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Fターム[2G028BB20]の内容

抵抗、インピーダンスの測定 (8,300) | 測定対象素子等 (466) | その他 (26)

Fターム[2G028BB20]に分類される特許

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【課題】測定した抵抗値に基づいて測定対象体の検査を行う際の検査効率を向上させる。
【解決手段】測定用の電圧Vを出力する電源部11と、出力された電圧Vの電圧値および電圧Vの供給に伴って流れる電流I1の電流値に基づいて抵抗値Rmを測定する測定部12と、正極および負極を有する測定対象体における正極に接続される第1プローブ20aと、負極に接続される第2プローブ20bと、基準電位に接続される第3プローブ20cと、第1プローブ20aおよび第2プローブ20bの相互間の電気的接断を行う接断器13とを備え、接断器13は、制御信号S1(測定指示)に従って第1プローブ20aおよび第2プローブ20bを相互に接続させ、測定部12は、電圧Vの電圧値、並びにプローブ20a,20bと第3プローブ20cとの間に流れる電流I1の電流値に基づいて正極および負極と基準電位との間の抵抗値Rmを測定する。 (もっと読む)


【課題】基板における抵抗の測定を効率的に行い得る測定装置を提供する。
【解決手段】プローブ41aが電圧供給回路21に接続され、かつ、プローブ41bが電流検出回路22に接続される第1接続態様で計測部13に接続されているときにケーブル5aのシールド203を芯線201と同電位に接続するスイッチ15Aa、プローブ41bが回路21に接続され、かつ、プローブ41aが回路22に接続される第2接続態様で計測部13に接続されているときにケーブル5bのシールド203を芯線201と同電位に接続するスイッチ15Ba、プローブ41a,41bが第1接続態様で計測部13に接続されているときにケーブル5bのシールド203をグランド電位に接続するスイッチ15Bb、およびプローブ41a,41bが第2接続態様で計測部13に接続されているときにケーブル5aのシールド203をグランド電位に接続するスイッチ15Abを備えている。 (もっと読む)


【課題】微小抵抗変化の測定に対して、構造が簡単で誤差の小さい高精度のブリッジ回路型検出器の提供を目的とする。
【解決手段】四辺形の少なくとも一辺に測定センサー部に対応して変位する抵抗変位部Rを有するブリッジ回路を用いた検出器であって、ブリッジ回路の対向するA点及びB点間に有する電源部と、他の対向するC点及びD点間に出力される電圧を検出する出力電圧測定部を有し、さらに前記A点及びB点間の電圧を測定する正味ブリッジ電圧測定部を有し、前記出力電圧測定部にて測定した出力電圧値と前記正味ブリッジ電圧測定部にて測定した正味ブリッジ電圧値にて抵抗変位部Rの微小抵抗変化を算出するものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】この発明は、簡易な構成および操作でありながら、試料の電気的特性測定電極と測定対象物との間の接触抵抗を測定でき、検査の信頼性を向上できる接触抵抗測定機能を持った半導体特性測定装置を提供する。
【解決手段】この発明の接触抵抗測定機能は、測定電極と測定対象物Xとの接触点に非直流を供給する非直流電圧供給器と、測定電極と被測定対象物Xとの接触点における電圧を測定する非直流電圧測定器を有し、リアクタンス型電気結合器で非直流回路を構成し、直流回路はインダクターで非直流を遮断し、非直流による接触抵抗測定回路と、直流による半導体特性測定回路で相互に影響を及ぼさないで半導体特性測定と、探触子と試料との接触抵抗とを同時に測定可能にする。 (もっと読む)


