【課題】 特に１μｍの波長帯域において、レーザ装置の発生する光パルスをモニタすることができる光パルスのモニタ方法を提供する。
【解決手段】 光パルスのモニタ方法は、光パルスを発生させる光源と、光サーキュレータと、分散補償量を変化できる可変型分散補償器と、光パルスを周期的に強調する干渉計と、２光子吸収を利用した受光器と、Ａ／Ｄコンバータと、受光器で受光した信号の時間的変化をモニタに表示するソフトウエアを備えたコンピュータとで、構成される光パルスモニタ装置を用いて実施される。 （もっと読む）

【課題】 特に１μｍの波長帯域において、レーザ装置の発生する光パルスをモニタすることができる光パルスモニタ装置を提供する。
【解決手段】 光パルスモニタ装置は、光パルスを発生させる光源と、光サーキュレータと、分散補償量を変化できる可変型分散補償器と、光パルスを周期的に強調する干渉計と、２光子吸収を利用した受光器と、Ａ／Ｄコンバータと、受光器で受光した信号の時間的変化をモニタに表示するソフトウエアを備えたコンピュータとで、構成されている。 （もっと読む）

【課題】小型化を実現し、かつ、設計通りの寸法や位置に収めて製作することが容易に可能な火炎センサを提供する。
【解決手段】紫外線を検出するＵＶセンサを用いた火炎センサにおいて、ＵＶセンサが、紫外線を照射される金属体１３と、電圧を振動に変換する第１の圧電素子１１と、振動を電圧に変換し金属体１３を帯電させる第２の圧電素子１２と、金属体１３の上部にある誘電体の電圧変化を計測する測定部１８と、第１の圧電素子１１に電圧をかけるのか、第１の圧電素子１１、第２の圧電素子１２及び金属体１３を接地するのかを切り替えるスイッチ部１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】信号対雑音比が改善され構造が単純な光センサーを提供する。
【解決手段】光熱変換体と焦電体とが熱結合される。光熱変換体には周期構造が形成される。周期構造においては、単位構造が周期的に配列される。単位構造の一部のみが負の誘電率を持つ物質で占められる。焦電体の電気的性質は、熱より変化する。 （もっと読む）

【課題】紫外線の照射が終わっているにもかかわらず、紫外線検出用放電管（ＵＶチューブ）に配置された一対の面電極の特に電界の強い外周部を起点に発生しやすい、いわゆる偽放電を抑制できる火炎センサを提供する。
【解決手段】一対の面電極（アノード電極２１及びカソード電極２２）を備えたＵＶチューブを用いた火炎センサにおいて、面電極の中心部における両電極間の距離を面電極の外周部における両電極間の距離より短い構成にしたので、一対の電極間の中心部と外周部とにおける電界がほぼ均一になり、面電極の特に電界の強い外周部を起点に発生しやすい偽放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】安価な装置構成により、高感度に第１の波長領域の光を検出できる光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置２は、被対象物４から輻射される第一の波長領域の光を結像する光学系１と、第一の波長領域の光を吸収することにより第二の波長領域の光に対する応答が変化する光学フィルタ６と、第二の波長領域の光を発する光源８と、第二の波長領域の光の周波数を変調する光周波数変調手段１０と、第二の波長領域の光を検出する光検出手段１２と、第二の波長領域の光を二つの光路に分離し、一方の光を光学フィルタ６に導き、光学フィルタ６による反射光と他方の光とを光検出手段１２上で重ね合わせる光学系２と、光検出手段１２により取得した情報から第一の波長領域の光の強さを算出する光学応答解析手段１４とを有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を制御されたナノチューブを含み、物理または化学量を検出するためのセンサの提供することにある。
【解決手段】典型的なナノチューブ・センサ１９は、信号処理回路２１と接続して使用され、この信号処理回路２１は、電力を供給し、そしてセンサからの信号を処理して、検出された量に比例した出力を生成する。ナノチューブは、シリコン酸化物などからなるベース・フィルム２３上に配置され、ナノチューブの各端に電極２５を含む。信号処理回路２１は、限定されるものではないがひずみ、圧力、湿度および光などの検出された量を示す出力信号２７を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光以外の波長を有した露光光を容易に評価する露光量評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、フォトマスクが、露光光のうちＥＵＶ光よりも長い波長を有した長波長光を反射し且つ前記ＥＵＶ光を吸収する長波長光反射膜を有している。また、フォトマスクは、前記長波長光反射膜の上層側に配置されるとともに前記ＥＵＶ光および前記長波長光を吸収する吸収膜を用いて形成されたマスクパターンを有している。そして、フォトマスクと、レジストが塗布された露光対象の基板と、をＥＵＶ露光装置内にセットする。前記フォトマスクに対し前記マスクパターン側から前記露光光を照射するとともに、前記フォトマスクで反射された露光光を前記基板に照射する。そして、前記基板に照射された露光光の露光量に基づいて、前記基板に照射された長波長光の光量分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】プリズム等を用いることなく垂直入射光に対しても表面プラズモンを励起可能な光電変換素子の提供する。
【解決手段】表面プラズモンを用いる光電変換素子であって、光電変換素子の最表面に設けられ、表面と裏面とを有して表面で入射光を受ける、金属からなる板状の受光部１と、受光部の表面に設けられた溝状のスリット３と、受光部の表面の電位を測定する電圧検出部４とを含み、スリットにより入射光が表面プラズモンを励起し、表面プラズモンにより生じた受光部の表面電位を電圧検出部で測定する。 （もっと読む）

