【課題】微細なパターン形成、フィルム特性や、保護膜としての信頼性に優れた皮膜を有するポリイミドシリコーン、感光性樹脂組成物及びパターン形成方法を提供。
【解決手段】水素原子の一部又は全部が酸不安定基で置換のフェノール性水酸基を分子中に有する式（１）のポリイミドシリコーン。


［Ｘは四価の基で、その少なくとも一部が式（２）


（Ｒ¹は一価炭化水素基、Ｒ²は三価の基、ｎはその平均が１〜１２０）の四価の有機基、Ｙは二価の基の酸不安定基で置換のフェノール性水酸基含有の基］ （もっと読む）

【課題】良好な現像性を示し、焼成後の反りが小さく、難燃性を発現する感光性組成物及び該感光性樹脂組成物からなる感光性フィルムを提供すること。
【解決手段】
（Ａ）アルカリ溶解性ポリイミド及び／又はポリイミド前駆体、（Ｂ）芳香族性水酸基を有するホスファゼン化合物の水酸基の一部の水素原子がキノンジアジド構造を有する官能基で置換されているキノンジアジド化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度及び高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】カリックスレゾルシナレン化合物と酸解離性溶解抑制基を有する化合物とを１〜３種の塩基性有機化合物を縮合剤として縮合し下記式（４）で表される化合物を合成し、これを高感度及び高解像度のフォトレジスト組成物に使用する。
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【課題】より高感度でマスク忠実性の高い厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物と、当該フォトレジスト組成物を用いた厚膜レジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、厚膜フォトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物であって、電磁波または粒子線を含む放射線照射により酸を発生する酸発生剤（Ａ）と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂（Ｂ）と、を含有する。酸発生剤（Ａ）は、カチオン成分としてジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムカチオンと、アニオン成分としてテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートアニオンとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置製造に用いられるポジ型フォトレジスト用モノマーあるいは溶解抑止剤などとして有用な、溶解特性、露光感度、解像度、ラフネス、耐熱性等に優れ、特に現像液に対する溶解抑止効果に優れた脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】アダマンタン骨格にコール酸類エステル構造含有基が結合した脂環式化合物、その製造方法、それを含む組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】カルボキシル基を有するカリックスレゾルシナレン化合物を、少ない反応工程で得られる製造方法を提供する。
【解決手段】酸触媒下、下記式（１）で表わされるアルデヒド化合物と、下記式（２）で表わされる芳香族化合物を縮合反応させる工程を含む、下記式（３）で表わされる環状化合物の製造方法。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記化合物（１）と、下記化合物（２）からなり、モル比率が化合物（１）：化合物（２）＝１５：８５〜７０：３０である組成物。
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【課題】分子レジスト材料を用いたレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】まず、基板の上に、酸不安定基を含まないアルカリ可溶性で且つ三量体以上の環状のオリゴマーと、酸不安定基を含む分子化合物と、光酸発生剤とを含み、且つポリマーを含まないレジスト材料からレジスト膜１０２を形成する。続いて、形成されたレジスト膜１０２に極紫外線よりなる露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う工程。続いて、パターン露光が行われたレジスト膜１０２を加熱し、その後、加熱されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】高感度及び高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】種々のクロルメチルエーテル化合物を、置換基前駆体化合物に１〜３種の塩基性有機化合物を縮合剤として添加する、下記式で代表される化合物の組成物の製造方法。
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【課題】 熱膨張係数が小さく、このために、基材との密着性の低下や基材の反り等が低減され、電気特性、解像度などが劣化することがない樹脂膜を与えることができるポジ型感光性ポリイミド前躯体組成物を提供する。
【解決手段】 ベンゾオキサゾール骨格とフェノール性水酸基を有するポリイミド前躯体、ビニルエーテル化合物、光酸発生剤とを主成分とするアルカリ水溶液にて現像が可能なポジ型パターン形成能を有する感光性樹脂。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト基材の材料を提供する。
【解決手段】純度が９０％以上の下記式（１）又は式（２）のいずれか一方のみで表される化合物。
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【課題】高感度、高解像度のフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される１〜４種類の環状化合物が９０％以上含まれる組成物。


