【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板の内側において直線的に延出した第１電極と、前記第１電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側において前記第１電極を挟んだ両側で前記第１電極の延出方向と略平行な方向に沿って延出した第２電極と、前記第２電極を覆う第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、前記第１絶縁基板の外面に配置され第１吸収軸を有する第１偏光板と、前記第２絶縁基板の外面に配置され前記第１吸収軸とクロスニコルの位置関係にある第２吸収軸を有する第２偏光板と、を備え、前記第１吸収軸は、前記第１電極の延出方向と略平行であるまたは略直交することを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】開口率及び透過率が向上し、製造費用を低減できる横電界型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶層を介して対向する第１基板及び第２基板と、第１基板の内側面で相互交差するゲート配線１０３及びデータ配線１３０と、ゲート配線と平行な共通配線１０９と、ゲート配線及びデータ配線に接続された薄膜トランジスタＴｒと、薄膜トランジスタ上の表示領域全面に設けられたカラーフィルター層と、カラーフィルター層の上のフォトアクリルからなる第１保護層と、第１保護層の上にデータ配線と重なる垂直部とゲート配線及び共通配線と重なる水平部からなり、表示領域で格子形状の補助共通配線１７５と、各画素領域内に補助共通配線の水平部から分岐した多数のバー形状の中央部共通電極１７３及びそれと交互に設けられた画素電極１７０と、非表示領域で表示領域を囲み、カラーフィルター層の構成物質からなるエッジ部の光漏れ防止パターンを有する。 （もっと読む）

【課題】保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出するように形成される一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極とを備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】直線的に延出した帯状の第１主画素電極を備えた第１画素電極と、前記第１主画素電極を挟んだ両側で前記第１主画素電極と略平行に延出した第１主共通電極を備えた第１共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主画素電極に対向する第２主画素電極を備え前記第１画素電極と電気的に接続された第２画素電極と、前記第１主共通電極と対向する第２主共通電極を備え前記第１共通電極と電気的に接続された第２共通電極と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】直線的に延出した第１エッジを有する帯状の主画素電極と、前記主画素電極の前記第１エッジから突出した副画素電極と、を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極と略平行に延出した主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記副画素電極は、前記第１エッジから第１距離をおいた位置で第１幅を有し、前記第１エッジから第１距離よりも離れた第２距離をおいた位置で第１幅より小さい第２幅を有することを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、対向基板に形成された外部導電膜を確実にアースに接続し、安定したシールド効果を確保する。
【解決手段】対向基板２００に形成された外部導電膜２１０とＴＦＴ基板１００に形成されたアースパッド２０とを導電熱圧着テープ１０によって接続する。導電熱圧着テープ１０は熱圧着ヘッド３０によって接続し、導電領域１５を形成する。対向基板２００における導電領域１５の幅ｗ２をＴＦＴ基板１００における導電領域１５の幅ｗ３よりも大きくして対向基板２００における導電熱圧着テープ１０の剥離を防止する。これによって、対向基板２００の外部導電膜２１０を確実にアースする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの低下を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スイッチング素子の上に配置されるとともに第１上面及び前記第１上面から前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置された上部電極及び前記上部電極と繋がり前記第１コンタクトホールに配置され前記スイッチング素子に電気的に接続された下部電極を有する島状の中継電極と、前記有機絶縁膜の前記第１上面に配置され前記中継電極から離間した共通電極と、前記中継電極及び前記共通電極の上に配置されるとともに前記中継電極の前記上部電極及び前記下部電極まで貫通した第２コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の前記第２コンタクトホールで前記中継電極に電気的に接続され前記共通電極と向かい合うスリットを有する画素電極と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】横電界方式を用いつつイオン性不純物のトラップ効率を高めた電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間の外縁領域に形成されたイオントラップ部と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、第１基板の電気光学物質層側に形成され、平面視櫛歯状を成し互いの枝電極を噛み合わせるように配置された第１電極と第２電極とを有しており、第１電極及び第２電極の枝電極の延在方向が、当該枝電極の近傍の第１基板の外形辺に対して斜め方向であり、かつ電気光学物質層と第１基板との界面における電気光学物質の配向方向に対して交差する方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極１０４、ドレイン電極１０５及びゲート電極１０１を備えたＴＦＴと、コモン１０８と画素電極１１０とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜１２０は、ソース電極１０４のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜１２０の非対称な開口部の向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に第１幅を有し第１方向に交差する第２方向に沿って延出した主画素電極と、第１方向に第１幅よりも大きい第２幅をおいて向かい合う第１エッジ及び第２エッジを有し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極と、前記主画