液晶表示装置
【課題】保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供する。
【解決手段】第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出するように形成される一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極とを備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える液晶表示装置である。
【解決手段】第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出するように形成される一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極とを備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える液晶表示装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、各画素内に生じる逆捩れを抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置の性能が向上しており、３〜４インチサイズの中小型の液晶表示装置においても８００×４８０画素のＷＶＧＡ表示が可能な製品が要望されている。しかしながら、ＷＶＧＡ表示が可能な中小型の液晶表示パネルでは、限られた表示領域内に複数の表示画素（以下、画素と記す。）を形成する必要があるために、１つの画素幅が３０μｍ程度となる。このために、さらなる開口率の向上や表示モード効率の向上が要望されている。
【０００３】
表示モード効率を向上させた液晶表示装置として、画素領域の長辺側の辺縁部に対となる電極を形成すると共に、この電極が基板表面から液晶層内に突出するいわゆる壁状の電極形状とする液晶表示装置が知られている。一方の壁状電極（画素電極）には映像信号が供給され、他方の壁状電極（共通電極）には基準となる共通信号が供給されることにより、液晶表示パネルの主面と平行な電界（いわゆる横電界）を生じさせ、液晶分子を駆動する構成となっている。この構成からなる液晶表示装置では、画素電極と共通電極とに挟まれる領域内には電極を形成することができないので、画素領域の短手側の辺部に沿って保持容量となる電極が形成されている。
【０００４】
一方、横電界方式の液晶表示装置における視角変化に伴う表示の色づきを抑制するために、例えば、特許文献１に示すように、１つの画素領域を２つ以上の異なる傾斜角の領域で形成した液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ等が形成される第１基板に、線状の画素電極と線状の共通電極とを絶縁膜を介して交互に配置すると共に、画素領域内で画素電極及び共通電極とをＶ字型に屈曲して形成している。このＶ字型の屈曲部を境にして、液晶分子の回転方向が反対となるようにして、視角変化に伴う表示の色づきを抑制するマルチドメイン構造としている。
【０００５】
さらには、特許文献１に記載の液晶表示装置では、線状の画素電極及び共通電極のＶ字型屈曲部だけでなく、線状の画素電極及び共通電極の端部もＶ字型にして、画素端部に発生するドメインを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素領域内に複数の線状電極が配置されることとなっているので、面内方向の画素電極と共通電極間隔が約４μｍ程度である。これに対して、壁電極を用いた液晶表示装置では、画素の辺縁部に電極が配置されることとなるので、画素電極と共通電極との間隔が約３０μｍ程度となる。
【０００８】
このために、壁電極方式の液晶表示装置において、保持容量を画素端部に形成することに伴う液晶分子の逆捩れ（以下、本願明細中では、単に「ドメイン」と記す）の発生を防止するために、特許文献１と同様に、画素電極及び共通電極の端部にＶ字型の傾斜を形成した場合であっても、ドメインの発生を抑制することができないという問題がある。
【０００９】
また、壁電極方式の液晶表示装置として、画素領域の辺縁部に沿って環状の画素電極を形成すると共に、画素の中心部分に線状の共通電極が形成される構成では、画素電極と共通電極間隔が半分程度の１０μｍ程度に小さくすることが可能となるが、保持容量を形成する第１電極と第２電極との間隔に比較した場合に非常に大きな距離となるので、各画素の表示部（画素表示部、開口部）の端部で発生したドメインが原因となって、透過率が低下し表示モード効率が大きく低下してしまうことが懸念されている。
【００１０】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）前記課題を解決すべく、本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成され、前記液晶層側から平面的に見て、前記第２の容量電極が前記第１の容量電極の後退領域から露出されると共に、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える。
【００１２】
（２）前記課題を解決すべく、本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第３電極と電気的に接続される第４電極と、を備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極及び前記第４電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、前記第１基板は、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制できるので、表示モード効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図３】図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図５】壁画素電極のみを有する液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための図である。
【図６】図４に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図７】図４に示すＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図８】図６に対応する他の実施形態の図面である。
【図９】本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図１０】本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第２基板側の拡大図である。
【図１１】図９に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図１２】本発明の実施形態３の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図１３】図１２に示すＦ−Ｆ’線での断面図である。
【図１４】本発明の実施形態３の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図１５】壁画素電極のみを有する液晶表示装置の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図１６】図１４のＧ−Ｇ’線での断面図である。
【図１７】本発明の実施形態３の他の画素構成を説明するための拡大図である。
【図１８】本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図である。
【図１９】本発明の実施形態４の液晶表示装置における第２共通電極の概略構成を説明するための図である。
【図２０】図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。
【図２１】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための２画素分の拡大図である。
【図２２】図２１に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。
【図２３】本発明の実施形態６の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図である。
【図２４】図２３に示すＭ−Ｍ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１７】
〈実施形態１〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明する。なお、本願明細中においては、カラーフィルタＣＦや偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２などによる吸収の影響や開口率の影響を除いた透過率を表示モード効率とする。従って、バックライトユニット側の偏光板ＰＯＬ１から出射した直線偏光の振動方向が表示面側の偏光板ＰＯＬ２に入射する際に、９０度回転している場合の表示モード効率は１００％となる。
【００１８】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。また、液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１９】
また、第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
【００２０】
実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２１】
各画素は、例えば、図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴを模式的に線状に記しているが、実施形態１の画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴの構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極と記す。
【００２２】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式と称される。また、実施形態１の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２３】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２４】
〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図３は図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図であり、以下、図２及び図３に基づいて実施形態１の液晶表示装置における画素構成について説明する。ただし、説明を簡単にするために、薄膜トランジスタ等については省略する。また、図２に示す画素ＰＸＬの拡大図は、Ｘ方向に隣接する２画素分の拡大図である。
【００２５】
図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、各画素ＰＸＬの４つの辺部の全ての辺部すなわち画素領域の周辺部に沿って画素電極ＰＸ及び保持容量ＳＣを形成する透明導電膜が円環状に形成されている。この構成により、画素電極ＰＸの一箇所が断線した場合であっても、断線した部分の両側が映像信号の供給源となる薄膜トランジスタのソース電極に繋がっている構成とすることができるので、映像信号を安定的に供給できるという効果も得られる。
【００２６】
また、各画素の周辺部（周縁部）にはそれぞれ図中に点線で示す凸状体形状をなし、各画素ＰＸＬの辺部に段差を形成するための絶縁膜（以下、単に凸状体と記す）ＷＬが形成されている。実施形態１の液晶表示装置では、この凸状体ＷＬの一部と透明導電膜の一部とが重畳されるようにして、第１電極となる壁状の画素電極ＰＸ（壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ）が形成される構成となっている。
【００２７】
特に、画素表示部を挟んで平面的に対向配置される一対の画素電極の内で、画素領域ＰＸＬの長手方向（Ｙ方向）に延在し、画素表示部を介して短手方向に対向配置される一対の画素電極ＰＸである壁画素電極ＰＸＡは、Ｘ方向に隣接される隣接画素の壁画素電極ＰＸＡと近接して形成されている。一方、画素領域ＰＸＬの短手方向（Ｘ方向）に延在し、画素表示部を介して長手方向に対向配置される一対の画素電極ＰＸである壁画素電極ＰＸＢは、各画素の図中左側（例えば、当該画素の薄膜トランジスタに接続されるドレイン線ＤＬの側）に形成される壁画素電極ＰＸＡの端部から短手方向（Ｘ方向）に延在するようにして、図中左側の壁画素電極ＰＸＡと一体の構成となっている。このとき、実施形態１の壁画素電極ＰＸＢでは、図中右側の端部すなわち壁画素電極ＰＸＡから連続して形成されない側は、共通電極ＣＴの形成位置まで伸延されている。
【００２８】
このような壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成するために、実施形態１の液晶表示装置では、Ｘ方向に隣接する画素領域を跨ぐようにしてＣ字形状の凸状体ＷＬが形成されている。このＣ字形状の凸状体ＷＬは、画素領域ＰＸＬの長手方向に沿って形成される凸状体（第１凸状体）ＷＬ１と、画素ＰＸＬの短手方向に沿って形成される凸状体（第２凸状体）ＷＬ２とが一体に形成されている。この凸状体ＷＬに沿って壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとなる環状の透明導電膜が形成されているので、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせ工程、及び貼り合わせ後の使用時等においても、液晶が図中の上下に隣接される画素との間で移動可能な構成としている。なお、実施形態１の画素では、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢは円環状の透明導電膜を用いて形成する構成としたが、これに限定されることはなく、透明導電膜の一部に切り欠き等が形成され、円環状とならない例えばＣ字状の導電膜で壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する構成であってもよい。
【００２９】
また、実施形態１の画素ＰＸＬにおいては、長手方向に延在する一対の辺部に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡとの間の領域に、該壁画素電極ＰＸＡと略平行に伸延する線状の共通電極（第２電極）ＣＴが形成される構成となっている。すなわち、共通電極ＣＴは一対の壁画素電極ＰＸＡとの間の領域である画素表示部を短手方向（Ｘ方向）に２つの領域に分けるようにして形成されている。この共通電極ＣＴも透明導電膜で形成されている。ただし、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴを形成する透明導電膜は、例えば透明導電膜材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）及び酸化亜鉛系のＡＺＯ(Aluminum doped Zinc Oxide)やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等を用いることが可能である。
【００３０】
また、実施形態１の画素ＰＸＬにおいては、画素領域の図２中の上端側及び下端側には、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成されると共に、この上端及び下端の透明電極が隣接画素の上端及び下端の透明導電膜と一体に形成され、コモン線ＣＬを兼ねた構成となっている。さらには、共通電極ＣＴの一箇所が断線した場合であっても、断線した部分の両端が共通信号の供給源に繋がっている構成とすることができるので、共通信号を安定的に供給できるという効果も得られる。
【００３１】
また、画素領域の上端側及び下端側の領域には、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する透明導電膜も絶縁膜を介して形成されており、共通電極ＣＴを形成する平板状の透明導電膜との間で保持容量ＳＣを形成する構成となっている。なお、保持容量ＳＣの詳細な構成については、後に詳述する。
【００３２】
