【課題】温度ドリフトが小さく、かつ、電界の印加効率が良い光変調器を提供する。
【解決手段】光変調器は、電気光学効果を有する基板と、前記基板内に形成された光導波路と、前記光導波路の上方に設けられたバッファ層と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記光導波路の上部に開口を有する半導電性膜と、前記バッファ層の上方に設けられ、前記半導電性膜と電気的に接触する電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）

【課題】光吸収層の層厚を増加させることなく、消光比の偏波依存性の低減と、光閉じ込め係数の向上とを同時に図ることが可能な光ゲート素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に、第１のクラッド層１２、バルク材料からなる光吸収層１３、および、第２のクラッド層１４が順次積層された導波路構造を備え、前記導波路構造は、光吸収層１３と第１のクラッド層１２との間、および、光吸収層１３と第２のクラッド層１４との間に光閉じ込め層１５、１６をさらに有し、光閉じ込め層１５、１６の屈折率が、第１および第２のクラッド層１２、１４の屈折率よりも大であるとともに、光吸収層１３の屈折率よりも小であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】デバイスサイズの縮小、シリーズ抵抗の低減、及びリーク電流の抑制を可能とする半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、デバイス動作にとって、本来は不要な電位段差を発生させる層をデバイスの構造内にあえて挿入したものである。この電位段差は、バンドギャップの小さな半導体がメサ側面に露出しても、その部分の電位降下量を抑制し、デバイス動作に不都合なリーク電流を低減できる、という機能をもたらす。この効果は、ヘテロ構造バイポーラトランジスタ、フォトダイオード、及び電界吸収形光変調器などに共通して得られる。また、フォトダイオードにおいては、リーク電流が緩和されるのでデバイスのサイズを縮小することが可能となり、シリーズ抵抗の低減による動作速度の改善のみならず、デバイスを高密度にアレイ状に配置できるという利点も生まれる。 （もっと読む）

【課題】消費電力増大の抑制、サイズの小型化、プロセスばらつきによる特性変動の抑制およびシステム構成の複雑化を回避可能とする電気光学変調器の提供。
【解決手段】信号光源１０１１から出力された信号光を信号光源側偏光方向調整部１０２１にて偏光方向を調整し、変調部１０３１は、ＥＯ効果により変調を与え、参照光源１０４１から出力され参照光源側偏光方向調整部１０２２で信号光と同方向に偏光を調整した参照光を信号光と干渉した強度変調光を受光部１０５１に入力する。 （もっと読む）

【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】よりコンパクトにすることとができる可変光減衰器を提供する。
【解決手段】基板１０１と、酸化バナジウムの結晶から構成された光透過部１０２とを少なくとも備える。光透過部１０２をコアとし、基板１０１をクラッド層とする光導波路を構成すればよい。酸化バナジウム（ＶＯ₂）の結晶からなる光透過部１０２においては、光誘起相転移により絶縁体相および金属相の２つの状態が入れ替わり、光吸収特性が変化する。こため、この可変光減衰器によれば、入射する光による光誘起相転移で、光透過部１０２における上述した２つの状態を切り替えることができ、透過（導波）する光の減衰状態を切り替えることができる。たとえば、光誘起相転移が起きる強度の光が入射すると、光透過部１０２が金属相に相転移して光吸収が増大し、入射して透過する光の強度を減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み素子の導波路とハイメサリッジ素子の導波路がずれるのを防ぐ。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に半導体積層構造３０と半導体積層構造３２を横並びに形成する。半導体積層構造３０，３２上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６をパターニングして、半導体積層構造３０上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６を除去する。半導体積層構造３０をエッチングして導波路リッジ４０を形成し、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６及び半導体積層構造３２をエッチングしてハイメサリッジ４２を形成する。導波路リッジ４０の両サイドを埋め込み層４４，４６，４８で埋め込む。導波路リッジ４０及びその近傍の埋め込み層上にｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層５２を形成する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３６，５２をマスクとして埋め込み層をエッチングして埋め込み素子とハイメサリッジ素子とを形成する。 （もっと読む）

【課題】高い消光比、超小型、低駆動電圧を実現した光導波路型Ｑスイッチ素子およびＱスイッチレーザ装置を得る。
【解決手段】コア５およびクラッド４ａ、４ｂからなる平面導波路構造の光導波路３と、光損失手段７ａ、７ｂおよび電極２ａ、２ｂと、電極２ａ、２ｂに電圧を印加するＱスイッチ駆動装置６とを備える。クラッド４ａ、４ｂはコア５の上下面に設けられ、光損失手段７ａ、７ｂはクラッド４ａ、４ｂの上下面に設けられ、電極２ａ、２ｂは光損失手段７ａ、７ｂの上下面に設けられる。コア５は、電界が印加されると電気光学効果によって屈折率が変化し、電界未印加時はクラッド屈折率よりも高く、電界印加時は、高電位側の屈折率がクラッド屈折率よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上の導波路型光デバイスのコアに蓄積されるキャリア濃度を高くして、その変調効率を高くする。
【解決手段】絶縁性の第１のクラッド層４と、前記第１のクラッド層４の一面に設けられた半導体の光導波層６と、前記光導波層６を覆う絶縁性の第２のクラッド層８とを有し、前記光導波層６は、一方向に延在するコア１４と、前記コア１４の一方の側面に接し前記コア１４より薄い第１のスラブ部１８と、前記コア１４の他方の側面に接し前記コア１４より薄い第２のスラブ部２２とを有し、前記第１のスラブ部１８は、前記コア１４に沿うｎ型領域１６を有し、前記第２のスラブ部２２は、前記コア１４に沿うｐ型領域２０を有し、前記ｎ型領域１６と前記ｐ型領域２０の間の領域には、バンドギャップが前記ｎ型領域１６及び前記ｐ型領域２０より狭くなるように、ｎ型不純物及びｐ型不純物がドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】半導体ＭＺＭ位相光変調器においても、環境温度の変化に対して、同一変調電圧での駆動を可能とし、ペルチェ素子等を用いた温度調整機構を省略し、消費電力を低減することができる光送信機を提供する。
【解決手段】ｎｐｉｎ構造を有する変調領域を有する半導体ＭＺ変調器１と、前記半導体ＭＺ変調器１の温度を監視する温度センサ４３と、前記半導体ＭＺ変調器１の変調電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路４１とを備え、前記バイアス回路４１は、前記温度センサ４３からの入力が変化すると、前記バイアス電圧を変化させて変調振幅電圧を一定として前記半導体ＭＺ変調器１を駆動する。 （もっと読む）