【課題】 高周波測定装置によって検出された電圧と電流を高い精度で校正する方法を提供する。
【解決手段】 第1の3つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値とに基づいて、校正パラメータXを算出し(S1,2)、校正パラメータXを用いて校正した電圧信号と電流信号とに基づいて、プラズマ処理装置のインピーダンスを算出し(S3)、スミスチャート上で、S3で算出されたインピーダンスを含み、第1の3つの基準負荷のインピーダンスによって囲まれる範囲より狭い範囲を囲むことになる3つのインピーダンスを決定し(S4)、当該3つのインピーダンスをそれぞれ有する第2の3つの基準負荷の高周波測定装置による測定インピーダンスと真値とに基づいて、校正パラメータX’を算出し(S5,6)、検出された電圧信号と電流信号とを校正パラメータX、X’を用いて校正する(S7)。 (もっと読む)


【課題】アクティブ型表示パネルの画素に含まれる発光素子の容量を正確に測定することができる検査方法を提供する。
【解決手段】表示パネル30が、発光素子36と駆動TFT35のうち、駆動TFT35だけが実装された状態であるときに、駆動TFT35をONにした状態で、当該駆動TFT35のゲート周りの容量を測定するON状態容量測定ステップ(S11)と、表示パネル30が、発光素子36と駆動TFT35の両方が実装された状態であるときに、駆動TFT35をOFFにした状態で、駆動TFT35と発光素子36とを含む画素31の容量を測定する画素容量測定ステップ(S12)と、ON状態容量測定ステップ(S11)で得られた容量と画素容量測定ステップ(S12)で得られた容量とから、発光素子36の容量を算出する算出ステップ(S13)とを含む。 (もっと読む)


【課題】パネル基板に搭載されたICへのデータ入力ラインに関係する抵抗の抵抗値を、簡便かつより正確に測定する。
【解決手段】ICには、抵抗測定モードに切り替わる旨の制御電圧が入力されると、ロジック処理を行う処理ブロックへの全てのデータ入力回路33−1〜33−nを基準電圧VSSに接続させるスイッチ回路51−1〜51−nと、アナログ処理を停止させる制御回路54とが設けられている。また、ICの複数の基準電圧接続用端子に対して1つの基準電圧接続用配線131bを接続し、前記基準電圧接続用配線131bは、ICに設けられているデータ入力用端子に接続されるデータ配線よりも配線幅が太くなるように形成されている。スイッチ回路により、IC内で、測定対象とされたデータ入力ラインを構成するデータ配線が接続されるデータ入力用端子が、複数の基準電圧接続用端子の少なくともいずれかと電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 測定対象物が発熱して溶解するという不具合がなく、精度良く接触抵抗を測定する。
【解決手段】 コンデンサ22に充電した電荷により放電回路20に通電し、電圧検出用アナログ積分回路61により測定対象抵抗Aの両端電圧Vin1を時間積分し、電流検出用アナログ積分回路62により標準抵抗21の両端電圧Vin2を時間積分する。アナログ除算回路70は、両端電圧Vin1の積分値を両端電圧Vin2の積分値で除算した値に相当する電圧Vdivをホールド回路80に出力する。ホールド回路80の出力電圧Vholdは、測定対象抵抗Aの抵抗値Rxと相関関係を有する電圧となるため、この電圧を測定して抵抗値Rxを求める。 (もっと読む)


【課題】薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上にアモルファス層25と、第1の導体層13と、抵抗を測定する対象である薄膜32と、第2の導体層20とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板11上の最上層21の表面に、抵抗測定用のプローブ10a〜10dを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】燃料電池の電流経路を流れる電流値を精度よく検出可能にする。
【解決手段】燃料電池の電流経路に、抵抗体を有する電流測定板100を配置し、抵抗体の両端の電位差および記憶回路50aから取得した抵抗体の抵抗値に基づいて燃料電池の電流経路を流れる電流値を検出する電流測定装置の製造工程において用いられ、電流測定装置が燃料電池に組み付けられる前に抵抗体の抵抗値を測定する抵抗値測定装置であって、恒温槽250にて抵抗体の温度を所定の温度に設定し、定電流電源230および電流供給板210、220により抵抗体に定電流を供給し、検査用電圧センサ260にて抵抗体の電位差を測定する。そして、検査用信号処理回路270は、測定した測定電位差と供給される電流値とに基づいて抵抗体の抵抗値を算出するとともに、算出した抵抗体の抵抗値の情報および恒温槽にて設定された温度の情報を記憶回路50aに出力する。 (もっと読む)