［式中、８個のＲ^１は、ｍ個（ｍは０〜７から選択される１〜４種類の整数）の水酸基と、ｎ個（ｎは８−ｍの１〜４種類の整数）の水酸基以外の同一の置換基である。］ （もっと読む）

【課題】化学増幅型ポジ型レジスト膜の成膜に好適に用いることができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）一般式（１）で表される化合物と


と、（ｂ）Ｍ^＋Ｚ⁻で表される感放射線性酸発生剤とを含有する感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンが形成された基板にめっき処理を行うとき、クラックの発生を抑制できるポジ型感放射線性樹脂組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）


で表される構造単位を有する重合体、酸発生剤を含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布して形成されるレジストを露光、加熱処理、現像すると良好なレジストパターンを形成でき、かつ、該レジストパターンが形成された基板にめっき処理を行うときクラックの発生を抑制することができるポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）


で表される構造単位を有する重合体と、放射線の照射により酸を発生する化合物と、有機溶剤とを含有するポジ型感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】基材成分として低分子材料を含有する新規なポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）、および露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、下記フェノール化合物（Ｉ）における−ＯＨの水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基含有基で置換された化合物（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。フェノール化合物（Ｉ）：４つのトリフェニルメタン構造と、該４つのトリフェニルメタン構造を連結する４価の連結部とを有し、前記４つのトリフェニルメタン構造のうちの少なくとも１つが、少なくとも１つのフェノール性水酸基を有するフェノール化合物。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される新規なフォトレジスト用化合物、それを用いたフォトレジスト液、およびその液を使用するエッチング方法の提供。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物またはその塩であるフォトレジスト用化合物。


［Ｒ¹およびＲ²はＨまたは置換基、L¹〜L³は置換基を有していてもよいメチン基を表し、Ｖ¹およびＶ²は少なくとも一方はハメットの置換基定数σｐが０．２〜０．９の範囲の置換基、またはＶ¹およびＶ²が窒素を含有するへテロ環を形成してもよく、ｎは0または１を表す。］ （もっと読む）

【課題】高屈折率液浸リソグラフィに用いる非水液によるレジスト膜への影響を防止して、良好な形状を有する微細化パターンを得られるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２の上に、スルホニル基を主鎖に持つポリマー、例えばポリブテンスルホンを含むバリア膜１０３を形成する。続いて、バリア膜１０３の上に非水液である例えばヘキサンを配した状態で、バリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、バリア膜を除去し、その後、レジスト膜１０２に対して現像を行って、レジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィに無機酸化物からなるナノ粒子を含むバリア膜を用いる際のレジストパターンのパターン不良を防止できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上にレジスト膜１０２を形成し、形成したレジスト膜１０２の上に、無機酸化物（ＳｉＯ_２）からなるナノ粒子とアルカリ可溶性基を有する脂環式化合物（１−アダマンタノール）とを含むバリア膜１０３を形成する。続いて、バリア膜１０３の上に液体１０４を配した状態で、液体１０４及びバリア膜１０３を介してレジスト膜１０２に露光光を選択的に照射することによりパターン露光を行う。続いて、パターン露光されたレジスト膜１０２に対して現像を行って、バリア膜１０３を除去すると共にレジスト膜１０２からレジストパターン１０２ａを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
Ｒ¹−Ｏ−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ｂ）
（式中、Ｒ¹はステロイド骨格を有する炭素数２０〜５０のヘテロ原子を含んでもよい一価炭化水素基を示す。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、スルホネートに、嵩高いステロイド構造を有しているため、適度な酸拡散制御を行うことができる。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用でき、疎密依存性、露光余裕度の問題も解決できる。 （もっと読む）