【課題】入射光の入射位置及び入射方向を同時に検出することができるようにした光検出装置を提供する。
【解決手段】第一の平面内にマトリックス状に配置した複数個の光検出素子から成る第一の光センサアレイ１１と、第一の平面の光入射側と反対側にて所定間隔ｄで平行に隔置した第二の平面内にマトリックス状に配置した複数個の光検出素子から成る第二のセンサアレイ１２と、スポット状の入射光による第一及び第二の光センサアレイ１１、１２からの検出信号に基づいて、当該入射光の第一及び第二の光センサアレイ１１、１２上における入射位置Ｐ１，Ｐ２を演算すると共に、演算した入射位置間の偏位量ΔＰから当該入射光の入射角度θを演算して、当該入射光の入射位置及び入射方向を決定する信号処理部１４と、を含むように、光検出装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】測定する波長帯域を広く設定できる熱型光検出器を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に形成され凹部３０を有するスペーサー部材２０と、スペーサー部材２０の凹部３０に向き合いスペーサー部材２０に支持される支持部材４０と、支持部材４０上に形成され熱を検出する焦電型の赤外線検出素子６０と、を含み、凹部３０は、底面にスペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第１平面３１と、底面と支持部材４０との間に、スペーサー部材２０の厚み方向に対して交差する方向に形成された第２平面３２と、を備え、第１平面３１および第２平面３２に光を反射する反射膜３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能な真空封止デバイスを提供する。
【解決手段】真空封止デバイスは、デバイスチップ１００Ａと、デバイスチップ１００Ａと協働するＩＣチップ２００Ａと、デバイスチップ１００ＡとＩＣチップ２００Ａとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、パッケージ本体３０１の一面側に２段の凹部３０１ａ，３０１ｂが設けられ、ＩＣチップ２００Ａが、下段の凹部３０１ａの内底面に第２接合部３１２を介して接合され、デバイスチップ１００Ａが、上段の凹部３０１ｂの内底面における下段の凹部３０１ａの周部の全周に亘って第３接合部３１３を介して気密的に接合されている。真空封止デバイスは、パッケージ本体３０１とデバイスチップ１００Ａと第３接合部３１３とパッケージ蓋３０２とで囲まれた第１気密空間３２１が真空雰囲気となっている。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証２０を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証３０を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証４０を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証５０を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成６０する。 （もっと読む）

【課題】外乱光の多い環境下でも無色・透明の水素火炎の可視化ができる装置であって、小型であり且つコスト性に優れた水素火炎可視化装置およびその方法の提供。
【解決手段】少なくとも９３０〜９５０ｎｍの範囲で設定された波長を含む近赤外画像を撮像する近赤外線画像撮像手段２０と、熱画像を撮像する熱画像撮像手段４０と、可視画像を撮像する可視画像撮像手段３０と、演算装置５３、表示装置５１および記憶装置５２を有する処理部２を備え、処理部が、前記各撮像手段で撮像した監視対象領域の各画像を記憶装置に記憶する手段と、近赤外画像撮像および熱画像に同時に同位置に近赤外波長および熱線波長が検出された領域を火炎領域と判定し、火炎領域を着色した可視画像を表示装置に表示させる手段を備えることを特徴とする水素火炎可視化装置及びその方法。 （もっと読む）

【課題】接着剤を用いて基板に接着されても中空構造の空間に接着膜が形成され難い構造の赤外線検出素子を提供する。
【解決手段】第１表面２ａと第１表面２ａの反対側の第１裏面２ｂとを有し、第１裏面２ｂに第１凹部４を有し第１表面２ａの第１凹部４と対向する場所に赤外線を検出する赤外線検出部３を有する第１基板２と、第２表面８ａと第２表面８ａの反対側の第２裏面８ｂとを有し、第１凹部４と向かい合う場所の第２裏面８ｂに第２凹部９を有する第２基板８と、第１裏面２ｂと第２裏面８ｂとを接着する接着膜７と、を有し、第２表面８ａに接着剤を付着させて用いられ、第２凹部９が第２裏面８ｂと交差する第２外周部９ｂは第１凹部４が第１裏面２ｂと交差する第１外周部４ｂを囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証２０を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証３０を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証４０を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証５０を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成６０する。 （もっと読む）

