【課題】赤外線センサにおけるＭＯＳトランジスタのしきい値のばらつきを小さくすることが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一表面側にシリコン酸化膜３１とシリコン窒化膜３２との積層膜を形成してから、シリコン窒化膜３２のうち熱型赤外線検出部３の形成予定領域Ａ１に対応する部分を残してＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に対応する部分をドライエッチングにより除去する。その後、半導体基板１の一表面側に第１のイオン注入を行ってウェル領域４１を形成してから、ＭＯＳトランジスタ４のしきい値電圧を制御するための第２のイオン注入を行う。ウェル領域を形成する工程では、シリコン酸化膜３１のうちＭＯＳトランジスタ４の形成予定領域Ａ２に形成されている部分（シリコン酸化膜５１）の一部をウェットエッチングにより除去してから、シリコン酸化膜３１をマスクとして第１のイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、電磁波強度分布の測定を高精度に行う電磁波強度分布測定装置を提供する。
【解決手段】一定の立体角を有する筒状のセンサ保持部材２１の一端に紫外線センサ２２を固定し、他端側を、半円球状のセンサ取付け部材１０に形成した貫通孔１１を貫通して、センサ取付け部材１０の表面側に突出させ、センサ取付け部材１０を挟んで両側から六角ナット２３で締めつけて固定する。同様にして同一の立体角を有するセンサ保持部材２１に固定された全ての紫外線センサ２２をセンサ取付け部材１０に取り付ける。そして、各紫外線センサ２２のセンサ信号をデータ処理装置６０で取り込み、これを現在時刻と対応付けて記憶装置６５に格納する。 （もっと読む）

【課題】高精度化および動作速度の高速化を図ることが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサ部１とチョッパアンプ３の一方の入力端子との間を接続する第１状態とチョッパアンプ３の一方の入力端子と他方の入力端子との間を短絡する第２状態とを切り替える第１の切替部２を備えている。制御回路（制御手段）９は、２つの積分器６，６の一方の積分器６の第２積分期間Ｔ２と他方の積分器６の第１積分期間Ｔ１とが重なるように第３の切替部５，５を制御する。ディジタル回路１２は、制御回路９からの読み出しタイミング信号が入力される度に、ディジタル値を出力するように構成されている。ディジタル回路１２は、第１状態のときに第１積分期間Ｔ１が設定された積分器６の第２積分期間Ｔ２に対応したカウント値と第２状態のときに第１積分期間Ｔ１が設定された積分器６の第２積分期間Ｔ２に対応したカウント値との差分値をディジタル値として出力する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型赤外線検知器の感度を向上させること。
【解決手段】量子ドットと、前記量子ドットを覆い、エネルギーギャップが前記量子ドットより広い第１の障壁層と、前記第１の障壁層の上側および前記量子ドットの下側に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い中間層と、前記第１の障壁層内に設けられ、エネルギーギャップが前記量子ドットより広く且つ前記第１の障壁層より狭い量子井戸層とを有する光電変換層と、前記光電変換層の両側に設けられた電極層を備えた量子ドット型赤外線検知器。 （もっと読む）

【課題】 設置作業が容易であると共に、人体等を広範囲において正確に検知することができる赤外線受光装置を提供する。
【解決手段】 焦電体からなる複数の受光素子１６ａ〜１６ｅが支持基材の表面に間隔をあけて配置された焦電体基板と、各受光素子１６ａ〜１６ｅに対応して設けられた集光レンズと、前記焦電体基板および集光レンズを厚み方向に間隔をあけて保持するケーシングとを備える赤外線受光装置１であって、受光素子１６ａ〜１６ｅは、検知領域Ｅ１〜Ｅ５が複数に分割されており、予め設定された複数の空間領域Ｓ１１〜Ｓ１５と検知領域Ｅ１〜Ｅ５との間に生じる重複が、空間領域Ｓ１１〜Ｓ１５毎に異なる受光素子１６ａ〜１６ｅによって生じるように、ケーシングが厚み方向に湾曲している。 （もっと読む）

【課題】赤外線撮像装置の分解能を向上することができる赤外線イメージセンサ及び赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】赤外線イメージセンサ１１には、複数個の第１の画素１ａが配列した第１の赤外線検知層１と、第１の赤外線検知層１上方に形成され、複数個の第２の画素２ａが配列した第２の赤外線検知層２と、複数個の第１の画素１ａの各々から信号を出力する第１の出力部３と、複数個の第２の画素２ａの各々から信号を出力する第２の出力部４と、が設けられている。平面視で、複数個の第２の画素２ａの配列が、複数個の第１の画素１ａの配列からずれている。 （もっと読む）

