【課題】 電子線リソグラフィにおいて、ドライエッチング耐性に優れ、エッジラフネスが小さい、化学増幅型高解像度・高精度レジスト膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】 本発明では、ネガ型レジスト上に導電膜を塗布し、電子線露光後、１回目の露光後ベーク（２回目の露光後ベークより低い温度で処理し、難溶化層を薄く形成する）を行ってから、水洗で導電膜を除去し、２回目の露光後ベーク（通常のＰＥＢと同じ温度で処理）を行い、現像するというシーケンスを採用する。あるいは、ネガ型レジスト上に第１の導電膜を形成した後、その表面に第２の導電膜を形成する。この際に、第１の導電膜の酸性度を第２の導電膜の酸性度より弱いものを用いる。
これにより、レジストパターン（ライン）が矩形でありドライエッチング耐性が良好、かつ、ラインエッジラフネスの小さいレジストパターンの形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの異なる光画像形成膜組成物、特に、基板上に２つの異なるドライフィルム組成物を設ける方法に関する。
【解決手段】２つの光画像形成膜組成物は、現像後、光画像形成膜上層が光画像形成膜下層にオーバーハングするように、異なる現像速度及び／又は硬化速度を有するようにそれぞれ選択される。その後、金属層が基板の表面上に堆積される。オーバーハング形状は基板と光画像形成膜層との界面に沿って金属層が光画像形成膜層との密着を防ぐため、オーバーハング形状が次に配置される金属層に損傷を与えずに、光画像形成膜層の完全な除去が可能となる。 （もっと読む）

二重層のレリーフ画像を製造するための熱硬化性アンダーコート組成物であって、ａ）構造（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）：
【化１】


［ここで、Ｒ¹は夫々独立に、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又はハロゲン原子を表し、Ｌは単結合、−ＣＯＯ−基又は−ＣＯＮ（Ｒ²）−基を表し、Ｒ²は水素原子又は炭素数１〜３のアルキル基を表し、Ｍは炭素数５〜７のシクロアルキレン基又は炭素数６〜１８のアリーレン基を表し、Ｗは単結合、−ＣＯＯ−基、−Ｏ−、−（Ｃ＝Ｏ）−又は−（ＳＯ₂）−を表し、Ｒ³は水素原子、炭素数５〜３０の置換されていないか又は置換された直鎖状アルキル基、炭素数５〜３０の置換されていないか又は置換されたシクロアルキル基、炭素数５〜２５の置換されていないか又は置換された架橋した脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の置換されていないか又は置換されたアリール基又は炭素数７〜１８のアリールアルキル基を表し、ｎは１〜３の整数を表し、ｑは０〜３の整数を表し、且つｎとｑの合計は５以下であり、Ｒ⁴は炭素数１〜１０の直鎖状、分枝鎖状又は環状のアルキル基又はハロゲン基を表し、そしてＲ⁵は炭素数５〜３０の直鎖状、分枝鎖状又は環状のアルキル基、置換されていないか又は置換された脂環基又は（Ｒ⁶Ｏ）_tＲ⁷基（ここで、Ｒ⁶は炭素数１〜１０の直鎖状又は分枝鎖状のアルキレン基を表し、Ｒ⁷は炭素数１〜３０の直鎖状、分枝鎖状又は環状のアルキル基、置換されていないか又は置換された脂環基、又は置換されていないか又は置換された芳香族基又はアルキル芳香族基を表し、そしてｔは１〜４の整数を表す）を表す］の繰返し単位を含む構造（Ｉ）のポリマー；ｂ）フェノール系架橋剤；ｃ）熱酸発生剤（ＴＡＧ）；及びｄ）溶剤を含む、熱硬化性アンダーコート組成物。
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本発明により、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーションのための高分子素材として好適なハイパーブランチポリマーを提供する。本発明のハイパーブランチポリマーは、クロロメチルスチレン等のリビングラジカル重合により形成されるコア部に結合した、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン等の酸分解性基をポリマー分子末端に有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、３Ｄ構造の対称パターン及び非対称パターンを含む３Ｄ構造及び３Ｄ構造のパターンを基板表面上に形成するための方法及び装置を提供する。本発明の方法は、数十ナノメートル〜数千ナノメートルの範囲の横寸法及び縦寸法を含む正確に選択された物理的寸法を有する３Ｄ構造を形成するための手段を与える。一態様においては、フォトプロセスを受ける放射線感応材料とのコンフォーマル接触を確立できる適合可能なエラストマー位相マスクを備えるマスク要素を使用する方法が提供される。他の態様においては、形成される構造の厚さ全体にわたって延在しないナノスケール形態を有する複雑な構造を形成するために、フォトプロセスのために使用する電磁放射線の時間及び／又は空間コヒーレンスが選択される。 （もっと読む）

