【課題】大きな高周波電気信号が入力されても熱破壊されることのない高い信頼性を有する光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、光導波路と、光の位相を変調する高周波電気信号を印加するための電極とからなる光変調器と、電極を通過した高周波電気信号を終端する電気的終端と、光変調器と電気的終端とを内部に配置する筐体と、を有する光変調器モジュールにおいて、電気的終端は、高周波電気信号が入力される電気的終端用中心導体と、電気的終端用接地導体と、電気的終端用中心導体と電気的終端用接地導体とを接続し入力される高周波電気信号を吸収してジュール熱に変換する複数でなる抵抗膜とを備え、電気的終端用中心導体の近傍に位置する第１抵抗膜は高周波電気信号が入力されることにより発生するジュール熱によって破壊されない吸収効率でなるとともに、別の抵抗膜は、第１抵抗膜の吸収効率よりも大きい吸収効率でなる。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型領域とＮ型領域との間の電圧印加により位相を変調させる際の応答速度を高めることができる光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路素子１が位相変調部に用いられた光変調器。光導波領域４は、光の導波方向に沿って延在する厚板部３と、厚板部３の幅方向一方側および他方側にある薄板部２（２Ａ、２Ｂ）とを有する。光導波領域４は、厚板部３にてＰ型領域５とＮ型領域６とに分離されている。Ｐ型領域５とＮ型領域６の薄板部２Ａ、２Ｂには、それぞれ電圧印加用の電極７Ａ、７Ｂが接続されている。薄板部２Ａ、２Ｂの厚さは８０〜１１０ｎｍとされる。 （もっと読む）

【課題】中間色、特に視感度が高い赤色と緑色の組み合わせで表示される中間色の色相ズレを低減することができるようにする。
【解決手段】赤色、緑色および青色の各色レーザ光をそれぞれ出力する赤色、緑色および青色の各レーザ光源装置と、これらの各レーザ光源装置から時分割で順次出力されるレーザ光を映像信号に基づいて変調する空間光変調素子と、１フレームを構成する複数の点灯区間ごとにレーザ光源装置の点灯を制御するとともに、空間光変調素子での各色レーザ光の出力を制御する制御部と、を備え、緑色レーザ光源装置は、ＣＩＥｘｙ色度図上において標準緑色よりも高いｙ値を有する緑色レーザ光を出力し、制御部は、隣接する２つのフレームに跨って緑色および赤色の順序で点灯するＧＲ点灯パターンを含む点灯順序でレーザ光源装置を点灯させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−１の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−２（Ｔ−１≠Ｔ−２）の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光を位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬するクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数応答特性を得ることができる光モジュールを実現する。
【解決手段】リードピン１は、金属ステム２を貫通し、金属ステム２とは絶縁されている。電界吸収型光変調素子５は、金属ステム２上に設けられ、リードピン１の一端に接続されている。フレキシブル基板１０は信号線路１２，１３を有する。信号線路１２の一端はリードピン１の他端に接続されている。信号線路１２の他端は信号線路１３の一端に接続されている。リードピン１の金属ステム２を貫通する貫通部１ａと信号線路１３は、それぞれ信号線路１２より小さいインピーダンスを持つ。 （もっと読む）

【課題】 集光点におけるレーザ光の集光状態を好適に制御することが可能な光変調制御方法、制御プログラム、制御装置、及びレーザ光照射装置を提供する。
【解決手段】 空間光変調器を用いたレーザ光の集光照射の制御において、レーザ光の入射パターン、及び伝搬経路上の第１、第２伝搬媒質それぞれの屈折率を取得し（ステップＳ１０１）、集光点の個数、及び各集光点についての集光位置、集光強度を設定し（Ｓ１０４）、レーザ光の伝搬で第１、第２伝搬媒質によって生じる収差条件を導出する（Ｓ１０７）。そして、収差条件を考慮して、空間光変調器に呈示する変調パターンを設計する（Ｓ１０８）。また、変調パターンの設計において、１画素での位相値の影響に着目した設計法を用いるとともに、集光点での集光状態を評価する際に、収差条件を考慮した伝搬関数を用いる。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＣ基板とTO-CANパッケージの接続部における特性インピーダンスを整合させて、40Gb/sのRF信号を低伝送損失・低反射損失でFPC基板からTO-CANパッケージ内部まで伝送することなどが可能な構成の光送信モジュールを提供する安。
【解決手段】TO-CANパッケージ１３と、FPC基板１２とを有し、FPC基板１２の表面に高周波信号線２６と接地電極２８が配され、TO-CANパッケージ１３に配された同軸ピン２２が記高周波信号線２６に接続され、高周波信号線２６から、同軸ピン２２を介して、TO-CANパッケージ１３の内部に配された光半導体素子に高周波電気信号を導通し、高周波信号線２６と接地電極２８との間の距離が0.1mm以上0.3mm以下である構成の光送信モジュールとする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】 小型化、動作速度の高速化、低電圧化を同時に図ることができる光変調器を、フォトニック結晶共振器にＰＩＮ構造を作製してキャリアを高速に共振器の外に引き出す。
【解決手段】本発明は、フォトニック結晶基板中に、光を閉じ込める共振器と、共振器部位を挟んで対向する２つの領域に電極領域を設け、共振器に発生させた二光子吸収キャリアを、電極領域に電界を印加して引き抜くことにより、該共振器のキャリアを、拡散によって散逸するよりも早く除去する。また、フォトニック結晶基板中で、導波路を挟んだ所定の領域に対向する２つの電極領域を設け、電極領域に挟まれた導波路中に発生させた二光子吸収キャリアを、電界印加によって拡散より早く導波路から引き抜き、除去する。 （もっと読む）

