【課題】 ナノテクノロジーが盛んになり、ナノ膜の測定が簡単に行える方法が求められている。従来は反射する光の波長を用いる光学的な方法が有ったが高額であり、測定範囲も約５ｎｍから上であった。本発明では、測定範囲が０．２ｎｍから数１０ｎｍ程度まで可能で、簡単且つ安価な、絶縁ナノ膜の膜厚測定方法及び膜厚測定器を提供する。
【解決手段】 電解水溶液液を挟んで、電圧を印加した一対の電極を挿入して電圧を上げていくと陽極の表面に水分子の電気二重層が形成され、水分子の電子が第一のトンネル効果により飛び出す。ナノサイズの絶縁膜を被覆した導電基体を陽極に用いると、第二のトンネル効果が加算され、電源を遮断すると、電極間電圧としてそれが測定できる。第一のトンネル電圧は知られており、求められる第二のトンネル電圧から絶縁膜の膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】 工具とワークに電圧を印加し、非接触状態で電流を検出して位置決めを行うものであって、印加電圧が大きい場合でも工具およびワークの損傷を防いで高精度の位置決めを行うことができ、さらにアルミニウム材でも高精度の位置決めを行うことができる工具位置決め方法および工具位置決め装置を提供する。
【解決手段】 工具１およびワーク２に接続するための電極３ａ，３ｂと、電極３ａ，３ｂの間に直列に接続される制限抵抗５と、制限抵抗５を介して電極３ａ，３ｂ間に電圧を印加する電圧供給装置４と、制限抵抗５の両端の電位差を増幅する差動増幅器６と、差動増幅器６から出力される電圧を判定基準電圧と比較するコンパレータ７と、コンパレータ７の出力を検出して電圧供給装置４からの電圧供給を遮断する遮断装置１３とを備える工具位置決め装置により位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、一般の工具とワークとの高精度な相対位置決めを可能とする工具位置決め方法および工具位置決め装置を提供する。
【解決手段】 工具１およびワーク２に接続するための電極３ａ，３ｂと、該電極３ａ，３ｂの間に直列に接続される電源４および制限抵抗５と、該制限抵抗５の両端の電位差を増幅する差動増幅器６と、該差動増幅器６から出力される電圧を判定基準電圧と比較するコンパレータ７と、を備える工具位置決め装置を用いて、電極３ａ，３ｂを工具１およびワーク２に接続し、電源４により工具１およびワーク２の間に電圧を印加し、工具１をワーク２に接近させ、工具１とワーク２との間に流れるトンネル電流が検出された位置を基準位置として、位置決めを行う。 （もっと読む）

【課題】配線に何ら影響を与えず、感度の低下を防止しながら自己検知型プローブを利用して長期的に安定した状態で試料を液中測定すること。
【解決手段】カンチレバー１１の変位量に応じて抵抗値が変化する歪抵抗素子と、カンチレバーの表面に露出した状態で設けられて歪抵抗素子に電気接続された配線部と、を有する自己検知型プローブ２と、探針及びカンチレバーが液体Ｗに浸された液中環境を作り出す液中設定手段３と、液体内に少なくとも一部が浸かった状態で配置された挿入電極４と、配線部の電位よりも挿入電極の電位の方が陽極側の電位となるように両者に電圧を印加する電圧印加手段５と、カンチレバーの変位量を検出する検出手段６と、カンチレバーの変位量が一定となるように探針と試料表面Ｓ１との距離を制御しながら自己検知型プローブを走査させて試料の表面形状又は物性を測定する測定手段７と、を備えている液中測定装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポンププローブ測定装置とこの測定装置を利用した走査プローブ顕微鏡装置を提供する。
【解決手段】ポンププローブ測定装置１は、ポンプ光となる第１の超短光パルス列及びプローブ光となる第２の超短光パルス列を発生させる超短光パルスレーザー発生部１１と、超短光パルス列の遅延時間を調整する遅延時間調整部１５と、第１及び第２の超短光パルス列のそれぞれを入射させて任意の繰り返し周波数で１パルスを透過させて光パルスの実効的な繰り返し周波数を低減させる第１及び第２のパルスピッカー１３，１４と、パルスピッカーから通過させるパルスの選択箇所を周期的に変更する遅延時間変調部１０と、ポンプ光及びプローブ光を試料１９に照射する照射光学系１６と、試料からのプローブ信号を検出する測定部２０と、ロックイン検出部１８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子放出源を備えた走査型プローブ顕微鏡用探針を提供する。
【解決手段】円錐状の針部１０１ａを備えたカンチレバー状の基部１０１と、基部１０１の上に形成された絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上に形成された電子放出層１０３とを備える。この探針は、これらの積層構造からなる探針部１１０と片持ちの梁部１１１とから構成されている。探針部１１０は、針部１０１ａの上に設けられた絶縁層１０２及び電子放出層１０３から構成され、この先端部に行くほど細くなるように形成されている。また、探針部１１０における電子放出層１０３の針部１１０の上面（探針部１１０の先端部上面）は、平坦に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的な出力の変化に基づいて変形量を測定する装置であって、微小な変形量も高感度に測定することができる装置を提供する。さらに本発明は、小さな領域における変形を検出することができるように小型化された変形量測定装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板、前記絶縁基板に配置された少なくとも一の電極対、および前記電極対の間を接続するチャネルを有する変形量測定装置であって、前記チャネルは、トンネル電流が流れるように分離された２以上の導電体を含む、変形量測定装置。 （もっと読む）

