【課題】複数のチップを組み合わせることなく、３軸方向の検出が可能な磁気センサ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上に設けられた下地犠牲層２０と、下地犠牲層２０に接触すると共に下地犠牲層２０に接触する部分の面積が下地犠牲層２０よりも広い一面３１を有するフレキシブル層３０と、を備える。フレキシブル層３０に複数の磁気抵抗素子部４２が設けられている。そして、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きが基板１０の表面１１に対して平行に向けられていることによりＸ軸方向もしくはＹ軸方向の磁化が検出される。また、フレキシブル層３０が下地犠牲層２０との接触箇所を起点として半円筒状に反っていることにより、一つの磁気抵抗素子部４２のピン磁性層４２ａの磁化の向きがＸ軸およびＹ軸に対して傾けられ、これによりＺ軸方向の磁化が検出される。 （もっと読む）

【課題】ウエハの状態で複数個の磁気センサを同時にかつ高精度に検査する。
【解決手段】ウエハ状態に並べられた複数の磁気センサが載置され水平方向及び垂直方向に移動可能なステージ１２と、このステージ１２の上方に対向配置され磁気センサのうちの少なくとも複数個を含む検査領域の各磁気センサに同時に接触可能なプローブ群１３を有するプローブカード９と、このプローブカード９を介して対峙しプローブ群１３の周辺に磁場を発生する複数の磁場発生コイル３〜８と、プローブカード９におけるプローブ群１３の外側を囲むように配設された複数の磁場環境測定センサ１４〜１７と、これら磁場環境測定センサ１４〜１７の測定結果に基づき磁場発生コイル３〜８の出力を制御する磁場制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気検出装置に比べて、配置による製造精度のばらつきを抑制した磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気検出装置１は、基板１０上に放射状に区分けされた領域のうち少なくとも対向する領域に配置され、第１の方向に長手方向を有する第１の磁気抵抗素子群と、放射状に区分けされた領域のうち、少なくとも対向する領域であって、第１の磁気抵抗素子と隣り合う領域に、第１の方向と直交する第２の方向に長手方向を有する第２の磁気抵抗素子群と、第１の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子群の磁気抵抗素子を複数組み合わせて、当該組み合わせた複数の磁気抵抗素子を直列に接続したもので抵抗部分を構成し、複数の当該抵抗部分でブリッジ回路を構成する配線部とを有する。 （もっと読む）

