用途：監視領域内の標的の遠隔的な検査
主題：監視領域に、２以上の主要マイクロ波エミッタを用いてマイクロ波を照射する。監視領域から反射された信号を１以上の平行記録チャネルを用いて記録し、さらにこの記録信号をコヒーレント処理し、監視領域内散乱体の（主要エミッタから標的までの距離に基づいて）再構築された形状の最大強度の値を得る。前記コヒーレント処理の結果として得られた情報を、三次元表面に相当するマイクロ波イメージを構築することによって表示する。さらに、マイクロ波エミッタに同期した２以上のビデオカメラを用いて、標的のビデオイメージを獲得し、得られたビデオイメージを変換し、三次元ビデオイメージ及びマイクロ波イメージを一般化座標系へと変換する。これによる技術的成果として、秘密裏の検査における誘電体の存在又は非存在決定の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第２エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第２エッジ部分よりも内側に設定する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の光出力の時間変化を測定することにより、感光体に形成された静電潜像を評価し、レーザ光源などの性能ないしは特性を評価する画像評価装置、画像評価方法を得る。
【解決手段】感光体１３９上に形成される静電潜像を評価する。レーザ光源１３１と、レーザ光源を所定の変調信号で駆動することによりレーザ光を射出させる駆動装置と、レーザ光源１３１からのレーザ光を感光体１３９上で走査して感光体上に静電潜像を形成する走査装置と、感光体１３９上の静電潜像の測定装置と、を有し、測定装置は、静電潜像の形成開始時と形成完了時の形状の変化を測定することができ、この形状の変化からレーザ光源の光出力の時間変化特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、観察対象である試料の伸縮の変化を抑えることにより、観察対象の位置ずれを解消し、大幅なスループット向上を図った荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明は、試料を保持する試料保持手段と、前記試料の温度の調整が可能な温度調節手段と、各種条件に基づき前記温度調節手段の制御が可能な温度調整手段制御手段を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、走査電子顕微鏡等の寸法測定装置を用いて、半導体デバイスのパターンのラフネスを評価する際に要する相関距離や分散といったようなパラメータを、正確に決定することが可能な寸法解析プログラム、寸法計測装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、構造物の寸法を所定の方向に沿って複数回測定した結果を元に得られたスペクトルと同測定条件の下で計算により求めたスペクトルとが合致するように寸法の標準偏差もしくは分散もしくは相関距離もしくは基本となるスペクトルからの変形を特徴付ける変数の内の少なくとも一つに対して適切な値を選択することによりその値を決定するプログラム、及び寸法測定装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】 異物起因のコントラストのみを明確に判別して過検出及び誤検出を防ぐことができるＸ線透過検査装置及びＸ線透過検査方法を提供すること。
【解決手段】 測定対象の元素のＸ線吸収端より低いエネルギーの第１の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第１のＸ線管球１１と、元素のＸ線吸収端より高いエネルギーの第２の特性Ｘ線を試料Ｓに照射する第２のＸ線管球１２と、第１の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第１の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第１のＸ線検出器１３と、第２の特性Ｘ線が試料Ｓを透過した際の第２の透過Ｘ線を受けてその強度を検出する第２のＸ線検出器１４と、検出された第１の透過Ｘ線の強度の分布を示す第１の透過像と検出された第２の透過Ｘ線の強度の分布を示す第２の透過像とを作成し、第１の透過像と第２の透過像との差分からコントラスト像を得る演算部１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の露光工程を有する製造プロセスにて形成されたギャップの種類の特定を、高いスループットにて実現することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子ビームの走査に基づいて検出される信号から、複数のパターンが配列されたパターンの一端側に関する特徴量と、当該パターンの他端側に関する特徴量を抽出し、当該２つの特徴量の比較に基づいて、前記複数のパターン間のスペースの種類を判定するパターン測定装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