真空紫外領域の光線を利用するフォトリソグラフィープロセスにおいて充分な反射防止効果を有し、かつ現像プロセスにおいても充分な現像特性を有するレジスト積層体を形成する。（Ｉ）基板上にフォトレジスト層（Ｌ１）を形成する工程、および（ＩＩ）フォトレジスト層（Ｌ１）上に、親水性基Ｙを有する含フッ素重合体（Ａ）を含むコーティング組成物を塗布することにより反射防止層（Ｌ２）を形成する工程を含むフォトレジスト積層体の形成方法であって、含フッ素重合体（Ａ）が親水性基Ｙを含有する含フッ素エチレン性単量体由来の構造単位を有し、さらに該含フッ素重合体（Ａ）が、（ｉ）親水性基ＹがｐＫａで１１以下の酸性ＯＨ基を含むこと、（ｉｉ）フッ素含有率が５０質量％以上であること、および（ｉｉｉ）含フッ素重合体（Ａ）１００ｇ中の親水性基Ｙのモル数が０．１４以上であることを特徴とする。
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特に波長４００〜４５０ｎｍの光による露光に対して感度及び解像度が優れ、現像後のレジストの断面形状が矩形である感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、支持体と、（Ａ）バインダポリマ、（Ｂ）光重合性化合物及び（Ｃ）光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物から構成される感光性樹脂組成物層とを備える感光性エレメントであって、
感光性樹脂組成物が（Ｃ）成分として下記式（Ｉ）で表されるチオキサントン系化合物を含有しており、
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の総量１００重量部に対してチオキサントン系化合物の重量部をＰ、感光性樹脂組成物層の膜厚をＱ［μｍ］としたときのＰとＱとの積であるＲが、式（１）の条件を満たすことを特徴とする。下記式（Ｉ）中、Ｒ^１〜Ｒ^８は水素原子、ハロゲン原子又は炭化水素基を示す。
２５．５≦Ｒ≦７９．０ （１）
【化１】
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（ａ）成膜性樹脂；
（ｂ）次式
【化１】


［式中、Ｒ₁は、C_1-20アルキル基、C_6-20アリール基またはC_6-20アラルキル基であり、この際、前記のC_1-20アルキル基、C_6-20アリール基またはC_6-20アラルキル基は、置換されていないか、またはハロゲン、C_1-20アルキル、C_1-8パーフルオロアルキル、C_1-20アルコキシ、シアノ、ヒドロキシルもしくはニトロから選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されており； Ｒ₂及びＲ₃は、それぞれ独立して、水素、C_1-8アルキル、C_1-8パーフルオロアルキル、C_1-8アルコキシ、ニトロ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル及びスルフェートから選択され； ｍ及びｎはそれぞれ独立して０または正の整数であり； そしてＸ^-は酸の非求核性アニオンである］
で表される化合物；
（ｃ）場合によっては、光学的、機械的及び成膜特性を調節するための添加剤；
（ｄ）場合によっては、塩基または感放射線性塩基； 及び
（ｅ）溶剤、
を含む、ｉ線（３６５ｎｍ）でフォトレジスト層を形成するのに有用な組成物。
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【課題】 放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等に優れ、露光後の加熱時の温度依存性が小さい感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（メタ）アクリル酸５−ｔ−ブトキシカルボニルノルボルニル、（メタ）アクリル酸８−ｔ−ブトキシカルボニルテトラシクロドデカン等で代表される酸解離性基含有脂環族構造を有する（メタ）アクリル酸エステル類と、下記式（１）の化合物等で代表されるラクトン基含有複素環構造を有する（メタ）アクリル酸エステル類との共重合体からなる樹脂、および（Ｂ）１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート等で代表される感放射線性酸発生剤を含有する。
【化１】 （もっと読む）

【課題】 基板とレジスト層との間に設けることで、エキシマレーザー光などの短波長光を光源としても、パターン下部に発生する裾引きやくびれなどの現象を起こすことなく、断面形状が矩形のレジストパターンを与えるリソグラフィー用下地材を提供する。
【解決手段】 （Ａ）ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基あるいはその両方で置換されたアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物、（Ｂ）脂肪族カルボン酸又はスルホン酸、アルキルベンゼンカルボン酸又はスルホン酸及び無機硫黄酸の中から選ばれた少なくとも１種の酸、及び（Ｃ）吸光性化合物を組み合わせて、リソグラフィー用下地材とする。 （もっと読む）