素電極を挟んだ両側で第２方向に沿って延出し前記第１エッジ及び前記第２エッジの少なくとも一方と向かい合う位置で途切れた第１主共通電極と、第１方向に沿って延出し前記第１主共通電極と電気的に接続された第１副共通電極と、を備えた第１基板と、前記第１主共通電極に対向し第２方向に沿って延出するとともに前記第１主共通電極と電気的に接続された第２主共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１方向に沿った長さが第１方向に交差する第２方向に沿った長さよりも短い画素に配置されるとともに、第２方向に沿って延出した主画素電極及び第１方向に沿って延出し前記主画素電極と電気的に接続された副画素電極を有する画素電極を備えた第１基板と、前記主画素電極を挟んだ両側で前記主画素電極と略平行に延出した主共通電極及び前記副画素電極を挟んだ両側で前記副画素電極と略平行に延出し前記主共通電極と電気的に接続された副共通電極を有する共通電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記主画素電極と前記主共通電極との第１方向に沿った水平電極間距離は、前記主画素電極と前記主共通電極との第１方向及び第２方向に直交する第３方向に沿った垂直電極間距離よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】３次元表示及び２次元表示を併存させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】両眼視差を作り出す遮光パネルがマトリクス状に配設された複数の光学フィルタ領域を有する。当該遮光パネルにおいては、当該複数の光学フィルタ領域毎に表示パネルが放出する光を透過させるか否かを選択することが可能である。よって、当該表示装置においては、部分的に両眼視差が作り出される領域を設けることが可能である。したがって、当該表示装置においては、３次元表示及び２次元表示を併存させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶層内に立設して形成される電極を形成した場合であっても、表示モード効率を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することである。
【解決手段】
走査信号線と映像信号線とを有する第二の基板と、前記第二の基板と対向配置される第一の基板とを備え、前記走査信号線と前記映像信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に配置される液晶表示装置であって、画素境界に形成され、前記第二の基板の液晶面側から突出する凸状体と、前記凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の底面側から伸延される下端側電極とからなる第一の電極と、前記画素の領域内に形成される第一の線状電極と、前記第二の基板側に形成され、前記前記第一の線状電極と対峙する第二の線状電極と、からなる第二の電極と、を有すると共に、前記画素の領域は、前記第一の電極と前記第二の電極とが第一の方向に延在する第一の画素領域と、第二の方向に延在する第二の画素領域とからなる液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域２５と、第１電極３０と、第１電極３０上に配置され、絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサ４０Ａと絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサ４０Ｂとを含む第２電極４０と、第２電極４０の上層に配置され所定方向に配向処理された配向膜８０と、を備えた第１基板１１０と、第１基板１１０と対向するように配置された第２基板１２０と、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持され、配向膜８０の配向処理の方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層７０と、を備え、絵素は行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素ＰＸＲ、緑色表示画素ＰＸＧ、および、青色表示画素ＰＸＢを含み、第２センサ４０Ｂは、少なくとも赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 直線的に延出した画素電極を備えた第１基板と、絶縁基板と、前記絶縁基板の前記第１基板と対向する内面に配置されたシールド電極と、前記画素電極を挟んだ両側で前記画素電極と略平行に延出した共通電極と、前記シールド電極と前記共通電極との間に配置された誘電体層と、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】広い視野角を有しており、かつ従来と比べて製造コストが低い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜１０１上に形成され、トランジスタのソース１０２ｄ、チャネル領域１０２ｃ、及びドレイン１０２ｂが形成された島状の第１の半導体膜１０２と、ソース１０２ｄ又はドレイン１０２ｂとなる第１の半導体膜１０２と同一の材料から構成され、下地絶縁膜１０１上に形成された第１の電極１０２ｃと、第１の電極１０２ｃの上方に形成され、第１の開口パターン１１２を有する第２の電極１０８と、第２の電極１０８の上方に配置された液晶１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】開口率を向上することができる広視野角の液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、基板１０上に形成されたゲート配線４３と、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜１１上に形成されたソー ス配線４４と、ソース配線４４を覆う層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１３を介して、ＴＦＴ５０のドレイン電極６と電気的に接 続する櫛歯形状又はスリット形状の画素電極７と、画素電極７の下に絶縁膜を介して対向配置され、画素電極７との間で斜め電界を発生させる第１の対向電極８ と、画素電極７と同じ層によって、前記ソース配線に沿う方向と前記ゲート配線に沿う方向とに形成されて格子形状をなしてソース配線４４と一定の領域において重なり合うよう形成され、画素電極７との間で横電界を発生させる第２の対向電極９ と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用チャネル保護型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。半導体装置に設けられる該薄膜トランジスタは多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いて作製する。 （もっと読む）