【課題】光導波路素子と接続基板との電気的接続の不連続性を減少させ、電気特性の劣化を防止した光導波路素子モジュールを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板と光導波路と制御電極とを有する光導波路素子と、制御電極と電気的に接続された配線を有する接続基板と、光導波路素子と接続基板とを筐体内に収容する光導波路素子モジュールにおいて、制御電極は、信号電極と接地電極とから構成され、接続基板は、信号線路と接地線路とが設けられ、接続基板の誘電率は、光導波路素子の基板の誘電率より低く、制御電極の端部における信号電極の幅Ｓ１は、光導波路素子側の信号線路の幅Ｓ２以下であって、制御電極の端部における接地電極の間隔Ｗ１が、接続基板の光導波路素子側の接地線路の間隔Ｗ２よりも大きく、制御電極は、端部から離れた部分に、接地電極の間隔がＷ２よりも小さい部分を有し、光導波路素子と接続基板とを繋ぐ接地用の配線を有する。 （もっと読む）

【課題】変調電圧を大きくしなくても周波数特性の劣化を防ぐことができる光半導体装置を得る。
【解決手段】半導体レーザ１からの光をマッハツェンダ型光変調器２が変調する。マッハツェンダ型光変調器２の出力光をマッハツェンダ型光変調器３が変調する。マッハツェンダ型光変調器２，３の各々は、活性層１２を含むアンドープ層２０と、アンドープ層２０を挟むｎ型ＩｎＰクラッド層１１及びｐ型ＩｎＰクラッド層１４とを有する。マッハツェンダ型光変調器２の活性層１２のバンドギャップ波長が、マッハツェンダ型光変調器３の活性層１２のバンドギャップ波長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】スピン注入磁化反転素子による、光変調度を向上させた光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子１は、垂直磁化異方性を有する磁化固定層１１、中間層１２、および垂直磁化異方性を有する磁化自由層１３、の順に積層したスピン注入磁化反転素子構造を備え、上下に接続された一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより前記磁化自由層１３の磁化方向を変化させる。磁化自由層１３は、組成がＧｄ：１９〜２７ａｔ％、Ｆｅ：７３〜８１ａｔ％であるＧｄ−Ｆｅ合金からなり、飽和磁化が５０〜２５０ｅｍｕ／ｃｃであることを特徴とする。磁気光学効果の大きいＧｄＦｅ合金においてＦｅを多く含有することで、磁化方向の安定性を保持しつつ反転電流を低減することができ、磁化自由層１３の厚膜化による光変調度のさらなる拡大を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高速駆動が可能であり、駆動電圧のより一層の低減が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有し、厚みが１０μｍ以下の薄板１と、薄板１に形成された光導波路５２、５３と、光導波路５２、５３を伝播する光を制御するための光制御部を複数有する光制御素子において、光制御部の少なくとも一部には、光導波路５２、５３に電界を印加するための制御電極が、第１電極と第２電極とから構成される。第１電極は信号電極３３、３４と接地電極６１、６２とを有すると共に、第２電極は少なくとも接地電極６３を有し、第１電極の信号電極３３、３４と協働して光導波路５２、５３に電界を印加するように構成される。複数の光制御部の間は、コプレーナ型線路、コプレーナ型線路と裏面に配置された接地電極、又はマイクロストリップラインのいずれかで構成される制御信号配線で接続し、光と電気信号の到達時間がほぼ同じになるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ＬＮチップと回路基板との接続構成を工夫することにより、ＬＮチップの小型化が可能な光制御素子を提供する。
【解決手段】本発明の光制御素子１００は、回路基板３０と、厚さ１０μｍ以下の素子基板１１と、光導波路１３ｂ、１３ｃと、素子基板１１の表面に設けられた第１電極２１と、裏面に設けられた第２電極２２と、を備え、第１電極２１は、少なくとも信号電極１４と第一の接地電極１５とからなるコプレーナ型の電極であるとともに、信号電極１４は光導波路１３ｂ、１３ｃを通る光の位相を制御する制御部と当該制御部に接続された接続ランド部１６Ａとからなり、第２電極２２は、接続ランド部１６Ａとは対向しない領域に設けられるとともに、制御部と協働して光導波路１３ｂ、１３ｃに電界を印加し、接続ランド部１６Ａは、制御部の電極幅よりも広い幅を有して当該制御部と接続されており制御部と回路基板３０の配線電極とを電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】 数〜数十Ｇｂｐｓでもプリエンファシスをかけることなしに、低電圧のＣＭＯＳ駆動で十分な光変調をかけることができる、Ｓｉ系光変調器を実現する。
【解決手段】 ｐ型ａ−Ｓｉ層５、アンドープａ−Ｓｉ層６、ｎ型ａ−Ｓｉ層７からなるｐｉｎダイオード構造の外側に、アンドープ−ａ−Ｓｉ層４とｎ型ａ−Ｓｉ層３からなるｐ型ａ−Ｓｉ層５内の電子に対するドレイン１９と、アンドープａ−Ｓｉ層８とｐ型ａ−Ｓｉ層９からなるｎ型ａ−Ｓｉ層７内の正孔に対するドレイン２０が付加されている。ｐ型ａ−Ｓｉ層５とｎ型ａ−Ｓｉ層７における実効的なキャリア寿命が大幅に短縮されるので、ドレインのない従来のｐｉｎダイオード構造キャリア注入型光変調器と比べて一桁以上高い周波数まで応答させることができる。 （もっと読む）

