【課題】露光時の走査方向の違いによって生じるスキャン精度の差異を求めることが可能
な表面検査装置を提供する。
【解決手段】露光によって作製されたパターンを有するウェハを照明光で照明する照明系
２０と、パターンで反射した照明光を検出する受光系３０および撮像装置３５と、撮像装
置３５により撮像されたウェハの回折画像からパターンの線幅を求め、走査方向によるパ
ターンの線幅の差を求める検査部４２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクの様に周期性のあるパターンを持つ被検査体のムラ欠陥を検出するためのムラ検査装置および方法の照明照射条件の最適化を課題とする。
【解決手段】基板面に周期性パターンが形成された基板を検査対象とし、前記基板に照明光を異なる複数の照射角度で照射し、周期性パターンにより生じる回折光を用いて検査するムラ検査方法であって、パターン形状から周期成分を抽出し、被検査体である周期性パターンの最適な検査条件を算出する。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】異常パターンの弁別性を向上した欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】光源と、干渉制御部と、検査装置本体と、を備えた欠陥検査装置が提供される。前記光源は、可干渉光を放射する。前記干渉制御部は、分散部と、選択部とを有し、前記光源から放射された光の可干渉性を制御して、照明光として出力する。前記検査装置本体は、前記照明光を被検査体に形成されたパターンに照射して、前記被検査体の欠陥を検査する。前記光源から放射された光の進行方向を第１の方向とし、前記第１の方向に垂直な方向を第２の方向としたとき、前記分散部は、前記光源から放射された光を波長に応じて前記第２の方向に拡張して波長分散させる。前記選択部は、前記分散部により波長分散された光を選択的に透過させる。 （もっと読む）

【課題】 修理ラインで直すことができる欠陥と製造ラインを止めなければならない欠陥であるかを判定できる表示デバイス（５０）の欠陥検出方法を提供する。
【解決手段】 表示デバイスの欠陥検出方法は、表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測し（Ｐ３２）、計測された領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された領域をカウントする欠陥カウントステップ（Ｐ３６）と、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップ（Ｐ３８，Ｐ４２）と、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が少ない場合に所定面積内の欠陥密度を計算する欠陥密度計算ステップ（Ｐ３８）と、欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が高い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップ（Ｐ４０，Ｐ４２）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マスクブランクに存在する位相欠陥とＥＵＶＬ用マスクを製造した後に残存する位相欠陥との両方を感度良く検出する方法を提供する。
【解決手段】マスクブランクを検査する場合は、中心遮蔽ＮＡ以内で大きい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射し、ＥＵＶＬ用マスクを検査する場合は、ＥＵＶ光を遮蔽する中心遮蔽部と、中心遮蔽部の直径よりも小さい幅を有し、ＥＵＶ光を遮断する線状遮蔽部とをその瞳面に有する暗視野結像光学系を用いて、線状遮蔽部の幅と同じ照明ＮＡまたは線状遮蔽部の幅よりも小さい照明ＮＡを有するＥＵＶ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】反射型サンプル基板上の欠陥の特性を、非破壊かつ高精度に評価可能な欠陥特性評価装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反射型サンプル基板であるマスク基板１１上の被検欠陥１２に対して、実際の露光で利用する波長のコヒーレント光を、マスク基板１１上の被検欠陥と略同一のサイズに集光する集光光学系１０と、集光光学系１０により集光され、マスク基板１１上にコヒーレント光を照射する照射部１６と、照射部１６により照射された照射パタン領域１３ｂからの回折光を２次元的に受光する二次元検出器１３と、二次元検出器１３による受光結果である画像情報を記録する記録部１７と、記録部１７により記録された画像情報から、被検欠陥１２の反射振幅と位相分布を反復計算により導出する導出部１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターンを持つ被検査体のムラ欠陥を検出する場合に、映り込みの判別を短時間に行うことが出来、さらに大面積の被検査体の検査時間を短縮する検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】基板を載置して搬送する搬送手段と、基板を照明する第一の照明手段と第二の照明手段と、第一の照明手段の照明角度を変化させる第一の照明角度変化手段と、第二の照明手段の照明角度を変化させる第二の照明角度変化手段と、第一の照明手段によって照明された基板を撮像する第一の撮像手段と、第二の照明手段によって照明された基板を撮像する第二の撮像手段と、第一の撮像手段及び第二の撮像手段によって得られた画像を処理する画像処理部と、前記搬送手段と、第一と第二の照明手段と、第一と第二の照明角度変化手段と、第一の撮像手段及び第二の撮像手段と、を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする検査装置。 （もっと読む）