【課題】感磁部と磁気感度および抵抗の調整を可能とするトリミング部とを備えた磁気センサを提供すること。
【解決手段】磁気センサは、基板２６に設けられた化合物半導体からなる十字形状パターンの感磁部２１を備え、入力端子２１ａ，２１ｂと出力端子２１ｃ，２１ｄの少なくとも一方の端子２１ａ，２１ｄに、化合物半導体を有するトリミング部２３ａ，２３ｂが接続電極２４を介して直列接続されている。ウェハプロービングを行いながら、接続電極２４を介して感磁部２１に直列接続された入力端子側のトリミング部２３ａを、レーザートリミングすることにより、定電圧駆動における磁気感度の調整を可能とし、同様に出力端子側のトリミング部２３ｂをトリミングすることにより出力抵抗の調整を可能にした。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】全ダイナミックレンジで出力線形性を維持し、出力特性の良好さを維持する。
【解決手段】励磁電流として三角波電流を磁性体コアに対する励磁手段に通電し、この三角波電流の極性が切り替わるタイミングで磁性体コアに対して設けられた検出コイルから出力される正符号および負符号の各スパイク状電圧波形をそれぞれ検出し、一のスパイク状電圧波形と次に検出される逆符号のスパイク状電圧波形との時間間隔を計測し、この時間間隔に基づいて外部磁界の強度を検出する際に、前記時間間隔に基づいた外部磁界強度の強度信号を出力する信号処理回路と、少なくとも前記三角波の頂点より前に該三角波周期Ｔの１〜５％とされる前方停止時間、および、前記三角波の頂点から後に前記三角波周期の１〜５％とされる後方停止時間において、前記信号処理回路からの強度信号出力を停止するように制御するクロック制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ノイズの影響が低減され、かつ、増幅歪みの少ない半導体磁気センサ及びそれを用いた磁性体検出装置を提供すること。
【解決手段】直列接続された第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２と、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の接続ノードにゲート電極が接続された電界効果トランジスタ１０とを備えている。電界効果トランジスタ１０のゲート電極の幅を第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点を結んだ直線に投影した時の長さが、第１の半導体磁気抵抗素子１１及び第２の半導体磁気抵抗素子１２の各中心点の直線距離の略偶数倍であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００では、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１不純物領域２２および第２不純物領域２４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第３不純物領域３２を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第２制御では、第３不純物領域３２および第４不純物領域３４を第１端子（ＶＤＤ端子）に接続し、第２不純物領域２４を第２端子（ＶＳＳ端子）に接続し、第１端子（ＶＤＤ端子）の電位は、第２端子（ＶＳＳ端子）の電位より大きい。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体ウェハー素材を用いてホール素子などを作成するに当たり、無駄となる部分が多くコストの増加を招いていた。
【解決手段】 複合半導体素子が、基板（１１）と、基板上（１１）に備えられ有機材料を主材料とする平坦化層（１４）と、例えばホール素子を構成する化合物半導体素子を含み平坦化層（１４）上にボンディングされた半導体薄膜（１２）を有する。化合物半導体薄膜（１２）との電気的接続のための金属配線膜（２３）をさらに備え、化合物半導体薄膜（１２）と金属配線膜（２３）との間に、より高い不純物濃度の化合物半導体層（１７）を介在させても良い。 （もっと読む）

【課題】磁束密度のＺ軸方向成分の位置分布を高い空間分解能で検出できる磁気センサー素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気センサー素子１０００は、電界効果トランジスター１００と、電界効果トランジスター１００を制御する制御部２００と、を含み、電界効果トランジスター１００は、ゲート電極１４と、ゲート電極１４の一方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ソース領域３２および第２ソース領域３４と、ゲート電極１４の他方側に、ゲート幅方向に並んで形成された、第１ドレイン領域２２、第２ドレイン領域２４、および第３ドレイン領域２６と、を有し、制御部２００は、第１制御および第２制御を行い、第１制御では、第１ソース領域３２と、第１ドレイン領域２２および第２ドレイン領域２４と、の間に電圧を印加し、第２制御では、第２ソース領域３４と、第２ドレイン領域２４および第３ドレイン領域２６と、の間に電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、かつ素子抵抗の増大を抑制可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、チャンネル７と、チャンネル７上の強磁性体１２、第一参照電極２０Ａ及び第二参照電極２０Ｂと、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１の間に設けられた絶縁膜７ａと、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル７における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を節約しながらも磁気感度の向上を図りうる磁気センサを提供する。
【解決手段】本発明の磁気センサは、正磁気抵抗効果素子と、負磁気抵抗効果素子とを有するブリッジ回路または直列接続回路により構成されている。正の磁気抵抗効果素子が、ＣｒＯ₂またはＣｒＯ₂およびＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀（正のスピン分極率を有する第１導電性磁性体）の粉状体と、ＣｒＯ₂またはＣｒＯ₂およびＮｉ₈₀Ｆｅ₂₀（負のスピン分極率を有する第２導電性磁性体）の粉状体との混合物により構成されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧の変動の小さいＧａＡｓホール素子を提供すること。
【解決手段】ｎ−ＧａＡｓ層からなる感磁部２２を、ｎ−ＧａＡｓ層２２よりもバンドギャップの大きいＡｌＧａＡｓからなる第１及び第２の絶縁層２３ａ，２３ｂで挟み、かつ、ｎ−ＧａＡｓ層２２のキャリア濃度を５×１０¹⁶／ｃｍ³以上、１×１０¹⁸／ｃｍ³以下とすることにより、ｎ−ＧａＡｓ層２２の下部から側面への電子の移動、及び側面での電子のトラップの影響を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】磁束発生源との間の間隔が広くても磁気検知することができる、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁束発生源との間の間隔が広くても磁気検知することができる、磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気センサは、第１の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第１磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第１磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第１磁気検知素子と、前記第１の方向と異なる第２の方向に感度軸を持つミアンダ形状を有し、外部磁界に対して磁化変動する一対のフリー磁性層で非磁性層を挟持してなる積層構造を有する第２磁気抵抗効果素子、及び平面視において前記第２磁気抵抗効果素子を挟持するように配置された一対の軟磁性膜で構成された第２磁気検知素子と、が同一基板上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】第１から第４のＭＲ素子を構成する積層体１１，２１，３１，４１は、信号磁場に応じて磁化Ｊ６１の向きが変化する磁化自由層６１と、非磁性の介在層６２と、磁化固着層６３と、を順にそれぞれ含むものである。磁化固着層６３は、非磁性の結合層６３３を介して交互に積層されて互いに反強磁性結合する第１および第２の強磁性層６３１，６３２をそれぞれ１つまたは複数有する。但し、第１および第３のＭＲ素子を構成する積層体１１，３１における磁化固着層６３は、第１の強磁性層６３１を第２の強磁性層６３２よりも１つ多く含み、第２および第４のＭＲ素子を構成する磁化固着層６３は、磁化自由層６１の側から順に第２の強磁性層６３２と第１の強磁性層６３１とを同数ずつ含む。 （もっと読む）

