【課題】支持体上に高精細かつ高アスペクト比のパターンを形成できるパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体上に下層膜を形成する工程、該下層膜上にシリコン系ハードマスクを形成する工程、該ハードマスク上に化学増幅型ネガ型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程、第一のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第一のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、ハードマスクをエッチングして第一のパターンを形成する工程と、前記第一のパターン上に化学増幅型ポジ型シリコン系レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程、第二のマスクパターンを介して該レジスト膜を選択的に露光・現像して第二のレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクとし、下層膜をエッチングして第二のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】短波長の露光に対して優れた反射防止効果を有し、またエッチング選択比が十分に高く、上層のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状をほぼ垂直形状にできるフォトレジスト下層膜材料。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物と、式（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物とを添加してなるフォトレジスト下層膜材料。
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【課題】非水溶性の有機溶媒を用いることなく、感光剤を含まないポリイミドのパターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体層を形成する工程、（Ｂ）前記ポリイミド前駆体層上にポジ型フォトレジスト層を形成する工程、（Ｃ）前記ポジ型フォトレジスト層を選択的に露光する工程、（Ｄ）前記ポジ型フォトレジスト層の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体層を選択的に除去しパターン化する工程、（Ｅ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層の全面を露光する工程、（Ｆ）前記パターン化されたポリイミド前駆体層を少なくとも部分的にイミド化することにより塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質に対する溶解性を低下させる工程、（Ｇ）前記パターン化されたポジ型フォトレジスト層を塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質によって剥離する工程を有するポリイミドパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストを用いながら、非水溶性の有機溶媒を用いることなく、感光剤を含まないポリイミドのパターンを形成することができる方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）基板上にポリイミド前駆体層を形成する工程、（Ｂ）前記ポリイミド前駆体層上にネガ型レジスト層を形成する工程、（Ｃ）前記ネガ型レジスト層を選択的に露光するパターン露光工程、（Ｄ）前記ネガ型レジスト層の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体層を選択的に除去しパターン化する現像工程、（Ｅ）前記パターン化されたポリイミド前駆体層を少なくとも部分的にイミド化することにより塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質に対する溶解性を低下させる工程、（Ｆ）前記パターン化されたネガ型レジスト層を塩基性水溶液又は水溶性塩基性物質を用いて剥離する剥離工程、を有するポリイミドパターンの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】とくにｐＨ２〜１０の水性現像液で現像可能であり、非画像部の汚れを防止し、耐刷性に優れる平版印刷版原版およびその作製方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、少なくとも（Ａ）開始剤化合物、（Ｂ）重合性化合物および（Ｃ）バインダーを含有する感光層を設けてなる平版印刷版原版であって、前記支持体と接する該感光層またはその他の層が、前記（Ｃ）成分とは異なる（Ｄ）成分として、（ａ１）少なくとも１つのエチレン性不飽和結合がイオン対を介して導入されている繰り返し単位と、（ａ２）前記支持体表面と相互作用する官能基を少なくとも１つ有する繰り返し単位とを有する共重合体を含有する平版印刷版原版およびその作製方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて用いられるレジスト下層膜形成組成物を提供する。
【解決手段】 半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてフォトレジストの下層に使用される下層膜を電子線照射によって硬化する組成物であって、重合性物質を含むレジスト下層膜形成組成物。前記重合性物質が電子線照射により重合可能な反応性基を少なくとも一つ有する化合物である。電子線照射による重合可能な反応性基が、炭素と炭素の不飽和多重結合を有する反応性基である。炭素と炭素の不飽和多重結合を有する反応性基が、アクリレート基、メタクリレート基、又はビニルエーテル基である。 （もっと読む）

