【課題】リターディング電圧印加方式によってナノインプリント用フォトマスク上のパターン寸法を正確に測定することができる微小寸法測定走査電子顕微鏡（CD-SEM）等の荷電粒子線装置を提供することにある。
【解決手段】ナノインプリント用フォトマスクをホールダに装着するためのアタッチメントを用いる。倍率ずれを求め、それを用いて、ナノインプリント用フォトマスク上のパターンの寸法の測定結果を修正する。倍率ずれは、ホールダの寸法校正用試料とナノインプリント用フォトマスクの寸法校正用試料を用いて求める。更に、倍率ずれは、ナノインプリント用フォトマスクの帯電電圧から求めてもよい。 （もっと読む）

【課題】撮像ポイントに対応する撮像領域間が重なった場合、評価ポイントについて撮像される画像の品質が低下する。
【解決手段】荷電粒子線装置における撮像範囲間の重なりの有無を、コンピュータによる演算処理を通じて判定する。この際、重なりの有無の判定は、判定対象に対応する撮像範囲を構成する４つの頂角のうち隣り合う関係にある４組の２つの頂角と、他の１つの撮像範囲を構成する４つの頂角のうちの１つの頂角とによって形成される４つの三角形の面積の総和が、判定対象に対応する撮像範囲の面積と一致する否かによって実行する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置には、評価対象である試料の外周縁部の近傍において、等電位分布の対称性が乱れて荷電粒子線が偏向する不具合がある。
【解決手段】静電吸着式の試料保持機構の内部に設置される電極板を、同心円状に配置される内側の電極板と外側の電極板との２つで構成する。外側の電極板の外径は、試料の外径よりも大きい値に形成する。更に、外側の電極板と試料との重なり面積と、内側の電極板の面積とが概略等しい大きさになるように形成する。そして、内側の電極板には、基準電圧に対して正極性の任意の電圧を印加し、外側の電極板には基準電圧に対して負極性の任意の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】回路動作上要求される仕上がり精度検証のため、電気特性をもつデバイスを包含するＦＯＶ（即ち、評価ポイント（ＥＰ））の配置すべき位置を容易に決定する。
【解決手段】ＣＡＤデータが有しているデバイス形状情報（回路設計データとレイアウト設計データを含む）から、電気特性測定に必要な構成領域を全てＦＯＶ内に収まるように、デバイス形状に沿ってＦＯＶを重ならないように配置するための画像取得条件を決定する。なお、デバイスの配線部分については、配線部分の形状によっては複数の基本構成図形の組み合わせで表わされるので、各構成図形に対してＦＯＶを配置する処理が実行される。セル部分については、セル外形枠と頂点を基準にＦＯＶが配置される。その際、何れかの頂点がＦＯＶ配置処理の開始点となり、別の頂点が同処理の終点となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
コンタミネーションの付着を低減する、微細な基準寸法を有する、電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材を提供する。
【解決手段】
少なくともシリコンを含み、予めピッチ寸法が求められている回折格子の配列よりなる電子顕微鏡装置の寸法校正用標準部材において、寸法校正用標準部材の溝パターンの表面に１ｎｍから５ｎｍのシリコン酸化膜を形成することによって、電子ビーム照射によって付着するコンタミネーション量を低減する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】輪郭線の任意の局所的な位置や特定の部位におけるパターン寸法の算出が容易にでき、また、輪郭線パターンの代表寸法値を精度良く求めることができる画像データ解析を実現する。
【解決手段】検査対象パターンの画像データから得られる輪郭データから、検査対象パターンの対象寸法値を求めるパターン寸法算出方法を開示する。このパターン寸法算出方法では、画像処理部が、対象検査パターンの輪郭データと測長用矩形データとの重なり領域を算出し、重なり領域の面積から対象寸法値を算出する。算出された対象寸法値は画像データ及び輪郭データの少なくとも１つと共に表示部に表示されるようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アスペクト比の大きなパターンの高さ（深さ）測定を実現することが可能な試料高さ測定方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料上の第１の部分の高さと、第２の部分の高さの差違に関する情報と、前記第２の部分の輝度に関する情報を関連付けて記憶媒体に記憶させ、前記試料に荷電粒子線を走査したときに検出される荷電粒子に基づいて、前記第２の部分の輝度に関する情報を検出し、当該検出された輝度に関する情報と、前記記憶媒体に記憶された情報に基づいて、前記試料上の第１の部分と第２の部分との差違を求める方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトよって生じるビーム径の増大が引き起こす計測再現性の低下を防止し，機差の発生に対処する機能を有する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】試料上に収束した一次荷電粒子線を走査して，試料から放出される二次荷電粒子を検出して得られるラインプロファイルを用いて試料上のパターン寸法を計測する荷電粒子線装置において，予めイメージシフト位置とビーム径変化を関連づけるルックアップテーブルを実測あるいは計算により求めて登録しておき，寸法計測時には，ルックアップテーブルを参照してラインプロファイルに対してビーム径変化分を補償するような画像処理を施すことで，イメージシフト位置によらず，実効的にビーム径が等しい状況を作り出す。これによって再現性の優れた荷電粒子線測定を行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にビーム走査範囲単位での照射量のコントロールだけでは、抑制することが困難な寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、以下に、ビームによるコンタミネーションの付着によって生じる正の堆積と、試料除去によって生ずる負の堆積が相殺される走査範囲内の位置を測定部位として選択、或いは走査領域内において、寸法変動の影響がない、或いは少ない部分を測定部位として選択する方法、及び装置を提案する。当該方法及び装置によれば、走査領域面内で、寸法測定を行うに当たり適正な位置を選択することが可能となる。上記構成によれば、ビーム照射によって生じる寸法値変動要因に依らず、高精度な寸法測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された多数のパターンの座標を短時間で計測することが可能な座標計測装置を提供する。
