【課題】ホール素子への駆動電流への影響を低減しつつ、ホール素子を安定に駆動することを可能とするホール素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】ホール素子から出力されるホール電圧の中点電位を出力する差動アンプ回路１６及び分圧回路１８と、分圧回路１８から出力された中点電位に応じてホール素子１０の入力電位を出力するオペアンプ１４と、を備えるホール素子１０の駆動回路１００とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気の遮蔽材を用いず、温度特性に優れた磁気センサおよび磁気センサ装置を提供すること。
【解決手段】 磁化方向が所定方向に固定された固定磁化層と該固定磁化層に絶縁層を介して積層され外部磁界により磁化方向が変わる自由磁化層とを有する第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂと、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子が設置された第１の板部６Ａおよび第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが設置された第２の板部６Ｂとを備え、第１のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ａが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を平行にして設置され、第２のスピンバルブ型磁気抵抗素子５Ｂが、検出しようとする外部磁界の向きＭに対して固定磁化層を直交させて設置されている。 （もっと読む）

【課題】光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミング
でセル内部に温度勾配を発生させる。
【解決手段】磁場測定装置は、指示を示す指示信号を取得する取得手段と、光により励起
されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照
射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の
回転角を計測する計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記
計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を
停止させ、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される
部分よりも温度が低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度
勾配を発生させる温度勾配発生部とを備える。 （もっと読む）

【課題】温度が変化しても磁性体コアが磁気飽和するまでの時間が変化しないようにし、同期検波の位相ずれによる出力誤差を低減する。
【解決手段】磁性体コア１１に励磁コイル１２と検出コイル１３が巻回されたセンサ部１０を有し、検出コイル１３より得られる検出出力から直流成分を除去した出力を励磁コイル１２を励磁する励磁周波数の２倍の周波数信号により同期検波し、検波後の出力を積分して検出コイル１３に負帰還する地磁気センサにおいて、励磁周波数信号と励磁周波数の２倍の周波数信号とその２倍の周波数信号と位相が９０度ずれている信号を出力する発振回路７０と、前記直流成分を除去した出力と励磁周波数の２倍の周波数信号と位相が９０度ずれている信号の位相差を検出して出力する位相差検出部５０と、位相差検出部５０の出力を積分する積分器６０と、積分器６０の出力により励磁コイル１２に流れる励磁電流を制御する励磁制御部３３を具備する。 （もっと読む）

【課題】少ない部品点数で、磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、既製品を利用して、大幅な設計変更をせずに磁気抵抗センサの出力温度特性を改善する。あるいは、磁気抵抗センサについて多相出力がある場合に、それらの出力温度特性を一括して改善する。
【解決手段】磁気抵抗センサの電源回路１０１ａは、磁気抵抗センサに電圧を印加する電源回路であって、磁気抵抗センサに印加する電圧を磁気抵抗センサの温度に応じて可変とすることにより、磁気抵抗センサの温度補償をする温度補償回路を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサの出力を簡単に温度補正できるようにする。
【解決手段】 外部磁界が２つの磁気抵抗効果素子の抵抗値変化に差を生じさせない状態での磁気センサ１０の出力電圧Ｖoutを取得するとともに、出力電圧Ｖoutのオフセット電圧Ｏs1を取得する。オフセット電圧Ｏs1の場合と同一温度Ｔrtにおいて、外部磁界を２つの磁気抵抗効果素子に対して回転させたときの磁気センサの出力電圧の最大値と最小値の中央値を計算して出力振幅中心値として取得する。出力振幅中心値のオフセット電圧Ｏs2とオフセット電圧Ｏs1との差Ｏs2−Ｏs1を取得して、予め用意された比例定数Ａを用いて、磁気センサの温度がＴである条件下で、外部磁界の印加によって前記磁気センサから出力される出力電圧を、式Ｏａ(Ｔ)＝Ａ・(Ｏs2−Ｏs1)・(Ｔ−Ｔrt)＋Ｏs1によって規定される補正値Ｏａ(Ｔ)で補正する。 （もっと読む）

【課題】温度変動に関わらず正確なセンシングができる多軸フラックスゲート型磁気センサを供給する。
【解決手段】環状の第１磁性体コアと、第１磁性体コアに巻かれた第１励磁コイルと、第１磁性体コアに互いの入力軸が直交するように巻かれた２つの検出コイルと、検出コイルの出力を検出し、出力信号をその検出コイルにフィードバックする２つの信号検出／フィードバック部と、第１励磁コイルに励磁電流を供給する第１励磁部と、を有し、さらに、第２磁性体コアと、第２磁性体コアに巻かれた補正コイルと、検出コイルの出力から、補正コイルへ印加する補正電流を生成する補正信号生成部と、を備え、補正コイルが作る補正磁界が、第１磁性体コアに巻かれた２つの検出コイル間の干渉を、打ち消せる位置及び方向に、第２磁性体コア及び補正コイルを配置する。 （もっと読む）

