【課題】環境磁界をキャンセルするための補償磁界を極めて小さなエネルギーで生成できる磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁界センサ２と、磁界センサ２が検出する環境磁界をキャンセルする補償磁界を生成して磁界センサ２に印加する磁界補償手段１０とを備える磁界検出装置１であって、磁界補償手段１０が、磁界センサ２のｘ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石３ａ，３ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂおよび再着磁用の電流を供給する電源部１１、ｙ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石４ａ，４ｂ、その再着磁用のコイル６ａ，６ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１２、ｚ軸方向に補償磁界を印加するための永久磁石５ａ，５ｂ、その再着磁用のコイル７ａ，７ｂ、および再着磁用の電流を供給する電源部１３と、再着磁用の各電流を磁界センサ２の検出した環境磁界に基づき制御する制御部９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】外部磁界の影響の程度を評価してオフセット値の採否を決定する。
【解決手段】機器１は、内部磁界Ｂｉを発生させる部品と、３次元磁気センサ６０と、ＣＰＵ１０とを備える。ＣＰＵ１０は、３次元磁気センサ６０から順次出力される複数の磁気データｑ_ｉで示される座標の分布の３次元的な広がりの程度を示す分散評価値を算出し、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が内部磁界Ｂｉの成分を示す座標を中心点とする球面Ｓの近傍に確率的に分布すると仮定して、球面Ｓの中心点ｘ_０を算出し、複数の磁気データｑ_ｉで示される座標が、球面Ｓ_２を歪ませた形状の立体ＳＤの表面近傍に確率的に分布すると仮定して算出される立体ＳＤと球面Ｓ_２との形状の相違の程度を示す歪評価値ｇ_Ｄ（Ｅ）が、歪許容値δ_０以下である場合に、中心点ｘ_０を３次元磁気センサ６０のオフセットとして採用する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて外乱磁場及び強磁場耐性に優れた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 磁気抵抗効果を発揮する素子部は平面視にて第１素子部１５ａと第２素子部１５ｂとが交互にＹ方向に間隔を空けて配列されている。各素子部との間に永久磁石層１４が配置されている。平面視にて磁気抵抗効果素子１３ａ〜１３ｄに対しＸ方向の両側に磁気抵抗効果素子と非接触の軟磁性体３３が配置されている。Ｘ方向が感度軸方向Ｐである。各永久磁石層１４はＸ方向に着磁されるとともに、永久磁石層１４から第１素子部１５ａに対してＹ２方向に向く第１のバイアス磁界が供給されて、フリー磁性層の磁化方向ＦがＹ２方向に向けられ、第２素子部１５ｂに対して第１バイアス磁界とは逆方向の第２バイアス磁界が供給されて、フリー磁性層の磁化方向ＦがＹ１方向に向けられる。 （もっと読む）

【課題】測定対象の表面形状によらず、磁界を精度良く検出することができるシールデッドループアンテナ型の磁界検出器を提供する。
【解決手段】絶縁基材が構成材料として少なくとも樹脂を含むことで、多層基板が厚み方向において可撓性を有している。そして、シールデッドループアンテナのループ部分がなすループ面が厚み方向に平行となり、測定対象に対向させる多層基板の厚み方向に垂直な表面に対してギャップを有する導体パターンが平行となるように、ループ部分が導体パターン及び層間接続部により構成されている。 （もっと読む）

【課題】 外部磁場耐性を向上させた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 第１素子部９ＡのＸ方向の両側に第１バイアス層１０及び第２バイアス層１１が配置される。各バイアス層１０，１１は、Ｙ１方向に着磁される。第１素子部９ＡにはＸ１方向のバイアス磁界Ｂ１が供給される。第１軟磁性体１２ａは、第１バイアス層１０の中央に位置し、第２軟磁性体１２ｂは、第２バイアス層１１の中央に位置し、各軟磁性体１２ａ，１２ｂは、第１素子部９ＡのＹ方向の両側にてＸ方向にずれて配置されている。第３軟磁性体１２ｃが、第２軟磁性体１２ｂの第１軟磁性体１２ａとの対向側と反対側に配置されている。第１軟磁性体１２ａ及び第３軟磁性体１２ｃの端面はＹ方向に一致している。第１軟磁性体と第２軟磁性体との間隔Ｔ１と、第２軟磁性体と第３軟磁性体との間隔Ｔ２とが同じ大きさである。 （もっと読む）

【課題】外乱磁場の周波数に拘らず位相遅延によるシールド性能の低下が生じにくいアクティブ型磁気シールドシステムを提供する。
【解決手段】変動する外乱磁場Ｂから保護すべきシールド対象空間Ｒの周囲に補償磁場発生用コイル２、３を配置すると共に、そのシールド対象空間Ｒ内に外乱磁場Ｂの検出用プローブ１１とそのプローブ１１の周囲にプローブ検出軸Ａと平行に付帯させた軟磁性材１２とを有する外乱磁場計測用センサ１０を配置し、センサ１０の検出値に応じて制御装置２０によりコイル２、３の発生する補償磁場を制御する。好ましくは、プローブ検出軸Ａと平行な長手方向軸を有する複数の帯状軟磁性板１４をプローブ検出軸Ａと垂直方向に所定間隔ｄで並べて付帯させる。更に好ましくは、センサ１０のプローブ検出軸Ａと垂直な軸Ｖの周りに、その垂直な軸Ｖと所定間隔ｄで交差する複数の平行な面上に配置した環状軟磁性板１６の群を付帯させる。 （もっと読む）