【解決手段】偏向器１３により電子線１２を偏向走査することで、試料Ｍに形成された複数のパターンのＳＥＭ画像が画像取得手段３５により取得される。取得したＳＥＭ画像に含まれる複数のパターンのうちの一のパターンの座標がステージ位置に対応させられ、この一のパターンの座標に対する他のパターンの相対的な座標が座標計測手段３８により計測される。ステージ２２を移動させて又は移動させながら、ＳＥＭ画像を取得し、座標を計測させる制御を繰り返し実行する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の偏向量を抑えて観察像の像質を向上させることができる荷電粒子線装置及びその観察位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ベース４０上を水平移動可能な粗動機構と、粗動機構上を水平移動可能な微動機構と、微動機構上に設けたトップテーブル４３と、ビーム偏向量に対して観察像の要求画質に応じて設定された許容範囲を記憶した記憶部７３Ｂと、撮像対象が観察領域に入るように粗動機構を制御する粗動機構制御部７２Ａと、撮像対象を含む低倍率の観察像の中心と撮像対象との座標ずれ量を算出するずれ量算出部７３Ｄと、座標ずれ量が許容範囲内か否かを判断する判断部７３Ｅと、座標ずれ量が小さくなるように微動機構を制御する微動機構制御部７２Ｂと、座標ずれ量が許容範囲内の場合に座標ずれ量だけビーム偏向量を補正する偏向補正制御部７０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線照射による帯電の影響を回避しつつ、視野ずれの抑制を実現するのに好適な試料像形成方法，荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、試料上に荷電粒子線を走査し、試料から放出された二次信号に基づいて画像を形成する試料像形成方法において、複数回の走査で得られる複数の画像を合成して合成画像を複数形成し、当該複数の合成画像間の位置ずれを補正して画像を合成し、更なる合成画像を形成することを特徴とする試料像形成方法、及びこの方法を実現するための荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ドリフトが生じやすい試料であっても、輪郭の明瞭さが安定した試料像を得ることができる画像形成方法及びその方法を用いる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】画像形成方法は、試料Ｓをラインスキャンによって撮像し、第１の画像データを得る第１の撮像工程と、第１の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第１の数値化工程と、第１の数値化工程で得られた第１の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ１から、明瞭さの閾値Ｍｓを設定する閾値設定工程と、試料Ｓをエリアスキャンによって撮像し、第２の画像データを得る第２の撮像工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを数値化する第２の数値化工程と、第２の画像データの輪郭の明瞭さを表す数値Ｍ２が閾値Ｍｓを満たしているか判定する判定工程と、判定工程の結果に基づいて、画像を選択して記憶する記憶工程とを備えるものとした。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ダブルパターニングによって形成される第１パターンと第２パターン間のずれ、重なり領域の評価を適正に行い得る方法，装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、第１パターンに関する情報と、ダブルパターニングの第２の露光によって形成される第２パターンの設計情報とを結合した結合情報と、第１パターンと第２パターンが表示された画像との間で、２段階のマッチングを行い、第２のパターンの設計情報の移動量に基づいて、第１パターンと第２パターンとの間のずれ量を求める方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】測定対象の汚染を適切に防ぐことができ、また、測長処理にかかる時間を短縮することができる電子ビーム測長装置及び測長方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生する電子銃１６と、電子ビームを偏向する偏向器２６と、測長対象１２を載置可能なステージ１４部と、電子ビームに起因して飛散する電子を検出する検出器３６と、測長対象内の所定の測長部分が存在すべき設計位置を特定する設計位置情報を記憶する記憶部５０と、設計位置情報に基づいて、偏向器２６により所定の測長部分が存在すべき設計位置に電子ビームが照射されるように電子ビームを走査し、電子ビームが走査されている際に、検出器３６により逐次検出される電子の変化状況に基づいて、測長部分の長さを測る測長制御部５８とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】
試料上の欠陥を，画像取得手段を用いて短時間に多数の欠陥観察を行う方法において，第１の倍率で撮像した画像から誤検出なく欠陥位置を特定し，第２の倍率での撮像を可能とする。
【解決手段】
試料上の欠陥を観察する方法において，画像取得手段を用いて第１の倍率で前記欠陥を含む欠陥画像を撮像し，欠陥画像から欠陥を含まない参照画像を合成し，取得した欠陥画像と合成した参照画像とを比較して欠陥候補を検出し，該欠陥候補を欠陥と正常部に識別する処理を行い，欠陥と識別された部位のみを第２の倍率で撮像するように装置を構成した。 （もっと読む）