【課題】本発明の主たる目的の１つは、複雑化・多層化された素子を測長するのに好適な試料寸法測定方法、及び試料寸法測定装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によれば、上記目的を達成するために、半導体素子のデザインデータを用いて、試料像上のパターンの寸法を測定するに当たり、試料像、或いは測定対象の半導体素子の状況に応じて、測定条件を変化させる方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、試料像の状態や試料上に形成されている素子の状態に応じて、適切な測定条件を選択することができるため、測定効率の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ明確に行うことのできる回路パターンの検査装置および検査方法を提供する。
【解決手段】レシピ作成及び欠陥確認において、対話形式の操作機能を搭載する。レシピ作成の各項目（コントラスト、キャリブレーション等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。あわせて、欠陥確認での各項目（クラスタリング、フィルタリング等）で必要な入力及び入力目的を明確にする。これら入力されて得られた結果はレシピに登録する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の特徴を的確に提示することが可能な欠陥画像表示画面を提供する。
【解決手段】
欠陥のサムネイル表示画面において、検査情報や欠陥種類等から、欠陥毎にその欠陥の特徴を最も顕著に表すような画像を決定し、表示する。また、欠陥の詳細表示画面において、検査情報や欠陥種類等を基に、その欠陥の特徴を顕著に表すように表示する画像やその画像の表示順序を定め、表示する。さらに、欠陥画像撮像中または欠陥画像撮像後に、予め指定した規則に基づいて別の欠陥画像取得装置や別の撮像条件により表示用の画像を撮像するためのステップを撮像シーケンスに追加する。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層構造上のパターンの欠陥を、良好な精度で検出する基板検査装置、および基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１の層上に該第１の層と組成の異なる第２の層が積層された積層構造上に、該第２の層が一部露出するように形成されたパターンの欠陥を検査する基板検査装置であって、前記基板上に１次電子を照射する電子放出手段と、前記１次電子の照射により生成される２次電子を検出する電子検出手段と、前記電子検出手段で検出された２次電子のデータを処理するデータ処理手段と、前記１次電子の加速電圧を制御する、電圧制御手段と、を有し、前記電圧制御手段は、前記１次電子が、前記第２の層が露出した部分で前記第１の層と前記第２の層の界面近傍以外の、前記第１の層または前記第２の層の中に到達するように加速電圧を制御することを特徴とする基板検査装置。 （もっと読む）