【課題】光の入射方向の検出精度が向上された光センサ装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に透光膜が形成され、透光膜に遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子の受光面に入射する光の角度を規定する開口部が形成された光センサと、受光素子の出力信号に基づいて光の仰角と左右角を算出する角度算出部と、を有する光センサ装置であって、対応する開口部によって規定される光の左右角が互いに同一であり、仰角が互いに異なる複数の受光素子によって、受光素子群が複数構成され、複数の受光素子群それぞれの左右角が異なっており、角度算出部は、各受光素子の出力信号の強度を比べることで、最も強い出力信号を出力している受光素子を特定し、特定された受光素子の受光面に入射する光の角度を特定する。 （もっと読む）

【課題】 高価な機械加工の撮像用レンズを使用することなく、低コストで製造が可能な構造の集光ミラーを用いることにより、複数画素を有効活用するエネルギー集光を行う赤外線センサ装置を提供する。
【解決手段】 集光ミラー３は、反射面がセンサチップ１に近い後段（第１の反射面（ゾーン１））と対象物の視野面６に近い前段（第２の反射面（ゾーン２））に分かれ、視野面６の中心からの光（赤外線）は、センサチップ１の中央素子に集光し、視野面６の周辺からの光は、チップ１の周辺素子に集光する。視野面６の中心から出た光６４は、直接チップ１の中央素子に入射し、同じく視野面６の中心から出た光６３、６５は、集光ミラー３の第１の反射面で反射してチップ１の中央素子に入射する。視野面６の周辺から出た光６１、６６は、集光ミラー３の第２の反射面で反射してチップ１の周辺素子に入射する。 （もっと読む）

【課題】測定対象または検査対象となる光源の配光特性を瞬時に測定または判定することで、生産ラインにおける光源を高速に検査することができるとともに、経時変化する光源の放射強度を正確に測定することができる配光特性測定装置、配光特性検査装置、配光特性測定プログラム、配光特性測定方法および配光特性検査方法を提供する。
【解決手段】配光特性測定装置１００は、光源１０を覆うように半球状に形成され当該半球の頂点が光源１０の中心軸と一致するように配置される半球状拡散板３０と、光源１０から照射され半球状拡散板３０を透過した光を撮像する撮像装置５０と、Ｘ軸垂直光強度およびＹ軸垂直光強度を抽出する垂直光強度抽出手段６１と、Ｘ軸垂直光強度およびＹ軸垂直光強度をＸ軸断面放射強度およびＹ軸断面放射強度に変換する放射強度算出手段６３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 予備照射のための光源や、予備電流を供給するブロックを持つことなく、測光センサーの光応答性を改善することを目的とする
【解決手段】 測光センサーのリセット機能の使用、不使用を、測光センサーの無受光期間の長さに応じて切り替えることを特徴とする構成とした。 （もっと読む）

【課題】マイクロプレートの表面積とアレイの総表面積の比を修正することなく、この有効表面積を実質上増大させるアーキテクチャを提案すること。
【解決手段】所定の赤外線波長範囲内の電磁放射を検出するボロメータアレイ検出器が、
基板(16)と、支持アーム(18)によって基板(16)の上方に懸架された、前記放射を検出するボロメータマイクロプレート(14)のアレイと、前記放射のうちマイクロプレート(14)によって吸収されることなく前記マイクロプレート(14)を通過した部分を反射するように、基板(16)上でマイクロプレート(14)の下に形成された金属反射板(20)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
微小な欠陥を検出すること、検出した欠陥の寸法を高精度に計測することなどが求められる。
【解決手段】
光源から出射した光を、調整する照明光調整工程と、前記照明光調整工程により得られる光束を所望の照明強度分布に形成する照明強度分布制御工程と、前記照明強度分布の長手方向に対して実質的に垂直な方向に試料を変位させる試料走査工程と、照明光が照射される領域内の複数の小領域各々から出射される散乱光の光子数を計数して対応する複数の散乱光検出信号を出力する散乱光検出工程と、複数の散乱光検出信号を処理して欠陥の存在を判定する欠陥判定工程と、欠陥と判定される箇所各々について欠陥の寸法を判定する欠陥寸法判定工程と、前記欠陥と判定される箇所各々について、前記試料表面上における位置および前記欠陥の寸法を表示する表示工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】被写体に対する出力信号の精度の向上を図ること。
【解決手段】第１の取得部６０１によって受光素子群から暗電流の値を取得し、特定部６０２によって、受光感度特性に基づいて、第１の取得部６０１で取得された各受光素子からの暗電流の値に対応する受光感度を特定する。つぎに、比率算出部６０３によって、特定部６０２で特定された受光感度と補正目標である所定の受光感度との比率を受光素子毎に補正係数として算出し、この補正係数を記憶部６０４に記憶する。そして、補正部６０６は、記憶部６０４に記憶されている補正係数を用いて、第２の取得部６０５で取得した出力信号を補正する。出力部６０７は補正された出力信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】赤外線吸収膜の裏面側から赤外線を受光するタイプの熱型赤外線センサーにおいて、赤外線吸収膜の裏面における赤外線の反射率を低減させる。
【解決手段】熱型赤外線センサーは、空洞部７によって半導体基板５とは熱的に分離された赤外線吸収膜９と、赤外線吸収膜９の温度変化を検出する温度センサー１１とを備えている。赤外線吸収膜９は半導体基板５と対向する面にサブ波長構造９ａからなる赤外線反射防止構造を備えている。 （もっと読む）