物体の画像を生成して表示するための装置および方法は、線源および、線源との間に走査範囲を定義するために間隔を置かれて、物体を通って伝えられて入射する放射を検出できる、少なくとも２つ（好ましくは３つ以上）の一連の線形検出器；線形検出器に沿って互いにある角度で連続した経路において、走査範囲を通って物体を相対的に移動させる手段；少なくとも、第１の線形検出器の出力から第１の画像、第２の線形検出器の出力から第２の画像、および第３の画像を各連続した経路のために生成する画像生成装置；第１、第２、第３の画像を連続して表示し、したがって、画像間に単眼の移動視差を表示するのに適した画像ディスプレイ；が使用される。各画像は、走査方向に対して垂直な方向においてビーム拡散に起因する歪みを減らすような方法で、表示の前に処理される。画像間の単眼の移動視差は、観察者の目に見える三次元キューを生成するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の偏向量を抑えて観察像の像質を向上させることができる荷電粒子線装置及びその観察位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ベース４０上を水平移動可能な粗動機構と、粗動機構上を水平移動可能な微動機構と、微動機構上に設けたトップテーブル４３と、ビーム偏向量に対して観察像の要求画質に応じて設定された許容範囲を記憶した記憶部７３Ｂと、撮像対象が観察領域に入るように粗動機構を制御する粗動機構制御部７２Ａと、撮像対象を含む低倍率の観察像の中心と撮像対象との座標ずれ量を算出するずれ量算出部７３Ｄと、座標ずれ量が許容範囲内か否かを判断する判断部７３Ｅと、座標ずれ量が小さくなるように微動機構を制御する微動機構制御部７２Ｂと、座標ずれ量が許容範囲内の場合に座標ずれ量だけビーム偏向量を補正する偏向補正制御部７０Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】より短時間で欠陥を撮像できる欠陥観察装置および欠陥観察方法を得ること。
【解決手段】この欠陥観察方法は、観察対象物の欠陥および基準マークの位置座標を取得するステップと、欠陥を検出して、この検出された欠陥位置に応じて位置座標を補正する第１の方法で欠陥を撮像するのに必要な第１の時間を算出するステップと、基準マークを検出して、この検出された基準マーク位置に応じて位置座標を補正する第２の方法で欠陥を撮像するのに必要な第２の時間を算出するステップと、第１、第２の時間を比較するステップと、比較結果に応じて、第１または第２の方法で位置座標を補正して欠陥を撮像するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】
試料像のふちにカーソルを正確に位置付けすることを可能として、２本のカーソル間の寸法を求めることができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
試料の画像を表示するディスプレイと、試料の画像上に寸法測定用のカーソルを重ねて表示させるコンピュータとを備え、該コンピュータは、カーソルをディスプレイへ表示された試料の画像の所望の位置へ移動させることによって、カーソル間の距離を演算し、ディスプレイへ表示させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細な半導体パターンに対する広視野な撮像領域（ＥＰ）において、コンタミネーション、画像の撮像ずれや歪みに対してロバストなパノラマ画像合成を実現できるようにした走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成技術を提供することにある。
【解決手段】走査荷電粒子顕微鏡を用いた広視野な撮像領域（ＥＰ）におけるパノラマ画像合成技術において、各調整ポイントの配置並びに各局所撮像領域（及び各調整ポイントの撮像順からなる撮像シーケンスを最適化して撮像レシピとして作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レイヤ間の重ね合わせのずれ量を小さな面積のパターンで正確に測定することができる合わせずれ測定方法を得ること。
【解決手段】複数レイヤのパターンを積層して作製される半導体装置に対してレイヤ間の重ね合わせのずれ量を合わせずれ量として測定する合わせずれ測定方法において、上層側のレイヤＬｕで環状に形成された第１の環状パターンと第１の環状パターンと同心円上に配置されるよう下層側のレイヤＬｄで環状に形成された第２の環状パターンとの距離を測定するとともに、この測定結果を用いて合わせずれ量を算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの複雑な構造のばらつきを直感的かつ定量的に評価することができる外観検査装置を提供する。
【解決手段】被検査物の像を検出する画像検出部６、検出した画像を処理する画像処理部９１、被検査物をスキャンするビーム制御系９２およびステージ制御系９３を有するスキャン制御部を備えた画像検出部１０と、検出した画像から外観を検査する外観検査処理部２０とを備えた外観検査装置において、外観検査処理部１０が、取得した複数の像を重ね合わせ、像の各点（ｘ，ｙ）における代表的な値（代表値データμ(ｘ，ｙ)）を求める代表値データ作成処理機能２１２と、複数の像の各点（ｘ、ｙ）における許容範囲の値（ばらつきデータσ(ｘ，ｙ)）とを求めるばらつきデータ作成処理機能２１３と、代表的値データとばらつきデータとを元に、検査対象物の良否を判定する判定処理機能２１４を有する。 （もっと読む）

【課題】基板全体としての変形態様をより容易に捉えることのできる基板変形認識方法及び基板変形認識装置及び基板変形認識プログラムを提供する。
【解決手段】予め基板上に設定した複数の目標位置について、基板を各目標位置に逐次移動させ、目標位置ごとに移動後の基板の位置を検出する第１の工程（ステップＳ１１〜Ｓ１３）と、各目標位置について、該目標位置と移動後の基板の位置とを関連付けした位置データを、記憶装置に記憶させる第２の工程（ステップＳ１４〜Ｓ１５）と、記憶装置に記憶された位置データをコンピュータに入力し、該コンピュータに、その位置データに基づくグラフィックデータを作成させるとともに、そのグラフィックデータを表示装置の画面に視認可能にグラフィック表示させ、該画面上のグラフィック表示に基づいて、基板の変形を認識する第３の工程と、を通じて、当該基板の変形特性を認識する。 （もっと読む）

