【課題】基板面の近似平面を決定することで、断層画像の画像再構成処理において、被検体の状態に関係なく、最小限の画像再構成領域を設定するＸ線ＣＴ検査装置を提供する。
【解決手段】電子基板に搭載される被検体を透過した透過Ｘ線像を用いて被検体の断層画像を生成するＸ線ＣＴ検査装置であって、被検体にＸ線を照射する手段１２６と、前記被検体を透過したＸ線を計測する手段１２５と、Ｘ線計測手段１２５により計測したＸ線データを用いて被検体の断層画像の画像再構成を行う手段１５２と、電子基板上の被検体の表面形状データ（高さ位置）を計測する手段１２１と、電子基板内の異なる２領域以上の表面形状データから、断層画像の基準面となる基板近似平面を決定する手段１５３と、を備え、決定した基板近似平面を基準に、画像再構成手段１５２により画像化する領域を決定する。 （もっと読む）

【課題】 マッピング測定を行う全反射蛍光Ｘ線分析装置において、十分正確な測定強度の分布を短時間で求められるものを提供する。
【解決手段】 以下のように動作する制御手段２４Ａを備える。基準試料９について、測定点３２ごとに適切なステージ角度を補正ステージ角度φ_ｍとして記憶しておき、分析対象試料１については、各測定点３２で、その測定点３２に対応させて記憶した補正ステージ角度φ_ｍに調整し、その状態での基準Ｘ線５ａの強度を基準点３１での基準強度と比較して、補正ステージ角度φ_ｍに調整することが適切でないと判断される場合にのみ、改めて適切なステージ角度に調整して、蛍光Ｘ線５ｂの強度を測定し、測定強度の分布を求める。 （もっと読む）

【課題】 蛍光Ｘ線ホログラフィーの測定時間を短縮するとともに機構系の構成を簡単にする。
【解決手段】 従来のノーマル型の構成においてＸ線検出器の回動と試料の回動とによりカバーしていた蛍光Ｘ線の測定範囲全体をカバーするように、試料２の上方に、平面に沿って多数のＸ線検出素子を配列させた検出面１０ａを有するＸ線検出器１０を設置し、ホログラムパターン上の各測定点に対応した蛍光Ｘ線を一斉に検出する。また、信号処理部４により各Ｘ線検出素子による検出信号をＸ線強度に変換した後、データ処理部５で三次元フーリエ変換処理する際に、各測定点と測定部位２ａとの距離の相違の影響を考慮した演算を行うことにより、平面状の検出面１０ａでホログラムパターンを取得することの誤差を修正して精度の高い原子像を再現する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスでの原位置・非接触温度測定のための改善された方法および装置を提供することである。
【解決手段】単結晶シリコンウェハをプロセスチャンバに配置し、第１と第２の入射Ｘ線源をそれぞれ、プロセスチャンバ内の前記ウェハとコミュニケートさせ、所定の第１の放射波長のＸ線を前記第１のＸ線源から選択し、所定の第２の放射波長のＸ線を前記第２のＸ線源から選択し、ここで第１の放射波長と第２の放射波長は相互に異なっており、選択されたＸ線を前記ウェハ上の測定スポットにフォーカスし、前記ウェハから反射された第１と第２のＸ線を受信し、受信された第１の波長の反射Ｘ線と第２の波長の反射Ｘ線に基づいて、温度測定中のウェハのシフト運動または撓みを考慮してウェハの格子定数を検出し、格子定数によって決定されたウェハの温度を求める。 （もっと読む）

【課題】 小型かつ簡易な構造であっても、複雑な形状等を有する測定試料の元素分布マップを精度良く作成することができるＸ線分析装置を提供する。
【解決手段】 測定試料に電子線を照射して、当該測定試料から発生する特性Ｘ線の強度を測定するための検出手段を備えたＸ線分析装置であって、測定試料及び検出手段の相対位置を変更するための回転手段と、測定試料の特性Ｘ線の強度を複数位置で測定するための検出手段と、特性Ｘ線強度の加算値を求めるとともに、当該加算値に基づいて、測定試料の元素分布マップを作成する作成手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】加速電圧、WD、ラスターローテーションなどの、任意の観察・分析条件下において、高精度な画像ドリフト補正を行う。
【解決手段】ドリフト検出用の基準画像を取得するときに、イメージシフト量の異なる画像も同時に取得して、イメージシフト感度を随時計測する。この基準画像とイメージシフト感度を自動的に登録し、ドリフト補正時にこれら登録条件に従って、ドリフト量検出とイメージシフト制御（ドリフト補正）を行う。 （もっと読む）