【課題】欠陥の捕捉率、及び分類性能を向上させる。
【解決手段】互いに平行な直線群を含む回路パターンが形成された被検査物を載置して走行するステージと、スリット状の光であるスリット状ビームを複数生成し、前記被検査物の表面に第１の照明領域、及び第２の照明領域を形成する照明光学系と、前記第1の照明領域からの第１の光と前記第２の照明領域からの第２の光とを分離し、前記第１の光は第１のイメージセンサで、前記第２の光は第２のイメージセンサで検出する検出光学系と、前記第１のイメージセンサ、及び前記第２のイメージセンサで得られた信号に基づいて欠陥を示す信号を得る処理部と、を成す。 （もっと読む）

【課題】周期性のあるパターン、特に、ＬＣＤ製造用フォトマスクのような基板において、回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによって、むら検査を実施することができるむら検査装置、むら検査方法およびむら判定方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回折光量差によるコントラストからパターン変動発生箇所を精度良く識別し、かつ、その変動発生周期を簡便に導出することによってむら検査を実施することができる検査装置およびむら検査方法。 （もっと読む）

【課題】パターンを形成したウェハの検査において、表面の内部もしくは表面上の異常の有無を判定できる表面検査法を提供する。
【解決手段】サンプル表面２０ａからの散乱光は表面２０ａに対して垂直な線に対して略対称の光を集束する集束器３８，５２によって集束される。集束光は、異なる方位角で経路へと導かれ、集束した散乱光の線に対する相対的方位角位置に関する情報が保存される。集束光は、垂直な線に対して異なる方位角で散乱した光線を表すそれぞれの信号に変換される。異常の有無および／または特徴は、この信号から判定される。あるいは、集束器３８，５２によって集束された光線は、予測されるパターン散乱の角度差に対応する角度の環状ギャップを有する空間フィルタによって濾波され、狭角および広角集束経路から得た信号は比較され、マイクロスクラッチと粒子との間を識別する。 （もっと読む）

【課題】異常の原因を特定することが可能な検査装置および方法を提供する。
【解決手段】検査装置は、加工によりウェハ１０の表面に設けられた構造体を照明する照明光学系２０と、当該構造体で反射した照明光を検出するＣＣＤカメラ４０と、それぞれ異なる加工条件で設けられた構造体を対象として、複数の照明条件若しくは反射条件で検出される検出値を加工条件ごとに記憶するデータベース部４６と、複数の照明条件若しくは反射条件に含まれる少なくとも２条件で被検物である構造体から検出される検出値と、データベース部４６に記憶された検出結果との関連性に基づいて、構造体に対する加工の条件を求める画像処理検査部４５とを有している。 （もっと読む）