さらには、実施形態１の画素ＰＸＬは、長手方向（Ｙ方向）の図２中の上側領域と下側領域とにおいて、Ｙ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。この構成では、液晶分子の配向方向は、例えば上側領域及び下側領域においてもＹ方向となるように初期配向がされている。すなわち、各画素ＰＸＬを中央で屈曲させ、尚且つ液晶分子の配向方向をＹ方向（図２中の縦方向）としている。これにより、上側領域と下側領域とが接する屈曲部の上下では、電圧印加時の液晶分子の回転方向は互いに逆方向となり、屈曲部の上側領域では液晶分子は反時計回りに回転し、屈曲部の下側領域では時計回りに回転する。このように、１つの画素内に回転方向が互いに逆となる領域を形成することにより、視角方向での着色を相殺する、いわゆるマルチドメイン構成としている。なお、実施形態１の画素では、上側領域をＹ方向に対して反時計方向に傾斜させ、下側領域を時計方向に傾斜させる構成としたが、それぞれの逆方向に傾斜させる構成であってもよい。
【００３３】
このような構成からなる壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴを備える実施形態１の液晶表示装置は、図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１の上面（液晶面側）に図示しないゲート線がＸ線方向に延在しＹ方向に並設されるようにして形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。該絶縁膜ＰＡＳ１の上面には、ゲート線と重畳する領域に図示しない周知の半導体層が形成され、ゲート線と半導体層とが重畳する領域では絶縁膜ＰＡＳ１がゲート絶縁膜となっている。また、絶縁膜ＰＡＳ１又は半導体層の上層には、例えば金属薄膜からなるドレイン線ＤＬ及び該ドレイン線から伸延される延在部が形成され、この延在部が半導体層の一端に電気的に接続されてドレイン電極を形成している。また、この工程では、半導体層の他端に金属薄膜からなるソース電極が形成され、後の工程においてソース電極と壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとが電気的に接続される。
【００３４】
ドレイン線ＤＬの上層には、画素領域の辺縁部に沿った段差を形成するための絶縁膜からなる凸状体ＷＬ１が当該ドレイン線ＤＬに重畳して形成されている。このとき、実施形態１の凸状体ＷＬ１は、Ｘ方向に対しては隣接する画素領域を跨ぐようにして形成されている。
【００３５】
凸状体ＷＬの側壁面（段差の側壁面）には透明導電膜からなる壁状電極ＰＸＶが形成されている。また、壁状電極ＰＸＶの図３中の下端側すなわち壁状電極ＰＸＶの第１基板ＳＵＢ１の側の端部には、この端部から連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿った平面電極ＰＸＨが形成され、壁状電極ＰＸＶと平面電極ＰＸＨとにより壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが形成されている。この構成により、第２基板ＳＵＢ２が配置される側に向かって第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設される壁画素電極ＰＸＡが形成される構成となっている。
【００３６】
また、画素の短手側の辺部に形成される壁画素電極ＰＸＢにおいても、凸状体ＷＬ２の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと第１基板ＳＵＢ１の主面に沿った平面電極ＰＸＨとから形成されている。このとき、後に詳述するように、画素領域の上端部及び下端部に配置される保持容量ＳＣを形成する電極（容量電極）が壁状電極ＰＸＶの上端側から延在される構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の頭頂面には、壁状電極ＰＸＶから延在する導電性薄膜が当該頭頂面を覆うようにして形成される。
【００３７】
壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢの上層には、この壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面には絶縁膜ＰＡＳ２が形成され、その上層に線状の共通電極ＣＴが形成されている。この共通電極ＣＴの上層には、当該共通電極ＣＴを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に配向膜ＯＲＩが形成され、液晶分子の初期配向方向を制御する構成となっている。
【００３８】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬの裏面側すなわち第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に対向する側の面には図示しないバックライトユニットが配置される構成となっている。該バックライトユニットから照射される図示しないバックライト光は、第１基板ＳＵＢ１のバックライトユニット側に貼り付けされる偏光板ＰＯＬ１の側から偏光板ＰＯＬ１を介して液晶表示パネルＰＮＬに入射する。この入射光は液晶表示パネルＰＮＬで変調された後に、液晶表示パネルＰＮＬの表示面側すなわち第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に対向する側に貼り付けされる偏光板ＰＯＬ２を介して、表示光として出射される。
【００３９】
このように、実施形態１の液晶表示装置においては、映像信号が供給されるドレイン線ＤＬと、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と、画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとが絶縁膜ＰＡＳ１の上面すなわち同層に形成されている。この構成により、絶縁膜を介することなく、薄膜トランジスタの半導体層にドレイン線ＤＬ等が電気的に接続されるように形成されている。従って、ドレイン線ＤＬや壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと薄膜トランジスタの半導体層とを電気的に接続する場合であっても、周知の貫通孔（スルーホール）を形成することが不要となるので、工程を低減できると共に、貫通孔を形成するための領域が不要となるので、開口率を向上させることができる。
【００４０】
なお、ドレイン線ＤＬ等の信号配線が形成される薄膜層と、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが形成される薄膜層とが異なる層すなわち絶縁膜を介して形成される場合であっても、共通電極ＣＴよりも薄膜トランジスタやドレイン線等の信号配線が形成される薄膜層に近い層に壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する構成とすることにより、貫通孔を形成する絶縁膜の層数を低減でき、開口率を向上できる。
【００４１】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、薄膜トランジスタＴＦＴはドレイン線ＤＬとゲート線とが交差する近傍であり、画素の上部側又は下部側の領域であり、壁画素電極ＰＸＡの延長した位置等に形成される構成となっている。これによりブラックマトリクス（遮光膜）ＢＭで遮光される領域に薄膜トランジスタＴＦＴを形成することができ、画素の開口率を向上させることができる。ただし、薄膜トランジスタＴＦＴの形成位置はこれに限定されることはなく、他の位置であってもよい。
【００４２】
一方、液晶層ＬＣを介して第１基板ＳＵＢ１と対向配置される第２基板ＳＵＢ２の表面の内で、液晶層ＬＣの側である対向面側（液晶側面）には、遮光膜となるブラックマトリクスＢＭが形成されている。このブラックマトリクスＢＭは、従来と同様に、隣接画素との間の領域に形成されており、各画素ＰＸＬの周縁部に沿ってＸ方向及びＹ方向に形成されている。ただし、ブラックマトリクスＢＭは、ドレイン線ＤＬの延在方向であるＹ方向のみ等であってもよい。
【００４３】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、１つの画素ＰＸＬ毎に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の何れかのカラーフィルタＣＦが形成され、このＲＧＢの各色に対応する３つの画素ＰＸＬでカラー表示用の単位画素を形成している。また、カラーフィルタＣＦの上層すなわち液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタＣＦを覆うようにして、周知の配向膜ＯＲＩが形成されている。
【００４４】
〈保持容量領域の詳細構成〉
図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図５は壁画素電極のみを有する液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための図であり、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと共通電極ＣＴとの間に画像表示用の電界が印加されている場合の液晶分子ＬＣＭの動作も示している。また、図６は図４に示すＣ−Ｃ’線での断面図、図７は図４に示すＤ−Ｄ’線での断面図を示す。さらには、図８は図６に対応する他の実施形態の液晶表示装置における断面図であり、保持容量ＳＣを形成する一方の容量電極の形成位置を説明するための図である。
【００４５】
ただし、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの傾斜方向が液晶の配向方向（初期配向方向）に対して時計回りに傾斜される上側領域と反時計回りに傾斜される下側領域とでは、図示しない薄膜トランジスタの有無を除く他の構成は同様の構成となる。従って、以下の説明では、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの傾斜方向が時計回りに傾斜される上側領域における第１基板ＳＵＢ１に形成される保持容量ＳＣを形成するための平板状の電極構成について詳細に説明する。また、以下の説明では、説明を簡単にするために、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢに共通電極ＣＴよりも高い電圧の映像信号が供給される場合について説明するが、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと共通電極ＣＴとの間には、極性が１フレーム毎等のように所定の周期で液晶分子に印加される電界方向が交互に反転する交番電圧が印加される。
【００４６】
また、壁画素電極ＰＸＡと共通電極ＣＴとに挟まれる画素表示領域の内で、図中左側の領域すなわちＶ字型に屈曲される共通電極ＣＴの優角側の領域を第１領域ＡＰ１とし、図中右側の領域すなわちＶ字型に屈曲される共通電極ＣＴの劣角側の領域を第２領域ＡＰ２として説明する。さらには、保持容量ＳＣの形成領域における電極の内で、壁画素電極ＰＸＢから延在される透明導電膜で形成される電極を容量電極（第１の容量電極）ＰＸＳとし、共通電極ＣＴから延在される透明導電膜で形成される電極を容量電極（第１の容量電極）ＣＴＳとする。
【００４７】
図４に示すように、壁画素電極ＰＸＢが形成される側の領域である第１領域ＡＰ１の側における保持容量ＳＣの形成領域と、壁画素電極ＰＸＢが形成されない側の領域である第２領域ＡＰ２の側における保持容量ＳＣの形成領域とにおいて、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部が異なる形状となっている。また、第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとは、画素表示部側の端面が揃うように形成されている。これに対して、第１領域ＡＰ１の側の保持容量ＳＣの形成領域においては、容量電極ＣＴＳの辺縁部が容量電極ＰＸＳの辺縁部よりも画素表示部から後退し、表示面側（液晶面側）から見て下層の容量電極ＣＴＳが露出するようにして形成されている。すなわち、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺部は、画素の画素表示部から連続してＸ方向（第１基板ＳＵＢ１の面内方向）に後退した凹状の領域（後退領域ＲＴ）が形成される構成となっている。一方、第１領域ＡＰ１の側の容量電極ＰＸＳの辺縁部と第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳの辺縁部とは揃っており、その辺縁部がＸ方向に直線状となるように形成されている。
【００４８】
このような構成とすることにより、画素表示部の辺部の内で、壁画素電極ＰＸＡや共通電極ＣＴの端部すなわち保持容量ＳＣの形成領域の画素表示部側の辺部において、第２領域ＡＰ２では、液晶層ＬＣから見て、共通電極ＣＴと同電位となる容量電極ＣＴＳの辺縁部が形成される。従って、図４に示すように、画素表示部の辺部においても順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも−θで示す順捩れ方向に平面内で回転することとなる。
【００４９】
また、第１領域ＡＰ１の側の画素表示部の辺部においては、容量電極ＣＴＳが下層の容量電極ＰＸＳよりも後退した後退領域ＲＴが形成され、液晶面側から見て、容量電極ＰＸＳが露出されている。すなわち、画素表示部の辺部には、容量電極ＰＸＳの辺縁部が配置されることとなるので、この辺縁部近傍の液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも順捩れ方向に回転する。
【００５０】
一方、後に詳述するように、後退領域ＲＴの辺縁部すなわち容量電極ＣＴＳの辺縁部においては、容量電極ＰＸＳから容量電極ＣＴＳの辺縁部に向かう電気力線が生じこととなる。このとき、後退領域ＲＴの角部の内で共通電極ＣＴの近くかつ画素境界に近い側の角部、すなわち容量電極ＣＴＳに形成されるＸ方向の凹部領域の底辺端部の内で共通電極側の角部においては、図５に示すように、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も逆捩れ方向となり、この領域（図５中に逆捩れ領域ＲＡで示す領域）では液晶分子ＬＣＭもθで示す逆捩れ方向に回転することとなる。
【００５１】
これに対して、実施形態１の凸状体ＷＬ２は、第１領域ＡＰ１の側に形成される構成となっており、特に、実施形態１においては、凸状体ＷＬ２の頭頂部に沿って容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部が形成される構成となっている。すなわち、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向が逆捩れ方向となる領域に凸状体ＷＬ２が形成され、第２基板ＳＵＢ２との間に液晶を排除する領域（図４中に液晶排除領域ＥＡで示す領域）を形成する構成となっている。この構成では、図６に示すＣ−Ｃ’線での断面図から明らかなように、実施形態１の画素構成においては、保持容量ＳＣを形成する一対の容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、壁画素電極ＰＸＢを形成しない側の電極である容量電極ＣＴＳは、凸状体ＷＬ２を超えて画素表示部側には伸延されない構成となっている。ただし、凸状体ＷＬ２は、逆捩れが発生する領域である後退領域ＲＴの角部を含む領域までは延在される構成となっている。
【００５２】
さらには、実施形態１の液晶表示装置においては、図６に示すように、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の画素表示部側の側壁面及び頭頂面並びに画素表示部から遠い側（保持容量が形成される上端側）の全ての面が壁画素電極ＰＸＢを形成する透明導電膜に覆われる構成となっている。このとき、実施形態１の画素構成においては、壁画素電極ＰＸＢ及び当該壁画素電極ＰＸＢから延在して容量電極を形成する容量電極ＰＸＳを覆うようにして絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。さらには、絶縁膜ＰＡＳ２の上層（液晶側面）の内で、Ｙ方向に対しては、凸状体ＷＬ２の頭頂面から側壁面を介して保持容量ＳＣの形成領域に至る範囲すなわちＹ方向の画素端部に至る範囲に容量電極ＣＴＳが形成されることとなる。この容量電極ＣＴＳの上層には、配向膜ＯＲＩが形成される。
【００５３】