【課題】極紫外線（ＥＵＶ）光源のための測定機器を提供する。
【解決手段】「ＥＵＶ光源」測定のためのシステム及び方法。第１の態様では、ＥＵＶ光源電力出力を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置された光電子原料物質を含み、この物質を露出させてある一定量の光電子を発生させることができる。システムは、更に、光電子を検出してＥＵＶ電力を示す出力を生成するための検出器を含むことができる。別の態様では、ＥＵＶ光強度を測定するためのシステムは、ＥＵＶ光経路に沿って配置可能な多層ミラー、例えばＭｏ／Ｓｉを含み、このミラーを露出させてミラーに光電流を発生させることができる。電流モニタをミラーに接続し、光電流を測定してＥＵＶ電力を示す出力を生成することができる。更に別の態様では、オフラインＥＵＶ測定システムは、光特性を測定するための計器、及びＭｏＳｉ₂／Ｓｉ多層ミラーを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】
光量を検出する光量検出装置において、微弱光量から強光量まで広いダイナミックレンジで測定できる光量検出技術を提供する。
【解決手段】
光量検出装置において、フォトンカウント型光検出器の検出信号をＡ／Ｄ変換する。Ａ／Ｄ変換された検出信号が、予め設定したしきい値以上の場合にはそのまま後段の光子数算出回路に検出信号を送り、しきい値以下の場合には、あらかじめ設定された基準値を後段に送るしきい値処理をおこなう。光子数算出回路では、光量測定が終了するまで取得した検出信号波形の面積から、フォトンカウント型光検出器に入射した光子数あるいは光量を求める。 （もっと読む）

【課題】単一の光伝導素子を用いたテラヘルツ波トランシーバにおいて、高感度にテラヘルツ波の信号を検出することである。
【解決手段】テラヘルツ波の発生と検出を行なうテラヘルツ波トランシーバは、単一の光伝導素子101と、バイアス印加部102と、電流検出部103と、電流引き込み部104を有する。光伝導素子は、光伝導膜106上で励起光照射領域109を介し対向配置される第1及び第2の電極107、108を備える。バイアス印加部は、第1及び第2電極の間に、励起光照射領域にテラヘルツ波を発生させるためのバイアスを印加する。電流検出部は、励起光照射領域から生じる電流のうち、テラヘルツ波の電界によるテラヘルツ波電流を検出する。電流引き込み部は、バイアス印加部から印加されたバイアスによる電流を引き込む。電流引き込み部は、引き込む電流の量を、バイアス印加部に印加されるバイアスの量を参照して決定する。 （もっと読む）

【課題】大きな熱起電力を発生させる放射検出器と電磁波を検出する方法とを提供する。
【解決手段】本発明は電磁波を検出する方法であって、以下の工程を具備する：放射検出器を準備する工程、ここで、放射検出器は、薄膜、基板、電磁波反射膜、第１電極および第２電極を具備し、前記基板は前記薄膜および前記電磁波反射膜の間に挟まれており、前記薄膜は、結晶体であり、ゼーベック係数に異方性を有し、かつ異方性を発現させる基準となる結晶面を有し、前記基板は結晶体であり、前記薄膜の前記結晶面と前記基板の表面とが形成する角度αは１０°以上８０°以下であり、前記基板の低指数面と前記基板の表面とが形成する角度βは１０°以上８０°以下であり、第１電極および第２電極は前記薄膜に電気的に接続され、および、第１電極と第２電極との間の電位差を検出し、電位差が検出されれば放射検出器に電磁波が照射されたことが決定される工程。 （もっと読む）