【課題】ペア線等の組導線の抵抗測定を高精度に行うことができる組導線の抵抗測定装置および抵抗測定方法を提供すること。
【解決手段】抵抗測定装置100は,4端子法による抵抗測定装置であって,可撓性を有する電圧測定系のプローブ2と,同じく可撓性を有する電流測定系のプローブ3とを備え,両プローブを互いに逆方向から被検体であるコイルのリード12aに巻き掛けている。その状態でプローブ2とプローブ3とが互いに引っ張り合うように,プローブ2およびプローブ3を互いに逆向きに移動させる。そして,プローブ2とプローブ3とがリード12aを引っ張り合った状態で,電圧値および電流値を測定する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ端部付近の測定位置に依存する測定値変動を正しく補正し、正確な値を求めることができる半導体ウェーハ抵抗率測定装置を提供する。
【解決手段】4探針抵抗率測定器を用いて半導体ウェーハ12の抵抗率を測定する半導体ウェーハ抵抗率測定装置において、半導体ウェーハ12の端部の抵抗率を測定する際、予めウェーハ端部12aから半径方向の直線上におけるP、Pn+5、Pn+15の位置の測定値に対し、各測定位置からウェーハ端部12aまでの距離Rと半導体ウェーハ上に生成される薄膜31の端部31aまでの距離R’との差による誤差を考慮し、それぞれ異なる誤差の補正係数を乗じて各誤差に対応した補正値を求めると共に該補正値の標準偏差を求め、前記標準偏差が最小となる誤差を実際の誤差として決定する。 (もっと読む)


【課題】温度変化による抵抗変化を含まずに半田バンプ接続部の微小な抵抗変化を高い分解能により正確に検出可能とする。
【解決手段】マザーボード10に実装されたBGAパッケージ12について、変形応力によるダメージを受け易い監視バンプ20−11と、変形応力によるダメージを受けにくい基準バンプ20−12を選択し、監視バンプ20−11に第1定電流源30から一定電流を流すと共に、基準バンプ20−12に第2定電流源32から同じ値の一定電流を流す。半田バンプ抵抗測定装置28は、第1定電流源30からの一定電流により監視バンプ20−11に発生する第1電圧から第2定電流源32からの一定電流により基準バンプ20−12に発生する第2電圧を差し引いた差電圧を、監視バンプ20−11の抵抗変化を表す抵抗変動電圧として直流電圧計34に表示する。
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【課題】太いプローブを使用することができる抵抗測定方法を提供する。
【解決手段】各々が被測定素子3と被測定素子3に電気的に接続された一対のパッド4とを有する複数組の被測定素子3に、4端子抵抗測定機能を有する測定装置10を利用して被測定素子3の抵抗値を算出する抵抗測定方法において、前記複数組の被測定素子3を直列接続する試験用の電気接続パターン5を形成し、前記一対のパッド4に一対の電圧測定用プローブ15を接触させ、前記一対のパッド4の各々と前記電気接続パターンで電気接続された一対のパッド4に一対の電流印加用プローブ15を接触させることを特徴とする抵抗測定方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】消費電流を低減しつつ、微小な容量変化をより高速かつ高精度で検出することが可能な容量差検出回路を提供する。
【解決手段】容量差検出回路100のタイミングジェネレータ14は、電流切換スイッチ回路6の切換動作を制御する電流切換パルス信号を出力し、第1、第2の可変容量キャパシタ2、3に第1、第2の充電電圧が充電されている期間中にこの第1、2の充電電圧を検出するように、チョッパ型アンプ7を制御するゲートパルス信号を出力し、第1の充電電圧を検出する期間中にチョッパ型アンプ7の出力信号をサンプルホールドするように、第1のサンプルホールド回路8を制御する第1のサンプルパルス信号を出力し、第2の充電電圧を検出する期間中にチョッパ型アンプ7の出力信号をサンプルホールドするように、第2のサンプルホールド回路9を制御する第2のサンプルパルス信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】 COG部における接続抵抗を的確に把握することが可能な集積回路素子実装モジュールを提供する。
【解決手段】 アレイ基板AR上に形成された配線の接続端子に対して端子電極を電気的に接続することで集積回路素子であるICチップ6が実装されている。ICチップ6内部で電気的に接続される同一の電位を有する一対の端子電極6A,6Bに対応して、アレイ基板AR上の配線の接続端子11A,11Bが設けられ、これら接続端子11A,11Bと接続されてICチップ6の端子電極6A,6B間の接続抵抗を検出するための実効抵抗検出端子13A,13Bが設けられている。 (もっと読む)