【課題】光の吸収損や電気信号の導波損を低減し得る半導体光素子及びマッハツェンダー型光変調素子を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。メサ構造部１９ｂの上部クラッド層１５ｂは、コア層１４ｂ上に配置された第四領域１５１ｂと、第四領域１５１ｂ上に並んで配置された第五領域１５２ｂ及び第六領域１５３ｂとを含む。領域１５１ａ，１５２ａ，１５１ｂ，及び１５２ｂはｐ型半導体からなり、領域１５３ａ，１５３ｂはアンドープ半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光損失および駆動電圧を低減でき、かつ半導体レーザとの集積が容易な光変調器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の光変調器は、光を変調する変調領域と、該変調領域に隣接したパッシブ領域とを有し、該変調領域および該パッシブ領域には、半導体基板と、該半導体基板上のｎ型クラッド層と、該ｎ型クラッド層上のコア層と、該コア層上のｐ型クラッド層と、が形成され、該変調領域には、該ｐ型クラッド層と、該ｐ型クラッド層上のコンタクト層と、該コンタクト層上のＰ側電極と、が形成され、 該パッシブ領域において、該コア層と該ｐ型クラッド層との間にノンドープクラッド層が形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体光変調器の形成プロセスや使用部品点数を増加させることなく、サージ耐性を向上させることができるサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層を複数積層した半導体層構造からなり、光の変調を行う半導体光変調領域１４と、半導体光変調領域１４の半導体層構造と同一の層構造からなり、半導体光変調領域１４を電気的に保護する保護ダイオード２４とを備え、半導体光変調領域１４と共に保護ダイオード２４を半導体基板上にモノリシック集積し、半導体光変調領域１４の活性領域と保護ダイオード２４とを電気的に並列に接続し、かつ、半導体光変調領域１４の活性領域と逆の電界を保護ダイオード２４に印加するように、半導体光変調領域１４と保護ダイオード１４とを配線するサージ保護機能内蔵型半導体光変調器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高品質なｎ−ｉ−ｎ構造の光変調器を提供すること。
【解決手段】光変調器３００は、サファイア基板３０１上に、低温成長ＧａＮバッファ層３０２、第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３、第１のｉ−Ａｌ_xＧａ_1-xＮクラッド層３０４、ｉ−ＧａＮ光導波層３０５、第２のｉ−Ａｌ_x'Ｇａ_1-x'Ｎクラッド層３０６、ｉ−Ａｌ_x''Ｇａ_1-x''Ｎ電子ブロック層３０７、第２のｎ−ＧａＮ電極層３０８が順次積層されている。エッチングプロセスにより第１のｎ−ＧａＮ電極層３０３に至るまでエッチングを行い、ハイメサ導波路構造の光導波路３２０を作製している。光導波路３２０は、コア層である光導波層３０５を、屈折率の小さい第１のクラッド層３０４及び第２のクラッド層３０６で挟んで光閉じ込めを行うＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ光導波路であり、当該光導波路に印加される電圧により光の位相変調が実現される。 （もっと読む）

【課題】波長特性が広帯域で可変である波長可変光フィルタ、および広帯域でレーザ光の波長が可変である波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】コア部を有するマルチモード干渉型導波路部と、前記マルチモード干渉型導波路部の長さ方向の一端に設けられた第１光入出力部と、前記マルチモード干渉型導波路部の他の一端に設けられた第２光入出力部とを有し、前記マルチモード干渉型導波路部は前記第１光入出力部から入力し第２光入出力部から出力する光に対して損失波長特性を有する光フィルタ部と、前記マルチモード干渉型導波路部のコア部の側部に設けられた、該コア部よりも屈折率または等価屈折率が低い側部クラッド部と、前記側部クラッド部の屈折率または等価屈折率を変化させる屈折率調整機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電極間の光導波路が電気分離され、かつ、単純な構成で電極容量を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に下部クラッド層１０２、活性層１０３、上部クラッド層１０５が前記順序で積層され、上部クラッド層１０５の一部が除去されて形成されたリッジ導波路１０７の上部クラッド層１０５上に、その方向に沿って断続的に上部電極１０９ａ、１０９ｂが配置され、上部クラッド層１０５より電気抵抗率の高い半導体の高抵抗層１０８は、上部クラッド層１０５における前記両上部電極間の領域１１３を覆うように形成され、かつリッジ導波路１０７側方に延び、高抵抗層１０８上に配置された引き出し電極１１１により上部電極１０９ａに電気的に接続されるパッド電極１１０は、高抵抗層１０８上のリッジ導波路１０７から離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体光素子１００。 （もっと読む）

【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大する光半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１１と、基板１１の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部１２と、活性部１２の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部１３，１４とからなる電界吸収型光変調器を有し、上クラッド部１３の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部１５をもつ、リッジ導波路構造を作製し、リッジメサ部１５の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ埋め込み部１６を設けた。 （もっと読む）