構造および／またはシステム内の隠れた物体を分析することによって構造および／またはシステムの変更の設計の前段階として構造および／またはシステムの物理的寸法および構成を測定する方法およびシステムが提供される。この方法は、変更の準備のために変更の前に構造および／またはシステムにアクセスするステップと、ｘ線後方散乱ユニットを用いて構造および／またはシステムを走査するステップと、ｘ線後方散乱ユニットからデータを収集し、そのデータを組合せて２Ｄ、２Ｄパノラマおよび／または３Ｄデータセットに再構築するステップと、データセットから、隠れた物体の表面および構造を生成するステップと、隠れた物体の表面および構造を構造および／またはシステムの既存の座標系に結び付けて３Ｄモデルを作成するステップとを含む。
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【課題】荷電粒子線装置において、十分な光量の試料高さ検出用光を投光することができ、対物レンズと試料面との間に大きなワーキングディスタンスを必要としない光学系を利用した高さ検出装置及び高さ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料高さ検出用光学系において、１光源から投光された光束をコリメートレンズにて平行光に整えた後、同方向に集光性を持つ複数段のシリンドリカルレンズによってこの平行光を複数の光束に分配し、分配された各光束を複数の開口を持つスリットの各開口を通過させて試料面に投射するように構成する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、検出対象のパターンのパターン画像を取得するパターン画像取得方法およびパターン画像取得装置に関し、マスクなどの検出対象のパターンに対して回転させて平行とならないようにしてビームを走査しそのときの信号を検出してエッジ検出してパターン画像を取得し、迅速かつ安定かつ高精度にパターン画像を取得することを目的とする。
【構成】 検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向あるいは検出対象のパターンを回転させるステップと、検出対象のパターンと平行とならないようにビームの走査方向が回転された状態で、パターンを異なる位置で横切る複数本の走査を行ってラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルをもとにパターンのエッジ位置を検出するステップとを有する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、測長対象のパターンのエッジ位置を画像上で検出するエッジ位置検出方法およびエッジ検出装置に関し、ラインプロファイルのエッジ部分のノイズなどの影響を極力排した高精度かつ再現性良好なエッジ位置を決定してパターンの精密測長を実現することを目的とする。
【構成】 測長対象のパターンを横切る異なる場所の複数のラインプロファイルを取得するステップと、取得したラインプロファイルのエッジ付近の曲線からモデル曲線を生成するステップと、生成したモデル曲線と、複数のプロファイルとをそれぞれ重ねてその輝度の差をもとにフッティングポイントをそれぞれ算出するステップと、算出したフッティングポイントに、モデル曲線が所定閾値を横切る点の位置を加算した点をエッジ位置とそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 画像をモニタに表示して診断を行う際に、計測位置を利用者が指定する操作に応じて幾何学的に計測することができる情報処理装置及びその方法、プログラムを提供する。
【解決手段】 処理対象の画像を表示部に表示する。入力部から入力された、オブジェクトを描画するための入力情報に基づいて、表示部に表示された画像上にオブジェクトを描画する。描画されたオブジェクト間の幾何学的な関係を示す値を算出する。算出された値を前記表示部に出力する。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ測定方法及び測定装置を提供する。
【解決手段】測定パターンの画像データを生成する。前記測定パターンは互いに対向する第１及び第２面を備える。前記画像データは前記第１及び前記第２面にそれぞれ対応する第１及び第２辺を備える。前記画像データを編集して前記第１及び第２辺の重畳長さを増加させる。前記編集された画像データ内の前記第１及び第２辺を横切る測定ウィンドウを設定する。前記測定ウィンドウ内の前記第１辺と前記第２辺との間の距離を測定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、複数の被観察試料の相対位置を測定する相対位置測定方法および相対位置測定装置に関し、比較対象の複数の被観察試料の重ね合わせ位置などの相対的位置を直接に高精度に測定することを目的とする。
【構成】 相対位置の測定対象の複数の被観察試料を同時に搭載し、かつ移動可能な１つのステージと、相対位置の測定対象の複数の被観察試料について、それぞれの位置を精密測定するレーザ干渉計とを備え、レーザ干渉計で複数の被観察試料の位置をそれぞれ測定するステップと、複数の被観察試料上のパターンの画像を取得するステップと、取得した画像および測定したそれぞれの被観察試料の位置をもとに各被観察試料の画像上のパターンの相対位置をそれぞれ算出するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】微調整からレビューまでを完全に自動化で行なえる走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】座標補正後の補正精度を算出し、ベクトル３９を用いて表示する機能、得られた情報から座標補正後異物／欠陥を自動検出する際の探索時の倍率を自動で決定する機能、また探索倍率と測定条件から異物／欠陥の出現率とかかる時間を算出する機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】高精度のモデリング処理を実現することが可能な技術を提供する。
【解決手段】モデルフィッティング手法を用いて所定の評価関数を最適化するように標準モデルを変形させ、対象物のモデルを生成する。所定の評価関数は、先験的知識項を有する。先験的知識項は、先験的知識に基づき対象物の存在領域として想定される想定領域ＲＢに一致するように標準モデルが変形するときに最適化される項である。また、想定領域ＲＢは、例えば、同種の対象物のデータに基づいて得られる当該対象物の存在確率が、所定値よりも高い領域として求められる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、二次元領域を荷電粒子線走査する際の帯電の偏りを、抑制するのに好適な画像形成方法及び荷電粒子線装置の提供を目的とするものである。
【解決手段】本発明では、第１の走査線と第２の走査線との間に、第３の走査線を走査させ、当該第１の走査線と第３の走査線との間、及び第２の走査線と第３の走査線との間で、前記第１，第２、及び第３の走査線が走査された後に、複数本の走査線を走査する方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】低倍率のＳＥＭ像で欠陥を検出し、高倍率のＳＥＭ画像で欠陥を観察する半導体デバイスの欠陥レビューにおいて、欠陥レビューの効率をあげて短時間に多数に欠陥をレビューできるようにする。
【解決手段】半導体デバイスの欠陥を観察する方法において、検査装置で検出した半導体デバイス上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて第１の倍率で欠陥を含む画像を取得し、この取得した第１の倍率の欠陥を含む画像から参照画像を作成し、取得した第１の倍率の欠陥を含む画像とこの第１の倍率の欠陥を含む画像から作成した参照画像とを比較して欠陥を検出し、検出した欠陥を第１の倍率よりも大きい第２の倍率で撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造過程にあるウェハ上の半導体装置の同一設計パターンの欠陥，異物，残渣等を電子線により検査する回路パターン検査装置において、条件設定の効率、検査時間の短縮及び検査の信頼性を向上する。
【解決手段】欠陥の存在を検出する為の大電流高速画像形成用の検出信号処理回路と、この欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位の画像形成用の検出信号処理回路とを独立に設ける。または、欠陥検出検査の為の第１の電子光学系と欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の電子光学系とを同一の真空容器内に並べて収容する。または欠陥検出検査の為の第１の検出器とこの欠陥検出検査により検出された特定の狭い部位を観察するレビュー専用の第２の検出器とを設ける。 （もっと読む）

【課題】
位置出し用の目印の場所が電流経路に限定されるという制約をなくし、位置出しの精度を向上する。
【解決手段】
試料とレーザ光とを相対的に移動させて前記試料を走査し前記試料からの磁気をSQUID磁気検出器で検出し、走査位置に対応し且つ検出結果に応じた値の集りからなる像を取得し、取得された像のうち少なくとも一つの領域について、前記試料における位置の目印として、前記像の値に関する前記領域内でのピーク位置又は重心位置を求める。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡システムにおける３次元トモグラフィ・イメージ生成のための方法と装置を提供する。
【解決手段】標本の上端表面上に少なくとも２つの縦のマークを備え、それらの間に角度を持たせる。連続するイメージ記録において、それらのマークの位置が決定され、連続するイメージ記録の間において取り出されたスライスの厚さの定量化に使用される。 （もっと読む）

【課題】
真円ではないホール形状に対しても最適な近似曲線を求めてラフネスの評価を容易に行うことのできるホールラフネス計測方法および装置を提供する。
【解決手段】
被測定物に形成されたホールにエネルギー線を照射して被測定物から発生する反射エネルギーを検出することによってホールの中心から放射状にエッジを検出し、検出したエッジについてのエッジ座標をθ−ｒ平面に変換し、θ−ｒ平面でフーリエ変換して周波数成分を求め、周波数成分に基づいてθ−ｒ平面でのホールの近似ホールの近似曲線を形成し、該近似曲線を検出したエッジ座標との差からホールラフネスを計測する。 （もっと読む）