【課題】漏れ磁束の影響を最小化する一方で、最新の半導体リソグラフィの要求を満たすのに必要な、正確な位置決めおよび迅速な加速の利点を維持することができるリニアモータを提供する。
【解決手段】非磁性間隙を有する磁気シールド５６０ａ〜５６０ｄが、精密位置決めシステムのリニアモータ配列に対して低減された磁気クロストークをもたらす。漏れ磁束の方向を変えることが、クロストークおよび関連した有害な影響を制限する。漏れに対するそのような好ましい磁気回路の経路が、リニアモータ５００の可動磁石システムに添付される。この、好ましい漏れ磁束経路の実施形態は、永久磁石５２０ａ〜５２０ｄとバックアイアン５４０ａ，５４０ｂとの間の非磁性間隙によって分離された強磁性のシールド５６０ａ〜５６０ｄを設けることにより実現される。別の実施形態では、強磁性のシールド離隔５６０ａ〜５６０ｄは反磁性体を含む。 （もっと読む）

【課題】照明ビームの時間的パルス幅およびエタンデュの両方を増加させる改善された方法、装置、およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置の照明システムのパルス変更ユニットは、放射の入力パルスを受け取り、１つまたは複数の対応する放射の出力パルスを発するビームスプリッタを含む。このビームスプリッタは、第１のパルス部分を第２の光路に沿って方向付けし、第２の部分を出力ビームの一部分として第１の光路に向ける。第２の光路は、発散光学エレメントよって、ビームサイズを縮小することなくビームの発散を増加することができ、したがってエタンデュを増加することができる。それぞれがある曲率半径を有する第１および第２のミラーが、所定の離隔距離で互いに対向して配設され、パルスモディファイアを通る第２の部分の光路が第１の部分の光路より長く、離隔距離が曲率半径未満であるように、その方向を変えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】極端紫外線（ＥＵＶ）マスクを検査するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】システムはセンサのアレイおよび光学システムを含む。センサのアレイは、受けた光エネルギーに対応するアナログデータを生成する。光学システムは、ＥＵＶパターニングデバイスの検査エリアからのＥＵＶ光をセンサのアレイに誘導し、アナログデータはＥＵＶマスク上で発見される欠陥を判定し、または異常を補償するために使用される。 （もっと読む）

【課題】基板上への放射ビームの焦点制御における誤差を低減すること。
【解決手段】リソグラフィ装置によって提供されるパターニングの、パターニングされる基板のトポロジに起因する焦点誤差が光学的に修正される。基板のマップされたトポロジに基づいてレチクルをスキャン軸の周りに湾曲させることにより、交差スキャン方向の焦点制御が提供される。湾曲は、レチクルをスキャンする際に、フィールドからフィールドまで更新することができる。湾曲は一方向（たとえば下向きのみ）であってもよいが、ビーム波面に対して正または負のいずれかの曲率（あるいはゼロ曲率）を導入するために、光学補償エレメント（たとえば円筒形状に研磨されたレンズまたはミラー、あるいは力アクチュエータによって円筒形状に湾曲した透明なプレートまたはミラー）を含むことができ、それによりベンダのメカトロニクスが単純化される。 （もっと読む）

