【課題】 感光性ドライフィルムを接着剤に用いて、低価格化で量産性、生産性に優れた赤外線センサ装置の製造方法を得ると共に、小型化、低価格化の赤外線センサ装置を得る。
【解決手段】 シリコンカバーと、半導体チップと、両者を間隔をおいて対向配置させるスペーサ層とを備えた赤外線センサ装置を製造する際に、シリコンカバーの材料になるシリコンウエハ１２０の接着面側に感光性ドライフィルム１１０をパターニングして接着剤層となるスペーサ層１１を形成し、この接着剤層を介してシリコンウエハ１２０を複数の赤外線センサ装置が形成された半導体ウエハに接合する。その後接合されたシリコンウエハ１２０と半導体ウエハをダイシングして赤外線センサ装置を個片化する。接着剤層は、個片化された赤外線センサ装置のスペーサ層１１に用いられる。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置からの出力は赤外線検出素子の温度変化により出力データがドリフトしてしまう。
【解決手段】検出エリアの熱変動に対して最も影響を受けにくい２次元に配列された赤外線検出素子１０２の４辺からのデータを補正用データとし、補正用データのフレーム間差分データでドリフト補正を行い、補正が成功すれば赤外線撮像装置２００からのデータを校正データ取得直後と同じ値に維持するが、変動した場合補正異常としてシャッタ１０１を閉じ校正データを再取得、校正を行うことで温度ドリフトを補正したデータを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】二次元センサからなる測光センサを用いてフリッカが生じている被写体照明環境条件にあるか否かを検知させ、その検知結果に基づいて、二次元センサからなる測距センサのフレームレート、シャッタースピード等の露光条件を変更することにより、露光ムラの発生を防止し、正確に測距できる測光・測距装置を提供する。
【解決手段】本発明の測光・測距装置は、二次元センサからなる測距センサＣＣＤ１０１２、１０１１と、二次元センサからなる測光センサＣＣＤ１０１３と、測距センサＣＣＤ１０１２、１０１１に対応させて設けられかつ測距センサに被写体像を結像させる測距レンズ１１ａ、１１ｂと、測光センサＣＣＤ１０１３に被写体像を結像させる測光レンズ１１ｃと、測光センサを用いて被写体の照明環境を測光し、かつ、測距センサと測光センサのそれぞれの露光状態を設定し、しかも、測距センサにより測距を行うプロセッサ１０５を有し、プロセッサ１０５は、測光結果に応じて測距センサの露光状態を変更する。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レンズ部以外の部位であるベース部を通して赤外線検出素子の受光面へ赤外線が入射するのを防止することが可能な半導体レンズ、半導体レンズの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レンズ３は、パッケージ２において赤外線検出素子１の受光面の前方に形成された矩形状の透光窓２３を覆うようにパッケージ２の内側から配設される。半導体レンズ３は、赤外線検出素子１の受光面へ赤外線を集光するレンズ部３ａ以外の部位であるベース部３ｂの外周形状が矩形状に形成されている。また、半導体レンズ３は、透光窓２３の内側に位置するベース部３ｂを通して赤外線検出素子１の受光面へ入射しようとする赤外線を吸収することで阻止する赤外線阻止層３ｃを備えている。赤外線阻止層３ｃは、不純物（例えば、ボロンなど）が高濃度ドーピングされた高濃度不純物ドーピング層により構成してある（つまり、赤外線阻止層３ｃをベース部３ｂ内に形成してある）。 （もっと読む）

【課題】画素部の温度補正をより正確に行うことのできる非冷却赤外線イメージセンサを提供する。
【解決手段】半導体基板２上の表面部分に配列された第１空洞部３ａが形成された第１領域に第１空洞部に対応して第１空洞部の上方に設けられた複数の画素セル１１と半導体基板上の第２領域に複数の画素セルの各行または各列に対応して設けられた参照画素セル２１とを有し、各参照画素セルは入射された赤外線を吸収する第２赤外線吸収膜の熱を検出して電気信号を生成し、第１感熱素子２１と同特性の第２感熱素子２２を含み、第１感熱素子接続する第１および第２配線を有する支持部１５と、第２感熱素子に接続する第３および第４配線を有する配線部２５とを更に備え、配線部の第３および第４配線は、第１および第２配線と同じ電気抵抗を有し、参照画素セルは半導体基板に接するように設けられ、配線部の下方の半導体基板の表面部分に第２空洞部３ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】空間の背景温度と異なる温度をもつ熱源を検出し、その熱源が人であるかどうかを識別し、人と判断した熱源の位置座標、発熱体の大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。