【課題】従来の方法では、配線の抵抗率を高精度で求めることができない。
【解決手段】配線評価装置1は、計算部20、および推定部30を備えている。計算部20は、残留抵抗率比を求める計算手段である。残留抵抗率比は、被評価配線の残留抵抗率と基準配線の残留抵抗率との比として定義される。推定部30は、残留抵抗率比と、基準配線について既知である配線パラメータとの関係に基づいて、被評価配線についての配線パラメータを推定する推定手段である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡単な設備構成により、プローブのコンタクトチェックと静電気対策部品の絶縁抵抗測定を同時に実施できる静電気対策部品の絶縁抵抗測定方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の静電気対策部品の絶縁抵抗測定方法は、第1のプローブ26と第2のプローブ27を静電気対策部品25の上面に形成された第1の電極22に接触させ、かつ第3のプローブ28と第4のプローブ29を前記静電気対策部品25の上面に形成された第2の電極23に接触させ、さらに前記静電気対策部品25と並列接続関係にある外部抵抗31は抵抗値が前記第2および/または第4のプローブ27,29のコンタクトミス時の絶縁抵抗測定値の5分の1以下のものを用いて前記静電気対策部品25の絶縁抵抗を測定するようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】高精度な測定および高効率な測定の双方を行い得る測定装置を提供する。
【解決手段】制御部16が、回路基板100の素子に接触している一対のプローブにおける接触端子31aと導線13a,13bとを接続させ、接触端子31bと導線13c,13dとを接続させ、電圧検出部12と導線13c,13dとを接続させる第1接続処理、およびプローブ21f,21gの接触端子31bと導線13cとを接続させることによって素子101c,101dを直列接続させ、プローブ21e,21hの接触端子31aと導線13a,13bとを接続させ、電圧検出部12と導線13a,13bとを接続させる第2接続処理を実行すると共に、第1接続処理後に1つの素子についての電気的パラメータを4端子法によって測定し、第2接続処理後に素子101c,101dについての電気的パラメータを2端子法によって測定する。 (もっと読む)


【課題】二端子測定法よりも精度よく抵抗を測定できるとともに四端子測定法よりも簡単かつ低コストに抵抗を測定できる、抵抗測定装置およびそれを備える基板検査装置ならびに抵抗測定方法およびそれを備える基板検査方法を提供する。
【解決手段】基板検査装置10は、定電流源20の+端を基板100のランド104aに接続するプローブ24、電圧計22の+端を基板100のランド104bに接続するプローブ26、ならびにリード線32,34,38aおよびスイッチ36a,36cによって電気的に接続される定電流源20の−端と電圧計22の−端とを基板100のランド106aに接続するプローブ40aを含む。定電流源20からの定電流はランド104aと106aとの間に供給され、これに伴って生じる電圧が電圧計22によって測定される。CPU44は定電流と電圧計22が測定した電圧とに基づいて抵抗を算出する。 (もっと読む)


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