【課題】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法の提供。
【解決手段】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０を含み、エピタキシャルパラメーターの校正を行う。単乙型感知部品製造工程と変温光電量測定検証２０を行い、エピタキシャルは感知部品の低温変温と変圧測定校正を完成する。焦平面アレー製造工程とその光電均一度の検証３０を行い、暗電流均一度テストを行う。焦平面アレーと信号読み出し集積回路の接着と研磨製造工程検証４０を行い、感知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接着を行い光電信号を転換し、熱影像品質統合テスト検証５０を行い、最適駆動と制御出力パラメーター分析と測定を調整し、熱影像アレーモジュール雛形を行い、焦平面感知アレーと接合し、影像感知アレーモジュール雛形を完成６０する。 （もっと読む）

【課題】より広範囲かつ高速に対象を検出することが可能な対象検出装置および対象検出方法を提供する。
【解決手段】対象検出装置１０１は、検出対象の物性に応じて予め選択された複数の波長帯について、２次元画像を撮像するための撮像部１１と、２次元画像の各画素における物質を検出するための検出部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】人物の表面温度と背景物体の表面温度との温度差が少ない状態でも、人物を判別する。
【解決手段】遠赤外線撮像素子を有する撮像装置において、人物の表面温度が第一の所定温度以上かつ第二の所定温度以下の場合、第一の所定温度を温度画像信号の下限値とし、第二の所定温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換し、人物の表面温度が第一の所定温度以下の場合、人物の表面温度を温度画像信号の下限値とし、第二の所定温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換し、人物の表面温度が第二の所定温度以上の場合、第一の所定温度を温度画像信号の下限値とし、人物の表面温度を温度画像信号の上限値となるように温度画像信号を出力画像信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、ＩＣチップ２００と、パッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、赤外線センサチップ１００が一面側に実装されＩＣチップ２００が他面側に実装されるベース基板部３０１と、ベース基板部３０１の上記一面側でベース基板部３０１から突設され赤外線センサチップ１００を囲む第１壁部３０２と、ベース基板部３０１の上記他面側でベース基板部３０１から突設されＩＣチップ２００を囲む第２壁部３０３とを備える。赤外線センサは、赤外線センサチップ１００とＩＣチップ２００とが、ベース基板部３０１を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップの発熱に起因した赤外線センサチップの面内でのＳ／Ｎ比のばらつきを抑制することが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】赤外線センサは、赤外線センサチップ１００と、ＩＣチップ２００と、パッケージ３００とを備える。パッケージ３００は、赤外線センサチップ１００が一面側に実装されＩＣチップ２００が他面側に実装されるベース基板部３０１と、ベース基板部３０１の上記一面側でベース基板部３０１から突設され赤外線センサチップ１００を囲む第１壁部３０２と、ベース基板部３０１の上記他面側でベース基板部３０１から突設されＩＣチップ２００を囲む第２壁部３０３とを備える。赤外線センサは、赤外線センサチップ１００とＩＣチップ２００とが、ベース基板部３０１を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】ウェハ１枚当たりの赤外線センサの取れ数の減少を抑えつつ、ウェハごとに２種類の熱電要素のゼーベック係数を管理することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の基礎となるウェハ２００の一表面側へのｎ形ポリシリコン層３４（第１の熱電要素）の形成と同時に第１シート抵抗モニタ部２３４を形成し、且つ、ウェハ２００の上記一表面側へのｐ形ポリシリコン層３５（第２の熱電要素）の形成と同時に第２シート抵抗モニタ部２３５を形成するようにし、第１シート抵抗モニタ部２３４のシート抵抗および第２シート抵抗モニタ部２３５のシート抵抗それぞれを測定し、予めデータベース化されているシート抵抗とゼーベック係数との関係に基づいて、第１シート抵抗モニタ部２３４および第２シート抵抗モニタ部２３５のゼーベック係数がそれぞれの管理規格範囲内にある良品か管理規格範囲外にある不良品かを判定する。 （もっと読む）

