【課題】半導体パターンの検査において、レシピの良不良診断および最適化の作業を自動的に行なう機能を備えた方法を提供する。
【解決手段】半導体パターン上に設定された測定点を含む領域について低倍率のＳＥＭ画像を取得する。次に、予めレシピとして登録されたアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンが所定の推奨条件を満たすか否かを判定する。所定の推奨条件を満たさないと判定されたとき、ＳＥＭ画像上より、最適なアドレッシング用パターン、オートフォーカス用パターン、および、オートスティグマ用パターンを選択する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、試料上の任意の評価ポイント（ＥＰ）を自動で撮像し，評価ポイントに形成された回路パターンを自動で計測することを可能にする。
【解決手段】
本発明では、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた回路パターンの寸法計測において、ＥＰの座標データと前記ＥＰを含む回路パターンの設計データを入力とし，前記ＥＰ座標データと設計データから，前記ＥＰ内に存在するパターンを計測するための測長カーソルの生成および測長方法の選択あるいは設定を自動で行うようにしてレシピを自動生成し，このレシピを用いて自動撮像・計測を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的はパターンエッジの傾斜を評価するのに好適な試料測定方法、及び試料測定装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下にパターンエッジについて、複数の輪郭線を形成し、その輪郭線間の寸法を評価する方法、及び装置を提案する。このように複数の輪郭線を形成することによって、パターンのエッジ部分の傾斜の程度を評価することが可能となる。また、エッジ部分の傾斜の程度の評価値を、面内分布表示することによって、テーパーが形成される要因を特定することが容易になる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、同種画像間の画像認識に用いられるテンプレートと同等の情報を、設計データに基づいて形成されるテンプレートに付加することで、実画像を取得することなく、設計データに基づいてテンプレートを作成することのできる容易性の維持と、テンプレートと実画像の一致度を高めることによる画像認識技術性能向上の両立にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に設計データに基づいて、画像認識用のテンプレートを作成する際に、当該テンプレートによって特定される領域の材料情報に基づいて、当該テンプレート内の各位置の輝度情報を設定する方法，装置、及びプログラムを提案する。また、その一例として、材料の情報に加えて、上記領域上に配置されたパターンの大きさ，画像取得装置の装置条件，試料の層情報，パターンの線分情報の少なくとも１つの情報に基づいて、輝度レベルを設定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子線照射によるダメージ等を抑制しつつ、試料の電位、或いは試料高さを正確に測定することが可能な走査電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、試料に向かって電子線等の荷電粒子線等を照射する際に、当該荷電粒子線が試料に到達しないように、試料に電圧を印加した状態で得られる電子等の荷電粒子の検出結果を用いて、試料高さや試料電位を測定する走査電子顕微鏡を提案する。また、その一態様として、測定された試料高さや試料電位に基づいて、試料帯電によって変動する装置条件（例えば倍率，フォーカス，観察座標等）を補正する走査電子顕微鏡を提案する。 （もっと読む）

【課題】耐ノイズ性が高く，僅かな解像力の差異が抽出可能な静電潜像評価方法、静電潜像評価装置、画像形成装置を得る。
【解決手段】静電潜像パターンが形成された光導電性試料の面を荷電粒子ビームにより走査し，パターンによる電気的影響を受けた荷電粒子を捕獲して強度信号を検出し，強度信号から潜像パターンを含む断面プロファイルを抽出し，露光部，非露光部の強度信号から基準量，特徴量を抽出し，光導電性試料の潜像解像力を算出する。空間周波数の異なる複数の静電潜像パターンを光導電性試料の面に形成し，それらの断面プロファイルにおける露光部，非露光部の強度信号のうち，最も空間周波数の低いパターンの露光部における強度信号値，パターン外の非露光部における強度信号値を基準量として，各空間周波数において潜像の解像力を算出し，潜像のレスポンス関数を算出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、インラインのプロセス管理の一環として適用が可能な，高スループットなレジストパターンの膜減り検知ないし，膜減り計測を実現するシステムを提供することにある。
【解決手段】
レジストパターンの膜減りがレジスト上面の面荒れ（ラフネス）を伴うことに着目し，従来の線幅計測に用いているレジストパターンの電子顕微鏡像上で，レジスト上面に相当する部位のラフネスの程度を定量化することによって膜減り指標値を算出する。また，予め作成しておいた膜減り指標値とレジストパターンの膜減り量を関連づけるデータベースに当てはめることによって，レジストパターンの膜減り量を推定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】
設計データを制約条件として用い単調なパターンでも精度の良い連結画像を生成することを目的とする。設計データと画像データとのマッチングで大まかに基準位置を求めて、設計データとのズレ量を検索範囲として、隣接画像間でのマッチングを行い高速で精度の良い連結画像を生成する。
【解決手段】
本発明の画像生成方法は、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイスパターンを検査する画像生成方法であって、電子デバイスパターンのレイアウト情報が記述された設計データを入力して記憶した設計データファイルと、撮像位置を変えて前記電子デバイスパターンを撮像して得た複数枚の分割画像データと、前記複数枚の分割画像データと前記設計データファイルの設計データとを用いて前記複数枚の分割画像データを１枚の画像に連結する画像連結手段とで構成される。 （もっと読む）

