【課題】マルチゲートデバイスに歪を導入することにより、そしてＮＭＯＳまたはＰＭＯＳに対してこの歪を制御しながら緩和することにより、マルチゲートデバイス中の移動度を増大させる。
【解決手段】マルチゲートデバイス中の歪を緩和する方法であって、かかる方法が、歪材料を含む基板を提供する工程と、歪材料中に複数のフィンをパターニングする工程と、少なくとも１つのフィンを含む第１領域を規定する工程と、少なくとも１つのフィンを含む第２領域を規定する工程と、第１領域上に拡散バリア層を形成する工程と、第２領域の少なくとも１つのフィンの歪材料が緩和されるように水素アニールを行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】１つの整流又はショットキーバリアコンタクトを含む電界効果トランジスタのような金属半導体化合物／半導体の接合領域を含む半導体装置の提供。
【解決手段】所定のドーピングレベルの半導体基板２に形成された第１および第２電極６を有する半導体装置１であって、第１および第２電極６は半導体領域５により互いに分離され、第３電極３は半導体領域５の導電性を制御し、第１および第２電極６の少なくとも１つは半導体領域５と整流コンタクトを形成し、整流コンタクトはポテンシャルバリアを有する半導体装置を提供する。本発明によれば、少なくとも第１および第２電極の間の方向に対して、半導体領域５は、半導体基板２のドーピングレベルより高いドーピングレベルを有するように均一にドープされ、動作中に、少なくとも１つの整流コンタクトのポテンシャルバリアを低くする鏡像力メカニズムを誘起する。更に、そのような半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、ＧａＮ／ＡｉＧａＮ層のような２つの活性層を含む、ＨＥＭＴ、ＭＯＳＨＦＥＴ、ＭＩＳＨＦＥＴデバイスのようなIII−Ｎ族電界効果デバイスを製造する方法に関する。
【解決手段】このタイプのエンハンスメントモードのデバイス、即ちノーマリオフのデバイスを製造する方法は、ＡｌＧａＮ層の上にパッシベーション層を提供し、パッシベーション層に孔をエッチングし、孔にゲートコンタクトを形成し、一方、パッシベーション層の上に直接ソースおよびドレインを形成する。活性層および／またはゲートの特性は、ゼロ電圧がゲートに供給された場合に、ゲートの下に２次元電子ガス層が存在しないように選択される。この発明は、同様に、この特性を備えたデバイスにも関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）

検出システムは、ＵＷＢ電磁放射のパルスによる照射に対する磁気共鳴応答を有する物質を検出するための受信機を有し、上記受信機は、パルスが物質と相互に作用した後にパルスを検出するための検出器（４０、４５）と、検出されたパルス内で物質の磁気共鳴応答を識別するように設けられた識別器（５５）とを有する。磁気共鳴応答を有する物質を有するタグ（２０）でタグ付けされたアイテムを、上記アイテムをＵＷＢパルスで照射し検出されたパルス内で物質の磁気共鳴応答を識別して走査することによって、アイテムは位置づけられ、イメージングされ、又は起動されることが可能である。タグの磁気共鳴応答は、タグの起動を引き起こすことができる。タグは、異なるタグをそのシグネチャによって識別しかつ区別化できるように識別可能な磁気共鳴のシグネチャを提供するように設けられた磁気共鳴応答を有することが可能である。
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本発明は有機材料の層の製造方法を提供する。その製造方法は、堆積条件下で基体に、溶媒中に溶解した前記有機材料を含む溶液の層を供給する工程と、必要に応じて前記溶液の層を部分的に乾燥する工程と、その後前記溶液の層をアニーリングする工程であって、前記アニーリングは前期溶液の層が完全に乾燥する前に実施され、前記アニーリングの継続時間はアニーリングの間に前期溶液の層が安全に乾燥しないように制限され、前記アニーリングが前期溶液の層のリフローを生じさせるアニーリング工程と、その後前記溶液の層を乾燥させる工程であって、堆積条件下で乾燥するよりも遅く前記乾燥が実施されるように制御される乾燥工程とを含む。得られた有機材料の層はミクロ品質およびマクロ品質の両方で改善を示し、より少ない表面粗さと正確な線解像度およびエッジ解像力をを萎えた十分に長いフィルムの獲得をもたらす。 （もっと読む）

本発明は、パケットデータを受信する手段（９０）と、第１のプログラミング可能なプロセッサ（１５）を備えたパケット検出のための第１の処理モジュール（１０）と、第２のプログラミング可能なプロセッサ（５５）を備えた復調及びパケット復号化のための第２の処理モジュール（５０）と、上記第１の処理モジュール（１０）によりデータの検出について通知を受けかつ上記第２の処理モジュール（５０）を起動するように構成された第３のプロセッサを備えた第１のディジタル受信コントローラ（３０）とを備えたディジタル受信機に関する。
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【課題】本発明は、シリコン基板上にＡｌＮを成長させるための改良された方法、さらに、シリコン基板上に、例えばIII族窒化物材料等のワイドギャップ材料を成長させるための改良された方法、さらには、シリコン基板上にＳｉＣを成長させるための改良された方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体プロセス技術及び装置に関する。特に、本発明は、シリコン基板上に高品質のIII族窒化物層を形成する方法、及びそれにより得られる装置に関する。本発明では、シリコン基板に対してプレドージング工程が適用される。当該プレドージング工程では、基板を、少なくとも０．０１μｍｏｌ／ｃｍ^２の、Ａｌを含む１以上の有機金属化合物に、５μｍｏｌ／分未満の流速でさらす。本発明は、また本発明により得られる半導体構造、並びに当該構造を備える装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さなトレンチ中で拡大されたＣｕ結晶粒を得るための方法に関する。更には、半導体装置に使用される狭いトレンチおよび／またはビア中に電気化学的に堆積された銅中で、拡大された銅結晶粒を形成する方法、またはスーパー第２結晶粒成長を誘起する方法に関する。
【解決手段】再結晶した電気化学的に堆積された銅（ＥＣＤ−Ｃｕ）により充填された、少なくとも１つのトレンチおよび／または少なくとも１つのビアを含む半導体装置において、再結晶したＥＣＤ−Ｃｕの少なくとも８０％、８５％、９０％、９１％、または９２％が、[１００]方位で、少なくとも１０ミクロンの寸法を有する銅結晶粒からなる。 （もっと読む）