【課題】２次ターゲット26の交換を容易に可能とし、複数種類の特性Ｘ線25を容易に放出できるＸ線源11を提供する。
【解決手段】Ｘ線透過窓13を有する真空容器12内に、電子ビーム15を発生する電子銃14、電子ビーム15が入射して１次Ｘ線21を放出する１次ターゲット20を設ける。１次Ｘ線21は、真空容器12のＸ線透過窓13を透過する。真空容器12のＸ線透過窓13の外側を囲って、ボックス形の２次ターゲット体23を着脱可能に取り付ける。２次ターゲット体23は、Ｘ線透過窓13を透過する１次Ｘ線21が入射して特性Ｘ線25を放出する２次ターゲット26を備える。２次ターゲット体23には、特性Ｘ線25を外部に放出する特性Ｘ線取出窓27を設ける。 （もっと読む）

【課題】高倍率の仕事関数顕微鏡を提供する。
【解決手段】仕事関数顕微鏡１は、光を放出する高輝度紫外光ランプ２と、高輝度紫外光ランプ２から放出された光を分光して試料２２の表面に導き、試料表面の仕事関数に応じた光電子放出を生じさせるダブルモノクロメータ３と、ダブルモノクロメータ３からの光が照射された試料表面の仕事関数に応じて生じた光電子放出に基づいて、試料表面のコントラスト画像を生成する光放出電子顕微鏡ユニット２３とを備え、ダブルモノクロメータ３は、前段分光ユニット４と後段分光ユニットとを有しており、前段分光ユニット４と後段分光ユニットとの少なくとも一方に、トロイダル鏡７を設けた。 （もっと読む）

【課題】試料に含有する硫黄を分析する蛍光Ｘ線分析装置において、Ｘ線管からの連続Ｘ線による試料からの散乱Ｘ線および比例計数管のアルゴンガスによるエスケープピークを大幅に減少させることにより、極微量の硫黄の分析精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】Ｘ線管からの一次Ｘ線を試料Ｓに照射し、試料Ｓから発生する蛍光Ｘ線を分光素子で分光しＸ線検出器で検出することにより、試料Ｓを分析する蛍光Ｘ線分析装置であって、クロムを含むターゲットを有するＸ線管１１と、Ｘ線管１１と試料Ｓとの間のＸ線通路に配置され、Ｘ線管１１からのＣｒ−Ｋα線に対し所定の透過率を有し、Ｓ−Ｋα線とＣｒ−Ｋα線のエネルギ間に吸収端が存在しない元素の材質によるＸ線フィルタ１３と、ネオンガスまたはヘリウムガスを含む検出器ガスを有する比例計数管１８とを備え、試料Ｓに含まれる硫黄を分析する蛍光Ｘ線分析装置１。 （もっと読む）

本発明は、電磁ビーム又は粒子ビームを生成するための第１の源と、オプトエレクトロニックモジュールを照射するための第２の源と、検出器とを含む、オプトエレクトロニックモジュールを試験するための装置に関する。更に、オプトエレクトロニックモジュールを照射する工程と、電磁ビーム又は粒子ビームを検出する工程と、オプトエレクトロニックモジュールの欠陥を検出する工程とを含む、オプトエレクトロニックモジュールを試験する方法が提供される。電磁ビーム又は粒子ビームに加えて照射することにより、そうしないと検出されない欠陥が目視できる。
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【課題】筋引きの少ない良好な観察用断面を作製することができるとともに、スループットを向上させることが可能な集束イオンビーム装置、及び、良好な観察用断面を作製して、正確な観察像を得ることができる試料の断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、試料台２を水平面上の二軸及び鉛直軸の三方向に移動させることが可能な三軸ステージ３と、試料Ｓに対して集束イオンビームＩ１、Ｉ２を照射する第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２とを備え、第一の集束イオンビーム鏡筒１１及び第二の集束イオンビーム鏡筒１２は、互いの集束イオンビームＩ１、Ｉ２の照射方向が、平面視略対向するとともに、側方視鉛直軸に対して略線対称に傾斜するように配置されている （もっと読む）

【課題】歪みが無く、コントラストの良い検出画像を取得する。
【解決手段】電子ビームを生成して試料Ｓに照射する電子銃部２０と、電子ビームの照射により前記試料の表面から発生した二次電子、反射電子および後方散乱電子の少なくともいずれかを検出する電子検出部４０と、を含む電子ビーム装置１０を備える基板検査装置１において、イオンを生成し、電子銃１０部による電子ビームの照射に先立って試料Ｓにイオンを照射することにより、試料Ｓの表面層における局所的な電位差を解消する表面電位均一化装置１５０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