【課題】疎水化処理の信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の疎水化処理装置は、チャンバ１０とチャンバ１０内に設置されたステージ１１を有する。そして、ステージ１１上に半導体ウェハＷが配置される。一方、タンク１３は配管１２を介してチャンバ１０と接続されている。タンク１３内には、ＨＭＤＳ供給部１４から供給されたＨＭＤＳ１５が貯蔵されている。このＨＭＤＳ１５は、循環ポンプ１７ａによって攪拌されている。窒素ガス導入部１６からはタンク１３内に窒素ガスが導入され、導入された窒素ガスは、ＨＭＤＳ１５の液面に吹き付けられる。この窒素ガスによって、気化したＨＭＤＳ１５はチャンバ１０内に圧送される。 （もっと読む）

【課題】赤外線感光性の平版印刷版原版を合紙を用いずに積層した積層体であって、記録層に傷が生じることを抑制すると共に、束断裁による記録層の抜けを防止し、更に束断裁適性に優れる平版印刷版原版積層体、及び該平版印刷版原版積層体を用いた平版印刷版原版の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体の片面に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂と赤外線吸収剤とを含み、赤外線照射により画像を形成し得る記録層を有し、前記支持体の記録層を有する面とは反対側の面に、幅方向に互いに離間して複数配列された直線状の有機ポリマー層を有する平版印刷版原版を、記録層と有機ポリマー層とを直接接触させて、複数枚積層してなることを特徴とする平版印刷版原版積層体及び該平版印刷版原版積層体を用いた平版印刷版原版の製造方法。 （もっと読む）

【課題】感光性樹脂層とカバーフィルムを均一に、かつ一定強度で接着することにより、膜厚が均一であり画像の欠けが防止された感光性樹脂転写材料を提供すること。
【解決手段】支持体上に、着色剤および感光性樹脂を含む感光性樹脂層とカバーフィルムをこの順に有する感光性樹脂転写材料。前記感光性樹脂層とカバーフィルムの間に融点５０〜１２０℃の樹脂を含む中間層を有する。 （もっと読む）

【課題】より簡易に、有機ＥＬなどの製造に用いられる印刷用凸版の製造する方法であり、印刷パターンずれが少なく、耐久性のある凸版を容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 感光性樹脂層２０２ａ上に光拡散性の微粒子を含む光拡散層を形成することで、露光時に露光光が光拡散層を通して感光性樹脂層に達するよう構成し、これを現像する凸版製造方法。これにより、順テーパー形状の凸部２０２ｂを形成する。さらに光拡散層中の微粒子の平均粒径が１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、かつ露光工程においてプロキシミティ露光方式を用いることにより有機ＥＬ素子の形成に適した印刷用凸版を製造できる。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料、を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ｒ¹ＣＦ₂ＳＯ₃^-（Ｒ²）₄Ｎ⁺ （１ａ） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用、特には二層レジストプロセス用、三層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、基板からのアミン性の汚染物質を中和する機能があり、これにより、上層レジストのレジストパターンの裾引きなどの悪影響を低減できるレジスト下層膜材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】化学増幅型フォトレジスト層の下層を形成するためのレジスト下層膜材料であって、架橋性のポリマーと、一般式 Ａ^-（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ （１） で示される１００℃以上の加熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含んでなるレジスト下層膜材料、及びこのレジスト下層膜材料を用いて形成されたレジスト下層膜を備えるレジスト下層膜基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィー用レジスト下層膜のためのレジスト下層膜形成組成物、該レジスト下層膜形成組成物を用いたリソグラフィー用レジスト下層膜の形成方法、及びフォトレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 表面エネルギーと架橋性官能基数とが異なる少なくとも２種類のポリマーを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物。ポリマーが、高い表面エネルギーと少ない架橋性官能基数を有する第１のポリマーと、低い表面エネルギーと多くの架橋性官能基数を有する第２のポリマーを含む。更に架橋性化合物を含む。更に酸及び／又は酸発生剤を含む。最も低い表面エネルギーを有するポリマーと、最も高い表面エネルギーを有するポリマーとの表面エネルギー差が５ｍＮ／ｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】シリコーン系ハードマスク材料からなる中間層上に用いられる多層レジスト用ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】シリコーン系ハードマスク材料からなる中間層上に用いられ、酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する成分と、下記（ｂ１−４）で表されるカチオン部を有する酸発生剤とを含有する多層レジスト用ポジ型レジスト組成物。
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【課題】表面が撥インク性に優れたブラックマトリックス付き基板を簡便な手法で形成することを目的とする。
【解決手段】支持フィルム上に撥インク層が製膜された撥インク層付きフィルムとブラックマトリックス層を積層した基板のブラックマトリックス層とを積層する積層工程、基板と反対の側からフォトマスクを通して活性光線を照射する露光工程、現像工程、を少なくとも有するブラックマトリックスパターン付き基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多層レジストを用いたエッチングにおいて、被エッチング膜に所望のパターンを形成する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、絶縁膜に形成する配線パターンの中で配線ピッチが最も小さい配線パターンの配線ピッチが所定値以下か否かを判断する工程（Ｓ１００）と、配線ピッチが所定値以下か否かを判断する工程において、配線ピッチが所定値以下であると判断された場合、当該配線ピッチに応じて下層レジスト膜の膜厚を決定する工程（Ｓ１０４）と、絶縁膜上に、ステップＳ１０４で決定された膜厚の下層レジスト膜を形成する工程（Ｓ１０６）とを含む。 （もっと読む）