【課題】実製品と同等の被検体に対して衝撃を与え、その被検体の内部構造に掛かる衝撃を観察ないし解析することにある。
【解決手段】Ｘ線発生器１から照射されたＸ線ビーム９内で被検体４に衝撃を与え、当該被検体４から透過してくるＸ線強度分布であるＸ線透過像を、高速度カメラ１１を備えたＸ線検出器３で毎秒１００フレーム以上の速度で連続撮影し、デジタルの透過像に変換し記録する。この記録されたデジタルの透過像を、表示手段８，１３によって毎秒１００フレーム以上の速度から所定の低減倍の速度のもとにスローモーションで動画表示し、前記被検体の内部構造の状態を観察する衝撃試験装置である。 （もっと読む）

【課題】対象物の断層像にアーチファクトがあっても、それに伴う誤差を生じることなく、正確にポリゴンデータを作成して対象物の３次元画像を正しく表示することのできる３次元画像化方法を提供する。
【解決手段】ＣＴ撮影等により得られた対象物の３次元濃度データを、あらかじめ設定されている一律のしきい値Ｓｔを用いてポリゴンデータを生成する前に、以下の修正を加えることで、アーチファクト等の影響をなくす。３次元濃度データから、仮のしきい値を用いて輪郭（境界）を抽出してその輪郭上の画素ａを順次選択し、その画素ａを通り対象物像の略法線方向の軸に沿い、その軸の周辺所定領域の画素の濃度値を積算して得られるプロファイルを作成して微分することによって当該プロファイルのピーク値を求め、そのピーク位置の濃度値Ｓｐと上記しきい値Ｓｔとの差を算出し、選択された画素ａと周辺の画素の濃度値を、しきい値Ｓｔに近づくように修正する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、同種画像間の画像認識に用いられるテンプレートと同等の情報を、設計データに基づいて形成されるテンプレートに付加することで、実画像を取得することなく、設計データに基づいてテンプレートを作成することのできる容易性の維持と、テンプレートと実画像の一致度を高めることによる画像認識技術性能向上の両立にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために、以下に設計データに基づいて、画像認識用のテンプレートを作成する際に、当該テンプレートによって特定される領域の材料情報に基づいて、当該テンプレート内の各位置の輝度情報を設定する方法，装置、及びプログラムを提案する。また、その一例として、材料の情報に加えて、上記領域上に配置されたパターンの大きさ，画像取得装置の装置条件，試料の層情報，パターンの線分情報の少なくとも１つの情報に基づいて、輝度レベルを設定する。 （もっと読む）

【課題】
半導体集積回路パターンの欠陥検査において、欠陥検査回数を制限しつつ、致命欠陥の管理を容易にする。
【解決手段】
半導体集積回路の設計者が設計したパターン設計情報５に加え、パターンの重要度をその設計意図に応じて順位付けした設計意図情報６を記憶する。また、露光装置を介して、設計された回路パターンをウエハ上に露光転写する際に、露光装置の特性等によってシステマティックに発生する欠陥を、あらかじめシミュレーションによって予測し、ホットスポット情報７として記憶する。これら設計意図情報６とホットスポット情報７を組み合わせることによって、半導体集積回路の特性に対して、システマティックな欠陥が発生可能性の高い検査場所を限定し、欠陥検査時間を大幅に短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置を用いることなく、Ｘ線透視を行うことにより、アルミダイキャスト部品のボイド等の欠陥をはじめとして、透視対象物内部の特異部位の３次元位置情報を正確に知ることができ、加えて３次元の概略形状を知ることのできるＸ線透視を用いた３次元観測方法と、その方法を用いたＸ線透視装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線源１とＸ線検出器２の対と透視対象物Ｗとの相対位置を変化させ張ることにより、透視方向を少なくとも３方向に相違させた透視対象物Ｗの透視像を取得し、その各透視像上で特異部位の像を抽出し、各透視方向の透視像上で抽出された特異部位の像対応付けした後、各透視方向の透視像上の特異部位の像と、これらの各透視像を得たときのＸ線源１とＸ線検出器２の透視対象物Ｗに対する相対的な３次元位置情報を用いて、特異部位の３次元位置および／または３次元形状を算出し、表示する。 （もっと読む）