【課題】試料に対してＸ線を斜めから照射して得られる拡大透視画像の拡大率を高めると共に不必要なＸ線の漏洩を防止できるＸ線管及び非破壊検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】管状の真空外囲器本体６内に配置された陽極８のターゲット９に、電子銃１７から出射された電子を入射させてＸ線を発生させ、そのＸ線をＸ線出射窓１８から取り出すＸ線管１Ａにおいて、陽極８は、真空外囲器本体６の管軸線Ｃ１上に配置され、真空外囲器本体６の端部に設けられた封塞部５ｇには、Ｘ線出射窓１８が、真空外囲器本体６の管軸線Ｃ１に対して偏心して設けられている。 （もっと読む）

【課題】高速中性子及び連続エネルギー・スペクトルX線による材料識別の方法と装置を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、（a）高速中性子源及び連続エネルギー・スペクトルX線源でそれぞれ産生された高速中性子ビーム及び連続エネルギー・スペクトルX線ビームを被検対象に照射する；（b）X線検出器アレー及び中性子検出器アレーにて、透過したX線ビーム及び高速中性子ビームの強度を直接計測する；（c）被検対象の異なる材料を透過した中性子ビームとX線ビームの減衰差によって形成された曲線により、被検対象の材料に対して材料識別を行う；ステップを含む。 高速中性子と連続エネルギー・スペクトルX線との透過減衰強度が異なるように構成され、被検対象の厚さと無関係に被検対象の等効原子番号Zとのみ関係するn-X曲線を利用して材料識別を行う。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス等の基板上に回路パターンを形成するデバイス製造工程において、製造
工程中に発生する微小な異物やパターン欠陥を、高速で高精度に検査できる装置および方
法を提供すること。
【解決手段】
表面に透明膜が形成された被検査対象物に対し、高ＮＡ対物レンズを真空チャンバ内に設置し、対物レンズ内に照明光路を設けたことにより、暗視野照明を可能にし被検査対象物表面の異物または欠陥の反射散乱光を高感度に検出できるようにした。 （もっと読む）

Ｘ線レンズアセンブリを含む装置であるＸ線レンズアセンブリとＸ線レンズアセンブリの製造方法とが記載される。Ｘ線アセンブリは、Ｘ線の導入開口部（９０）とＸ線の導出開口部（９４）とを含む管部材（５０）を有する。加えてアセンブリは、管部材（５０）の内部に取り付けられるキャピラリＸ線レンズ（２８）を有する。安定化材により、および／または一つ以上の分離した取り付け構造（９６Ａ，９６Ｂ）により、Ｘ線レンズ（２８）が管部材（５０）の内部に取り付けられる。