この凸状体ＷＬ２が形成される領域においては、図７に示すように、図中の中央部分に示す画素に対応する映像信号が供給されるドレイン線ＤＬの延在方向に沿った壁画素電極ＰＸＡが形成されるＹ方向に伸延する凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成されるＸ方向に伸延する凸状体ＷＬ２とが一体に形成される。このとき、凸状体ＷＬ２が第１領域ＡＰ１の側にのみ形成されるので、壁画素電極ＰＸＢも第１領域ＡＰ１の側にのみに形成される構成となっている。ただし、壁画素電極ＰＸＢから伸延される透明導電膜は、保持容量ＳＣを形成するための容量電極ＰＸＳとしてＸ方向に伸延する凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の頭頂面から側壁面を介して、第２領域ＡＰ２の側の凸状体ＷＬ１の側壁面までの領域を覆うように形成されている。また、保持容量ＳＣを形成する他方の電極である容量電極ＣＴＳは、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の側壁面から第２領域ＡＰ２の側の凸状体ＷＬ１の側壁面に至る領域を覆うようにして形成されている。
【００５４】
この凸状体ＷＬ２を設けることにより、図６及び図７に示すように、凸状体ＷＬ２と第２基板ＳＵＢ２との間の領域には、液晶層ＬＣが非常に薄く形成される、又は第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に形成される配向膜ＯＲＩと凸状体ＷＬの頭頂部に形成される配向膜ＯＲＩとが当接されることとなり、液晶排除領域ＥＡが構成される。
【００５５】
また、実施形態１の第１領域ＡＰ１の側では、凸状体ＷＬ２の頭頂面を超えて画素表示部側に容量電極ＣＴＳが形成されない構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＢが形成される部分では、凸状体ＷＬ２よりも画素表示部に近い側では壁画素電極ＰＸＢの壁状電極ＰＸＶと平面電極ＰＸＨとが形成される。
【００５６】
さらには、凸状体ＷＬ２の頭頂面に沿って容量電極ＣＴＳが形成されるので、凸状体ＷＬ２の端面部分すなわち容量電極ＣＴＳの画素表示部から遠い側の凸状体ＷＬ２の辺縁部である液晶排除領域ＥＡにおいては、逆捩れ方向の電界が発生することとなる。この液晶排除領域ＥＡで液晶分子ＬＣＭの逆捩れ発生した場合、近傍の液晶分子ＬＣＭの配向にも逆捩れを生じさせようとなるので、順捩れと逆捩れが拮抗する領域にドメインを生じさせることとなる。しかしながら、実施形態１の画素構成では凸状体ＷＬ２により液晶排除領域ＥＡが形成されているので、逆捩れ方向の電界による液晶分子ＬＣＭの逆捩れが抑制できる。従って、液晶分子ＬＣＭの逆捩れに伴うドメインの発生を抑制（解消）でき、表示モード効率を向上させることができる。
【００５７】
このような構成からなる実施形態１の液晶表示装置に対して、壁画素電極ＰＸＡを備える液晶表示装置において、特許文献１に記載の技術を適用した場合には、図５に示すように、Ｘ方向に隣接する画素領域部分のみに凸状体ＷＬが形成されることとなる。すなわち、実施形態１の壁画素電極ＰＸＡに対応する領域のみに凸状体ＷＬ１が形成されることとなる。この構成において、第１領域ＡＰ１側の容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部を容量電極ＰＸＳの辺縁部よりも画素表示部から遠い側に後退させた場合であっても、凸状体ＷＬ１が形成される領域を除く他の領域では、液晶層ＬＣが画素表示部と同じ液晶層厚で形成されている。従って、図５に示す液晶表示装置では、容量電極ＣＴＳの辺縁部に沿って逆捩れ領域ＲＡが形成されることとなり、この逆捩れ領域ＲＡで生じた液晶分子ＬＣＭの逆捩れが容量電極ＰＸＳのみが形成される領域の液晶分子ＬＣＭの配向に影響を与え、画素表示部の液晶分子ＬＣＭの配向にも逆捩れの影響を及ぼすこととなり、表示モード効率を低減させてしまう。
【００５８】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、凸状体ＷＬ２の頭頂部に容量電極ＣＴＳの辺縁部が形成される構成としたが、これに限定されることはない。例えば、図８に示すように、凸状体ＷＬ２の側壁面の内で画素表示部から遠い側の側壁面、さらには凸状体ＷＬ２よりも画素表示部から遠い側に容量電極ＣＴＳの辺縁部を形成する構成であってよい。この構成であっても、凸状体ＷＬ２の辺縁部又は容量電極ＣＴＳの辺縁部との内で、画素表示部から遠い側では液晶分子のＬＣＭ逆捩れが生じることとなるが、凸状体ＷＬ２により液晶排除領域ＥＡを形成する構成となっているので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れが画素表示部の液晶分子ＬＣＭに影響を及ぼすことを防止できる。
【００５９】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、信号配線であるドレイン線ＤＬと壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが同層に形成される構成、すなわち共通電極ＣＴよりも壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢがドレイン線ＤＬや図示しないゲート線等の信号配線が形成される層(薄膜層)に近い層に形成されている。このために、保持容量ＳＣを形成する画素の端部に形成される保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、信号配線から遠い薄膜層すなわち液晶層ＬＣに近い側の薄膜層に形成される容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺部を容量電極ＰＸＳの辺部よりも後退させた後退領域ＲＴを形成する。このとき、共通電極ＣＴで２つ分割される画素表示部の内で、液晶分子ＬＣＭの順捩れ方向側となる画素表示部である第１領域ＡＰ１の側にのみ後退領域ＲＴを形成する。さらには、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の頭頂面に後退領域ＲＴの辺部が形成される構成とすることにより液晶排除領域ＥＡを形成しているので、容量電極ＣＴＳの端部と容量電極ＰＸＳとの間に生じる逆捩れ方向の電界による液晶分子ＬＣＭの逆捩れを排除することができる。その結果、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの端部すなわち画素表示部の端部での液晶分子ＬＣＭの逆捩れに伴うドメインに起因する透過率の低下を防止することができるので、表示モード効率を向上させることができる。
【００６０】
さらには、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢは、それぞれ凸状体ＷＬの側壁面に形成される側壁電極ＰＸＶと、該側壁電極ＰＸＶの端部から基板の面内方向に延在する平面電極ＰＸＨとから構成されている。従って、側壁電極ＰＸＶから共通電極ＣＴに向かう電気力線の内で、第１基板の裏面側に向かう電気力線を低減させることができるので、表示モード効率をさらに向上させることができる。
【００６１】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、凸状体ＷＬの伸延方向に直交する平面での断面形状が頭頂側よりも底辺側が大きい台形形状の場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、底辺側よりも頭頂側が大きい台形形状や矩形形状、さらには、側壁面及び／又は頭頂面が曲面となる形状であってもよい。
【００６２】
〈実施形態２〉
図９は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図１０は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第２基板側の拡大図、図１１は図９に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。ただし、図９は実施形態１の図２に相当する図面、図１１は実施形態１の図３に相当する図である。また、実施形態２の液晶表示装置は、Ｙ方向に線状に伸延される第１共通電極ＣＴ１及び第２共通電極ＣＴ２の構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第１及び第２共通電極ＣＴ１，ＣＴ２の構成について詳細に説明する。
【００６３】
図９に示すように、実施形態２の画素構成においても、Ｘ方向に対しては隣接画素との境界を跨ぐように形成され、Ｙ方向に対しては画素表示部とその端部に形成される保持容量ＳＣの領域との間に形成されるＣ字形状の凸状体ＷＬが配置され、凸状体ＷＬ２が図示しない液晶排除領域ＥＡを形成している。さらには、凸状体ＷＬの側壁面には壁状電極ＰＸＶが形成されると共に、該壁状電極ＰＸＶの第１基板ＳＵＢ１の側に平面電極ＰＸＨが形成され、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成している。このとき、実施形態２においても、平面的にＣ字形状をなす凸状体ＷＬの内側の側壁面側に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと、Ｃ字形状の画素表示部側に形成される凸状体ＷＬの外壁面に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡとで囲まれる領域が画素表示部となる。また、各画素の画素表示部にはＹ方向に伸延する線状の第１共通電極ＣＴ１が形成されており、実施形態１と同様に、壁画素電極ＰＸＢは画素の図中左側辺縁部から第１共通電極ＣＴ１の形成位置まで伸延される構成となっている。さらには、実施形態２においても、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する透明導電膜と、第１共通電極ＣＴ１を形成する透明導電膜とが画素領域の長手方向の端部において保持容量ＳＣを形成する構成となっている。従って、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
また、実施形態２の液晶表示装置においては、図１０に示すように、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側にも線状の共通電極である第２共通電極（第３電極）ＣＴ２が形成されている。この第２共通電極ＣＴ２は第１共通電極ＣＴ１と同様の透明導電膜からなり、第１共通電極ＣＴ１の線幅よりも第２共通電極ＣＴ２の線幅が大きく形成されている。さらには、後に詳述するように、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わされた状態において、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１に、第２共通電極ＣＴ２が液晶層ＬＣを介して対峙する位置に形成される構成となっている。すなわち、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳する位置に形成される構成となっている。
【００６５】
また、第２共通電極ＣＴ２においても、第１共通電極ＣＴ１と同様に、画素の長手方向の端部には、当該第２共通電極ＣＴ２を形成する透明導電膜からなる電極（平板電極ＣＴ２Ｓ、第４電極）がそれぞれ形成される構成となっている。この平板電極ＣＴ２ＳはＸ方向及びＹ方向に隣接する画素の平板電極ＣＴ２Ｓと一体に形成され、電気的に接続されている。この構成により、平板電極ＣＴ２Ｓを第２共通電極ＣＴ２に共通信号を供給するコモン線として用いる構成とすると共に、第２共通電極ＣＴ２部分に断線とが生じた場合であっても、断線した部分の両端の第２共通電極ＣＴ２に共通信号が供給される構成としている。
【００６６】
さらには、図１０に示すように、平板電極ＣＴ２Ｓの第１領域ＡＰ１の側には、容量電極ＣＴＳに形成される後退領域ＲＴに対応（対峙）する位置に後退領域ＲＴ２が形成される構成となっている。この後退領域ＲＴ２を形成することにより、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢや容量電極ＰＸＳと平板電極ＣＴ２Ｓとの間に生じる電界に起因する第２基板ＳＵＢ２の近傍における液晶分子ＬＣＭの逆捩れを抑制することができる。従って、画素表示部の辺縁部すなわち容量電極ＰＸＳの辺部に生じるドメインを抑制（解消）することができ、表示モード効率を向上させることができる。ただし、平板電極ＣＴ２Ｓに後退領域ＲＴ２が形成されない構成であってもよい。
【００６７】
また、平板電極ＣＴ２Ｓは第２基板ＳＵＢ２に形成されるので、当該平板電極ＣＴ２Ｓと容量電極ＰＸＳとは液晶層ＬＣを挟んで対峙される構成となる。従って、保持容量ＳＣとしての寄与は小さいと考えられるので、図１０中に示す第２領域ＡＰ２での平板電極ＣＴ２Ｓの画素表示部側の辺縁部と、第１領域ＡＰ１での平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部との距離Ｙ１すなわち後退領域ＲＴ２のＹ方向長さＹ１は、容量電極ＣＴＳに形成される後退領域ＲＴ２のＹ方向長さよりも隣接画素の方向に離して形成してもよい。特に、平板電極ＣＴ２Ｓの距離（後退領域ＲＴ２のＹ方向長さ）Ｙ１が容量電極ＣＴＳの後退領域ＲＴ２のＹ方向長さと同じ又は大きい構成とすることにより、後退領域ＲＴ２の辺部（平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部）と画素表示部の辺部との距離を大きくできるので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を抑制しつつ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得られる。
【００６８】
この構成からなる実施形態２の液晶表示装置では、図１１に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶側には、絶縁膜ＰＡＳ１、ドレイン線ＤＬ、凸状体ＷＬ、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ、絶縁膜ＰＡＳ２、第１共通電極ＣＴ１、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成されている。また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭで分割される領域に対応して、ＲＧＢの何れかのカラーフィルタＣＦが形成されている。このカラーフィルタＣＦの液晶面側には、第１共通電極ＣＴ１と液晶層ＬＣを介して対峙する位置に第２共通電極ＣＴ２が形成され、この第２共通電極ＣＴ２を覆うようにして、第２基板ＳＵＢ２の少なくとも表示領域内に配向膜ＯＲＩが形成されている。
【００６９】
このとき、実施形態２の液晶表示装置では、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とは、例えば液晶表示パネルＰＮＬの端部で電気的に接続され、同じ共通信号が供給される構成となっている。この場合、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと第１及び第２共通電極ＣＴ２とのＸ方向の距離に比較して、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とのＺ方向の距離が十分小さいので、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳される領域の液晶層ＬＣには、等電位となる領域(等電位領域)が形成される。この等電位領域は壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢの突出方向（Ｚ方向）にも形成されることとなり、擬似的な壁電極（擬似壁共通電極）として機能することとなるので、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと擬似壁共通電極との間に生じる電気力線は、実施形態１の液晶表示装置よりも第１基板ＳＵＢ１の面内方向と平行に形成されることとなる。その結果、液晶分子の回転方向をさらに第１基板ＳＵＢ１の面内方向と平行に回転させることが可能となるので、実施形態１の効果に加えて、液晶表示装置の透過率を向上させ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得ることができる。
【００７０】
さらには、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２との間の領域に形成される擬似壁共通電極では、等電位面のＸ方向の幅が第１共通電極ＣＴ１よりも細く形成されることとなる。その結果、第１共通電極ＣＴ１又は第２共通電極ＣＴ２が形成される領域にも面内方向（横電界）を生じさせることが可能となり、この領域の液晶分子も駆動することができるので、各画素の開口率を向上させることができるという格別の効果を得ることもできる。
【００７１】
