【課題】銅含有汚染物などの汚染物を壁から除去するために、反応性イオンエッチングチャンバの壁をその場洗浄する方法を提供する。
【解決手段】銅含有汚染物などの汚染物１３を、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８に変える工程と、ハロゲン化銅化合物などのハロゲン化物化合物１８を光子含有雰囲気に晒して、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の形成を始める工程とを含む。更に、反応チャンバ１２から、例えば揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７を除去し、反応チャンバ１２中で、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７の飽和を防止し、これにより、反応チャンバ１２の壁に、揮発性のハロゲン化銅生成物などの揮発性のハロゲン化物生成物１７が再付着するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】基板の上に、少なくとも１つの細長い金属含有ナノ構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化銅化合物等のハロゲン化金属化合物表面５をハロゲン含有プラズマ等の光子含有雰囲気に晒し、少なくとも１つの細長い金属ナノワイヤ（ＮＷ）、金属ナノロッド等々の金属含有ナノ構造６の形成を開始する工程を含む。また、本発明にかかる方法により得られた細長い金属含有ナノ構造６を提供する。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離などのプラズマ処理の際、プラズマ損傷の監視がその場(in situ)で可能な、非破壊で簡単な分析方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理の際、低誘電率(low-k)膜が損傷した場合、反応生成物の１つは水であり、温度が１００〜１５０℃より低ければ、低誘電率膜（孔内）に吸収されたままである。水分子を破壊し、電子励起された酸素原子を形成できる高エネルギーＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射するプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸収された水を検出するために用いられる。励起された酸素は、７７７ｎｍの光学放射から検出される。従って、吸収された水の濃度が高くなるほど、より強い（酸素）信号が検出される。酸素信号の強度は、前の剥離ステップでのプラズマ損傷の測定手段となる。提案した分析方法は、プラズマ処理の直後、その場(in situ)で実施できる。最も好ましくは、酸素ラジカルの光学放射は、プラズマチャンバ内のチャックステップの際に監視される。 （もっと読む）

【課題】基板から銅含有層の少なくとも一部を除去する方法であって、基板が少なくとも銅含有表面層を含む方法を提供する。
【解決手段】この方法は、第１反応チャンバ中で、銅含有表面層４の少なくとも一部を、ハロゲン化銅表面層５に変える工程と、第２反応チャンバ中で、光子含有雰囲気６に晒して、ハロゲン化銅表面層５の少なくとも一部を除去して、揮発性のハロゲン化銅生成物８の形成を始める工程とを含む。光子含有雰囲気６に晒す間に、この方法は、更に、第２反応チャンバから揮発性のハロゲン化銅生成物８を除去し、第２反応チャンバ中で揮発性のハロゲン化銅生成物８の飽和を避ける工程を含む。具体例にかかる方法は、銅含有層のパターニングに用いられる。例えば、本発明の具体例にかかる方法は、半導体デバイス中に銅含有相互接続構造を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。
【解決手段】水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射する希ガスプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸着された水を除去するために用いられる。該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス中に金属ゲルマナイド層を形成する過程で、ピット、過成長、または突出物のような欠陥を防止する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのゲルマニウム層の領域がその上に露出した基板を提供する工程と、基板とゲルマニウム領域の上に、適当な金属を堆積させる工程と、金属の上に、シリコン酸化物含有層、シリコン窒化物層、チタン窒化物層、タンタル窒化物層、またはタングステン層からなるキャップ層を形成する工程と、次に、金属ゲルマナイドを形成するためにアニールを行う工程と、次に、キャップ層を選択的に除去する工程と、次に、未反応金属を選択的に除去する工程と、を含み、キャップ層の形成に用いられる温度は、アニール温度より低い方法。 （もっと読む）

本発明は、半導体先端部の製造方法（８０）を提供する。上記方法は、先端部材料層が備わる基板を取得すること（８１）、例えば１０^１７ｃｍ^−３を超えるドーパント濃度を有して強くドープされた第２ドーパント濃度の領域で囲まれ、例えば１０^１７ｃｍ^−３以下のドーパント濃度を有し非ドープ又は軽くドープされ第２ドーパント濃度よりも低い濃度の第１ドーパント濃度のテーパー状形状領域を備えたドーピング・プロファイルを先端部材料層に設けること（８２）、及び、第２ドーパント濃度を有する先端部材料のエッチング速度が第１ドーパント濃度を有する先端部材料のエッチング速度よりも実質的に大きい化学エッチングを用いることで先端部材料層を等方的にエッチングすること（８３）を備える。
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【課題】半導体バルク基板や半導体・オン・絶縁体基板のような基板上に半導体デバイスを形成する良好な方法、及びその方法で形成した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板をパターニングし、基板の第１主表面の平面に実質的に垂直な方向に、基板から延びた、少なくとも１つの構造を形成した後に、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の位置に、部分的に変更された領域６を形成し、それらの領域６のエッチング抵抗を部分的に増加させる工程とを含む。部分的に変更された領域の形成工程は、半導体デバイス１０の作製中の更なる処理工程中に、少なくとも１つの構造のアンダーエッチングを防止できる。部分的に変更された領域の形成工程は、少なくとも１つの構造により覆われていない基板の領域に、注入元素を注入する工程により行われても良い。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳがＦＵＳＩゲートを含む場合、異なるシリサイド相を有する第１および第２の制御電極が形成され、ゲート形成後の熱工程等により各ゲートの異なったシリサイド相中のＮｉ等の金属はゲート電極間を拡散しない半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の制御電極１７の金属半導体化合物から、第２の制御電極１８の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域２３を形成する。ブロック領域２３は、第１および第２の制御電極１７、１８の間の境界面に形成され、金属半導体化合物がそれから形成される金属中での溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成する。これにより、金属拡散が防止され、第１および第２の制御電極１７、１８の金属半導体化合物の構成が、例えば更なるデバイスの処理中の熱工程中に、実質的に変化せずに保たれる。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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