【課題】信頼性試験等におけるパッケージ応力の変動に伴い、ホール起電力も変動する。ホール素子に対するパッケージ応力の変動による影響を低減させる。
【解決手段】シリコン基板上において、対称型ホール素子のホール起電力の温度補正用の抵抗素子を構成する抵抗器を、対称型ホール素子に隣接するように配置する。特に、ブリッジ型に構成される複数の抵抗器を、ホール素子の周辺を取り囲むように配置する。また、ホール素子は、ホール素子に流れる駆動電流が<011>方向に流れるようにシリコン基板上に配置し、温度補正用抵抗素子は、抵抗素子に流れる電流方向がホール素子の駆動電流の電流方向に対して平行、垂直、又は４５度の角度をなすように配置する。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくても温度補償できるセンサ回路を提供する。
【解決手段】温度補償する基準電圧回路ＢＬ１は分圧回路だけを有するので、センサ回路の回路規模が小さくなる。ホール素子ＨＡＬ１の出力信号が温度変化して増幅回路ＡＭＰ１の出力信号ＯＵＴＡも温度変化した分、基準電圧ＶＴＨ１１〜ＶＴＨ１２及び基準電圧ＶＴＨ２１〜ＶＴＨ２２も温度変化するので、センサ回路は温度補償できる。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化や製造コストの増加を抑えつつ、移動する帯状又は板状の磁性体に交番磁界を印加しながら、当該磁性体の磁気特性を安定して精度良く測定することができる磁気特性測定装置及び磁気特性測定方法を提供すること。
【解決手段】移動する磁性体Ｆを交番磁界で磁化して磁気特性を測定する磁気特性測定装置１を提供する。この磁気特性測定装置１は、磁性体Ｆの通過位置近傍に配置された磁化器１０，２０と、磁化器による磁束を検出する検出コイル１３，２３と、検出コイルから出力される検出電圧を入力信号として、磁性体に誘起された磁束密度を測定する磁束密度測定部１０２，２０２と、励磁電流の値から算出した磁界の大きさと磁束密度とに基づいて、磁気特性を算出する磁気特性算出部１０３，２０３と、磁性体が通過する速さＶに基づいて該速さに起因した誤差が低減するように磁気特性を補正する磁気特性補正部４００と、を有する。 （もっと読む）

本発明はホールプローブ（２）を用いて磁界強度を検出するための測定装置並びにホールセンサ装置（１）の機能診断のための方法に関している。前記測定装置は、少なくとも１つのホールプローブ（２）を備えたセンサ装置（１）を含んでいる。本発明は、前記ホールプローブ（２）からガルバニック絶縁された電気的な診断用導体（４）によって特徴付けられる。本発明によればセンサ装置（１）ないしホールセンサ（２）の永続的でかつ包括的な診断を行うことのできる、ホールセンサ装置（１）とその機能診断のための方法が得られる。特にホールセンサ（２）は定量的な機能性や欠陥のみでなく、適正な較正に関しても定量的な検査が可能である。場合によってはセンサ（２）の即応的な補正も行うことができる。これにより特に温度ドリフトやセンサ（２）の機械的な緊張に基づく測定エラーが除去できるようになる。
（もっと読む）

【課題】測定対象が交流磁界に限定することなく、磁界強度と出力電圧との関係が非線形な場合においても、高い精度で磁気を検出することができる磁気センサ装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】ホール素子を用いて磁界強度を検出する磁気センサ装置において、ホール素子の磁束密度の変化に対するホール電圧誤差を打消す設定値を演算により求め、ホール素子の電源電圧を制御するワンチップマイコンを備えたので、磁界強度と出力電圧との関係が非線形な場合かつ、磁界強度が直流の場合でも交流の場合でも、高い精度で磁気を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができると共に、温度変化や中点電位ズレに対して有利である磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１１と、この磁気抵抗効果素子１１を挟持する一対の軟磁性体１２とによりセンサ部材を構成している。磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１ａと、この磁気抵抗効果素子１１ａを挟持する一対の軟磁性体１２ａ，１２ｂとで一つのセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１１ｂと、この磁気抵抗効果素子１１ｂを挟持する一対の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとで一つのセンサ部材を構成している。センサ部材における磁気抵抗効果素子１１及び軟磁性体１２は、磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に沿って並設されている。一方のセンサ部材の軟磁性体と、他方のセンサ部材の軟磁性体との間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】温度特性が良好でかつ高感度で動作する磁気センサを提供する。
【解決手段】所定の基板の上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサにおいて、基板を、表面がｍ面もしくはａ面であるＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＺｎＯ、α−ＳｉＣから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がａ面であるγ-ＬｉＡｌＯ₂単結晶基板、あるいは表面がｒ面であるサファイア単結晶基板のいずれかから選択し、動作層を、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにｃ軸が基板の表面に対して略平行であるように形成する。ＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。 （もっと読む）

