【課題】
従来は、二次元又は三次元形状計測の際に用いた計測手法固有の形状算出式のパラメータと形状指標値とを関連づけ，前記パラメータを調整することにより，形状を補正する場合、補正による形状変形の自由度も形状の算出に用いられるモデル式に依存するため，多くの形状バリエーションをもつ補正対象には不向きであった。
【解決手段】
本発明では、任意の三次元形状計測手法によって計測された半導体パターンの三次元形状に曲線式を当てはめ，別途算出した形状指標値に基づいて前記曲線式のパラメータを調整することによって前記三次元形状を補正するようにした。前記形状指標値と前記パラメータとの関係をデータベースに蓄積し，計測時は前記関係をもとに計測形状の補正が実施されるようにした。 （もっと読む）

【課題】描画されたパターン中から確実かつ精度高くかつ高速かつ人手に頼ることなく対象パターンを特定し、測長などする方法を提供する。
【解決手段】 設計データで表現されるパターンに、プロセスシフト情報を加味した第１のパターンを作成するステップＳ１〜Ｓ４と、描画されたパターンを拡大するステップＳ５、Ｓ６と、特定対象の第１のパターン、あるいは特定対象の第１のパターンとその周辺のパターンを含め、拡大されたパターン、あるいは拡大されたパターンとその周辺の拡大されたパターンを含めてパターンマッチングするステップＳ７と、パターンマッチングして一致あるいは最も一致した拡大されたパターンを出力するステップＳ８〜Ｓ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの多い微細ラインパターンのSEM観察像からエッジラフネスの程度を精確かつ迅速に評価するために、計測されるエッジラフネスの指標のうち、装置のランダムノイズの寄与を1枚の画像データをもとに計算する。またエッジラフネス指標の計測値から装置起因のラフネスを差し引いて、パターンに実際に存在するラフネスの程度を計算する。
【解決手段】エッジ位置のゆらぎのうち、ランダムなノイズに起因する量（分散値）は統計的にみて、エッジ位置データをN個平均したときに１／Ｎに減少する。この性質を利用し、１枚の画像に対してさまざまなパラメータＳの値で画像を縦方向に平均化したのち、エッジラフネス指標を求める。エッジラフネス指標のＳ依存性を分析し、分散値が１／Ｓに比例する項をノイズ起因とする。 （もっと読む）

【課題】高スループットでしかも高い信頼性で試料資料の検査、評価が可能な検査方法、検査装置の提供。
【解決手段】電子線装置は、荷電粒子線を発生する荷電粒子線発生手段７１と、前記一次荷電粒子線を複数本走査させて前記基板に照射する一次光学系７２と、前記荷電粒子線の照射により前記基板から放出された二次荷電粒子線が投入される二次光学系７４と、前記二次光学系に投入された二次荷電粒子線を検出して電気信号に変換する検出器を有する検出系７６と、前記電気信号に基づいて基板の評価を行う処理制御系７７と、を備え、前記パターン形成面を複数の領域に分割して、領域毎にパターンを形成することにより全体のパターン形成が行われるパターン形成面の評価において、上記分割した領域のつなぎの領域を選択して上記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体試料等の表面に形成されたパターン等の体積減少を抑制、或いは減少に関わらず正確な測長を行う。
【解決手段】荷電粒子線を試料上で走査し、試料より放出された二次電子に基づいて、試料上に形成されたパターン等の線幅等を測長する荷電粒子線装置において、試料の物性に基づいて決定される照射密度を上回らないように前記荷電粒子線の走査線間隔を設定する。或いは予め記憶された近似関数に基づいて測長値を演算する。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】従来困難とされていた凹凸の大きく激しい表面構造や試料内部に埋設された特定構造物と、この特定構造物とは深さの異なる深さに埋設された構造物との距離を測定し得るようにする。
【解決手段】試料２の内部に埋設された特定構造物としての配線パターンに到達し、特定構造物で反射して試料表面から脱出するに足る入射エネルギーで配線パターンを含む領域に荷電粒子としての電子ビームを照射して走査する。特定構造物で反射した反射ビームと試料表面から脱出する際に試料表面で放出させる二次電子ビームを検出し、特定構造物と、その特定構造物の埋設深さとは異なる深さに埋設された構造物との距離を測長する。 （もっと読む）

【課題】 画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。
【解決手段】 寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

CSCTでは、多色性一次放射線に対して、各ボクセルの散乱機能の正確な再構築を行う方法は、知られていない。本発明の一実施例では、再構築の前に、ビーム硬化補正が行われ、等価水厚さから得られた一次放射線平均減衰データに基づいて、見かけ上正確な再構築を実施することが可能となる。等価水厚さから、エネルギーシフトが算定され、これを用いて、散乱放射線の初期の平均エネルギーが補正される。また、CT再構築は、CSCT再構築の前に実施され、ビーム硬化補正が可能となる。これにより、改良された画質を得ることができ、散乱機能の分解能が向上するという利点が得られる。
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【課題】 従来の半田付け状態を検査するためにサブトラクション処理を行うと、吸収係数の差の情報が画像化されるために、信号成分が小さくなり相対的にノイズが大きくなる。そこで、このノイズを軽減するためには、長時間撮影による積算が有効であるが、検査時間が長くなるといった問題があった。
【解決手段】 撮影条件を変えて同一部分におけるプリント基板上の実装部品の第１、第２のＸ線画像からエネルギーサブトラクション処理によって第３の画像を得、前記第１または第２の画像から第３の画像を差し引いて回路パターンのみの第４の画像を得、該第４の画像を平滑化フィルタ処理を行ってノイズを除去して第５の画像を得、前記第１または第２の画像から第５の画像を差し引いて半田のみの第６の画像を得、この第６の画像から半田の良否を判定するようにしたプリント基板の半田検査方法である。 （もっと読む）