【課題】 スペース上の制約を抑制しつつ、高周波特性と実装性とを両立することができる光変調器モジュールを提供する。
【解決手段】 光変調器モジュールは、信号電極および接地電極を備える光変調器と、前記光変調器を収容し前記光変調器の接地電極と導通する導電性のパッケージと、前記パッケージの外壁とハンダまたは導電性接着剤によって接続される接地電極が一面に形成され、信号電極が他面に形成された基板と、前記光変調器の信号電極と前記基板の信号電極とを電気的に接続するリードピンと、を備える。 （もっと読む）

【課題】光吸収型光変調素子の高速駆動を可能とする駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１０は、所定の特性インピ−ダンスを有する伝送線路４０を介して光吸収型光変調素子３２を駆動する回路であって、出力ドライバ回路１２、オフセット設定回路１４、及び直列回路１６を備える。出力ドライバ回路１２は、伝送線路４０に直流的に接続され、光変調素子３２を交流駆動する。オフセット設定回路１４は、光変調素子３２にオフセット電圧を与える。直列回路１６は、抵抗１６ａとインダクタ１６ｂを有し、伝送線路４０にオフセット設定回路１４を接続する。直列回路１６にインダクタンス１６ｂを設けることで、駆動回路１０の出力インピーダンスの周波数特性にピークを持たせ、光変調素子３２の駆動波形の高周波特性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】高速応答可能な半導体光変調素子の提供。
【解決手段】半導体光変調素子１は、第一及び第二半導体クラッド層３,７、並びにこれらの間に配置された光導波層Ｌを備える。光導波層Ｌは第一及び第二半導体光閉じ込め層４，６と絶縁層５とを含み、第一半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第一半導体クラッド層３との間に配置され、第二半導体光閉じ込め層６は絶縁層５と第二半導体クラッド層７との間に配置され、第一半導体クラッド層３は第一導電型を有し、第二半導体クラッド層７は第一導電型とは異なる第二導電型を有し、第一半導体クラッド層３の屈折率は第一半導体光閉じ込め層４の屈折率より低く、第二半導体クラッド層７の屈折率は第二半導体光閉じ込め層６の屈折率より低く、絶縁層５のバンドギャップは第一半導体クラッド層３、第二半導体クラッド層７、第一半導体光閉じ込め層４、及び第二半導体光閉じ込め層６のバンドギャップより大きい。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）