【課題】電極が本来意図していない方向に湾曲することに起因して、感度がばらつくのを抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、熱膨張率の異なる複数の層を有し、一方端側が絶縁膜２３に支持されているカンチレバー電極２４と、カンチレバー電極２４に対向するように配置される下部電極２２とを含み、カンチレバー電極２４から延びる方向であるＸ方向と交差するＹ方向を軸にして、カンチレバー電極２４が下部電極２２と離間する方向に湾曲することによって熱を測定することにより電子を供給する電荷供給部２８を備え、カンチレバー電極２４の表面上には、カンチレバー電極２４がＹ方向とは異なる方向を軸にして湾曲するのを抑制するための湾曲抑制部材２７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】撮像対象とする電磁波の波長にかかわらず低コストでの製造が可能な撮像デバイス、及び撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像対象から入射する第１の波長の電磁波を、第１の波長と異なる第２の波長の電磁波に変換するスペクトル変換手段と、第１の波長よりも第２の波長に対する感度が高く、スペクトル変換手段によって波長の変換された第２の波長の電磁波を受光する撮像素子を備えた撮像デバイス、及びこの撮像デバイスを備えた撮像装置とする。もしくは、撮像対象から入射する第１の波長の電磁波を、第１の波長と異なる第２の波長の電磁波に置換するスペクトル置換手段と、第１の波長よりも第２の波長に対する感度が高く、スペクトル置換手段によって置換された第２の波長の電磁波を受光する撮像素子を備えた撮像デバイス、及びこの撮像デバイスを備えた撮像装置とする。 （もっと読む）

【課題】ノイズの混入に起因する精度の低下を抑制することが可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】このサーモセンサ１００（センサ装置）は、ｎ型シリコン基板１１の上方に配置され、熱（赤外線）を測定することにより電子を供給する電荷供給部４８と、ｎ型シリコン基板１１の表面に形成され、電子が電荷供給部４８から供給されるｎ型ウェル領域１５と、ｎ型ウェル領域１５の電子が供給される領域の周辺近傍の表面に形成されるｐ^＋拡散層１７とを備え、ｐ^＋拡散層１７の下方に電子を転送するための埋込みチャネル領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】管理が容易な装置であって高い精度で光源の全光量を測定できる装置の提供。
【解決手段】光源３００を配置可能な第一空間を備え、配置された光源３００から放射される光を正反射する反射面部１１３を有し、直接光と反射光とが通過する第一開口１１１を有する第一筐体１０１と、第二空間を備え、第一開口１１１と同一形状かつ同一面積の第二開口１２１と、光を吸収する吸収面部１２３を内面に有する第二筐体１０２と、第一開口１１１を通過する第一光量Ｃと、第二開口１２１を通過する第二光量Ａとを検出する検出手段と、第一光量Ｃと第二光量ＡとをＤ＝Ａ＋（Ｃ−Ａ）／ｔ（ｔ：前記正反射における反射率補正係数）に代入し全光量を算出する演算手段１０４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 赤外検出器は、様々なノイズ源によって望ましくない影響を受ける。しかも一部の赤外検出器は、たとえば熱的に励起された電流キャリアによって発生するノイズを減少させるため、液化窒素温度(77K)以下の温度で動作するように冷却される。
【解決手段】 広帯域放射線検出器は第1型の電気伝導を有する第1層を有する。第2層は、第2型の電気伝導及び第1スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。第3層は、ほぼ前記第2型の電気伝導、及び、前記第1スペクトル領域の波長よりも長い波長を有する第2スペクトル領域内の放射線に応答するエネルギーバンドギャップを有する。当該広帯域放射線検出器は複数の内部領域をさらに有する。各内部領域は少なくとも部分的に前記第3層内部に設けられて良い。各内部領域は、前記第3層の屈折率とは異なる屈折率を有して良い。前記複数の内部領域は規則的に繰り返されるパターンに従って配置されて良い。 （もっと読む）

【課題】簡便な手段によって有効に、テラヘルツ波帯を中心とする検出帯域を拡張すると共に、高感度で検出できる電磁波形状検出方法及び装置の提供。
【解決手段】基板１１の表面に形成された金属膜から成る光伝導アンテナ１２、１３の電極に接続された配線１４、１５に接続され、電極間にかかる電流を測定する電流測定手段１６、１７と、電極間の間隙にサンプリング光２２を照射する手段と、検出対象の電磁波２１を電極間の間隙１８に照射する手段とを備え、光伝導アンテナ電極を複数組設け、それら複数組の光伝導アンテナ電極を電極間の間隙を共有する位置に配置し、検出対象の電磁波の偏波方位を各電極組が向き合う方位とずらして設定し、サンプリング光の照射を光学遅延によってタイミングを徐々に変えながら行い、各光伝導アンテナ電極間に発生する電流を計測し、得られた電磁波の電場波形をフーリエ変換することで振幅と位相の情報を同時かつ独立に得る。 （もっと読む）