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【課題】 蛍光Ｘ線分析装置において、試料の位置合わせを容易にかつ正確に実現することにある。
【解決手段】 蛍光Ｘ線分析装置１は、試料が搭載される試料ステージ５を有する筐体４と、筐体４内に配置され試料にＸ線を照射するＸ線管８と、筐体４内に配置され試料からの蛍光Ｘ線を検出する検出器１１と、筐体４内に配置され試料にレーザー光を照射するレーザー９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】迅速に動作し、寿命が長いスキャナを有するＸ線画像形成装置の提供。
【解決手段】Ｘ線走査装置は、軸Ｘの周りに離間していると共に、当該軸上の対象物を通してセンサ（５２）により検出されるＸ線を放射するように配置される複数の多重焦点Ｘ線管（２５）を備える。各管（２５）は、複数の線源位置からＸ線を放射することができる。各管の線源位置それぞれが一度使用される各走査サイクルにおいて、管（２５）に対する熱負荷を最小にするように、使用される位置の順序が設定される。これは、各線源位置が前のアクティブな線源位置及び次のアクティブな線源位置と隣接しないことを確実にすることにより達成される。
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【課題】カーボンナノチューブ電子源のエミッション変動や、エミッション特性の個体差による試料表面の帯電不均一を解消する。帯電制御の処理中に試料表面の帯電をリアルタイムで計測する。
【解決手段】電子照射密度の不均一に起因した帯電不均一を解消する手段として、照射する電子と試料とを相対的に移動させ、電子照射密度の平均化を行う。また、試料表面の帯電をリアルタイムでモニタする手段として、試料に流れ込む吸収電流や試料より放出される２次電子及び反射電子の数を計測する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、Ｘ線管の負荷が変わっても蛍光Ｘ線の強度にほとんど影響しない全反射蛍光Ｘ線分析装置を提供する。
【解決手段】 筒状の筐体11内に、その筐体11の軸方向を長手方向L とする棒状のターゲット10と、そのターゲットの長手方向L に配置されたフィラメント13とを有し、陰極である前記フィラメント13から放射した熱電子14を陽極である前記ターゲット10の端面に衝突させて、そのターゲット10から発生して前記筐体11の側壁に向かうＸ線を窓12を介して出射する点光源のＸ線管1 を備え、そのＸ線管1 からのＸ線2 を分光素子4 で単色化して帯状の１次Ｘ線3 として試料表面5aに微小な入射角度αで入射させ、発生する蛍光Ｘ線6 の強度を検出手段7 で測定する。ここで、前記ターゲットの長手方向L が試料表面5aと平行になるように前記Ｘ線管1 が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体等を高速に検査できるパターン検査装置およびパターン検査方法を提供する。
【解決手段】電子光学系を少なくても３本以上配置し、複数の電子源を搭載した電子銃室を試料室とは独立に真空排気することによって複数の電子源近傍の真空度を常に高真空に保つ。また、電子線通路を高真空排気可能な遮蔽電極で電界および磁界を各電子光学系内に封じ込めることとともに、試料に負の電圧を設定して二次電子や反射電子を電子線光軸の電子源側の方向に加速することによって、二次電子や反射電子を同一光学系内で検出する。 これにより、同一の回路パターン同士でほぼ同時に得られた検出信号を比較し、パターン検査の欠陥判定を同時に行う。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板の小型化、装置重量の増加、装置サイズの肥大化、及び有害物質による環境への影響を最小限に抑えつつ、電磁波の漏洩量を低減する電磁波低減方法を提供する。
【解決手段】保持手段により保持される被検体１０５を透過してくる電磁波透過画像を用いて検査を行う際の電磁波漏洩を減少させるための電磁波漏洩低減装置において、前記電磁波透過画像を得るための第一の電磁波発生手段１０１と、被検体１０５を透過する第一の電磁波発生手段１０１の線量を測定するために前記第一の電磁波発生手段に対向して配置される電磁波検出手段１０３と、第一の電磁波発生手段１０１の電磁波軸上で第一の電磁波検出手段１０３の延長上に配置される第二の電磁波発生手段１１１と、を備え、当該電磁波透過画像を撮像するための第一の電磁波発生手段１０１の電磁波の漏洩電磁波を第二の電磁波発生手段１１１からの電磁波を干渉させて当該漏洩電磁波を低減させる。 （もっと読む）

【課題】パラメトリックＸ線発生装置において、１つの高エネルギー電子ビームから複数のＸ線を取り出す。
【解決手段】高エネルギー電子線加速器１で、高エネルギー電子ビームを発生する。高エネルギー電子ビームを当ててパラメトリックＸ線を発生するための複数個のＸ線発生用の薄板単結晶２、４、６、８を、高エネルギー電子ビームの方向に沿って直線状に並べる。１つのＸ線発生用単結晶から、１つまたは複数のパラメトリックＸ線を発生する。それぞれのパラメトリックＸ線を、Ｘ線選択用の反射単結晶３、５、７、９、10で選択的に反射させて取り出す。このようにして、小型でＸ線エネルギーを変えることができるとともに、単色でコヒーレントなＸ線を発生できるパラメトリックＸ線発生装置において、１つの高エネルギー電子ビーム１から複数のＸ線を取り出せる。 （もっと読む）

【課題】高いコントラストで、アモルファスと結晶との差異を画像化して観察可能なＳＥＭ装置を提供する。
【解決手段】試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】 実用的な寸法形状で、十分に強度の大きい軟Ｘ線を取り出せる横型Ｘ線管などを提供する。
【解決手段】 筒状の筐体4 内にその軸方向Y に並ぶフィラメント2 とターゲット3 を有し、陰極であるフィラメント2 から放射した熱電子e_tを陽極であるターゲット3 に衝突させて、そのターゲット3 から筐体の側壁4aに向かうＸ線B を窓7 を介して出射する横型のＸ線管1 であって、筐体の側壁4aから外方向X に突出する筒状で非磁性体の突出部8 を有し、その突出部8 の先端部に前記窓7 が設けられており、突出部の側壁8aを外側から挟むように磁石10A,10B を有することにより、突出部8 を含む空間に磁場を形成して、ターゲット3 からの散乱電子e を窓7 へ到達しないように偏向させる。 （もっと読む）