【課題】磁性半導体膜における現象を究明し、またその現象を有効に利用できるルミネッセンス型光磁気センサを提供する。
【解決手段】光源と、フォトルミネッセンス効果を有する磁性半導体膜を形成した光磁気素子１と、この光磁気素子１のフォトルミネッセンス効果によって増幅された光源からの光の強度を測定する受光器とを備えたルミネッセンス型光磁気センサ。また、光源と光磁気素子１との間に偏光子２を配置し、光磁気素子１と受光器の間に検光子３を、その光軸の向きが偏光子２の光軸の向きとおよそ９０度異なるように配置した光磁気センサ。このようにファラデー効果よりもフォトルミネッセンス効果を現出する磁性半導体膜を利用することにより、高周波磁界測定のできるＳ／Ｎ（信号雑音比）に優れた光磁気センサが構成できる。 （もっと読む）

【課題】磁性体デバイスに均一に磁界を印加することができ、磁性体部分の面積が大きい磁性体デバイスを測定する際にも、所望の磁界を確実に精度良く印加させることが可能な、測定精度が高い磁界プローバを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁界プローバ１Ａ（１）は、磁界を発生する磁界印加手段２と、被測定物２０を載置するステージ３と、を少なくとも備えた磁界プローバであって、前記磁界印加手段２は複数のコイルから構成されており、各々のコイルは前記ステージ３の内部にあって、かつ前記被測定物２０が配されるステージ３上面から所定距離だけ離間した位置にある仮想面内に、二次元的に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出方向の指向性が小さく、検出感度が高い近接センサ及びそれを用いた磁気検出装置を提供すること。
【解決手段】この近接センサ１３は、第１フリー磁性層４１と、第１フリー磁性層４１上に設けられる非磁性層４２と、非磁性層４２上に設けられる第２フリー磁性層４３と、を有する磁気抵抗効果素子を備える近接センサ１３であって、磁気抵抗効果素子は、磁化容易軸方向を磁界印加方向に対して略平行に配向した。また、磁気ヨーク１０３、１０４をセンサ面１０１上に設けることにより、更に検出感度が向上した。 （もっと読む）