【課題】測定精度が高く、製作が容易で、安価に出来る振動式差圧センサを実現する。
【解決手段】ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて、一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面がダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と、センサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と、ベース基板のセンサ基板との接合部に設けられセンサ基板に実質的にダイアフラムを形成し、異物の混入によりダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起されるダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と、凹部に測定圧を導入する導入孔と、凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体とを具備したことを特徴とする振動式差圧センサである。 （もっと読む）

【課題】封止部材の流動によるボンディングワイヤの断線を防止する。
【解決手段】センサチップ２とボンディングワイヤ３５との接合部をゲル状の封止部材３６にて封止する圧力センサにおいて、ダイヤフラム部２１と封止部材３６との間に壁２３を設ける。これによると、封止部材３６が硬化するまでの間、壁２３によりダイヤフラム部２１側への封止部材３６の移動が阻止されるため、ダイヤフラム部２１は封止部材がない状態が維持される。したがって、センサチップ２が受ける差圧が大きくなってダイヤフラム部２１がストッパ１２１に当接する状態になっても、封止部材３６は流動しない。これにより、ボンディングワイヤ３５に負荷がかかることが防止され、ひいてはボンディングワイヤ３５の断線が防止される。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さいばかりでなく効果的に大量生産することができる高感度圧力センサを製造する方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層１５０によって第２のデバイス層２００から分離された第１のデバイス層１００を備えるデバイスウェーハを備える、環境的影響力を測定するためのデバイスおよび同デバイスを製作する方法が開示される。エッチングされた基板ウェーハ６００に第１のデバイスウェーハが接合されて、懸垂されたダイアフラム５００および突起５５０が作製され、その撓みが、内蔵された検出素子８５０によって測定される。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＮ構造の半導体装置において、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができ、プロセスラインの汚染を防止することができて、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳＯＮ構造９上部のシリコン層３２の段差１８をアライメントマーク２０として用いることによって、アライメントマーク２０の形状崩れが防止されて、フォトリソグラフィー工程で高精度の位置合わせができるようになる。また、段差１８が小さいためにフォトリソグラフィー工程で凹部へのレジストの残留やプロセス途中で発生するゴミの残留が防止され、プロセスラインの汚染が防止できる。その結果、素子特性の劣化が防止され、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で高感度の圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力センサ１は、半導体基板２を加工してダイヤフラム構造を形成した圧力センサであって、半導体基板２が貫通した貫通部４を１箇所以上ダイヤフラム部３に形成し、半導体基板２が貫通していない薄板部にピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４によるブリッジ回路を形成し、無機または有機材料５ａ〜５ｃにより貫通部４を密閉している。 （もっと読む）

【課題】振動片の小型化に伴う、電極や配線を形成する際の負担を軽減すること。
【解決手段】振動片１００は、基部１０と、基部１０から、第１方向（Ｘ軸方向）に延出し、平面視において第１方向に垂直な第２方向（Ｙ軸方向）に幅ｗを有し、且つ、第１方向および第２方向に垂直な第３方向（Ｚ軸方向）に厚みｔを有する振動腕２０と、振動腕２０の第３方向に垂直な第１面Ａおよび第１面Ａに対向する第２面Ｂに設けられ、第１方向に電極指を配列してなる第１櫛歯電極（第１電極４１ａ、第２電極４１ｂ）、第２櫛歯電極（第１電極４１ｃ、第２電極４１ｄ）と、を含み、両櫛歯電極によって生じる第１方向の電界（Ｅｘ１，Ｅｘ２）により、振動腕２０に第１方向の伸縮を生じさせて、振動腕２０を第３方向に振動させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラムの厚さのばらつきを抑制することのできる圧力センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】異方性エッチングによって第１凹部１３が形成された一面１１を有する第１基板１０と、第１凹部１３が密閉空間となるように第１基板１０の一面１１に接合された一面２１を有する第２基板２０と、を備え、第１凹部１３を測定媒体の圧力に応じて変形可能な側面を有するものとする。そして、第１基板１０に、側面の変形に応じて抵抗値が変化するゲージ抵抗４０を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、ダイヤフラム上でのシリコン酸化膜による段差部分への応力集中を低減することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の開口部に形成されるダイヤフラムと、ダイヤフラム上に配置され、該ダイヤフラムの撓みに応じた検出信号を出力する歪ゲージと、を備える半導体圧力センサにおいて、ダイヤフラム上におけるシリコン酸化膜による段差部を、該段差部側面の面外方向が、該ダイヤフラムの段差部位において生じる最大応力の方向との間で垂直関係にありかつダイヤフラム面との間で平行関係にあるように形成する。 （もっと読む）