【課題】測定ヘッド下の検出器以外、クレードル（円弧）又はその他の構造体がなく、測定距離は、ソフトウェアにより自由に選択可能であり、ほとんどの部品が購入できるくらいに簡易な設計のため、複雑、不正確、さらにコスト高な構造を避けることができるゴニオメータを提供する。
【解決の手段】ゴニオメータ（１）は、応力測定及び粒子の微細構造の特定を行い、フレーム（４）と、測定位置（３１）において測定を実行するため、第１の線形移動装置（５）、第２の線形移動装置（６）及び傾動装置（１６）により移動可能にフレーム（４）に設けられた測定ヘッド（７，８，９，１０）とを備え、傾動装置（１６）の回転軸（１２）が測定位置（３１）に一致せず、測定中に、前記移動装置（５，６，１６）により、測定ヘッド（７，８，９，１０）の円弧形（３０）の移動を作り出す手段を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画像の高品質化に寄与し得るコンピュータ断層撮影装置を提供する。
【解決手段】
平面状の間隙を有するファントム２６と、間隙が前記回転の軸に直交するように設置されたファントム２６に対し当該軸の方向に相対的な変位を与えて、ファントム２６の平面状間隙について得られる透過像が最も明瞭となるときの当該間隙の中心の線に対応するデータ行列における線の位置を求める交差線設定手段とを有する。 （もっと読む）

従来のＣＴ又はＸ線手法を利用して関心領域が特定される。次いで、複数のペンシルビーム２８を利用して関心領域がスキャンされ、複数の異なる散乱Ｘ線スペクトルが得られる。次いで、スペクトルが関心領域の特徴のみによるものであるかの如く、各スペクトルに対して幾何補正が適用される。前記ビームを利用して記録された種々のスペクトルは組み合わせられ関連付けられ、関心領域３２の特徴を決定し、一方でサンプル３０中の他の部分における特徴の影響を最小限にする。
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関心領域３２を持つサンプル３０を通過するペンシルビーム４０、４２、４４及び４６を利用するＣＳＩシステムが記載される。関心領域を通過するサンプルビーム４０及び４４の各コヒーレント散乱スペクトルは、それぞれの基準ビーム４２及び４６を利用したスペクトルによって減算される。関心領域３２の特徴を決定しつつ、サンプル３０の残りの領域における特徴の影響を最小化するために、測定が組み合わせられる。
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【課題】
缶詰の被検査物に混入した異物を確実に検出できる異物検出方法、異物検出プログラム及び異物検出装置を提供する。
【解決手段】
缶詰の被検査物を透過したＸ線画像を処理して前記被検査物内の混入異物の有無検出を行う異物検出方法において、前記Ｘ線画像から周縁部及び周縁部に隣接した異物を示す周縁部異物画像と周縁部から孤立した異物を示す孤立異物画像からなる異物候補画像を生成する異物候補画像生成段階（Ｓ３）と、前記異物候補画像から前記孤立した異物を抽出する第１の異物抽出段階（Ｓ４）と、前記異物候補画像から前記周縁部異物画像の内周における突出した凸部を検出することにより前記周縁部に隣接した異物を抽出する第２の異物抽出段階（Ｓ５）と、抽出された前記孤立した異物と前記周縁部に隣接した異物を合成して出力する異物合成出力段階（Ｓ６）とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】
コンタクトホール等の半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ上の欠陥を検査し、ドライエッチングによる非開口欠陥等の欠陥の位置や欠陥の種類等の情報を高速に取得可能とする。また、得られた欠陥情報から欠陥の発生プロセスや要因の特定を行ない、歩留まりを向上やプロセスの最適化の短期化を実現する。
【解決手段】
半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハに１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。二次電子画像取得前にウエハを移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ表面を所望の帯電電圧に制御する。取得した二次電子画像から欠陥の種類の判定を行ない、ウエハ面内分布を表示する。 （もっと読む）