なお、実施形態２の液晶表示装置では、壁画素電極ＰＸＡが形成される凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２とを一体に形成する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、画素の境界を跨ぐように形成される（壁画素電極ＰＸＡが形成される）凸状体ＷＬ１を形成した後に、別の厚膜材料で壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２を形成する等、異なる工程で形成する構成であってもよい。ただし、壁画素電極ＰＸＡが形成される凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２とを一体に形成することによって、凸状体ＷＬの形成に伴う工程数を低減できる。
【００７２】
〈実施形態３〉
図１２は本発明の実施形態３の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図１３は図１２に示すＦ−Ｆ’線での断面図であり、以下、図１２及び図１３に基づいて実施形態３の液晶表示装置における画素構成について説明する。ただし、説明を簡単にするために、薄膜トランジスタ等については省略する。また、図１２に示す画素ＰＸＬの拡大図は、Ｘ方向に隣接する２画素分の拡大図を示す。さらには、実施形態３の画素構成においても、実施形態１と同様に、画素の長手方向に延在する壁画素電極ＰＸＡ及び共通電極ＣＴとがＹ方向に対して時計回りに傾斜する領域と反時計回りに傾斜する領域とが長手方向の中央部で接続されると共に、保持容量ＳＣを形成するための容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳが画素の長手方向の端部(図中の上側端部及び下側端部)にそれぞれ形成されている。
【００７３】
図１３の断面図から明らかなように、実施形態３の液層表示装置は第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。絶縁膜ＰＡＳ１の上面(液晶側面)には、ドレイン線ＤＬ及び共通電極ＣＴが形成されており、該ドレイン線ＤＬ及び共通電極ＣＴを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳ２の上面には、隣接画素との境界を跨ぐようにしてＹ方向に延在する凸状体ＷＬ１と、凸状体ＷＬ１の端部から画素表示部の辺縁部に沿ってＸ方向に延在する凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬが形成されている。この凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと、該壁状電極ＰＸＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＰＸＨとから壁画素電極ＰＸＡが形成されている。また、壁画素電極ＰＸＡの表面を含む第１基板ＳＵＢ１の全面には配向膜ＯＲＩが形成されている。ただし、実施形態３の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬの延在方向に沿った壁画素電極ＰＸＡのみを有する構成となっている。
【００７４】
一方、第２基板ＳＵＢ２の側の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となっており、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩがそれぞれ積層されている。
【００７５】
なお、実施形態３の構成においては、ドレイン線ＤＬはＹ方向に伸延する構成となっており、共通電極ＣＴは画素の長手方向の端部におおて保持容量ＳＣを形成する平板状の電極である容量電極ＣＴＳと一体に形成され、当該容量電極ＣＴＳがＸ方向に伸延される構成となっている。このために、画素の角部においてドレイン線ＤＬと容量電極ＣＴＳとが交差することとなる。従って、実施形態３の液晶表示装置では、この交差領域においてドレイン線ＤＬと容量電極ＣＴＳとが短絡しないようにするために、図示しない絶縁膜が形成されている。ただし、共通電極ＣＴから延在して形成される容量電極ＣＴＳも画素毎に形成し、例えば、図示しないゲート線と同層にＸ方向に延在しＹ方向に並設され、共通信号が供給されるコモン線ＣＬを形成し、各画素の領域内でコモン線ＣＬと容量電極ＣＴＳとを電気的に接続する構成であってもよい。
【００７６】
前述する構成からなる実施形態３の液晶表示装置は、図１２に示すように、隣接画素との境界を跨ぐようにして形成される凸状体ＷＬ１と、この凸状体ＷＬ１の端部から図中左側にそれぞれ延在される凸状体ＷＬ２とからなるＣ字状（又はＭ字状）の外形を有する凸状体ＷＬを有している。このとき、実施形態３の構成では、凸状体ＷＬの側壁面の内で画素の長手方向に沿った側壁面にのみ壁画素電極ＰＸＡが形成される構成となっている。
【００７７】
実施形態３の壁画素電極ＰＸＡと共通電極ＣＴとでは、画素領域の辺縁部に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜よりも、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜がドレイン線ＤＬ等の信号配線に近い層に形成される構成となっている。すなわち、実施形態３の構成では、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜よりも壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜が液晶層ＬＣに近い層に形成されている。このために、実施形態３の液晶表示装置では、容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴが形成される構成となっており、その形成位置は共通電極ＣＴによって分割される図中右側の第２領域ＡＰ２となっている。すなわち、容量電極ＰＸＳの画素表示部側の端部が容量電極ＣＴＳの画素表示部側の端部よりも後退した構成となり、液晶層ＬＣの側から見て、この後退した領域（後退領域ＲＴ）から下層に形成される容量電極ＣＴＳが露出される構成となっている。ただし、実施形態３の画素構成では、ドレイン線ＤＬと同層に図示しない薄膜トランジスタのソース電極も形成される構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＡ及び容量電極ＰＸＳを形成する透明導電膜とソース電極とは、容量電極ＰＸＳの下層に配置される絶縁膜ＰＡＳ２に形成したスルーホールＴＨを介して電気的に接続される構成となっている。
【００７８】
さらには、実施形態３の液晶表示装置では、この後退した容量電極ＰＸＳの端部すなわち後退領域ＲＴの画素表示部から遠い側の辺縁部は、凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成される構成となっている。このような構成とすることにより、前述する実施形態１の液晶表示装置と同様にして、凸状体ＷＬ２の頭頂部と第２基板ＳＵＢ２との間隔が非常に狭い構成となり、液晶排除領域ＥＡを形成しているので、容量電極ＰＸＳの辺部や後退領域ＲＴの角部であっても液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を防止することができる。その結果、実施形態１と同様に、逆捩れ方向に回転した液晶分子ＬＣＭと順捩れ方向に回転した液晶分子ＬＣＭとが画素表示部の辺部において拮抗することに伴うドメインの発生を排除することができるので、表示モード効率を向上することができる。
【００７９】
〈保持容量領域の詳細構成〉
次に、図１４に本発明の実施形態３の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図１５に壁画素電極のみを有する液晶表示装置の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図１６に図１４のＧ−Ｇ’線での断面図、図１７に図１４に実施形態３の凸状体の形成領域を説明するための図を示し、以下、図１４〜図１７に基づいて実施形態３の液晶表示装置における液晶分子の逆捩れの抑制効果について説明する。ただし、実施形態１と同様に、各画素の上側領域と下側領域とでは、液晶分子ＬＣＭに印加される電界の方向が異なり、液晶分子の回転方向が異なる構成が異なるのみで基本的な画素の構成は同じ構成となるので、以下の説明では、画素の上側領域での画素構成及び液晶分子ＬＣＭの回転動作について詳細に説明する。
【００８０】
図１４に示すように、保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとの内で、壁画素電極ＰＸＡから延在される透明導電膜が容量電極ＣＴＳよりも液晶層ＬＣに近い側に形成される場合、液晶分子ＬＣＭの逆捩れに起因するドメインの発生は第２領域ＡＰ２となる。このとき、逆捩れの発生する第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴを形成することにより、逆捩れ領域ＲＡを後退領域ＲＴの角部に移動させることができる。
【００８１】
従って、実施形態３の液晶表示装置では、共通電極ＣＴから延在する容量電極ＣＴＳの端部よりも、壁画素電極ＰＸＡから延在する容量電極ＰＸＳの端部が後退する形状となっている。すなわち、画素領域の上側端部に保持容量ＳＣを形成する一対の容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、ドレイン線ＤＬ等の信号配線よりも遠い層に形成される容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴが形成される構成となっている。この後退領域ＲＴの形成により、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部よりも容量電極ＰＸＳの画素表示部の辺縁部が後退して形成される。
【００８２】
また、実施形態３の液晶表示装置では、画素領域の図中右側辺部にＹ方向に沿って形成される凸状体ＷＬ１の端部からＸ方向に沿って形成される凸状体ＷＬ２を備える構成となっている。この凸状体ＷＬ２は少なくとも共通電極ＣＴが形成される領域以下のＸ方向長さで形成され、液晶排除領域ＥＡを形成している。なお、凸状体ＷＬ２のＸ方向長さは、後に詳述する逆捩れ領域ＲＡを含む領域に形成される。また、実施形態３の液晶表示装置においても、後退領域ＲＴの画素表示部側の端部すなわちＸ方向に延在する辺縁部は、凸状体ＷＬ２の頭頂部又は凸状体ＷＬ２よりも画素境界側に形成される構成となっている。
【００８３】
この構成からなる実施形態３の液晶表示装置では、画素表示部の辺部の内で、壁画素電極ＰＸＡや共通電極ＣＴの端部すなわち保持容量ＳＣの形成領域の画素表示部側の辺部において、第１領域ＡＰ１では、壁画素電極ＰＸＡと同電位となる容量電極ＰＸＳの辺縁部が上層に形成される。従って、図１４に示すように、画素表示部の辺部においても順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも−θで示す順捩れ方向に平面内で回転することとなる。また、第２領域ＡＰ２の側の画素表示部の辺部においては、容量電極ＰＸＳが下層の容量電極ＣＴＳよりも後退した後退領域ＲＴが形成され、液晶層ＬＣの側に容量電極ＰＸＳが露出されている。すなわち、画素表示部の辺部には、容量電極ＣＴＳの辺縁部が配置されることとなるので、この辺縁部近傍の液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも順捩れ方向に回転する。
【００８４】
一方、後退領域ＲＴの辺縁部すなわち容量電極ＰＸＳの辺縁部においては、容量電極ＰＸＳから容量電極ＣＴＳの辺縁部に向かう電気力線が生じこととなる。このとき、後退領域ＲＴの角部の内で、壁画素電極ＰＸＡに近い側であり、かつ画素境界に近い側の角部、すなわち容量電極ＰＸＳに形成されるＸ方向の凹部領域の底辺端部の内で壁画素電極ＰＸＡの側の角部においては、図１５に示すように、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も逆捩れ方向となり、この領域（図１５中に逆捩れ領域ＲＡで示す領域）では液晶分子ＬＣＭもθで示す逆捩れ方向に回転することとなる。
【００８５】
このとき、実施形態３の液晶表示装置では、液晶分子ＬＣＭに逆捩れが生じることとなる後退領域ＲＴの角部に凸状体ＷＬ２が配置され、液晶排除領域ＥＡが形成される構成となっている。また、図１６に示すように、凸状体ＷＬ２の頭頂部に容量電極ＰＸＳの端部が形成される構成となっている。従って、前述する実施形態１と同様に、液晶排除領域ＥＡにより液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を排除することが可能となり、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
前述する実施形態３の液晶表示装置に対して、図１５に示す凸状体ＷＬ２を有しない液晶表示装置では、壁画素電極ＰＸＡを形成しＹ方向に延在する透明導電膜の画素表示部側の端辺と、後退領域ＲＴの辺部の内で、Ｘ方向に伸延する端部とが交差する領域ＲＡにおいて、液晶分子ＬＣＭに逆捩れが発生することとなる。この逆捩れは、画素表示部の液晶分子ＬＣＭの順捩れに影響を与えるので、画素表示部の端部においてドメインが生じ、表示モード効率が低下してしまうこととなる。
【００８７】
また、図１７に示すように、各画素の画素表示部の短手方向の幅をＷ０、凸状体ＷＬ２の幅をＷ１とした場合、Ｗ１＝Ｗ０×１０％であってもよく、Ｗ１＝Ｗ０×５０％であってもよい。すなわち、凸状体ＷＬ２の幅Ｗ１は、Ｗ０×１０％≦Ｗ１≦Ｗ０×５０％が好適である。この領域で規定される凸状体ＷＬ２を形成することにより、ドメイン発生の原因となる逆捩れ方向の液晶が排除され、ドメインを抑制できる。その結果、画素全体でドメインを抑制でき、表示モード効率を向上できる。なお、凸状体ＷＬ２の幅について、後述する実施形態４，５にも同様にして適用可能である。
【００８８】
〈実施形態４〉
図１８は本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図、図１９は本発明の実施形態４の液晶表示装置における第２共通電極の概略構成を説明するための図、図２０は図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は第２基板ＳＵＢ２の側に形成される第２共通電極ＣＴ２の共通電極ＣＴの構成を除く他の構成は、実施形態３の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とからなる共通電極ＣＴについて詳細に説明する。
【００８９】
図２０から明らかなように、実施形態４の液晶表示装置においても、第１基板ＳＵＢ１の側には、図示しないゲート線、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される絶縁膜ＰＡＳ１、及び該絶縁膜ＰＡＳ１の上面(液晶側面)に同層に形成されるドレイン線ＤＬと第１共通電極ＣＴ１とを有する構成となっている。また、ドレイン線ＤＬ及び第１共通電極ＣＴ１を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される絶縁膜ＰＡＳ２、該絶縁膜ＷＬ２の上面に隣接画素との境界を跨ぐようにしてＹ方向に延在して形成される凸状体ＷＬ１と該凸状体ＷＬ１の端部から画素表示部の辺縁部に沿ってＸ方向に延在する凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬを有する構成となっている。さらには、該凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと、該壁状電極ＰＸＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＰＸＨとからなる壁画素電極ＰＸＡ、及び該壁画素電極ＰＸＡの表面を含む第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される配向膜ＯＲＩを有する構成となっている。
【００９０】
一方、実施形態４の第２基板ＳＵＢ２には、実施形態２の第２基板ＳＵＢ２と同様に、液晶面側にブラックマトリクスＢＭ、該ブラックマトリクスＢＭを形成されるＲＧＢの各色に対応したカラーフィルタＣＦ、該カラーフィルタＣＦの上層に形成される第２共通電極ＣＴ２、及び該第２共通電極ＣＴ２を覆うようにして第２基板ＳＵＢ２の全面に形成される配向膜ＯＲＩを有する構成となっている。
【００９１】