【課題】シールド対象位置とセンサ位置とが離れていてもシールド性能の劣化を防止できる外乱磁場の複合型磁気シールド方法及び構造を提供する。
【解決手段】シールド対象空間Ｒ内の所定対象位置Ｐ上に到来外乱磁場Ｂｏの到来方向と垂直な軸線Ｍを想定し、且つ、その軸線Ｍと交差する所定間隔ｄの平行な複数の平面Ｑ上に空間Ｒの外縁に沿って環状磁性板４の群５を筒型に配置し、筒型磁性板群５の内側又は外側の対象位置Ｐの周囲に補償磁場発生用コイル１２ａ、１２ｂを設置する。対象位置Ｐに対して位相差δが許容範囲内の内部磁場Ｂｅを検出できる筒型磁性板群５内の離隔位置Ｓに磁気センサ１４を設け、センサ１４の出力に応じてコイル１２ａ、１２ｂの補償磁場を制御して対象位置Ｐの内部磁場Ｂｅを減衰させる。好ましくは、対象位置Ｐを筒型磁性板群５の軸線Ｍ方向の中心とし、筒型磁性板群５の軸線Ｍ方向の長さＬを環状磁性板４の径Ｄの２倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 無磁場を安定して検出しうる磁気センサを提供することである。
【解決手段】 磁気センサは、磁気抵抗効果素子１１が、軟磁性材料からなる磁束吸収体１２により覆われているから、この磁束吸収体１２が、回路基板１に与えられる磁界の磁束を、その飽和磁束量まで吸収して、当該磁束が磁気抵抗効果素子１１に与えられないようにすることができる。状態検出部２は、回路基板の出力電圧Ｖｏｕｔに基づいて、回路基板１に与えられた磁界の磁束量が閾値以下である第１の状態と、当該磁界の磁束量が閾値より多い第２の状態とを検出する。ここで、磁束吸収体は、その飽和磁束量が当該閾値となるように定まった形状、または大きさを有する。したがって、磁束吸収体１２の形状、または大きさを調整することによって、磁気センサの適用される環境条件に応じ、無磁場である第１の状態と、磁場が存在する第２の状態とのバランスを保つように当該閾値を好適に設定することができる。 （もっと読む）

【課題】磁界印加用磁石に吸着された磁性粉が磁束検出部に付着することを防止することができるとともに、磁束検出部に対する磁界印加用磁石の磁界の影響を低減することのできる磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】磁気パターン検出装置１００において、磁気センサ装置２０は、媒体１に磁界を印加する磁界印加用磁石３０と、磁界を印加した後の媒体１にバイアス磁界を印加した状態における磁束を検出する磁束検出部４０を構成する磁気センサ素子４５とを備えている。磁界印加用磁石３０は、磁気センサ素子４５に対して媒体１の移動方向の両側に磁界印加用第１磁石３１と磁界印加用第２磁石３２として配置され、媒体１の移動方向で対向する磁界印加用第１磁石３１と磁界印加用第２磁石３２とは、磁気センサ素子４５を挟んで異なる極が対向している。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を用いて検出された地磁気に基づいて、方位を計測する。
【解決手段】補正値記憶部７には、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの基準値Ｌｘ、Ｌｙが携帯端末１０の使用状態ごとに記憶され、補正計算部６は、携帯端末１０の使用状態に対応した基準値Ｌｘ、Ｌｙを用いることにより、ｘ軸ホール素子ＨＥｘおよびｙ軸ホール素子ＨＥｙの出力増幅値Ｄｘ、Ｄｙを補正し、地磁気の各軸成分に比例した値α、βだけを取り出す。 （もっと読む）