【課題】 基板上へと転写されるマスクパターンからの欠陥の最小限化または除去の支持するために改善されたマスク検査システムを提供すること。
【解決手段】 ＥＵＶマスク検査のための装置、方法およびリソグラフィシステムを開示する。ＥＵＶマスク検査システムはＥＵＶ照明源、光学システムおよびイメージセンサを含んでもよい。ＥＵＶ照明源はスタンドアロン照明システムであるか、またはリソグラフィシステムに組み入れられてもよく、ＥＵＶ照明源はＥＵＶ放射ビームをマスクのターゲット部分上に照明するように構成されてもよい。光学システムは、マスクのターゲット部分から反射したＥＵＶ放射ビームの少なくとも一部を受けるように構成されてもよい。さらに、イメージセンサは、反射したＥＵＶ放射ビームの一部に対応する空間像を検出するように構成されてもよい。ＥＵＶマスク検査システムは、マスク欠陥について空間像を分析するように構成されたデータ分析デバイスを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 任意のパターンを有するレチクル上のパーティクル及び異常の検出を可能にすること。
【解決手段】 レチクル検査のための方法及びシステムを開示する。この方法は、検査レチクル及び基準レチクルの表面をコヒーレントに照明すること、照明された表面からの散乱光にフーリエ変換を適用すること、基準レチクルからの変換された光の位相を、検査レチクルからの変換された光と基準レチクルからの変換された光との間の位相差が１８０度であるようにシフトすること、変換された光を像減算として合成すること、合成された光に逆フーリエ変換を適用すること、及び、ディテクタにおいて合成された光を検出することを含む。照明源からディテクタへの２つの光路間の光路長差は、照明源のコヒーレント長未満である。ディテクタにより検出される像は、レチクルの振幅及び位相分布における差を表し、これにより、外部パーティクル、異常などを容易に識別することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】改善された応答時間したがって改善された帯域幅をもったガス計器近接センサを実現する装置および方法を提供する。
【解決手段】注入チャンバ２２０から測定チャンバ２１０へ逆流方向にガスを供給するガス計器近接センサ２００である。逆流方向にガスを供給することで、センサの過渡挙動がいっそう高速で安定するようになり、結果として帯域幅の増大が生じる。場合によって、スカベンジャチャンバ２５５を使用して、スカベンジャチャンバ２５５のスカベンジャ開口２６０を注入チャンバ２２０の出口開口２２５の直ぐ近くに位置付けすることによって余分なガスを除去することができる。コモンモード誤差を減少させるために、注入チャンバ２２０の出口開口２２５に近い位置からガス流を受け取る基準チャンバを備えるブリッジ近接センサを使用することができる。 （もっと読む）

【課題】適切な周波数応答を有用な低圧で、かつ、有用な感度で出力し、また、チャンバ圧力の遠隔センシングを容易にするガスゲージ近接センサを提供する
【解決手段】圧力センサに結合された流体支援ガスゲージによれば、広い帯域幅で近接測定を実施することができる。ガス充填測定チャンバおよび流体充填伝達チャンバを備え、かつ、これらの２つのチャンバを分離しているダイヤフラムを備えた２チャンバガスゲージによって被測定表面にガスが排気され、その一方で非圧縮性流体によって圧力センサに圧力が伝達される。ガスゲージのガス体積を最小化することによって応答時間が短縮される。さらに、非圧縮性流体を使用することにより、応答時間性能を犠牲にすることなく、測定点から離れた場所に圧力センサを配置することができる。一実施形態では、流体支援ガスゲージの差動ブリッジバージョンが同相モードの影響を小さくしている。 （もっと読む）

【課題】反射防止コーティングを含む光学要素を提供する。
【解決手段】光学要素２００は、シリコン基板２０２と、シリコン基板２０２の表面の第１の部分上に配置された反射層２０６と、を含む。シリコン基板２０２の表面の第２の部分上に反射防止層２０８を配置することで、反射防止層２０８における相殺的な干渉によって反射防止層２０８に入射する放射の反射を実質的に減少させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】補正中のスループットに影響を及ぼさない、および／または、他の光学的な特性を妨害しない、照明ビームおよび／またはパターニングビームの測定または検出された特性に応じて、調節可能、ことによると自動的に調節可能な動的な光学系を使用するシステムと方法を提供する。
【解決手段】システムが放射ビームを形成する照明システム８０２と、放射ビームをパターニングするパターニング装置８０４と、像平面における対象のターゲットポイントにパターニングビームを投影する投影システム８０８と、像平面に投影されたパターニングビームの少なくとも一部を検出し、この検出に基づき制御信号を形成するフィードバックシステム８１８と、動的に制御可能な光学素子と、制御信号に基づき、光学素子に印加される電界を発生させるジェネレータとを包含し、光学素子に印加される電界は光学素子内の少なくとも１つの方向の屈折率を変化させる。 （もっと読む）