この構成からなる実施形態４の画素構成では、図１８に示すように、図中左側が開放されるＣ字状の凸状体ＷＬが隣接画素との境界を跨ぐようにして配置されている。このとき、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１と液晶層ＬＣを介して対峙する位置に、図１９に示す第１共通電極ＣＴ１よりも配線幅の広い線状の第２共通電極ＣＴ２が形成されている。この第２共通電極ＣＴ２には、実施形態２と同様に、第１共通電極ＣＴ１と同じ共通信号が供給される構成となっている。その結果、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳される領域では、液晶層ＬＣを介して電位が同じとなり、擬似的な壁状の共通電極ＣＴが形成される。
【００９２】
このとき、実施形態４の画素構成では、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１がドレイン線ＤＬ等の信号配線と近い層に形成されている。従って、後退領域ＲＴの保持容量ＳＣが形成される画素の端部においては、壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜の第２領域ＡＰ２に対応する部分に後退領域ＲＴが形成される構成となっている。すなわち、実施形態４の液晶表示装置においては、容量電極ＣＴＳよりも容量電極ＰＸＳが液晶層ＬＣに近い側に形成される構成となっているので、第２領域ＡＰ２の側に後退領域ＲＴが形成される構成となっている。さらには、実施形態４の画素構成では、実施形態３の画素構成と同様に、壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜の後退領域ＲＴの端部が凸状体ＷＬ２の頭頂部すなわち液晶排除領域ＥＡに配置される構成となっているので、実施形態４と同様に効果を得ることができる。
【００９３】
また、実施形態４の第２共通電極ＣＴ２も実施形態２の第２共通電極ＣＴ２と同様の形状で形成されているので、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得ることができる。
【００９４】
さらには、平板電極ＣＴ２Ｓの距離（後退領域ＲＴ２のＹ方向長さ）Ｙ１が容量電極ＣＴＳの後退領域ＲＴ２のＹ方向長さと同じ又は大きい構成とすることにより、後退領域ＲＴ２の辺部（平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部）と画素表示部の辺部との距離を大きくできるので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を抑制しつつ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得られる。
【００９５】
〈実施形態５〉
図２１は本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための２画素分の拡大図、図２２は図２１に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。ただし、実施形態５の液晶表示装置は凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状の共通電極(以下、壁共通電極と記す)ＣＴＡと、一対の壁共通電極ＣＴＡとの間の領域に形成される線状の画素電極ＰＸの構成を除く他の構成は、実施形態３の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、壁共通電極ＣＴＡと画素電極ＰＸの構成について詳細に説明する。
【００９６】
図２２に示すように、実施形態５の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に、図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。該絶縁膜ＰＡＳ１の上面には、Ｙ方向に延在するドレイン線ＤＬと、Ｙ方向に延在する線状の透明導電膜からなる画素電極ＰＸとがそれぞれ形成され、ドレイン線ＤＬ及び画素電極ＰＸを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳの上面には画素境界を跨ぐようにしてＣ字状（Ｍ字状）の凸状体ＷＬが形成され、該凸状体ＷＬの内の凸状体ＷＬ１を覆うようにして、該凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状電極ＣＴＶと、該壁状電極ＣＴＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＣＴＨとからなる壁共通電極ＣＴＡが形成されている。また、壁共通電極ＣＴＡの上面には当該壁共通電極ＣＴＡを覆うようにして、配向膜ＯＲＩが第１基板ＳＵＢ１の全面に形成されている。
【００９７】
この構成から明らかなように、実施形態５の液晶表示装置においては、共通信号が供給される共通電極ＣＴの側を壁状の電極すなわち壁共通電極ＣＴＡで形成する構成としている。さらには、共通信号は各画素に共通な信号すなわち各画素に同じ信号が供給されるので、実施形態５の画素構成においても壁共通電極ＣＴＡに同じ信号が共通される構成となる。従って、壁状の電極を形成するための第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に段差を形成するための凸状体ＷＬ１の側壁面と共に、頭頂面にも共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成され、隣接画素の壁共通電極ＣＴＡを電気的に接続する構成となっている。
【００９８】
また、実施形態５の壁共通電極ＣＴＡにおいても、実施形態３の壁画素電極ＰＸＡと同様に、各壁共通電極ＣＴＡは凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状電極ＣＴ１と、該壁状電極ＣＴ１から連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿って長さＷで形成される平面電極ＣＴ２とから形成されている。この構成により、第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設（傾斜）される、すなわち第２基板ＳＵＢ２が配置される側に向かって該第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設される壁状電極ＣＴ１を形成し、壁共通電極ＣＴＡが画素ＰＸＬの周縁部に沿って当該画素ＰＸＬの長手方向の辺縁部に対向配置される構成としている。なお、実施形態５においては、壁共通電極ＣＴＡは隣接する画素ＰＸＬとの境界部分に形成されているので、透光性を有する導電膜材料に限定されることはなく、アルミニウムやクロムをはじめとする金属薄膜等の透光性を有しない導電膜材料で形成する構成であってもよい。
【００９９】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、実施形態３と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成される構成となっている。
【０１００】
このような構成から実施形態１の液晶表示装置では、図２１に示すように、壁共通電極ＣＴＡを形成する透明導電膜は、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側の内で各画素の画素表示部を除く領域（第１の容量電極となる容量電極ＣＴＳを含む領域）に環状に形成されている。これに対して、線状の画素電極ＰＸを形成する透明導電膜は、各画素領域の上側端部及び下側端部において保持容量ＳＣを形成する第２の容量電極となる容量電極ＰＸＳを有する構成となっている。
【０１０１】
このとき、実施形態５の液晶表示装置においては、画素の長手方向（Ｙ方向）の端部において保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとの内で、ドレイン線ＤＬやゲート線等の信号配線に近い層の側に容量電極ＰＸＳが形成されることとなる。従って、実施形態５の画素構成においては、信号配線から遠い層すなわち液晶層ＬＣに近い側の層に形成される容量電極ＣＴＳに後退領域ＲＴが形成されている。このとき、壁状の電極に共通信号が供給されると共に、線状の電極に映像信号が供給される構成となっているので、容量電極ＣＴＳの第２領域ＡＰ２の側に後退領域ＲＴが形成されることとなる。さらには、後退領域ＲＴの端部すなわち容量電極ＣＴＳの端部が、凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成されると共に後退領域ＲＴの角部も凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の頭頂面に形成される、すなわち凸状体ＷＬ２により形成される液晶排除領域ＥＡに形成される構成となっているので、実施形態３と同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
〈実施形態６〉
図２３は本発明の実施形態６の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図、図２４は図２３に示すＭ−Ｍ’線での断面図である。ただし、実施形態６の液晶表示装置は凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状の共通電極(壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢ)と、画素表示部を挟んで対向配置される壁共通電極ＣＴＡとの間の領域に形成される線状の画素電極ＰＸの構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢと画素電極ＰＸの構成について詳細に説明する。
【０１０３】
図２４に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側には、Ｘ方向に延在する図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。絶縁膜ＰＡＳ１の上層にはＹ方向に延在するドレイン線ＤＬが形成されると共に、少なくとも画素表示部に対応する領域のドレイン線ＤＬを覆うと共に、隣接画素との境界を跨ぐようにして凸状体ＷＬが形成されている。ここで、実施形態６の画素構成においては、凸状体ＷＬ１と凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬの側壁面及び頭頂面に共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成され、壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢを形成している。壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢの上層には、第１基板ＳＵＢ１の全面を覆うようにして絶縁膜ＰＡＳ２が形成され、該絶縁膜ＰＡＳ２の上面に線状の画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸの上層には配向膜ＯＲＩが形成されている。
【０１０４】
また、実施形態６の壁共通電極ＰＸＡ，ＰＸＢにおいても、凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の側壁面に形成される壁状電極ＣＴＶと、該壁状電極ＣＴＶから連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿って形成される平面電極ＣＴＨとから壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢが形成されている。
【０１０５】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、実施形態１と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成される構成となっている。
【０１０６】
この構成からなる実施形態６の液晶表示装置では、図２３に示すように、画素の長手方向（Ｙ方向）の辺部に沿って形成される凸状体ＷＬ１と、該凸状体ＷＬ１の端部から画素の短手方向に沿って形成される凸状体ＷＬ２とからなるＣ字状の凸状体ＷＬを有している。このとき、実施形態１と同様に、凸状体ＷＬ２は凸状体ＷＬ１の端部から線状の電極である画素電極ＰＸの形成位置まで延在されている。この構成により、実施形態６の画素構成においては、凸状体ＷＬの側壁面及び頭頂面はそれぞれ壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢを形成する透明導電膜で覆われる構成となる。
【０１０７】
さらには、実施形態６の画素構成では、ドレイン線ＤＬと壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢとが同層に形成され、その上層に形成される絶縁膜ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸが形成される、すなわち壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢが画素電極ＰＸよりも信号配線に近い層に形成されることとなる。従って、保持容量ＳＣを形成する容量電極ＣＴＳと容量電極ＰＸＳにおいても、容量電極ＣＴＳが信号配線に近い側すなわち容量電極ＰＸＳが液晶層ＬＣに近い側に形成されている。このとき、壁状の電極に共通信号が供給されると共に、線状の電極に映像信号が供給される構成となっているので、容量電極ＰＸＳの第１領域ＡＰ１の側に後退領域ＲＴが形成されることとなる。さらには、後退領域ＲＴの端部すなわち容量電極ＰＸＳの端部が凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成される、すなわち凸状体ＷＬ２により形成される液晶排除領域ＥＡに位置することとなるので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。
【０１０８】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板
ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路、ＣＬ……コモン線
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……共通電極
ＰＸＡ，ＰＸＢ……壁画素電極、ＳＣ……保持容量、ＰＸＬ……画素、ＬＣ……液晶層
ＰＡＳ１，ＰＡＳ２……絶縁膜、ＯＲＩ……配向膜、ＰＸＶ……壁状電極
ＰＸＨ……平面電極、ＣＦ……カラーフィルタ、ＰＯＬ１，ＰＯＬ２……偏光板
ＢＭ……ブラックマトリクス、ＬＣＭ……液晶分子、ＣＴＳ，ＰＸＳ……容量電極
ＡＰ１……第１領域、ＡＰ２……第２領域、ＣＴ１……第１共通電極
ＣＴ２……第２共通電極、ＴＨ……スルーホール、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２……凸状体
ＲＴ……後退領域、ＣＴＡ，ＣＴＢ……壁共通電極、ＰＸＶ，ＣＴＶ……壁状電極
ＰＸＨ，ＣＴＨ……平面電極、ＣＴ２Ｓ……平板電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、各画素内に生じる逆捩れを抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置の性能が向上しており、３〜４インチサイズの中小型の液晶表示装置においても８００×４８０画素のＷＶＧＡ表示が可能な製品が要望されている。しかしながら、ＷＶＧＡ表示が可能な中小型の液晶表示パネルでは、限られた表示領域内に複数の表示画素（以下、画素と記す。）を形成する必要があるために、１つの画素幅が３０μｍ程度となる。このために、さらなる開口率の向上や表示モード効率の向上が要望されている。
【０００３】
表示モード効率を向上させた液晶表示装置として、画素領域の長辺側の辺縁部に対となる電極を形成すると共に、この電極が基板表面から液晶層内に突出するいわゆる壁状の電極形状とする液晶表示装置が知られている。一方の壁状電極（画素電極）には映像信号が供給され、他方の壁状電極（共通電極）には基準となる共通信号が供給されることにより、液晶表示パネルの主面と平行な電界（いわゆる横電界）を生じさせ、液晶分子を駆動する構成となっている。この構成からなる液晶表示装置では、画素電極と共通電極とに挟まれる領域内には電極を形成することができないので、画素領域の短手側の辺部に沿って保持容量となる電極が形成されている。
【０００４】