【課題】 不正操作の磁石に対する検出感度を高感度にして弱い磁気も信頼性良く検出すること、不正磁気検出方向である磁気検出器の前方は高感度にし、後方はパチンコ台に設けられたモータやソレノイド等の磁気発生部品が発生する磁気を検出し難くするため前方より検出感度を低くすること、安価であることを実現する磁気検出器を提供する。
【解決手段】 後面側に磁気センサＳを実装したセンシングプリント基板３０がメインプリント基板１０の前側に垂直に取り付けられ、凸部Ｆ１を有する磁性体ＦＦがセンシングプリント基板３０の前面側に取り付けられている。凸部Ｆ１は、センシングプリント基板３０の挿通孔３１に挿入されて、磁気センサＳの実装側の感磁部に接触する。メインプリント基板１０に固着された磁性体ＢＦは、磁気センサＳの反対側の感磁部に接触する。磁性体ＦＦの前側の対向面の面積は、磁性体ＢＦの前側の対向面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】コイルの径を大きくすることなく、均一な磁界領域を広範囲に亘って形成する。
【解決手段】アクティブ磁気シールド１０は、複数のヘルムホルツコイル１１０Ａ，１１０Ｂが同軸上に並べて設けられたヘルムホルツコイルユニットと、前記複数のヘルムホルツコイル１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれに対して電流を供給する電流供給部１６０と、前記電流の供給対象とする前記ヘルムホルツコイルを切り替え、切り替え後の前記ヘルムホルツコイルに対して前記電流を供給するように、前記電流供給部を制御する制御部１８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング法を用いた磁場勾配の測定の精度を向上させる技術を提供すること。
【解決手段】直線偏光のプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、プローブ光が通過する２の領域に存在し、円偏光のポンプ光が照射される方向に応じて磁化する磁性媒体であって、外部から印加される磁場のうちプローブ光が通過する方向に対して直交する第１方向の成分の強度に応じて、プローブ光の偏光面を回転させる磁性媒体と、２の領域の各々における磁性媒体に対して、プローブ光を複数回通過させるように光路を制御する光路制御手段と、２の領域の各々における磁性媒体が第１の方向以外のそれぞれ反対の方向に磁化するように円偏光のポンプ光を照射するポンプ光照射手段と、２の領域の一方における磁性媒体を複数回通過することによる偏光面の回転量と、他方における偏光面の回転量との差を検出する検出手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】チャンネル間で温度差や部品の個体差による出力ばらつきが生じることを防止することを課題とする。
【解決手段】ヘッドユニット１は、各チャンネルの磁気ヘッド３０を単一の発振回路１１を用いて同相励磁することで、磁気ヘッド３０間での漏洩磁束による相互干渉を防止する。さらに、ヘッドユニット１では、各チャンネル内で磁気ヘッド３０が有するキャンセルヘッド用２次コイルからの出力を増幅回路１３経由で励磁駆動回路１２へフィードバックし、全ての磁気ヘッド３０の検出感度を所定の値に合わせることができる様にしている。 （もっと読む）

【課題】交番周波数が非常に低い、さらには周波数がほとんど０Ｈｚの磁界に実際に適した磁界測定用装置を提供する
【解決手段】磁界測定用装置は第１のセンサと第２のセンサを備える。第１のセンサは、第１の周波数範囲内の磁界に対してアクティブであり、その周波数範囲は第２のセンサがアクティブとなる周波数範囲よりも低い周波数を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気ノイズの影響を受けた地磁気センサの地磁気データを精度よく補正することができる地磁気センサの補正装置及びこれを用いた方位表示装置を提供する。
【解決手段】画面の明るさ設定に応じて蛍光表示管４から発せられる磁気に起因した地磁気センサ２の出力変動の補正値を算出する補正式（ａ）を用いて、蛍光表示管４の画面の明るさ設定に応じた地磁気センサ２の出力変動を補正する。 （もっと読む）

【課題】 特に外乱磁場に強く且つ安定した検出精度を得ることができるとともに、外部磁場環境下においても出力の変化を抑制できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 素子部１２と永久磁石層６０，６５とで素子連設体６１が構成され、感度軸方向が素子幅方向（Ｙ方向）である。複数の素子連設体６１が素子幅方向に間隔を空けて並設され、隣接する素子連設体同士が接続されてミアンダ状を成している。各素子連設体６１の間、及び素子幅方向の両側に位置する素子連設体６１の外側には、素子連設体６１と非接触の軟磁性体１８が設けられている。素子連設体６１の素子長さ寸法はＬ１で、軟磁性体１８の素子連設体６１の素子長さ方向と同方向の長さ寸法はＬ２であり、長さ寸法Ｌ２は、素子長さ寸法Ｌ１の１倍〜１．５倍に設定されている。 （もっと読む）

【課題】センサの寸法が従来のセンサの場合よりも大幅に小さい、磁界を補償するためのデバイスを提供すること。
【解決手段】磁界を補償するためのデバイスは、単一の磁気抵抗センサ（１）を備え、その磁気抵抗センサ（１）には、直列に少なくとも２つの並列測定増幅器ループ（３、５）が接続され、その一方はアナログ広帯域コントローラ・ループ（３）であり、他方はデジタル広帯域コントローラ・ループ（５）である。 （もっと読む）

【課題】外部磁場やＥＭＳに対する耐性を十分に確保することができる磁気結合型アイソレータを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気結合型アイソレータは、入力信号により外部磁界を発生させるためのコイル２と、コイル２と電気的に絶縁されるとともに磁気的結合が可能な位置であって、平面視においてコイル２と重なるように配置されており、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と、平面視においてコイル２及び磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４と重なるように配置された上部シールド膜４１及び下部シールド膜４２と、磁気抵抗効果素子Ｒ１〜Ｒ４を囲繞するように配置されたミドルシールド膜４３と、を具備し、上部シールド膜４１及び／又は下部シールド膜４２は、０．５μｍ〜１５μｍの厚さを有することを特徴とする。 （もっと読む）