【課題】プリズム等を用いることなく垂直入射光に対しても表面プラズモンを励起可能な光電変換素子の提供する。
【解決手段】表面プラズモンを用いる光電変換素子であって、光電変換素子の最表面に設けられ、表面と裏面とを有して表面で入射光を受ける、金属からなる板状の受光部１と、受光部の表面に設けられた溝状のスリット３と、受光部の表面の電位を測定する電圧検出部４とを含み、スリットにより入射光が表面プラズモンを励起し、表面プラズモンにより生じた受光部の表面電位を電圧検出部で測定する。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を抑制することで、読出し信号のオフセット量やノイズを低減することができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】実施形態の赤外線撮像装置は、導体基板上に形成され、赤外線を吸収し熱に変える赤外吸収部と、複数のショットキー接合ダイオードと、少なくとも一つ以上のｐｎ接合ダイオードと、を直列接続しているとともに、この熱を電気信号に変える熱電変換部と、を含む赤外線検出部を備えている。また、この赤外線検出部とこの基板との熱分離を行う空洞部を備えている。さらに、この熱電変換部からの信号入出力及びこの赤外線検出部を支持する支持配線と、を有するとともに、アレー状に配置された赤外線検出素子を備えている。また、この赤外線検出素子を選択する素子選択部と、この赤外線検出素子に電圧を印加し、かつ、定電流動作させる信号読出し部を備えている。 （もっと読む）

【課題】熱ノイズを低減することが可能な赤外線センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線センサ１００は、サーモパイル３０ａにより構成される感温部３０を有し半導体基板１の一表面側に形成されて半導体基板１に支持された熱型赤外線検出部３と、半導体基板１の上記一表面側に形成され感温部３０の出力電圧を取り出すためのＭＯＳトランジスタ４とを備える。ＭＯＳトランジスタ４のゲート電極４６が、ゲート絶縁膜４５上の導電性ポリシリコン層４６ａと、導電性ポリシリコン層４６ａを覆うシリサイド層４６ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】断熱性能に優れた小型化可能な赤外線センサユニットを提供する。
【解決手段】熱型赤外線センサとこれに対応する半導体装置とが共通の半導体基材上に形成された赤外線センサユニット。絶縁上層が半導体基材上に被覆されて、半導体基材の表層部に形成した半導体装置を覆う。熱型センサは、断熱支持部によって半導体装置の上方に支持されるセンサ台座に搭載され、センサ台座及び断熱支持部材は絶縁上層に積層された多孔質材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】応答速度および構造安定性の向上を図ることが可能であり、且つ、感度の向上を図ることが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】熱型赤外線検出部３は、空洞部１１の周部に形成された支持部３ｄと、空洞部１１を覆う第１の薄膜構造部３ａとを備える。第１の薄膜構造部３ａは、空洞部１１の周方向に沿って並設され支持部３ｄに支持された複数の第２の薄膜構造部３ａａと、互いに対向する第２の薄膜構造部３ａａ同士を連結する連結片とを有し、各第２の薄膜構造部３ａａごとに第２の薄膜構造部３ａａと支持部３ｄとに跨ってサーモパイル３０ａが設けられ、全てのサーモパイル３０ａが直列接続の接続関係で電気的に接続されている。サーモパイル３０ａにおける熱電対の２種類の熱電要素がｐ形ポリシリコン層３５とｎ形ポリシリコン層３４とであり、ｐ形ポリシリコン層３５とｎ形ポリシリコン層３４とが互いに異なる面上に形成されている。 （もっと読む）