一方、横電界方式の液晶表示装置における視角変化に伴う表示の色づきを抑制するために、例えば、特許文献１に示すように、１つの画素領域を２つ以上の異なる傾斜角の領域で形成した液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタ等が形成される第１基板に、線状の画素電極と線状の共通電極とを絶縁膜を介して交互に配置すると共に、画素領域内で画素電極及び共通電極とをＶ字型に屈曲して形成している。このＶ字型の屈曲部を境にして、液晶分子の回転方向が反対となるようにして、視角変化に伴う表示の色づきを抑制するマルチドメイン構造としている。
【０００５】
さらには、特許文献１に記載の液晶表示装置では、線状の画素電極及び共通電極のＶ字型屈曲部だけでなく、線状の画素電極及び共通電極の端部もＶ字型にして、画素端部に発生するドメインを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３８７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の液晶表示装置では、画素領域内に複数の線状電極が配置されることとなっているので、面内方向の画素電極と共通電極間隔が約４μｍ程度である。これに対して、壁電極を用いた液晶表示装置では、画素の辺縁部に電極が配置されることとなるので、画素電極と共通電極との間隔が約３０μｍ程度となる。
【０００８】
このために、壁電極方式の液晶表示装置において、保持容量を画素端部に形成することに伴う液晶分子の逆捩れ（以下、本願明細中では、単に「ドメイン」と記す）の発生を防止するために、特許文献１と同様に、画素電極及び共通電極の端部にＶ字型の傾斜を形成した場合であっても、ドメインの発生を抑制することができないという問題がある。
【０００９】
また、壁電極方式の液晶表示装置として、画素領域の辺縁部に沿って環状の画素電極を形成すると共に、画素の中心部分に線状の共通電極が形成される構成では、画素電極と共通電極間隔が半分程度の１０μｍ程度に小さくすることが可能となるが、保持容量を形成する第１電極と第２電極との間隔に比較した場合に非常に大きな距離となるので、各画素の表示部（画素表示部、開口部）の端部で発生したドメインが原因となって、透過率が低下し表示モード効率が大きく低下してしまうことが懸念されている。
【００１０】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制し、表示モード効率を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）前記課題を解決すべく、本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成され、前記液晶層側から平面的に見て、前記第２の容量電極が前記第１の容量電極の後退領域から露出されると共に、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える。
【００１２】
（２）前記課題を解決すべく、本発明の液晶表示装置は、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、前記第１基板は、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第３電極と電気的に接続される第４電極と、を備え、前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極及び前記第４電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、前記第１基板は、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、保持容量を形成するための電極端部で生じるドメインを抑制できるので、表示モード効率を向上させることができる。
【００１４】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図３】図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図５】壁画素電極のみを有する液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための図である。
【図６】図４に示すＣ−Ｃ’線での断面図である。
【図７】図４に示すＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図８】図６に対応する他の実施形態の図面である。
【図９】本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図１０】本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第２基板側の拡大図である。
【図１１】図９に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図１２】本発明の実施形態３の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図である。
【図１３】図１２に示すＦ−Ｆ’線での断面図である。
【図１４】本発明の実施形態３の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図１５】壁画素電極のみを有する液晶表示装置の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図である。
【図１６】図１４のＧ−Ｇ’線での断面図である。
【図１７】本発明の実施形態３の他の画素構成を説明するための拡大図である。
【図１８】本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図である。
【図１９】本発明の実施形態４の液晶表示装置における第２共通電極の概略構成を説明するための図である。
【図２０】図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。
【図２１】本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための２画素分の拡大図である。
【図２２】図２１に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。
【図２３】本発明の実施形態６の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図である。
【図２４】図２３に示すＭ−Ｍ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１７】
〈実施形態１〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明する。なお、本願明細中においては、カラーフィルタＣＦや偏光板ＰＯＬ１，ＰＯＬ２などによる吸収の影響や開口率の影響を除いた透過率を表示モード効率とする。従って、バックライトユニット側の偏光板ＰＯＬ１から出射した直線偏光の振動方向が表示面側の偏光板ＰＯＬ２に入射する際に、９０度回転している場合の表示モード効率は１００％となる。
【００１８】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、画素電極ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。また、液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１９】
また、第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第１基板ＳＵＢ１の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
【００２０】
実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲ内には、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００２１】
各画素は、例えば、図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、コモン線ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴとを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴを模式的に線状に記しているが、実施形態１の画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴの構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、画素電極ＰＸと接続される側をソース電極と記す。
【００２２】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴとの間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式と称される。また、実施形態１の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２３】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２４】
〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図３は図２に示すＢ−Ｂ’線での断面図であり、以下、図２及び図３に基づいて実施形態１の液晶表示装置における画素構成について説明する。ただし、説明を簡単にするために、薄膜トランジスタ等については省略する。また、図２に示す画素ＰＸＬの拡大図は、Ｘ方向に隣接する２画素分の拡大図である。
【００２５】
図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、各画素ＰＸＬの４つの辺部の全ての辺部すなわち画素領域の周辺部に沿って画素電極ＰＸ及び保持容量ＳＣを形成する透明導電膜が円環状に形成されている。この構成により、画素電極ＰＸの一箇所が断線した場合であっても、断線した部分の両側が映像信号の供給源となる薄膜トランジスタのソース電極に繋がっている構成とすることができるので、映像信号を安定的に供給できるという効果も得られる。
【００２６】
また、各画素の周辺部（周縁部）にはそれぞれ図中に点線で示す凸状体形状をなし、各画素ＰＸＬの辺部に段差を形成するための絶縁膜（以下、単に凸状体と記す）ＷＬが形成されている。実施形態１の液晶表示装置では、この凸状体ＷＬの一部と透明導電膜の一部とが重畳されるようにして、第１電極となる壁状の画素電極ＰＸ（壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ）が形成される構成となっている。
【００２７】
特に、画素表示部を挟んで平面的に対向配置される一対の画素電極の内で、画素領域ＰＸＬの長手方向（Ｙ方向）に延在し、画素表示部を介して短手方向に対向配置される一対の画素電極ＰＸである壁画素電極ＰＸＡは、Ｘ方向に隣接される隣接画素の壁画素電極ＰＸＡと近接して形成されている。一方、画素領域ＰＸＬの短手方向（Ｘ方向）に延在し、画素表示部を介して長手方向に対向配置される一対の画素電極ＰＸである壁画素電極ＰＸＢは、各画素の図中左側（例えば、当該画素の薄膜トランジスタに接続されるドレイン線ＤＬの側）に形成される壁画素電極ＰＸＡの端部から短手方向（Ｘ方向）に延在するようにして、図中左側の壁画素電極ＰＸＡと一体の構成となっている。このとき、実施形態１の壁画素電極ＰＸＢでは、図中右側の端部すなわち壁画素電極ＰＸＡから連続して形成されない側は、共通電極ＣＴの形成位置まで伸延されている。
【００２８】
このような壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成するために、実施形態１の液晶表示装置では、Ｘ方向に隣接する画素領域を跨ぐようにしてＣ字形状の凸状体ＷＬが形成されている。このＣ字形状の凸状体ＷＬは、画素領域ＰＸＬの長手方向に沿って形成される凸状体（第１凸状体）ＷＬ１と、画素ＰＸＬの短手方向に沿って形成される凸状体（第２凸状体）ＷＬ２とが一体に形成されている。この凸状体ＷＬに沿って壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとなる環状の透明導電膜が形成されているので、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせ工程、及び貼り合わせ後の使用時等においても、液晶が図中の上下に隣接される画素との間で移動可能な構成としている。なお、実施形態１の画素では、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢは円環状の透明導電膜を用いて形成する構成としたが、これに限定されることはなく、透明導電膜の一部に切り欠き等が形成され、円環状とならない例えばＣ字状の導電膜で壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する構成であってもよい。
【００２９】
また、実施形態１の画素ＰＸＬにおいては、長手方向に延在する一対の辺部に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡとの間の領域に、該壁画素電極ＰＸＡと略平行に伸延する線状の共通電極（第２電極）ＣＴが形成される構成となっている。すなわち、共通電極ＣＴは一対の壁画素電極ＰＸＡとの間の領域である画素表示部を短手方向（Ｘ方向）に２つの領域に分けるようにして形成されている。この共通電極ＣＴも透明導電膜で形成されている。ただし、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴを形成する透明導電膜は、例えば透明導電膜材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）及び酸化亜鉛系のＡＺＯ(Aluminum doped Zinc Oxide)やＧＺＯ（Gallium doped Zinc Oxide）等を用いることが可能である。
【００３０】
また、実施形態１の画素ＰＸＬにおいては、画素領域の図２中の上端側及び下端側には、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成されると共に、この上端及び下端の透明電極が隣接画素の上端及び下端の透明導電膜と一体に形成され、コモン線ＣＬを兼ねた構成となっている。さらには、共通電極ＣＴの一箇所が断線した場合であっても、断線した部分の両端が共通信号の供給源に繋がっている構成とすることができるので、共通信号を安定的に供給できるという効果も得られる。
【００３１】
また、画素領域の上端側及び下端側の領域には、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する透明導電膜も絶縁膜を介して形成されており、共通電極ＣＴを形成する平板状の透明導電膜との間で保持容量ＳＣを形成する構成となっている。なお、保持容量ＳＣの詳細な構成については、後に詳述する。
【００３２】
さらには、実施形態１の画素ＰＸＬは、長手方向（Ｙ方向）の図２中の上側領域と下側領域とにおいて、Ｙ方向に対して対称をなすように異なる方向に傾斜され、画素の中央部分で上側領域と下側領域とが接続される構成となっている。この構成では、液晶分子の配向方向は、例えば上側領域及び下側領域においてもＹ方向となるように初期配向がされている。すなわち、各画素ＰＸＬを中央で屈曲させ、尚且つ液晶分子の配向方向をＹ方向（図２中の縦方向）としている。これにより、上側領域と下側領域とが接する屈曲部の上下では、電圧印加時の液晶分子の回転方向は互いに逆方向となり、屈曲部の上側領域では液晶分子は反時計回りに回転し、屈曲部の下側領域では時計回りに回転する。このように、１つの画素内に回転方向が互いに逆となる領域を形成することにより、視角方向での着色を相殺する、いわゆるマルチドメイン構成としている。なお、実施形態１の画素では、上側領域をＹ方向に対して反時計方向に傾斜させ、下側領域を時計方向に傾斜させる構成としたが、それぞれの逆方向に傾斜させる構成であってもよい。
【００３３】
このような構成からなる壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴを備える実施形態１の液晶表示装置は、図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１の上面（液晶面側）に図示しないゲート線がＸ線方向に延在しＹ方向に並設されるようにして形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。該絶縁膜ＰＡＳ１の上面には、ゲート線と重畳する領域に図示しない周知の半導体層が形成され、ゲート線と半導体層とが重畳する領域では絶縁膜ＰＡＳ１がゲート絶縁膜となっている。また、絶縁膜ＰＡＳ１又は半導体層の上層には、例えば金属薄膜からなるドレイン線ＤＬ及び該ドレイン線から伸延される延在部が形成され、この延在部が半導体層の一端に電気的に接続されてドレイン電極を形成している。また、この工程では、半導体層の他端に金属薄膜からなるソース電極が形成され、後の工程においてソース電極と壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとが電気的に接続される。