【課題】わずかな間隔の違いを拡大して表現するモアレ法を、特に微細な領域での測定を得意とする電子線モアレ法を用い、容易に走査照射装置の走査精度を検定する方法を提供する。
【解決手段】検定試料として、グリッドを形成する材料と基板とが粒子線又はエネルギー線に対する透過性又は反射特性又は電子やイオンの発生特性が異なるようにして、前記基板にグリッドが形成された基準板に対して、平行にあるいは鋭角な角度を持って前記粒子線又はエネルギー線を走査状に照射して画像を得る。広範囲における倍率を検定できるよう、基準となるグリッドを校正すべき装置の能力に見合うように作製し、これを用いてモアレ縞を発生させ、このモアレ縞の形状より、走査幅の不均一や不正確さを検定校正する。 （もっと読む）

【課題】
外乱等の影響に依らず、焦点等の調整が行われた高画質画像に基づく測定が可能な試料
の検査，測定方法を提供すること。
【解決手段】
焦点調整が行われた電子ビームを走査して、前記パターンを測定するための画像、或いは測定のための位置合わせを行うための画像を形成し、当該画像の評価値と、予め取得された参照画像の画像評価値を比較し、当該参照画像との比較によって、前記形成された画像が所定の条件を満たさないと判断される場合に、前記電子ビームの焦点調整を再度実行する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェハに打ち込んだイオンの影響や、パターン接続の有無、パターンエッジの形状などの影響による検出画像誤差を生じることなく画像を検出する。
【解決手段】パターン検査方は、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて予め座標データで登録した領域、又は予め登録したパターンと一致するパターンをマスクして欠陥を検出し、この検出した欠陥を表示するようにした。又本発明によるパターン検査方法においては、対象物基板を撮像してディジタル画像を得、このディジタル画像を用いて欠陥を検出し、この検出した欠陥のうち登録した特徴に一致する欠陥の表示非表示を切替えるか他と識別可能なように表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、半導体パターンやコンタクトホールの変形や側壁の傾斜のできばえを判定することができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体ウェーハ上に形成された回路パターンの画像をあらかじめ設定された条件で撮像する撮像手段、該撮像手段で撮像された画像と予め記憶された基準画像とを比較して撮像された画像の特徴量を算出する算出手段，該算出手段で算出された特徴量に基づいて、半導体ウェーハのできばえ評価を実行するコンピュータを備え、特徴量の算出は、２次電子画像，反射電子画像に関して独立に行われる。 （もっと読む）

【課題】装置毎、或いは日々の変動に合わせて設定する必要のあった画像取得対象個所を自動で設定することができる、試料の管理機能を提供する。
【解決手段】機差測定を行う為にウェハ上に当該ウェハ上で測定済みのパターンの箇所及び当該測定済みの箇所を測定した装置の情報をマーキングするための領域（レプリカ領域等）を設け、当該マーキングを参照することにより、試料を管理する。マーキングの方法としては、電子線照射によるコンタミネーション付着を挙げられる。この場合、コンタミが付き易いように電子線照射密度を上げる。このために、倍率を上げる、プローブ電流の増加、積算フレーム枚数の増加などを実施することができる。 （もっと読む）

【課題】ライン・スペース判定方法およびライン・スペース判定装置に関し、ラインとスペースの幅がほぼ同一でしかも明るさ・コントラストが同じような場合であっても画像上でいずれかラインでありいずれがスペースであるかを自動判定し、測長対象のラインあるいはスペースを間違いなく判定して測長する。
【解決手段】ラインとスペースとが混在する領域の画像を取得するステップと、ラインとスペースとが混在する領域を一方向に走査してラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのラインとスペースの境界を表す部分のピークを検出し、ピークと隣接する他のピークとの間の領域のラインプロファイルの傾きを算出するステップと、算出したピークとピークとの間の領域の傾きの大小をもとに、スペースおよびラインを判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクのパターン又はフォトマスクのOPCパターンの寸法を容易に且つ正確に測定する。
【解決手段】本発明のパターン測定方法は、所定のパターンに対応する基準パターンと、予め指定された測定点と、を取得するステップと、基準パターンの外形線のうち、測定点の両側の直線状の２本の線分を含むように測定領域を設定するステップと、所定のパターンの走査像に、測定領域を重ね合わせ、測定領域にある、所定のパターンの走査像の２本の輪郭線の間の寸法を測定するステップと、を含む。測定領域は、２本の線分に接続される角部の近傍を含まないように設定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】入力画像の画像幅が変化しても、高い精度にて欠陥検出処理を行うことができる画像処理装置を備えた外観検査装置を提供する。
【解決手段】画像処理装置は、入力画像を、各々、入力画像の画像幅と同一の画像幅を有し、且つ、所定の画像長さを有する、複数の画像ブロックに分割する。この画像ブロックを、隣接する２つの繰返しパターン毎に比較し、両者の差から欠陥を検出する。画像処理装置は、入力画像の画像幅と画像ブロックの画像長さに関するデータを有しており、入力画像の画像幅が変化しても、画像ブロックの各々を格納することができる画像メモリを有する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度のパターン検査方法およびパターン検査装置を提供する。
【解決手段】走査領域内で所望のパターンの寸法を測定し、測定結果から統計量を算出し、算出結果が所定の閾値を超えた場合に、寸法測定に誤差が含まれていたものと判定して補正処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ画質のよしあしをリアルタイムで判断することができる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置により撮像された複数枚のスキャン画像を積算して、１枚のＳＥＭ画像を構成し、電子線を用いて、線幅や欠陥を検査する方法及び装置において、スキャン画像毎に設計データとのマッチングを行い、マッチングの結果として、Ｓｈｉｆｔ_ｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙを算出し、スキャン画像毎のＳｈｉｆｔ_ｘの差分δｘ，Ｓｈｉｆｔ_ｙの差分δｘを算出し、上記差分δｘ又はδｙが閾値を超える場合に、ＳＥＭ画像の取得のリトライ処理を演算手段によって実行する。 （もっと読む）