【解決手段】２次元に配置された赤外線検出素子を用い空間の温度分布を計測し、その背景温度と異なる温度をもつ発熱体が空間に存在した場合、その発熱体の重心を求め、重心の位置座標を記憶していき、順次検出した発熱体の重心座標を中心とする設定エリア内に記憶された重心座標の数が設定値を超えたとき、その発熱体は人である情報と共に、発熱体の位置座標、大きさ、平均温度、最大温度、最小温度、熱源周辺の背景温度を出力する。 （もっと読む）

【課題】 多層構造体に生じる応力による基板の反りを低減すること。
【解決手段】 多層構造体は、基板２０と、基板の第１主面上に形成された多層配線構造（３０，４０，５０）と、多層配線構造における、少なくとも最上層の一部に設けられた空洞部１０２と、空洞部を含む多層配線構造上に形成される素子構造体（２１０，２００）と、基板の、第１主面とは反対側の第２主面上に形成された、基板の第１主面側に生じる応力を緩和するための、少なくとも一層の応力緩和層１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルの抵抗のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにおけるｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４の基礎となるノンドープのポリシリコン層を形成した後、ｐ形不純物およびｎ形不純物それぞれを上記ポリシリコン層の互いに異なる所定部位にイオン注入してｐ形ポリシリコン層３５およびｎ形ポリシリコン層３４を形成するようにし、ｐ形ポリシリコン層３５を形成するためのｐ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｐ形ポリシリコン層３５のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定し、かつ、ｎ形ポリシリコン層３４を形成するためのｎ形不純物のイオン注入を行う際のイオン注入量を、ｎ形ポリシリコン層３４のドーピング濃度が固溶限となるイオン注入量よりも高く設定する。 （もっと読む）

【課題】 焦電型検出素子の焦電体での焦電効果を高めて、検出精度を向上できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 焦電型検出器２００Ａ〜２００Ｃは、第１電極２３４と、第２電極２３６と、それら電極間に配置された焦電体２３２とから成り、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター２３０を含む焦電型検出素子２２０Ａ〜２２０Ｃを有する。焦電型検出素子を搭載する支持部材２１０は、第１面２１１Ａと、第１面に対向する第２面２１１Ｂとを含み、第２面が空洞部１０２に臨んで配置され、第１面が第１電極２３４と接する。支持部１１０は、支持部材の第２面の一部を支持する。焦電型検出素子が光吸収体（２３２，２３６または２９０）を含み、光の入射経路Ａ，Ｃにて光吸収体よりも上流側に配置される導電部材（２２４，２２８または２３４または２３６）が、光を透過する光透過性導電材料にて形成されている。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上が可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、半導体基板１と、赤外線による熱エネルギを電気エネルギに変換する感温部（熱電変換部）３０を具備し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３とを備え、半導体基板１において熱型赤外線検出部３の一部の直下に空洞部１１が形成され、熱型赤外線検出部３に、空洞部１１に連通した複数のスリット１３，１４が形成されている。