【課題】繰り返しパターンの線幅の測定精度を向上させた表面検査方法を提供する。
【解決手段】所定の繰り返しパターンを有するウェハの表面に直線偏光を照射する照射ステップ（Ｓ１０２）と、直線偏光が照射されたウェハの表面からの反射光を受光する受光ステップ（Ｓ１０３）と、対物レンズの瞳面と共役な面において、反射光のうち直線偏光の偏光方向と垂直な偏光成分を検出する検出ステップ（Ｓ１０４）と、検出した偏光成分の階調値から繰り返しパターンの線幅を求める演算ステップ（Ｓ１０５）とを有し、演算ステップでは、瞳面における対角線上の瞳内位置および対角線外の瞳内位置での階調値から、繰り返しパターンの線幅を求める。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなどのパターンが形成された試料のマクロ検査装置において、寸法・形状の異常を高感度で検出可能にする。
【解決手段】パターンが形成された試料の検査装置において、パターンが形成された該試料に光を照明する照明光学系と、該パターンの散乱光を受光する検出光学系と、該検出光学系の瞳面に配置され、該パターンのフーリエ像を撮像する撮像素子と、該フーリエ像を正常なパターンのフーリエ像と比較し、該パターンの異常を検出する処理部と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生体細胞のような位相物体の観察に用いられてきた従来の位相差顕微鏡に代わって、広くて深い測定視界を持ち、位相差の干渉画像が鮮明に得られる、単純で簡便な位相物体画像の識別、検査の方法と装置を提供する。
【解決手段】可干渉性平行レーザ光束中に設置されたフーリエ変換レンズで構成される広い測定視界中に置かれた位相物体から得られるフーリエ変換像(光回折パターン)の零次光だけを高次の回折光と異なる位相差参照光として、高次光回折パターンで得られる位相物体像と干渉させて鮮明な位相差画像を得る。また、位相物体の位相差を含めて異なる形状の複数形状粒子群を形状ごとに数や挙動や位置を自動計測するために、多重マッチトフィルタ法を含んだ位相差画像を検査する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン薄膜の表面の画像を検出して多結晶シリコン薄膜の表面の状態を観察し、多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査することを可能にする。
【解決手段】多結晶シリコン薄膜の検査装置を、表面に多結晶シリコン薄膜が形成された基板１００に光を照射する光照射手段８００と、光照射手段８００により基板１００に照射された光のうち多結晶シリコン薄膜を透過した光または多結晶シリコン薄膜で正反射した光の近傍の多結晶シリコン薄膜からの散乱光の像を撮像する撮像手段８２０と、この撮像手段８２０で撮像して得た散乱光の画像を処理して多結晶シリコン薄膜の結晶の状態を検査する画像処理手段７４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】空間フィルタの設定には、オペレータの目視によるスキャン画像の確認と空間フィルタの調整の繰り返し作業が必要とされる。また、設定状態がオペレータに依存する。
【解決手段】散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）を同時に観察すると共に、散乱光の像（ビーム像）と回折光の像（フーリエ像）の各強度プロファイルを同時に監視する。１本の空間フィルタだけを回折光の像の視野範囲でスキャンし、空間フィルタを挿入しない場合の強度プロファイルに対する状態変化を検出する。検出された状態変化に基づいて空間フィルタの設定条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】
検査対象基板において不規則な回路パターン部分では、パターンからの散乱光によって欠陥信号が見落とされ、感度が低下する課題があった。
【解決手段】
光源から出射した光を検査対象基板上の所定の領域に所定の複数の光学条件をもって導く照明工程と、前記所定領域において、前記複数の光学条件に対応して生じる複数の散乱光分布の各々につき、所定の方位角範囲および所定の仰角範囲に伝播する散乱光成分を受光器に導き電気信号を得る検出工程と、該検出工程において得られる複数の電気信号に基づいて欠陥を判定する欠陥判定工程とを有することを特徴とする欠陥検査方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】周期性パターンが形成された基板は、周期性パターンの回折現象によって生じる擬似欠陥をスジ状ムラ欠陥として誤判断し易く、検査精度に問題が残る。本発明の課題は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、実欠陥と擬似欠陥とを高精度に弁別できる検査用パターン及び検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ムラ欠陥検査装置に用いるムラ検査用パターンが、前記基板と同一の材料でかつ同一の製法でパターンが形成され、該パターンが互いに直行するＸ方向、Ｙ方向において、それぞれ最小パターンピッチをＭｉｎ、パターンピッチ増量分をΔ、最大パターンピッチをＭａｘとすると、Ｍｉｎ，Ｍｉｎ＋Δ，Ｍｉｎ＋２Δ・・Ｍｉｎ＋ｎΔ，Ｍａｘの少なくとも１種類のパターンピッチでパターンが等間隔に配列していることを特徴とするムラ検査用パターン。 （もっと読む）