【課題】多層レジストプロセス用のレジスト下層膜形成材料であり、特に短波長の露光に対して優れた反射防止膜として機能し、透明性が高く、最適なn値、k値を有し、エッチング耐性に優れたレジスト下層膜形成材料を得ること。
【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を有する重合体を含むフォトレジスト下層膜形成材料。
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【課題】支持体としてプラスチックフィルムを用い、その上に重合系の感光層およびポリビニルアルコール系の保護層を設けたネガ型の平版印刷版原版であって、保護層とプラスチックフィルムの裏面との接着を抑制して、ブロッキングおよび搬送不良の問題の発生、クニック状の欠陥等のトラブルを防止する平版印刷版原版を提供すること。
【解決手段】 プラスチックフィルム支持体上に、（Ａ）親水性層と、（Ｂ）３５０〜４５０ｎｍに吸収極大を有する増感色素、重合開始剤、重合性化合物および酸価０．３ｍｅｑ／ｇ以下の疎水性バインダーポリマーを含有する感光層と、（Ｃ）ポリビニルアルコールおよび／または変性ポリビニルアルコールを含有する保護層とをこの順に設けてなり、前記プラスチックフィルム支持体の感光層とは反対側に（Ｄ）金属酸化物粒子を含有するバックコート層を備える平版印刷版原版。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位を、分子内に２つ以上含む感光性化合物、該感光性化合物を有機溶剤に溶解させてなる感光性組成物及び該感光性組成物を用いたレジストパターンの形成方法。


（Ｒ₁は水素原子またはアルキル基である。Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅およびＲ₆のうち少なくとも１つはニトロ基である。Ｒ₇は置換されていてもよいフェニレン基またはナフチレン基である。） （もっと読む）

【課題】搬送性、特に高温条件下での搬送性が良好で、搬送不良に起因する転写画像の濃度ムラやゆがみの発生が抑制された感光性転写材料である。
【解決手段】仮支持体の一方の面に少なくとも感光性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを有する感光性転写材料であって、仮支持体の反対側の面の表面粗さ（Ｓｐａ）が０．０１５〜０．０９０μｍであり、かつ下記式（１）を満足することを特徴とする感光性転写材料である。
（ｄ１／η１）／（ｄ２／η２）＞０．８ …式（１）
［式（１）中、η１：熱可塑性樹脂層の１１０℃における溶融粘度、η２：感光性樹脂層の１１０℃における溶融粘度、ｄ１：熱可塑性樹脂層の層厚、ｄ２：感光性樹脂層の層厚である。］ （もっと読む）