【課題】サーモパイルにおけるｎ形ポリシリコン層およびｐ形ポリシリコン層それぞれについて、簡単な製造プロセスでゼーベック係数の低下を抑制しつつシート抵抗を低減することが可能な赤外線センサの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１と、この半導体基板１の一表面側に配置されたサーモパイル３０ａとを備え、サーモパイル３０ａの熱電対の２種類の熱電要素が、ｎ形ポリシリコン層３４とｐ形ポリシリコン層３５とである赤外線センサ１００の製造方法であって、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の形成にあたっては、ｎ形ポリシリコン層３４およびｐ形ポリシリコン層３５の基礎となるノンドープのポリシリコン層１３０をＣＶＤ法により形成した後、アニール処理を行う。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上を図ることが可能な赤外線センサチップの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを用意し、この半導体ウェハから複数個の赤外線センサチップを製造する赤外線センサチップの製造方法であって、半導体ウェハの用意にあたっては、１個の単結晶半導体インゴット３００を元に形成された複数枚の単結晶半導体ウェハ３０１の中から検査用として抜き取った単結晶半導体ウェハ３０１ｂの形状および結晶性それぞれについて、予め規定した検査項目の検査を行い、検査規格を満足した検査用の単結晶半導体ウェハ３０１ｂの形成元の単結晶半導体インゴット３００から形成した他の単結晶半導体ウェハ３０１ａを半導体ウェハとして用意する。 （もっと読む）

【課題】パラサイト赤外線に対する統合化されたシールドを有する赤外線撮像デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本デバイスは、赤外線検出器（４０）を有する支持体（６２）と、検出器に面する少なくとも１つの光学デバイス（２８）と、パラサイト赤外線に対するシールドとを備える。シールドは、互いに離間し、支持体から光学デバイスまで延び、ベントを有し、支持体と光学デバイスの間を横方向に貫通するパラサイト赤外線を顕著に減衰させる材料で作成された、少なくとも２つの連続するビード（ｃ１，ｃ２）を備える。これらベントを有する２つのビードは、バッフルを形成する。デバイスは、フリップチップ技術を用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】感度の調整ができる検出装置、センサーデバイス及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】検出装置は、焦電素子１０と、焦電素子１０に接続され、焦電素子１０の出力電圧の電圧感度を調整する感度調整回路３０と、焦電素子１０に接続される検出回路２０とを含む。感度調整回路３０は、感度調整用の可変容量回路４０を含み、可変容量回路４０に並列に接続される可変抵抗回路５０をさらに含む。可変容量回路４０の容量値が小さな値に設定された場合に、可変抵抗回路５０の抵抗値は大きな値に設定され、可変容量回路４０の容量値が大きな値に設定された場合に、可変抵抗回路５０の抵抗値は小さな値に設定される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの端部に欠けが発生するのを抑制することが可能で、且つ、製造歩留まりの向上を図ることが可能な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１２１の表面側に薄膜部１２３を形成する薄膜部形成工程と、薄膜部１２３上にレジスト膜１２４を形成するフォトリソグラフィ工程と、レジスト膜１２４をエッチングマスクとして薄膜部１２３をエッチングすることで半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄを露出させる第１エッチング工程と、半導体ウェハ１２１の表面の一部１２１ｄから半導体ウェハ１２１をエッチングする第２エッチング工程とを備え、フォトリソグラフィ工程では、薄膜部１２３のうち半導体ウェハ１２１の端部１３１に形成されている部位１２３ｄにレジスト膜１２４を形成しないようにし、第１エッチング工程では、薄膜部１２３の上記部位１２３ａをエッチング装置に設けた遮蔽物１２６によって保護する。 （もっと読む）

【課題】基板と貫通電極との間で形成される浮遊容量が小さい基板を提供する。
【解決手段】第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３と、ビアホール２ｃ内の面とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜５と、ビアホール２ｃ内で第３絶縁膜５に囲まれた導電体７と、を有し、第１面２ａにおける第１絶縁膜３の厚みに比べてビアホール２ｃ内の面における第３絶縁膜５の厚みが厚くなっている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外の長波長領域まで受光でき、かつ画素ピッチを密にしても受光感度を確保できる、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】 この受光素子アレイ１０は、近赤外波長領域に対応するバンドギャップエネルギを有する受光部Ｐが、複数、配列され、受光部は、選択拡散によって形成されたｐ型領域６の先端部にｐｎ接合１５を有し、受光部Ｐを区分けするように、ｎ型領域７が該受光部の間に位置することを特徴とする。 （もっと読む）