補正値近似線の連続するセクションでの決定のための方法の実施形態は、第１のパラメータ値が所定の条件を満たすか、トリガー条件が満たされているとき、センサ装置に関する第１のパラメータ値を有する第１の測定信号値を決定するステップと、第１のパラメータ値を変えて第２のパラメータ値を取得するステップと、第２のパラメータ値を有する第２の信号値を決定するステップと、第２の部分的セクション、第１のパラメータ値、第２のパラメータ値、第１の信号測定値、第２の測定信号値および最初の補正値を示す機能的関連に基づく第２のパラメータ範囲のための補正値近似線の第２の部分的セクションを決定するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】簡素な構成で感度の温度特性を補償し得る磁気センサ装置を提供する。
【解決手段】磁気センサ装置１０１は、磁束を検知する磁気センサ１１１、１１２が複数個配置されるセンサ部１１０と、磁気センサのそれぞれの出力を差動した値をセンサ出力として出力する差動出力部１２１と、センサ部の温度を検出する温度検出部１２２と、温度検出部によって検出したセンサ部の温度に基づいて、すべての磁気センサへの供給電圧Ｖｃｃを制御することにより、感度の温度特性を補償する電圧制御部１２３と、を有している。 （もっと読む）

【課題】経年劣化等に対する耐久性を確保しつつ、高い検出精度を確保することができる磁気検出装置を提供すること。
【解決手段】非磁性材料から成る金属製のブラケット１０１と、ブラケット１０１に回転可能に保持されるホイールギア１０５と、ブラケット１０１と対向する位置でホイールギア１０５に組み込まれる磁石１０６と、ブラケット１０１に保持され、当該ブラケット１０１を挟んで磁石１０６に対応する位置に磁気検出センサ１０８が実装される回路基板１０７とを具備し、装置本体が装着される外部筐体にブラケット１０１の一部で保持されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特に、簡単且つ適切に、固定抵抗素子の抵抗値及び温度係数を磁気抵抗効果素子の抵抗値Ｒ及び温度係数（ＴＣＲ）に合わせることが出来る磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子１０及び固定抵抗素子２０は同じ積層体１６で形成されている。前記固定抵抗素子２０の両側には間隔Ｔ１を開けてハードバイアス層１７，１８が形成され、前記固定抵抗素子２０では、前記磁気抵抗効果素子１０のフリー磁性層１４に対応する第２磁性層１４が前記ハードバイアス層１７，１８からのバイアス磁界を受けて磁化固定されている。 （もっと読む）

【課題】地磁気センサを搭載し、キャリブレーション時間を短縮した携帯電子機器を提供する。
【解決手段】地磁気センサ１が磁性体２よりも回路基板１１の端部に配置されているため、地磁気センサ１に与えられる磁性体２からの磁気的な影響によるオフセット値の範囲を予め推定することができるため、キャリブレーションに要する時間が短くて済む。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、ＲＡを低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できるトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 トンネル型磁気検出素子を構成する積層体Ｔ１は、下から、固定磁性層４、絶縁障壁層５、及びフリー磁性層６の順に形成された部分を有する。前記絶縁障壁層５は、Ｔｉ−Ｍｇ−Ｏ（酸化チタン・マグネシウム）で形成され、Ｔｉの組成比とＭｇの組成比をあわせて１００ａｔ％としたときに、Ｍｇは、４ａｔ％以上で２０ａｔ％以下含まれる。このように、前記絶縁障壁層５のＭｇ濃度を高く設定しない。これにより、従来に比べて、ＲＡ（素子抵抗Ｒ×素子面積Ａ）を低く且つ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を高い値に設定できる。また従来に比べてＶＣＲの絶対値を低減でき、耐熱性を向上できる。 （もっと読む）