (もっと読む)


【課題】オフ電流が小さく、電位保持特性が優れており、消費電力が低いと共に、動作速度も速い低温ポリシリコントランジスタを含む薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタの製造方法及びそれを使用した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板10上にゲート電極11、ゲート絶縁膜12、チャネル領域、ソース・ドレイン電極15a,15bを形成した逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このチャネル領域は、ポリシリコン膜13と、このポリシリコン膜13の上面及び側面を覆うa−Si:H膜14とから構成されている。 (もっと読む)


【課題】ブラックマトリックスのパターンに対し、スリット露光で着色画素を形成する際、露光領域の移動方向末端部にても位置合わせが良好な露光方法を提供する。
【解決手段】光軸より基板50の反移動方向に第1パターンの位置合わせマークの位置情報を取得する前方撮像カメラCM−A、移動方向に後方撮像カメラCM−Bを設けた露光装置を用い、位置合わせマークを撮像するための前方撮像用開口部53−A、後方撮像用開口部53−Bを設けたフォトマスクを用い、フォトマスクPM3の下方を移動してくる位置合わせマークを前方撮像カメラ又は/及び後方撮像カメラで撮像し、取得した位置合わせマークの位置情報から第1パターンに対するフォトマスクのパターンの位置合わせがなされ露光光が照射される。 (もっと読む)


【課題】複雑な図形のパターンに対してもフォトマスクの高精度な位置合わせを可能とする。
【解決手段】パターンをマトリクス状に備えた基板を搬送しながら、基板の搬送方向に略直交方向に複数の受光素子を一直線状に並べて有する撮像手段により所定の時間間隔で撮像された複数の画像を逐次処理して上記受光素子の並び方向における輝度変化の位置を検出し、基板が所定距離だけ移動する間に同じ位置で検出される輝度変化の回数を積算してエッジ数データを得、テンプレートを移動しながら算出されたエッジ数データに対して相関演算を行って相関値データを得、所定の閾値を超えた相関値データから複数のパターンの位置を特定し、それらの内から撮像手段のターゲット位置に近接したパターンの位置を選択し、該パターンの位置と撮像手段のターゲット位置との位置ずれ量を算出し、該位置ずれ量が所定値となるようにフォトマスクを基板の搬送方向と略直交方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】複雑な図形のパターンに対してもフォトマスクの高精度な位置合わせを可能とする。
【解決手段】パターンをマトリクス状に備えた基板を搬送しながら、基板の搬送方向に略直交方向に複数の受光素子を一直線状に並べて有する撮像手段により所定の時間間隔で撮像された複数の画像を逐次処理して上記受光素子の並び方向における輝度変化の位置を検出し、基板が所定距離だけ移動する間に同じ位置で検出される輝度変化の回数を基板搬送方向に積算してエッジ数データを得、所定の閾値を超えたエッジ数から上記パターンの搬送方向に平行な複数の長辺の位置を特定し、その複数の近接ペアの中点位置を演算し、該近接ペアの中点位置から撮像手段に予め設定されたターゲット位置に近接した中点位置を選択し、該中点位置と撮像手段のターゲット位置との位置ずれ量を算出し、該位置ずれ量が所定値となるようにフォトマスクを基板の搬送方向と略直交方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】搬送される基板の動きに追従してマイクロレンズアレイを移動してレーザ光の照射位置精度を向上する。
【解決手段】マトリクス状に設定されたTFT形成領域の縦横いずれか一方の配列方向に基板を搬送しながら撮像手段により基板表面を撮像し、該撮像画像に基づいて基板表面に予め設定されたアライメントの基準位置を検出し、複数のTFT形成領域に対応して基板の搬送方向と交差する方向に複数のレンズを配置した少なくとも一列のレンズアレイを基板の搬送方向と交差方向に移動して、レンズアレイのレンズと基板のTFT形成領域とをアライメント基準位置を基準にして位置合わせし、基板が移動してTFT形成領域がレンズアレイの対応レンズの真下に到達したときにレンズアレイにレーザ光を照射し、複数のレンズによりレーザ光を集光して各TFT形成領域のアモルファスシリコン膜をアニール処理する。
【選択図】図6

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【課題】効率よくレーザ光吸収を吸収することができ、ハウジングが高温となることがないレーザダンパーを提供する。
【解決手段】ステンレス鋼からなるハウジング21に石英からなる入射窓22を設け、ハウジング21と入射窓22とによって形成された空間内に、酸化珪素の多数の透明粒子23を充填し、ハウジング21に供給口25および排出口26を設け、供給口25および排出口26に循環ポンプ27を接続する。 (もっと読む)


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