【課題】効率的に電圧を測定対象である半導体層または金属層のみに印加して、ＫＦＭ測定では正確な表面電位を測定し、ＳＣＭ測定では高感度な空乏層の電気容量変化を測定する。
【解決手段】サンプルホルダ１０は、サンプル保持面２１とサンプル保持面２１と垂直に交わる面とを有すると共に、サンプル保持面２１と垂直に交わる面上に形成された突起部２２を有する金属製のサンプル保持部２０と、サンプル処理面３１を有すると共に、サンプル保持面２１がサンプル処理面３１と平行になるようにサンプル保持部２０を嵌め込む平行嵌め込み孔３３と、サンプル保持面２１がサンプル処理面３１と垂直に交わるようにサンプル保持部２０の突起部２２を嵌め込む垂直嵌め込み孔３２と、を有する金属製のホルダ本体３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】微小なＲＦ信号検出を容易かつ確実に行うことのできるヘテロダインビートプローブ走査プローブ顕微鏡、更にはこの走査プローブ顕微鏡によるへテロダインビート信号の特定方法を提供する。
【解決手段】既知の外部重畳参照高周波（ＲＦ）信号もしくは外部重畳参照電磁波信号および未知の高周波信号もしくは電磁波信号を走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）にセットされた試料と該試料に対向する探針との間に付与し、外部重畳参照高周波信号もしくは外部重畳参照電磁波信号を未知の高周波信号もしくは電磁波信号に干渉させてヘテロダインビート信号を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 ＦＩＢなどを使用して電気配線などを形成しても、スカム等の影響を受けることなく、絶縁膜の微細領域の電気的欠陥を測定することができる、絶縁膜の測定方法を提供する。
【解決手段】 測定すべき膜を有する素子の上に、前記膜の上に測定の障害となる不純物を付着させないための保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記素子を測定するための測定用電気配線を形成すべき領域の前記保護膜を除去する保護膜加工工程と、前記領域内に前記測定用電気配線を形成する測定用電気配線形成工程と、前記膜の上に形成されている前記保護膜を除去する保護膜除去工程と、前記膜を電気的に測定する膜測定工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 試料を大気暴露させることなく、試料の設置から測定まで制御された環境下で試料の形状情報や物性情報を計測できる装置を提供すること。
【解決手段】 先端に微小な探針を有するカンチレバー６と、カンチレバー６を保持するためのプレート２と、試料７を設置するための試料固定台４と、筺体３などからなる気密性が保たれるロードロック室１と、カンチレバー６の変位を検出する変位検出機構８と、試料７を移動させる試料移動機構である微動機構１８、ＸＹ粗動機構１９、Ｚ粗動機構２０が設けられた密封容器１７と、密封容器１７を真空排気する真空排気機構２１とガス導入機構２２と、密封容器１７にロードロック室１を取付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 たとえ基板が絶縁性であっても、基板表面又は該基板表面の面上の原子を操作することができる原子操作方法などを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ原子６０ａの上方に探針３２の先端を移動させ（図３（ｄ））。探針３２に所定の原子間力が作用するまで基板５１に近づけ（図３（ｅ））、探針３２に所定の原子間力が作用した状態を維持しながら、Ｇｅ原子７０ａに対応する位置まで、探針３２を主走査方向（横方向）に移動させる（図３（ｆ））。そして、探針３２に作用する原子間力が弱くなるように、探針３２を基板５１から遠ざける（図３（ｇ））。図３（ｄ）〜図３（ｇ）の処理を繰り返し、探針３２に所定の原子間力が作用した状態で、探針３２を横方向に移動するとき（図３（ｅ）→図３（ｆ））に、探針３２の先端とＳｎ原子６０ａ及びＧｅ原子７０ａとの間に作用した原子間力によって、Ｓｎ原子６０ａとＧｅ原子７０ａとの位置が交換される。 （もっと読む）

材料の表面上の欠陥または汚染を特定する方法およびシステム。この方法およびシステムでは、半導体ウェハなどの材料を提供し、非振動式接触電位差センサを用いてウェハを走査し、接触電位差データを発生し、このデータを処理して、欠陥または汚染の特性を示すパターンを特定する。

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