【課題】パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくし、またモアレの発生を抑制して、描画品質を向上させる。
【解決手段】光ビーム照射装置２０の空間的光変調器（ＤＭＤ２５）は、複数のミラーを直交する二方向に配列して構成されている。描画制御部７１は、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビーム照射装置２０の駆動回路（ＤＭＤ駆動回路２７）へ複数回供給し、複数回供給する描画データの一部を、露光領域の隣接する位置の描画データとして、光ビーム照射装置２０の駆動回路（ＤＭＤ駆動回路２７）へ供給する。光ビーム照射装置２０から照射される光ビームの一部が露光領域の隣接する位置へずれ、描画されるパターンのエッジがぼやけて、エッジのぎざぎざが目立たなくなる。また、パターンの繰り返し模様の規則性が乱れ、モアレの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、準備状態において反応容器で使うセルブランク水の消費を削減することを目的とする。
【解決手段】本発明は、繰返し使用される複数の反応容器と、反応容器に試料や試薬を分注するサンプリング機構と、反応容器にセルブランク水を注入するセルブランク水吐出機構と、反応容器からセルブランク水を抜くセルブランク水排出機構と、セルブランク水が入る反応容器のセルブランク測定および試料反応液が入る反応容器の試料測定を光学的に測定する光学測定手段と、複数の反応容器が順次に移動するうちに光学測定手段で測定されたセルブランク測定値と試料測定値とを比べて適正試料測定値を算定する算定機能が備わる自動分析装置にあって、セルブランク水を入れる反応容器の数量を制限する水削減モードを備えことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング装置の複数アクチュエータ値Ｘから複数波長の発光強度値Ｙを求めるモデルに基づき、値Ｙから値Ｘを算出して、値Ｙに関する好適なRun-to-Run制御を実現する。
【解決手段】本エッチング装置では、アクチュエータ値Ｘと発光強度値Ｙの関係が、ΔＸを入力としΔＹを出力とした代数的な数式に基づく制御モデル（行列モデルＣ１，比率制約モデルＣ２）として定義される。エッチング処理制御で、（Ｓ１）制御無し発光強度値Ｙをもとに、ΔＹ（制御量）から制御モデルに基づきΔＸ（制御量）を算出して値Ｘを設定する。（Ｓ２）値Ｘの設定値に基づきウェハのエッチング処理を行い、値Ｙをモニタする。（Ｓ３）値Ｙの実績値をもとに、次のウェハの処理で用いるための、制御無し発光強度値Ｙを計算する。Ｓ１〜Ｓ３を各ウェハのエッチング処理で繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】
パターン寸法計測のスループットを低下させることなくパターンの材料や立体構造に関する情報を得ることができる荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】
荷電粒子線顕微鏡において、試料の観察視野を走査して得られたフレーム画像を複数枚取得し（Ｓ３０４、Ｓ３０５）、それらの画像を積算し（Ｓ３０７）、試料上に形成されたパターンの寸法を算出（Ｓ３０８）すると共に、フレーム画像を構成する１フレーム画像またはサブフレーム画像等からなる分別画像（Ｓ３０９，Ｓ３１０）を用いてパターン情報を取得する（Ｓ３１４）。 （もっと読む）

【課題】表面に透明薄膜が形成された基板等の試料において、透明薄膜の上面の微小な異物、キズ等の欠陥を高感度且つ高速に検査することができる欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の欠陥検査装置によると、照明光学系は、試料の表面の法線に対して所定の入射角を有する検査用照明光を試料表面に照射し、試料表面にスリット状のビームスポットを生成する。試料の表面に対して所定の傾斜角にて傾斜した光軸を有する斜方検出系と試料の表面の法線に沿った光軸を有する上方検出系によって、ビームスポットからの光を検出する。斜方検出系と上方検出系の出力によって、試料の表面の透明薄膜上の欠陥を検出する。検査用照明光の入射角は、試料の表面の透明薄膜下面にて反射した反射光が透明薄膜上面にて全反射するときの入射角より僅かに小さい角度である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料室の熱変形に依らず、高精度にステージ位置を検出することが可能な試料ステージを備えた荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、試料ステージの位置を検出するためのレーザ干渉計を備えた荷電粒子線装置において、前記レーザ干渉計は、レーザを放出する光源と、前記試料ステージに設置される計測光用ミラーと、前記光源が設置される前記荷電粒子線装置の試料室壁面と対向する壁面に設置される参照光用ミラーと、前記光源から放出されるレーザを、計測光と参照光とに分割するビームスプリッタとを備え、当該ビームスプリッタと前記計測光用ミラーとの間に、１／４λ波長板を備えていることを特徴とする荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】大型のガラス基板に対して正確で高速かつ効率的にスクライブ線加工を施すことができるようにする。
【解決手段】基板にレーザ光を照射する加工処理としては、ガラス基板上に金属層、半導体層、透明電極層を順次形成し、形成後の各工程で各層をレーザ光を用いて短冊状に加工してソーラパネルを作成するソーラパネル製造などが該当する。前段の成膜装置は、このガラス基板上に透明電極層、半導体層又は金属層を形成するものである。これらの成膜装置から搬送されてくるガラス基板に対してレーザ加工を行なう場合、ガラス基板に対してアライメント処理を行い、その後にガラス基板を搬送方向に沿った両辺で保持してエア浮上させながら移動させている。レーザ加工が終了したらその基板を排出準備位置までエア浮上させながら移動させるて排出している。上述のような一連の処理によって大型のガラス基板に対して正確で高速かつ効率的にスクライブ線加工を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、分光反射強度に含まれる迷光成分を低減し、パターンドディスク表面のパターン形状を精度よくまたはパターン欠陥を確実に検出できるハードディスクメディアの検査装置または検査方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、パターンが形成されたハードディスクメディアの表面に複数の波長を含む光を照射し、波長毎に検出される反射光の強度を前記ハードディスクメディアからの反射光を検出する検出器に発生する迷光成分の強度で補正し、前記補正された反射光の強度から分光反射率を算出することを第１の特徴とする。前記補正は、前記ハードディスクメディアからの反射光の強度を前記反射光の短波長領域をカットした状態とカットしない状態で波長毎に検出し、両者の前記反射光の強度との差に基づいて行なうことを第２の特徴とする （もっと読む）