【００３４】
ドレイン線ＤＬの上層には、画素領域の辺縁部に沿った段差を形成するための絶縁膜からなる凸状体ＷＬ１が当該ドレイン線ＤＬに重畳して形成されている。このとき、実施形態１の凸状体ＷＬ１は、Ｘ方向に対しては隣接する画素領域を跨ぐようにして形成されている。
【００３５】
凸状体ＷＬの側壁面（段差の側壁面）には透明導電膜からなる壁状電極ＰＸＶが形成されている。また、壁状電極ＰＸＶの図３中の下端側すなわち壁状電極ＰＸＶの第１基板ＳＵＢ１の側の端部には、この端部から連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿った平面電極ＰＸＨが形成され、壁状電極ＰＸＶと平面電極ＰＸＨとにより壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが形成されている。この構成により、第２基板ＳＵＢ２が配置される側に向かって第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設される壁画素電極ＰＸＡが形成される構成となっている。
【００３６】
また、画素の短手側の辺部に形成される壁画素電極ＰＸＢにおいても、凸状体ＷＬ２の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと第１基板ＳＵＢ１の主面に沿った平面電極ＰＸＨとから形成されている。このとき、後に詳述するように、画素領域の上端部及び下端部に配置される保持容量ＳＣを形成する電極（容量電極）が壁状電極ＰＸＶの上端側から延在される構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の頭頂面には、壁状電極ＰＸＶから延在する導電性薄膜が当該頭頂面を覆うようにして形成される。
【００３７】
壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢの上層には、この壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面には絶縁膜ＰＡＳ２が形成され、その上層に線状の共通電極ＣＴが形成されている。この共通電極ＣＴの上層には、当該共通電極ＣＴを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に配向膜ＯＲＩが形成され、液晶分子の初期配向方向を制御する構成となっている。
【００３８】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬの裏面側すなわち第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に対向する側の面には図示しないバックライトユニットが配置される構成となっている。該バックライトユニットから照射される図示しないバックライト光は、第１基板ＳＵＢ１のバックライトユニット側に貼り付けされる偏光板ＰＯＬ１の側から偏光板ＰＯＬ１を介して液晶表示パネルＰＮＬに入射する。この入射光は液晶表示パネルＰＮＬで変調された後に、液晶表示パネルＰＮＬの表示面側すなわち第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に対向する側に貼り付けされる偏光板ＰＯＬ２を介して、表示光として出射される。
【００３９】
このように、実施形態１の液晶表示装置においては、映像信号が供給されるドレイン線ＤＬと、薄膜トランジスタのドレイン電極及びソース電極と、画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢとが絶縁膜ＰＡＳ１の上面すなわち同層に形成されている。この構成により、絶縁膜を介することなく、薄膜トランジスタの半導体層にドレイン線ＤＬ等が電気的に接続されるように形成されている。従って、ドレイン線ＤＬや壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと薄膜トランジスタの半導体層とを電気的に接続する場合であっても、周知の貫通孔（スルーホール）を形成することが不要となるので、工程を低減できると共に、貫通孔を形成するための領域が不要となるので、開口率を向上させることができる。
【００４０】
なお、ドレイン線ＤＬ等の信号配線が形成される薄膜層と、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが形成される薄膜層とが異なる層すなわち絶縁膜を介して形成される場合であっても、共通電極ＣＴよりも薄膜トランジスタやドレイン線等の信号配線が形成される薄膜層に近い層に壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する構成とすることにより、貫通孔を形成する絶縁膜の層数を低減でき、開口率を向上できる。
【００４１】
また、実施形態１の液晶表示パネルＰＮＬでは、薄膜トランジスタＴＦＴはドレイン線ＤＬとゲート線とが交差する近傍であり、画素の上部側又は下部側の領域であり、壁画素電極ＰＸＡの延長した位置等に形成される構成となっている。これによりブラックマトリクス（遮光膜）ＢＭで遮光される領域に薄膜トランジスタＴＦＴを形成することができ、画素の開口率を向上させることができる。ただし、薄膜トランジスタＴＦＴの形成位置はこれに限定されることはなく、他の位置であってもよい。
【００４２】
一方、液晶層ＬＣを介して第１基板ＳＵＢ１と対向配置される第２基板ＳＵＢ２の表面の内で、液晶層ＬＣの側である対向面側（液晶側面）には、遮光膜となるブラックマトリクスＢＭが形成されている。このブラックマトリクスＢＭは、従来と同様に、隣接画素との間の領域に形成されており、各画素ＰＸＬの周縁部に沿ってＸ方向及びＹ方向に形成されている。ただし、ブラックマトリクスＢＭは、ドレイン線ＤＬの延在方向であるＹ方向のみ等であってもよい。
【００４３】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、１つの画素ＰＸＬ毎に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の何れかのカラーフィルタＣＦが形成され、このＲＧＢの各色に対応する３つの画素ＰＸＬでカラー表示用の単位画素を形成している。また、カラーフィルタＣＦの上層すなわち液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタＣＦを覆うようにして、周知の配向膜ＯＲＩが形成されている。
【００４４】
〈保持容量領域の詳細構成〉
図４は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図５は壁画素電極のみを有する液晶表示装置における画素端部の詳細構成を説明するための図であり、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと共通電極ＣＴとの間に画像表示用の電界が印加されている場合の液晶分子ＬＣＭの動作も示している。また、図６は図４に示すＣ−Ｃ’線での断面図、図７は図４に示すＤ−Ｄ’線での断面図を示す。さらには、図８は図６に対応する他の実施形態の液晶表示装置における断面図であり、保持容量ＳＣを形成する一方の容量電極の形成位置を説明するための図である。
【００４５】
ただし、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの傾斜方向が液晶の配向方向（初期配向方向）に対して時計回りに傾斜される上側領域と反時計回りに傾斜される下側領域とでは、図示しない薄膜トランジスタの有無を除く他の構成は同様の構成となる。従って、以下の説明では、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの傾斜方向が時計回りに傾斜される上側領域における第１基板ＳＵＢ１に形成される保持容量ＳＣを形成するための平板状の電極構成について詳細に説明する。また、以下の説明では、説明を簡単にするために、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢに共通電極ＣＴよりも高い電圧の映像信号が供給される場合について説明するが、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと共通電極ＣＴとの間には、極性が１フレーム毎等のように所定の周期で液晶分子に印加される電界方向が交互に反転する交番電圧が印加される。
【００４６】
また、壁画素電極ＰＸＡと共通電極ＣＴとに挟まれる画素表示領域の内で、図中左側の領域すなわちＶ字型に屈曲される共通電極ＣＴの優角側の領域を第１領域ＡＰ１とし、図中右側の領域すなわちＶ字型に屈曲される共通電極ＣＴの劣角側の領域を第２領域ＡＰ２として説明する。さらには、保持容量ＳＣの形成領域における電極の内で、壁画素電極ＰＸＢから延在される透明導電膜で形成される電極を容量電極（第１の容量電極）ＰＸＳとし、共通電極ＣＴから延在される透明導電膜で形成される電極を容量電極（第１の容量電極）ＣＴＳとする。
【００４７】
図４に示すように、壁画素電極ＰＸＢが形成される側の領域である第１領域ＡＰ１の側における保持容量ＳＣの形成領域と、壁画素電極ＰＸＢが形成されない側の領域である第２領域ＡＰ２の側における保持容量ＳＣの形成領域とにおいて、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部が異なる形状となっている。また、第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとは、画素表示部側の端面が揃うように形成されている。これに対して、第１領域ＡＰ１の側の保持容量ＳＣの形成領域においては、容量電極ＣＴＳの辺縁部が容量電極ＰＸＳの辺縁部よりも画素表示部から後退し、表示面側（液晶面側）から見て下層の容量電極ＣＴＳが露出するようにして形成されている。すなわち、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺部は、画素の画素表示部から連続してＸ方向（第１基板ＳＵＢ１の面内方向）に後退した凹状の領域（後退領域ＲＴ）が形成される構成となっている。一方、第１領域ＡＰ１の側の容量電極ＰＸＳの辺縁部と第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳの辺縁部とは揃っており、その辺縁部がＸ方向に直線状となるように形成されている。
【００４８】
このような構成とすることにより、画素表示部の辺部の内で、壁画素電極ＰＸＡや共通電極ＣＴの端部すなわち保持容量ＳＣの形成領域の画素表示部側の辺部において、第２領域ＡＰ２では、液晶層ＬＣから見て、共通電極ＣＴと同電位となる容量電極ＣＴＳの辺縁部が形成される。従って、図４に示すように、画素表示部の辺部においても順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも−θで示す順捩れ方向に平面内で回転することとなる。
【００４９】
また、第１領域ＡＰ１の側の画素表示部の辺部においては、容量電極ＣＴＳが下層の容量電極ＰＸＳよりも後退した後退領域ＲＴが形成され、液晶面側から見て、容量電極ＰＸＳが露出されている。すなわち、画素表示部の辺部には、容量電極ＰＸＳの辺縁部が配置されることとなるので、この辺縁部近傍の液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも順捩れ方向に回転する。
【００５０】
一方、後に詳述するように、後退領域ＲＴの辺縁部すなわち容量電極ＣＴＳの辺縁部においては、容量電極ＰＸＳから容量電極ＣＴＳの辺縁部に向かう電気力線が生じこととなる。このとき、後退領域ＲＴの角部の内で共通電極ＣＴの近くかつ画素境界に近い側の角部、すなわち容量電極ＣＴＳに形成されるＸ方向の凹部領域の底辺端部の内で共通電極側の角部においては、図５に示すように、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も逆捩れ方向となり、この領域（図５中に逆捩れ領域ＲＡで示す領域）では液晶分子ＬＣＭもθで示す逆捩れ方向に回転することとなる。
【００５１】
これに対して、実施形態１の凸状体ＷＬ２は、第１領域ＡＰ１の側に形成される構成となっており、特に、実施形態１においては、凸状体ＷＬ２の頭頂部に沿って容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部が形成される構成となっている。すなわち、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向が逆捩れ方向となる領域に凸状体ＷＬ２が形成され、第２基板ＳＵＢ２との間に液晶を排除する領域（図４中に液晶排除領域ＥＡで示す領域）を形成する構成となっている。この構成では、図６に示すＣ−Ｃ’線での断面図から明らかなように、実施形態１の画素構成においては、保持容量ＳＣを形成する一対の容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、壁画素電極ＰＸＢを形成しない側の電極である容量電極ＣＴＳは、凸状体ＷＬ２を超えて画素表示部側には伸延されない構成となっている。ただし、凸状体ＷＬ２は、逆捩れが発生する領域である後退領域ＲＴの角部を含む領域までは延在される構成となっている。
【００５２】
さらには、実施形態１の液晶表示装置においては、図６に示すように、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の画素表示部側の側壁面及び頭頂面並びに画素表示部から遠い側（保持容量が形成される上端側）の全ての面が壁画素電極ＰＸＢを形成する透明導電膜に覆われる構成となっている。このとき、実施形態１の画素構成においては、壁画素電極ＰＸＢ及び当該壁画素電極ＰＸＢから延在して容量電極を形成する容量電極ＰＸＳを覆うようにして絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。さらには、絶縁膜ＰＡＳ２の上層（液晶側面）の内で、Ｙ方向に対しては、凸状体ＷＬ２の頭頂面から側壁面を介して保持容量ＳＣの形成領域に至る範囲すなわちＹ方向の画素端部に至る範囲に容量電極ＣＴＳが形成されることとなる。この容量電極ＣＴＳの上層には、配向膜ＯＲＩが形成される。
【００５３】
この凸状体ＷＬ２が形成される領域においては、図７に示すように、図中の中央部分に示す画素に対応する映像信号が供給されるドレイン線ＤＬの延在方向に沿った壁画素電極ＰＸＡが形成されるＹ方向に伸延する凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成されるＸ方向に伸延する凸状体ＷＬ２とが一体に形成される。このとき、凸状体ＷＬ２が第１領域ＡＰ１の側にのみ形成されるので、壁画素電極ＰＸＢも第１領域ＡＰ１の側にのみに形成される構成となっている。ただし、壁画素電極ＰＸＢから伸延される透明導電膜は、保持容量ＳＣを形成するための容量電極ＰＸＳとしてＸ方向に伸延する凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の頭頂面から側壁面を介して、第２領域ＡＰ２の側の凸状体ＷＬ１の側壁面までの領域を覆うように形成されている。また、保持容量ＳＣを形成する他方の電極である容量電極ＣＴＳは、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の側壁面から第２領域ＡＰ２の側の凸状体ＷＬ１の側壁面に至る領域を覆うようにして形成されている。
【００５４】
この凸状体ＷＬ２を設けることにより、図６及び図７に示すように、凸状体ＷＬ２と第２基板ＳＵＢ２との間の領域には、液晶層ＬＣが非常に薄く形成される、又は第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に形成される配向膜ＯＲＩと凸状体ＷＬの頭頂部に形成される配向膜ＯＲＩとが当接されることとなり、液晶排除領域ＥＡが構成される。
【００５５】
また、実施形態１の第１領域ＡＰ１の側では、凸状体ＷＬ２の頭頂面を超えて画素表示部側に容量電極ＣＴＳが形成されない構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＢが形成される部分では、凸状体ＷＬ２よりも画素表示部に近い側では壁画素電極ＰＸＢの壁状電極ＰＸＶと平面電極ＰＸＨとが形成される。
【００５６】
