【課題】偏波合成後の偏波間の光強度差を、簡素な構成により低減する。
【解決手段】光変調器１は、入射面から入射された偏波の異なる２つの光ＬＯ，ＬＥを出射面上の離間した２点から出射させる複屈折媒質１１０と、前記２点から出射された偏波の異なる２つの光が導入されるよう配置された光ファイバ１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する、ニオブ酸リチウム等からなる基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、光導波路は、光波の進行方向において２つに分岐して２本のメイン光導波を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに２つに分岐して２本のサブ光導波路を構成し、２本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、２本のサブ光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、基板の、相対向して位置する２つの前記サブマッハツエンダー型光導波路間において、熱伝導抑止領域を有するようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】平板状の複屈折結晶を用いた、小型且つＰＭＤおよび偏波クロストークの特性が良好な偏波合成装置を提供する。
【解決手段】第１の出力導波路１０８１が出力端面Ｍに対して斜めに形成され、第２の出力導波路１０９１が第１の出力導波路１０８１と出力端面Ｍの双方に対して斜めに形成された光導波路素子１０と、第１及び第２の出力導波路１０８１，１０９１からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズ２０と、光導波路素子１０又はレンズ２０からの出射光の偏波を回転させて該出射光を偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥとする偏波回転部３０と、偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥを偏波合成する偏波合成素子４０と、を備え、偏波合成素子４０の光伝搬方向の厚さＬは、偏波合成された光の偏波モード分散の許容最大値に対応する第１の厚さよりも小さく、偏波合成された光の偏波クロストークの許容最小値に対応する第２の厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画素ピッチがサブミクロン程度となるまで精細度を上げることができ、かつ、光の波長が、電極の波長−透過率特性に制限されない空間光位相変調器に関する。
【解決手段】本発明の空間光位相変調器は、複数の画素構成素子を備え、前記複数の画素構成素子の各々は、電気光学効果を有する電気光学材料と、該電気光学材料上に互いに対向するように配置された２つの電極とを備え、複数の画素構成素子の各々は、所定の間隔で配置され、電気光学材料内を透過する光の光軸は、２つの電極の間に存在し、電気光学材料の誘電率は、画素構成素子と隣接する画素構成素子との間の間隙中の誘電率よりも高く、複数の画素構成素子の各々の重心が、光の光軸と垂直な同一平面上にあるように、複数の画素構成素子を配置する。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＺ干渉計を含む光変調器における個々のＭＺ干渉計の特性を評価する方法を提供する。
【解決手段】光変調器１は、第１のＭＺ干渉計２と第２のＭＺ干渉計３を含み第１のＭＺ干渉計２は分波部５と、２つのアーム６，７と合波部８と電極を含む。２つのアームは分波部と接続され、合波部は２つのアームと接続され、電極は２つのアームにバイアス電圧を印加でき、電極は２つのアームに変調信号を印加でき、ＭＺ干渉計に駆動信号を印加し、ＭＺ干渉計の２つのアームから出力される光の位相差をπかあるいは０となるようにバイアス電圧を調整し、バイアス電圧が調整された後ＭＺ干渉計の出力強度のうち２次成分のサイドバンド成分の強度を用いてＭＺ干渉計の特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの少なくとも１つの中心導体の両側に位置する接地導体が、当該中心導体の上方をまたいで導体により接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、部品の温度特性及び経時変化による再度のスキュー調整が容易であるシンボルインターリーブ偏波多重装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシンボルインターリーブ偏波多重装置４０１は、それぞれのＲＺ位相変調回路（１０１’、１０１”）のＲＺ光信号（ＲＺ−ＱＰＳＫ１、ＲＺ−ＱＰＳＫ２）からスキュー量を検出し、入力される各データの位相変調器（１２−１〜１２−４）へフィードバックする構成とし、各ＱＰＳＫ変調器内のスキュー、及びＱＰＳＫ変調器と強度変調器とのスキューを一括して調整することとした。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号のクロストークを小さくした光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と、基板に形成された光を導波するためのマッハツェンダ光導波路を含んでなる光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用として複数の中心導体及び複数の接地導体からなる進行波電極を具備する光変調器において、複数の中心導体のうちの隣接する中心導体に挟まれた接地導体の高さが等価的に高くなるように、前記接地導体の上面に導体が立設されている。 （もっと読む）