熱型赤外線検出部３は、複数のスリット１３，１４を通した異方性エッチングにより半導体基板１に空洞部１１を形成する際に半導体基板１において上記一表面からの異方性エッチングが最終的に開始される部位に重なる部分に、当該部分を補強する補強部３８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】温度分布を有する目標を継続して確実に捕捉・追跡できる目標捕捉追跡装置を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る目標捕捉追跡装置は、第１温度を検知する複数の第１赤外線検知素子と、第１温度より低い第２温度を検知する複数の第２赤外線検知素子とを市松状に配列し、第１及び第２赤外線検知素子の出力に基づいて画像情報を生成する赤外線カメラ１１と、赤外線カメラ１１により得られる画像情報をもとに、第１温度に対応する第１画像情報と、第２温度に対応する第２画像情報とを生成する赤外線カメラ用前処理回路２１と、第１及び第２画像情報のそれぞれから目標候補を検出する目標検出回路２２と、目標候補をもとに目標を判定する複合処理回路２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】物体の温度の検出精度を向上することが可能な温度センサを提供する。
【解決手段】制御手段は、ＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶon、ＭＯＳトランジスタ４をオフ状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶoffとし、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、第４のパッドＶrefinの電位（Ｖref）と第３のパッドＶchの電位（Ｖwell）との電位差に起因して第４のパッドＶrefin−感温部（熱電変換部）３０−ソース領域４４−ウェル領域（チャネル形成用領域）４１−第３のパッドＶchを通る経路で流れるリーク電流が、Ａ／Ｄ変換回路における入力値の分解能を感温部３０の抵抗値と増幅回路の増幅率との積により除した値以下となるように予め設定されたＶwell、Ｖrefの条件で赤外線センサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】異なる波長の電磁波用のセンサを同じ半導体基板上にセットし、高感度で電磁波検出を行なう。
【解決手段】センシング部２０と、センシング部２０へ電荷を供給する電荷供給部１６と、センシング部２０と電荷供給部１６との間に形成される電荷供給調節部ＩＣＧ２と、センシング部２０からの電荷を蓄積する電荷蓄積部１７と、センシング部２０と電荷蓄積部１７の間の電荷転送調節部ＴＧ１と、電荷蓄積部１７の電荷に対応しる出力部２１とを備え、第１のセットと第２のセットが同一半導体基板上に形成され、第１のセットのセンシング部２０は第１の電磁波を受けて第１の電磁波の強さに応じた電荷を発生し、第１の電磁波と異なる波長の第２の電磁波を受けて該第２の電磁波の強さに応じて出力する電磁波感応素子が第２のセットに対応して半導体基板上にマウントされ、第２のセットのセンシング部は電磁波感応素子１３０の力に応じてポテンシャルを変化させる。 （もっと読む）

【課題】高感度化が可能な赤外線撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、赤外線検出基板１０１と、対向基板２０１と、を備えた赤外線撮像素子が提供される。赤外線検出基板は、検出素子基板１０５と、検出素子基板の第１主面１０１ａの側に設けられ検出素子基板と離間し赤外線を検出する複数の赤外線検出画素部１１０と、第１主面上において赤外線検出画素部どうしの間に設けられた第１突出部１２０と、を含む。対向基板は、第１主面に対向する第２主面２０１ａを有する。対向基板は、第２主面上に設けられ赤外線検出画素部と離間し赤外線検出画素部に対向する複数のレンズ部２１０と、第２主面上において複数のレンズ部どうしの間に設けられ、第１突出部と当接する第２突出部２２０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】第１のパッドＶout1〜Ｖout8の電位をＶout、第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位をＶs、第３のパッドＶchの電位をＶwell、第４のパッドの電位ＶrefinをＶref、感温部（熱電変換部）３０の出力電圧をＶo、ウェル領域（チャネル形成用領域）４１とソース領域４４とで構成される第１の寄生ダイオードおよびウェル領域４１とドレイン領域４３とで構成される第２の寄生ダイオードのしきい値電圧をＶthとするとき、制御手段が、ｎＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳトランジスタ４をオン状態とする際の第２のパッドＶsel1〜Ｖsel8の電位ＶsをＶonとしたときに、−Ｖth＜｛Ｖwell−（Ｖref＋Ｖｏ）｝＜Ｖthの関係を満たすように設定されたＶref、Ｖwellの条件で赤外線アレイセンサ１００を制御する。 （もっと読む）

【課題】配線から熱が散逸するのを抑制した焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】焦電型検出素子は支持部材に搭載される第１電極２３４と第２電極２３６と焦電材料２３２を含み、第１電極が焦電材料が積層形成される第１領域２３３Ａと第１領域より延在形成された第２領域２３３Ｂを有するキャパシター２３０を含み、キャパシターを覆う層間絶縁膜２６０と層間絶縁膜に形成されて第１電極の第２領域に通ずる第１コンタクトホール２５２と第１コンタクトホールに埋め込まれた第１プラグ２２６と層間絶縁膜に形成されて第２電極に通ずる第２コンタクトホール２５４と第２コンタクトホールに埋め込まれた第２プラグ２２８と第１プラグに接続される第１電極配線層２２２と第２プラグに接続される第２電極配線層２２４を含む。第２電極配線層を形成する材料は第２プラグと接続される部分の第２電極を形成する材料の熱伝導率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】サーモパイル３０ａにより構成される感温部３０を具備する複数の画素部２が半導体基板１の一表面側においてアレイ状に配置された赤外線センサチップ１００と、赤外線センサチップ１００の出力信号を信号処理するＩＣチップ１０２とを備える。パッケージ１０３は、赤外線センサチップ１００およびＩＣチップ１０２が横並びで実装されたパッケージ本体１０４と、赤外線を透過するレンズ１５３を有しパッケージ本体１０４に気密的に接合されたパッケージ蓋１０５とを有する。パッケージ１０３内に、赤外線センサチップ１００への赤外線を通す窓孔１０８を有しＩＣチップ１０２の発熱に応じた各画素部２の温接点Ｔ１および冷接点Ｔ２の温度変化量を均一化するカバー部材１０６を設けてある。 （もっと読む）

【課題】 温度に基づいて焦電体材料の分極量が変化する検出原理に鑑み、キャパシターを還元ガスから保護し、しかも焦電型検出素子から熱が散逸することを抑制して高い検出特性を実現できる焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 焦電型検出器２００は、温度に基づいて分極量が変化するキャパシター２３０と、キャパシターを還元ガスから保護する第１還元ガスバリア膜２４０とを含む焦電型検出素子２２０と、焦電型検出素子を搭載した支持部材２１０と、支持部材の一部を支持して焦電型検出素子を熱分離する支持部１０２とを有する。支持部材は、キャパシターが搭載される搭載部材２１０Ａと、搭載部材に連結されたアーム部材２１０Ｂとを含み、第１還元ガスバリア膜２４０は、搭載部材２１０Ａの第１外周縁Ｐ１と、キャパシター２３０の第２外周縁Ｐ２との間に第３外周縁Ｐ３を有する孤立パターンで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 焦電型検出素子の焦電材料に還元ガスが侵入し難くした構造を有する焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】 第１，第２電極２３４，２３６間に配置された焦電材料２３２を有するキャパシター２３０が、温度に基づいて分極量を変化させる焦電型検出素子２２０と、第１面２１１Ａ側に焦電型検出素子を搭載した支持部材２１０と、支持部材の第２面２１１Ｂが空洞部１０２に臨んで配置され、支持部材の一部を支持する支持部１０４とを有し、第１方向Ｄ１に沿って支持部、支持部材及び焦電型検出素子の順で積層され、支持部材は、少なくとも第１面２１１Ａ側に第１絶縁層２１２を有し、第１絶縁層２１２は、第１方向Ｄ１とは逆方向を第２方向Ｄ２としたとき、第１絶縁層２１２よりも第２方向Ｄ２に位置する第２絶縁層（１０４または２１６）よりも水素含有率が小さい。 （もっと読む）