【課題】エンハンスメントモードトランジスタを作製する方法を提供する。
【解決手段】基板１上の第１活性層３と、第１活性層３の上に、該第１活性層３に比較して高いバンドギャップを有する第２活性層４配設し、実質的にＧａを含まないで少なくともＡｌを含む第２活性層４と、第２活性層４の少なくとも一部の上のゲート絶縁層５であって、第２活性層４の少なくとも一部を熱酸化して形成されたゲート絶縁層５と、ゲート絶縁層５の少なくとも一部の上のゲート電極６と、第２活性層４の上のソース電極７およびドレイン電極８とを含み、前記半導体デバイス１０は、更に、動作時でゲート電極６とソース電極７が同電圧の場合、第１活性層３と第２活性層４の間で、ゲート電極６の外側でゲート電極６の位置以外に、２次元電子ガス２ＤＥＧ層を含む。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な、量子井戸デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】量子井戸ＱＷデバイスは、基板１を覆う量子井戸領域ＱＷ、量子井戸領域の一部を覆うゲート領域Ｇ、ゲート領域に隣接するソース領域Ｓおよびドレイン領域Ｄを含む。量子井戸領域は、第１バンドギャップを有する半導体材料を含むバッファ構造２と、バッファ構造２を覆い、第２バンドギャップを有する半導体材料を含むチャネル構造３と、チャネル構造３と接する第３バンドギャップを有するアンドープの半導体材料を含むバリア構造４とを含み、第１バンドギャップと第３バンドギャップは、第２バンドギャップより広い。ソース領域Ｓとドレイン領域Ｄは、それぞれゲート領域Ｇに対してセルフアラインであり、第４バンドギャップを有する半導体材料を含み、第４バンドギャップは第２バンドギャップより広い。 （もっと読む）

核種を歪み半導体層の中に導入する方法であって、露出した歪み半導体層を含む第１領域を備えた基板を用意し、該基板を反応チャンバの中に投入するステップと、少なくとも露出した歪み半導体層の上に、気相堆積（ＶＰＤ）によって等方性の第１核種含有層を形成するステップと、続いて、第１熱処理を実施し、これにより第１核種含有層から第１核種の少なくとも一部を歪み半導体層の中に拡散し、歪み半導体層の中に拡散した第１核種の少なくとも一部を活性化するステップとを含む。
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本発明は、光電子デバイスを製造するのに適した、架橋性のポリマーに重合され得る、構造式（Ｉ）または構造式（II）で示されるモノマー化合物を提供する。
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本発明は、第１太陽電池サブモジュールと、第１太陽電池サブモジュール上に積層された第２太陽電池サブモジュールとを含む多重接合太陽電池モジュールに関し、第１太陽電池サブモジュールは、第１基板の上にモノリシックに集積された複数の第１太陽電池サブセルを含み、第２太陽電池サブモジュールは、第２基板の上にモノリシックに集積された複数の第２太陽電池サブセルを含み、複数の第１太陽電池サブセルは実質的に同一であり、複数の第２太陽電池サブセルは実質的に同一であり、複数の第１太陽電池サブセルは電気的に直列に接続され、複数の第２太陽電池サブセルは電気的に直列に接続され、第１太陽電池サブモジュールと第２太陽電池サブモジュールとは電気的に並列に接続される。
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【課題】優れた費用効果で製造可能であり、超高分解能で高い歩留まりが可能な原子間力顕微鏡プローブ構成を提供する。
【解決手段】原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）プローブ構成は、カンチレバー（８）と、カンチレバー（８）に装着され、その長手方向（ｘ）に沿って延びるプレーナ型チップ（１９）とを備える。プレーナ型チップ（１９）は、カンチレバー（８）から遠方に少なくとも１つの角部を有し、使用時に、角部（８）は走査表面（１８）と接触するようにした２次元形状である。 （もっと読む）

【課題】アウトカップリング効率が改善されて、ある放射線出力パワーに対するパワー消費が低減され、また、デバイスの速度が増加し、よって、光チャンネルあたりのシリアル帯域幅が増加された放射線（好ましくは光）を所定の波長にて発するデバイスを提供する。
【解決手段】放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも１つのエッジを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単化した集積機構を備えた二重仕事関数半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】二重仕事関数半導体デバイスは、第１実効仕事関数を有する第１ゲートスタック１１１を含む第１トランジスタと、第１実効仕事関数とは異なる第２実効仕事関数を有する第２ゲートスタック１１２を含む第２トランジスタとを備える。第１ゲートスタック１１１は、第１ゲート誘電体キャップ層１０４、ゲート誘電体ホスト層１０５、第１金属ゲート電極層１０６、バリア金属ゲート電極層１０７、第２ゲート誘電体キャップ層１０８、第２金属ゲート電極層１０９を含む。第２ゲートスタック１１２は、ゲート誘電体ホスト層１０５、第１金属ゲート電極層１０６、第２ゲート誘電体キャップ層１０８、第２金属ゲート電極層１０９を含む。第２金属ゲート電極層１０９は、第１金属ゲート電極層１０６と同じ金属組成からなる。 （もっと読む）

【課題】所定の設計目標に対して最適化することができるＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】複数の相互に依存したレイアウトとプロセスパラメータを選択する工程を含み、ＭｕＧＦＥＴのＥＳＤ保護デバイスのフィン幅、ゲート長、フィン数を含み、更に、フィン幅、ゲート長、フィン数に依存する少なくとも１つの他のパラメータのサブセットを含む。この方法は、（ａ）予め決められたＥＳＤの制限に合致するように、採りうる値の複数の組み合わせを選択する工程と、（ｂ）予め決められた関係に基づいて、サブセットのために複数の値を決定する工程と、（ｃ）予め決められた設計ターゲットの観点からサブセットの最適値を決定する工程と、（ｄ）最適値に基づいて、フィン幅、ゲート長、およびフィン数の値を決定する工程と、（ｅ）所定の製造プロセスと、工程（ｄ）で決められた値を用いて、製造する工程と、を含む。 （もっと読む）