メンブレン（２）はキャリア基板（３）上に配置され、キャリア基板（３）内の開口（３２）上に延在する。圧力センサ（１）は、媒体との直接的な接触からメンブレン（２）を保護するために保護層（４）を有する。保護層（４）は開口（３２）内側の第１領域（２８）および開口（３２）外側の第２領域（２９）におけるメンブレン（２）を被覆する。さらに、保護層（４）がエッチング処理のためのエッチストップを形成する、圧力センサ（１）の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】圧力センサにおいて２枚の単結晶シリコン基板を張り合わせたものやＳＯＩ基板を適用せずに、圧力センサにおいて十分な性能（感度等）を確保すると共に、そのコストをより抑制する。
【解決手段】シリコン基板１の一端面側に形成された酸化膜（またはシリコン窒化膜）２表面に対し膜成長によってポリシリコン膜３が形成される。また、ポリシリコン膜３中には、拡散領域５と、その拡散領域５と接触するようにピエゾ抵抗素子７が形成される。そして、前記シリコン基板１他端面側からエッチングされて形成され前記酸化膜におけるピエゾ抵抗素子７の位置に対して、ダイアフラム１０１が形成される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流に起因する特性異常を防ぐことができる圧力センサ及び圧力センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】拡散抵抗配線６が形成された第２半導体層３と、第２半導体層３上に形成された絶縁膜７と、絶縁膜７の上に形成される外部導電部８と、を備える圧力センサ１００であって、絶縁膜７には、外部導電部８と拡散抵抗配線６とを電気的に接続するコンタクト９が形成されており、外部導電部８は、第２半導体層３上の拡散抵抗配線６が形成される範囲に相当する範囲内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高性能の圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ３０は、開口部１ａを有する第１半導体層１と、第１半導体層１上に形成され、ダイアフラム４となる凹部１２を有する第２半導体層３と、を有するセンサチップ１０と、開口部１ａに連通する圧力導入孔１７を有し、センサチップ１０に接合される台座１１と、を備える。第２半導体層３の凹部１２が、第１半導体層１の開口部１ａよりも大きくなっている。第１半導体層１の開口部１ａは、第２半導体層３側の開口径が、台座１１側の開口径よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く、しかも、その厚みのばらつきが少ないダイヤフラムを備えた半導体圧力センサと、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の第１主表面上には、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成され、そのダイヤフラム５の上面には、４つのゲージ抵抗７が形成されている。シリコン基板１には、ダイヤフラム５の裏面を露出する貫通穴３０が形成されている。ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、ダイヤフラム５をシリコン基板１に据え付けるためのアンカー部２０が、貫通穴３０の第１主表面側の開口端を周方向から取り囲むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラムが破損しにくく、しかもセンサ感度のばらつきも小さな半導体センサを提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板２２とＳｉ薄膜２４をＳｉＯ_２膜２３を介して貼り合わせたＳＯＩ基板の下面に凹部２６を形成する。Ｓｉ薄膜２４の一部が感圧領域であるダイアフラム２５となっている。凹部２６の上面外周部においては、ＳｉＯ_２膜２３がダイアフラム２５の下面外周部を覆っており、凹部２６の上面の外周部を除く領域ではダイアフラム２５の下面が露出している。ダイアフラム２５の下面外周部を覆っているＳｉＯ_２膜２３（補強部２３ａ）は、下面にテーパーを有しており、ダイアフラム２５の外周側からダイアフラム２５の中心部へ向かうに従って、次第に膜厚が薄くなっている。 （もっと読む）

【課題】温度補償を高精度で行なうことができる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体圧力センサは、シリコン基板１と、シリコン基板１上に形成された第１のダイヤフラム２５および第１のゲージ抵抗７を有するアクティブゲージ抵抗形成部１０１と、基板１上に形成された第２のダイヤフラム２６および第２のゲージ抵抗７を有する温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２とを備えている。
アクティブゲージ抵抗形成部１０１の第１のダイヤフラム２５および温度補償用ダミーゲージ抵抗形成部１０２の第２のダイヤフラム２６が共通のポリシリコン膜５より形成されている。ポリシリコン膜５は基板１に接続するために基板１側に延びるアンカー部２１を有している。第１および第２のダイヤフラム２５、２６が互いに同一または対称の構造を有し、かつ第１および第２のゲージ抵抗７が互いに同一または対称の構造を有している。 （もっと読む）

【課題】ハンドリングなどの外乱からの影響を受けてもダイヤフラム部が破損する恐れがなく、かつ圧力を高感度で検出する。
【解決手段】半導体基板２の表面に対しエッチングを行うことにより形成されたダイヤフラム部３を有する半導体圧力センサ１において、ダイヤフラム部３の端部５付近を当該ダイヤフラム部３の中心部４よりも薄くなるようトレンチ形状に成形する。 （もっと読む）

【課題】外部からの要因に影響されにくく、安定した動作が可能なゲージ圧型圧力センサを提供する。
【解決手段】本発明の圧力センサ１Ａは、第一基板１１に第二基板１２を重ねてなる基体１３と、該基体内の重なり面において、前記第一基板の中央域αに第一凹部１４ａを配することにより、前記第二基板と略平行して広がる第一空隙部１４、該第一空隙部上に位置し、前記第二基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部１６、該ダイアフラム部に配された感圧素子１７、及び、前記第二基板の外面からなる前記基体の一面において、該ダイアフラム部を除いた外周域βに配され、該感圧素子と電気的に接続された導電部１８を備える。前記基体内の重なり面において、前記第一基板の外周域βの少なくとも一部に、一方が前記第一空隙部と連通し、他方が該第一基板の側面に開口部をなす第二凹部１５ａを配することで、前記第二基板と略平行をなす第二空隙部１５を設けた。 （もっと読む）

【課題】小型で高性能な圧力センサを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる圧力センサは、差圧用ダイアフラム４と、差圧用ダイアフラム４の外周部に設けられた静圧用ダイアフラム１７と、差圧用ダイアフラム４を挟んで配置された２つの静圧用ゲージ１５ａ、１５ｂを有し、静圧用ダイアフラム１７の端部に形成された第１の静圧用ゲージペア１５と、差圧用ダイアフラム４を挟んで配置された２つの静圧用ゲージ１６ｃ、１６ｄを有し、静圧用ダイアフラム１７の中央部に形成された第２の静圧用ゲージペア１６と、を備えたものである。 （もっと読む）