【課題】環境温度の大きな変動に対して信頼性の高い高周波接続配線基板を提供する。
【解決手段】基板上に中心導体と接地導体とを有し、中心導体の一端側から１０Ｇｂｐｓ以上の高周波電気信号が入力され、中心導体の他端側から高周波電気信号が出力され、基板の表面と裏面との間に導通のためのビアを複数有する高周波接続配線基板において、環境温度変化により複数のビア間でクラックが発生しないよう、ビアを形成すべき位置における接地導体の表面積に応じた所定の直径で各ビアが形成され、複数のビアは複数種類の直径から構成される。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光変調器を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射信号光を分岐する光分岐回路１０２と、光分岐回路１０２の出力側に接続され、電気信号に応じて伝搬光の位相を変調する位相変調器１０４ａ，１０４ｂと、位相変調器１０４ａ，１０４ｂからの出力を合流させる光合流回路１０６とを備え、さらに、光分岐回路１０２と光合流回路１０６のうち少なくとも一方が非対称な分岐比又は合流比を有し、位相変調器１０４ａ，１０４ｂから光合流回路１０６を経て出力側に導かれる信号光の強度が互いに異なるように設定した。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザと半導体マッハツェンダ変調器とを集積した光集積回路において、小型化および低消費電力化を図ること。
【解決手段】波長可変ＤＦＢレーザアレイの一端に第１の光導波路、他端に第２の光導波路が接続され、第１の光導波路に第１の半導体マッハツェンダ変調器、第２の光導波路に第２の半導体マッハツェンダ変調器が接続されている。半導体レーザのメサ構造の配置方向は、メサ構造の側面への再成長に最適な方向であり、半導体マッハツェンダ型変調器が有する２本のアーム導波路の配置方向は、２本のアーム導波路に対するポッケルス効果が最大となる方向とする。加えて、本実施形態に係る光集積回路では、半導体レーザの共振器構造を、その両端における光出力が等しくなるように対称に構成し、一方からの光出力を破棄することなく、ともに半導体マッハツェンダ変調器に入力する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス電圧について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、基板の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路に高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備する光変調器において、バイアス電極は、バイアス用相互作用部の２本の光導波路の一方および他方の上方に形成された第１バイアス電極および第２バイアス電極と、第２バイアス電極の一部であって第１バイアス電極を間に挟んで当該第２バイアス電極の反対側に形成された側置電極とを含んでなり、第１バイアス電極、第２バイアス電極、及び側置電極は、第１バイアス電極から発せられた電気力線が第２バイアス電極および側置電極に結合するＣＰＷ構造を成している。 （もっと読む）

【課題】変調電圧を大きくしなくても周波数特性の劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１からの光をマッハツェンダ型光変調器２が変調する。マッハツェンダ型光変調器２の出力光をマッハツェンダ型光変調器３が変調する。マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。マッハツェンダ型光変調器２の活性層１２のバンドギャップ波長が、マッハツェンダ型光変調器３の活性層１２のバンドギャップ波長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、駆動回路、重畳器、コントローラを備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を光導波路に与える信号電極を備える。駆動回路は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に低周波信号を重畳する。コントローラは、変調器により生成される変調光信号から抽出される低周波信号の成分に基づいて、変調器の変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】 光波形ごとに変調度が異なるようなアナログ信号変調に適用した場合でも、安定した光変調器バイアスの制御を実現することを目的としている。
【解決手段】 光送信機において、入力した送信データ系列に基づいてアナログ信号を生成するアナログ信号生成部と、前記アナログ信号に基づいて光を変調し、この変調した光信号を出力する光変調器と、前記光変調器に印加するバイアス電圧の制御を行うバイアス制御回路と、前記光信号に対応する変調度を示す変調度情報に基づいて前記バイアス電圧の制御に用いる制御パラメータを調整する調整回路と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光多値変調用の光変調器及び光変調方法を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射された信号光を分岐させる光分岐手段と、前記光分岐手段の出力側に接続され、前記電気信号に応じて信号光の位相を変調する少なくとも２つの位相変調手段と、分岐された信号光を合流させる光合流手段と、少なくとも２つの前記位相変調手段の全て、又は少なくとも２つの前記位相変調手段の内の１つを除いた残りの前記位相変調手段に接続され、少なくとも２つの前記位相変調手段から前記光合流手段を経て出力側に導かれる信号光の強度がそれぞれ異なるように調整する強度調整手段とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光信号の搬送波周波数を高精度かつ高速に制御可能にして、送信光源の発振周波数の安定性を確保し、伝送性能の向上をはかるほか、波長多重間隔の高密度化により伝送路の帯域利用率の向上をはかって大容量の伝送を実現する。
【解決手段】信号処理回路１２が、送信信号を変調方式に応じて電界情報にマッピングするマッピング回路１２１と、送信信号をマッピングされた電界情報の電界位相に対し一定周期の位相回転を付与する位相回転回路１２２とを有する。そして、搬送波周波数制御部１６が、位相回転回路１２２で付与される位相回転の周期を制御することにより、光変調部１５から出力される光信号の搬送波周波数を制御する。 （もっと読む）

【課題】光スイッチに供給される駆動電流をすばやく供給し、かつ、光スイッチに供給される駆動電流にオーバーシュートが発生することを抑制できる光スイッチ駆動回路、光スイッチ及び光切替スイッチを提供すること。
【解決手段】所定の電圧から一定電圧に立ち上がるパルス波を発生させる発生部と、定常電圧よりも高い電圧を印加した後、前記定常電圧よりも低い電圧まで低下し、さらに前記定常電圧を印加する電圧印加部とを有する。 （もっと読む）