【課題】面内方向での膜厚の均一性に優れ、電荷保持特性に優れた窒化シリコン膜の成膜方法、及び窒化シリコン膜を備えた不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第２の窒化シリコン膜を形成する工程と、第２の窒化シリコン膜上に第２の窒化シリコン膜よりも光学吸収係数が大きくかつ光学吸収係数ｋが０．６０〜１．２６の第１の窒化シリコン膜を、ステップ成膜法により形成する工程と、を有する窒化シリコン膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】ロールコールテストに要する工数を削減できる半導体記憶装置及びそのテスト方法を提供する。
【解決手段】不良アドレスが格納される不揮発性の記憶素子を備えた半導体記憶装置にロールコールテスト時にマスク用テストモード信号を出力するテスト制御回路とロールコール回路とを備える。ロールコール回路は、アドレス信号と不良アドレスとをビット単位で比較し、その比較結果を出力する。また、ロールコール回路は、マスク用テストモード信号が入力されると、アドレス信号の所望のビットに対応する比較結果をマスクして上記アドレス信号と不良アドレスとが一致していることを示す値を出力すると共に、マスクされていないビットに対するロールコールテストを可能にする。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を削減可能にした半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｘ方向に配列する複数のトランジスタについて、夫々が、対応するダミーゲートＤＧ１，ＤＧ２を挟む複数のソース拡散層Ｓ１，Ｓ２に接続する第２及び第３の金属配線Ｍ１２，Ｍ１３は、２つのＳ１，２つのＳ２に夫々接続する複数の第１のビアＶ１の両方を含む第１の幅Ｌ１と、Ｖ１を含まず、Ｌ１よりも短い第２の幅Ｌ２と、を有する。ドレイン拡散層Ｄ１に接続する第１の金属配線Ｍ１１と、Ｍ１２との間、並びにＭ１１及びＭ１３の間の夫々は、Ｌ１に対応する第１のギャップＳＰ１と、Ｌ２に対応する、Ｌ１よりも大きな第２のギャップＳＰ２と、を有する。好ましくは、Ｍ１１〜Ｍ１３の夫々と第２のビアＶ２を介して接続される第４〜第６の金属配線Ｍ２４〜Ｍ２６の夫々は、Ｌ１よりも短い第３の幅Ｌ３を有する。 （もっと読む）

【課題】 可変抵抗素子への電圧印加極性が異なる２種類の書き込み動作後の各ベリファイ動作を夫々低消費電力且つ高速に実行可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 書き込み回路２２が、メモリセルの一端側から可変抵抗素子を経由して他端側へ電流を流すことで可変抵抗素子の電気抵抗を低抵抗化させるセット動作と、メモリセルの他端側から可変抵抗素子を経由して一端側へ電流を流すことで可変抵抗素子の電気抵抗を高抵抗化させるリセット動作を夫々実行可能に構成され、読み出し回路２１が、メモリセルの一端側から可変抵抗素子を経由して他端側へ電流を流すことで可変抵抗素子の抵抗状態を読み出す第１読み出し動作と、メモリセルの他端側から可変抵抗素子を経由して一端側へ電流を流すことで可変抵抗素子の抵抗状態を読み出す第２読み出し動作を夫々実行可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】多数の信号用ＴＳＶを有する半導体チップを積層した半導体装置では、個々の信号用ＴＳＶを導通試験するのに、膨大な工数がかかっていた。
【解決手段】信号用ＴＳＶを直接導通試験するのではなく、信号用ＴＳＶに隣接した位置にダミーバンプを配列すると共に、複数の半導体チップ間のダミーバンプを一筆書きで描けるような導通経路で、各半導体チップのダミーバンプを接続する。
導通経路の導通試験により、積層された２つの半導体チップの接合面における接合不良を測定、検出できる。 （もっと読む）

【課題】データ出力バッファの正確なインピーダンスキャリブレーション動作を行う。
【解決手段】電源ラインＶＬ１とデータ端子２４との間に接続されたＰ型トランジスタユニット２０１と、電源ラインＶＬ１とキャリブレーション端子ＺＱとの間に接続されたＰ型トランジスタユニット１１１〜１１４と、キャリブレーション端子ＺＱの電位が基準電位ＶＲＥＦと一致するよう、Ｐ型トランジスタユニット１１１〜１１４インピーダンスを調整し、一致した状態におけるＰ型トランジスタユニット１１１〜１１４の一つのインピーダンスをＰ型トランジスタユニット２０１に反映させるインピーダンス制御回路とを備える。これにより、基準電位ＶＲＥＦが電源電位ＶＤＤの半分のレベルからオフセットしたレベルに設定されている場合であっても、正確なキャリブレーション動作を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコン層上に、抵抗値が低く、かつ平坦性の良好なニッケルモノシリサイド層を形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板に形成されたシリコン層を覆ように白金を含むニッケル層を堆積する工程であって、シリコン層に近い部分では遠い部分と比較して結晶性が低くなるように、白金を含むニッケル層を堆積する工程Ｓ０５と、基板を加熱することで、シリコン層と白金を含むニッケル層との界面にニッケルモノシリサイド層を形成する工程Ｓ０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップのチップ面積の削減を図るとともに、半導体チップへの入力を記憶させる時間を短縮する。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ１は、チップ領域１０に形成され、絶縁膜を有し、電圧の印加による絶縁膜の絶縁破壊により導通状態となる複数のアンチヒューズ１４を有するアンチヒューズ回路１２と、チップ領域１０を区画するダイシング領域２０に複数のアンチヒューズ１４の各々に対応して形成され、配線を有し、レーザー照射による配線の切断により非導通状態となる複数のレーザーヒューズ２４を有するレーザーヒューズ回路２２と、複数のアンチヒューズ１４のうち、半導体チップへの入力に応じて非導通状態とされたレーザーヒューズ２２に対応するアンチヒューズ１４の有する絶縁膜に、電源からの電圧を印加させて、そのアンチヒューズ１４を導通状態とする制御回路１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信号の重要度を考慮に入れたセルの自動配置を行うアルゴリズムは存在しない。従って、重要配線が不必要に長くなる場合がある。重要配線が長くなると、重要配線を伝達する信号を劣化させる原因となり得る。そのため、信号の重要度を考慮に入れたセルの自動配置を行うことで、重要度の高い信号の品質を維持する半導体装置を設計できる半導体設計装置、が望まれる。
【解決手段】半導体設計装置は、半導体装置に含まれる複数のセルを接続する複数の信号配線から、伝達する信号が重要であることを示す重要配線情報が付された重要配線と、複数の信号配線のそれぞれに接続されているセルの数を示すセル接続数と、を抽出する配線情報抽出部と、配線情報抽出部が抽出した重要配線及びセル接続数に応じて、複数のセルの配置を決定するセル自動配置部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】出力回路のインピーダンス調整の精度を向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】各々が調整可能なインピーダンスを備える複数の単位バッファ回路を含む出力回路（１０１）と、複数の単位バッファ回路のうちの１または複数個の単位バッファ回路を選択的に活性化する制御回路（１５０）と、複数の単位バッファ回路のそれぞれのインピーダンスを調整するインピーダンス調整部（１３０）であって、複数の単位バッファ回路のうちの１つと実質的に同一の調整可能なインピーダンスを有するレプリカ回路（１３１ｅ）と、当該レプリカ回路と並列に接続され、制御回路によって選択的に活性化された１又は複数個の単位バッファ回路の個数に応じて自身を流れる電流量を変化させる負荷電流生成回路（１３１ｆ）とを含む、インピーダンス調整部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）