さらには、凸状体ＷＬ２の頭頂面に沿って容量電極ＣＴＳが形成されるので、凸状体ＷＬ２の端面部分すなわち容量電極ＣＴＳの画素表示部から遠い側の凸状体ＷＬ２の辺縁部である液晶排除領域ＥＡにおいては、逆捩れ方向の電界が発生することとなる。この液晶排除領域ＥＡで液晶分子ＬＣＭの逆捩れ発生した場合、近傍の液晶分子ＬＣＭの配向にも逆捩れを生じさせようとなるので、順捩れと逆捩れが拮抗する領域にドメインを生じさせることとなる。しかしながら、実施形態１の画素構成では凸状体ＷＬ２により液晶排除領域ＥＡが形成されているので、逆捩れ方向の電界による液晶分子ＬＣＭの逆捩れが抑制できる。従って、液晶分子ＬＣＭの逆捩れに伴うドメインの発生を抑制（解消）でき、表示モード効率を向上させることができる。
【００５７】
このような構成からなる実施形態１の液晶表示装置に対して、壁画素電極ＰＸＡを備える液晶表示装置において、特許文献１に記載の技術を適用した場合には、図５に示すように、Ｘ方向に隣接する画素領域部分のみに凸状体ＷＬが形成されることとなる。すなわち、実施形態１の壁画素電極ＰＸＡに対応する領域のみに凸状体ＷＬ１が形成されることとなる。この構成において、第１領域ＡＰ１側の容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部を容量電極ＰＸＳの辺縁部よりも画素表示部から遠い側に後退させた場合であっても、凸状体ＷＬ１が形成される領域を除く他の領域では、液晶層ＬＣが画素表示部と同じ液晶層厚で形成されている。従って、図５に示す液晶表示装置では、容量電極ＣＴＳの辺縁部に沿って逆捩れ領域ＲＡが形成されることとなり、この逆捩れ領域ＲＡで生じた液晶分子ＬＣＭの逆捩れが容量電極ＰＸＳのみが形成される領域の液晶分子ＬＣＭの配向に影響を与え、画素表示部の液晶分子ＬＣＭの配向にも逆捩れの影響を及ぼすこととなり、表示モード効率を低減させてしまう。
【００５８】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、凸状体ＷＬ２の頭頂部に容量電極ＣＴＳの辺縁部が形成される構成としたが、これに限定されることはない。例えば、図８に示すように、凸状体ＷＬ２の側壁面の内で画素表示部から遠い側の側壁面、さらには凸状体ＷＬ２よりも画素表示部から遠い側に容量電極ＣＴＳの辺縁部を形成する構成であってよい。この構成であっても、凸状体ＷＬ２の辺縁部又は容量電極ＣＴＳの辺縁部との内で、画素表示部から遠い側では液晶分子のＬＣＭ逆捩れが生じることとなるが、凸状体ＷＬ２により液晶排除領域ＥＡを形成する構成となっているので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れが画素表示部の液晶分子ＬＣＭに影響を及ぼすことを防止できる。
【００５９】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、信号配線であるドレイン線ＤＬと壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢが同層に形成される構成、すなわち共通電極ＣＴよりも壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢがドレイン線ＤＬや図示しないゲート線等の信号配線が形成される層(薄膜層)に近い層に形成されている。このために、保持容量ＳＣを形成する画素の端部に形成される保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、信号配線から遠い薄膜層すなわち液晶層ＬＣに近い側の薄膜層に形成される容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺部を容量電極ＰＸＳの辺部よりも後退させた後退領域ＲＴを形成する。このとき、共通電極ＣＴで２つ分割される画素表示部の内で、液晶分子ＬＣＭの順捩れ方向側となる画素表示部である第１領域ＡＰ１の側にのみ後退領域ＲＴを形成する。さらには、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２の頭頂面に後退領域ＲＴの辺部が形成される構成とすることにより液晶排除領域ＥＡを形成しているので、容量電極ＣＴＳの端部と容量電極ＰＸＳとの間に生じる逆捩れ方向の電界による液晶分子ＬＣＭの逆捩れを排除することができる。その結果、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ及び共通電極ＣＴの端部すなわち画素表示部の端部での液晶分子ＬＣＭの逆捩れに伴うドメインに起因する透過率の低下を防止することができるので、表示モード効率を向上させることができる。
【００６０】
さらには、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢは、それぞれ凸状体ＷＬの側壁面に形成される側壁電極ＰＸＶと、該側壁電極ＰＸＶの端部から基板の面内方向に延在する平面電極ＰＸＨとから構成されている。従って、側壁電極ＰＸＶから共通電極ＣＴに向かう電気力線の内で、第１基板の裏面側に向かう電気力線を低減させることができるので、表示モード効率をさらに向上させることができる。
【００６１】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、凸状体ＷＬの伸延方向に直交する平面での断面形状が頭頂側よりも底辺側が大きい台形形状の場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、底辺側よりも頭頂側が大きい台形形状や矩形形状、さらには、側壁面及び／又は頭頂面が曲面となる形状であってもよい。
【００６２】
〈実施形態２〉
図９は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図１０は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための第２基板側の拡大図、図１１は図９に示すＥ−Ｅ’線での断面図である。ただし、図９は実施形態１の図２に相当する図面、図１１は実施形態１の図３に相当する図である。また、実施形態２の液晶表示装置は、Ｙ方向に線状に伸延される第１共通電極ＣＴ１及び第２共通電極ＣＴ２の構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第１及び第２共通電極ＣＴ１，ＣＴ２の構成について詳細に説明する。
【００６３】
図９に示すように、実施形態２の画素構成においても、Ｘ方向に対しては隣接画素との境界を跨ぐように形成され、Ｙ方向に対しては画素表示部とその端部に形成される保持容量ＳＣの領域との間に形成されるＣ字形状の凸状体ＷＬが配置され、凸状体ＷＬ２が図示しない液晶排除領域ＥＡを形成している。さらには、凸状体ＷＬの側壁面には壁状電極ＰＸＶが形成されると共に、該壁状電極ＰＸＶの第１基板ＳＵＢ１の側に平面電極ＰＸＨが形成され、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成している。このとき、実施形態２においても、平面的にＣ字形状をなす凸状体ＷＬの内側の側壁面側に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと、Ｃ字形状の画素表示部側に形成される凸状体ＷＬの外壁面に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡとで囲まれる領域が画素表示部となる。また、各画素の画素表示部にはＹ方向に伸延する線状の第１共通電極ＣＴ１が形成されており、実施形態１と同様に、壁画素電極ＰＸＢは画素の図中左側辺縁部から第１共通電極ＣＴ１の形成位置まで伸延される構成となっている。さらには、実施形態２においても、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢを形成する透明導電膜と、第１共通電極ＣＴ１を形成する透明導電膜とが画素領域の長手方向の端部において保持容量ＳＣを形成する構成となっている。従って、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
また、実施形態２の液晶表示装置においては、図１０に示すように、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側にも線状の共通電極である第２共通電極（第３電極）ＣＴ２が形成されている。この第２共通電極ＣＴ２は第１共通電極ＣＴ１と同様の透明導電膜からなり、第１共通電極ＣＴ１の線幅よりも第２共通電極ＣＴ２の線幅が大きく形成されている。さらには、後に詳述するように、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが貼り合わされた状態において、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１に、第２共通電極ＣＴ２が液晶層ＬＣを介して対峙する位置に形成される構成となっている。すなわち、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳する位置に形成される構成となっている。
【００６５】
また、第２共通電極ＣＴ２においても、第１共通電極ＣＴ１と同様に、画素の長手方向の端部には、当該第２共通電極ＣＴ２を形成する透明導電膜からなる電極（平板電極ＣＴ２Ｓ、第４電極）がそれぞれ形成される構成となっている。この平板電極ＣＴ２ＳはＸ方向及びＹ方向に隣接する画素の平板電極ＣＴ２Ｓと一体に形成され、電気的に接続されている。この構成により、平板電極ＣＴ２Ｓを第２共通電極ＣＴ２に共通信号を供給するコモン線として用いる構成とすると共に、第２共通電極ＣＴ２部分に断線とが生じた場合であっても、断線した部分の両端の第２共通電極ＣＴ２に共通信号が供給される構成としている。
【００６６】
さらには、図１０に示すように、平板電極ＣＴ２Ｓの第１領域ＡＰ１の側には、容量電極ＣＴＳに形成される後退領域ＲＴに対応（対峙）する位置に後退領域ＲＴ２が形成される構成となっている。この後退領域ＲＴ２を形成することにより、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢや容量電極ＰＸＳと平板電極ＣＴ２Ｓとの間に生じる電界に起因する第２基板ＳＵＢ２の近傍における液晶分子ＬＣＭの逆捩れを抑制することができる。従って、画素表示部の辺縁部すなわち容量電極ＰＸＳの辺部に生じるドメインを抑制（解消）することができ、表示モード効率を向上させることができる。ただし、平板電極ＣＴ２Ｓに後退領域ＲＴ２が形成されない構成であってもよい。
【００６７】
また、平板電極ＣＴ２Ｓは第２基板ＳＵＢ２に形成されるので、当該平板電極ＣＴ２Ｓと容量電極ＰＸＳとは液晶層ＬＣを挟んで対峙される構成となる。従って、保持容量ＳＣとしての寄与は小さいと考えられるので、図１０中に示す第２領域ＡＰ２での平板電極ＣＴ２Ｓの画素表示部側の辺縁部と、第１領域ＡＰ１での平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部との距離Ｙ１すなわち後退領域ＲＴ２のＹ方向長さＹ１は、容量電極ＣＴＳに形成される後退領域ＲＴ２のＹ方向長さよりも隣接画素の方向に離して形成してもよい。特に、平板電極ＣＴ２Ｓの距離（後退領域ＲＴ２のＹ方向長さ）Ｙ１が容量電極ＣＴＳの後退領域ＲＴ２のＹ方向長さと同じ又は大きい構成とすることにより、後退領域ＲＴ２の辺部（平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部）と画素表示部の辺部との距離を大きくできるので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を抑制しつつ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得られる。
【００６８】
この構成からなる実施形態２の液晶表示装置では、図１１に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶側には、絶縁膜ＰＡＳ１、ドレイン線ＤＬ、凸状体ＷＬ、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢ、絶縁膜ＰＡＳ２、第１共通電極ＣＴ１、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成されている。また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、ブラックマトリクスＢＭが形成され、該ブラックマトリクスＢＭで分割される領域に対応して、ＲＧＢの何れかのカラーフィルタＣＦが形成されている。このカラーフィルタＣＦの液晶面側には、第１共通電極ＣＴ１と液晶層ＬＣを介して対峙する位置に第２共通電極ＣＴ２が形成され、この第２共通電極ＣＴ２を覆うようにして、第２基板ＳＵＢ２の少なくとも表示領域内に配向膜ＯＲＩが形成されている。
【００６９】
このとき、実施形態２の液晶表示装置では、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とは、例えば液晶表示パネルＰＮＬの端部で電気的に接続され、同じ共通信号が供給される構成となっている。この場合、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと第１及び第２共通電極ＣＴ２とのＸ方向の距離に比較して、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とのＺ方向の距離が十分小さいので、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳される領域の液晶層ＬＣには、等電位となる領域(等電位領域)が形成される。この等電位領域は壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢの突出方向（Ｚ方向）にも形成されることとなり、擬似的な壁電極（擬似壁共通電極）として機能することとなるので、壁画素電極ＰＸＡ，ＰＸＢと擬似壁共通電極との間に生じる電気力線は、実施形態１の液晶表示装置よりも第１基板ＳＵＢ１の面内方向と平行に形成されることとなる。その結果、液晶分子の回転方向をさらに第１基板ＳＵＢ１の面内方向と平行に回転させることが可能となるので、実施形態１の効果に加えて、液晶表示装置の透過率を向上させ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得ることができる。
【００７０】
さらには、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２との間の領域に形成される擬似壁共通電極では、等電位面のＸ方向の幅が第１共通電極ＣＴ１よりも細く形成されることとなる。その結果、第１共通電極ＣＴ１又は第２共通電極ＣＴ２が形成される領域にも面内方向（横電界）を生じさせることが可能となり、この領域の液晶分子も駆動することができるので、各画素の開口率を向上させることができるという格別の効果を得ることもできる。
【００７１】
なお、実施形態２の液晶表示装置では、壁画素電極ＰＸＡが形成される凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２とを一体に形成する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、画素の境界を跨ぐように形成される（壁画素電極ＰＸＡが形成される）凸状体ＷＬ１を形成した後に、別の厚膜材料で壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２を形成する等、異なる工程で形成する構成であってもよい。ただし、壁画素電極ＰＸＡが形成される凸状体ＷＬ１と、壁画素電極ＰＸＢが形成される凸状体ＷＬ２とを一体に形成することによって、凸状体ＷＬの形成に伴う工程数を低減できる。
【００７２】
〈実施形態３〉
図１２は本発明の実施形態３の液晶表装置における画素構成を説明するための第１基板側の拡大図、図１３は図１２に示すＦ−Ｆ’線での断面図であり、以下、図１２及び図１３に基づいて実施形態３の液晶表示装置における画素構成について説明する。ただし、説明を簡単にするために、薄膜トランジスタ等については省略する。また、図１２に示す画素ＰＸＬの拡大図は、Ｘ方向に隣接する２画素分の拡大図を示す。さらには、実施形態３の画素構成においても、実施形態１と同様に、画素の長手方向に延在する壁画素電極ＰＸＡ及び共通電極ＣＴとがＹ方向に対して時計回りに傾斜する領域と反時計回りに傾斜する領域とが長手方向の中央部で接続されると共に、保持容量ＳＣを形成するための容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳが画素の長手方向の端部(図中の上側端部及び下側端部)にそれぞれ形成されている。
【００７３】
図１３の断面図から明らかなように、実施形態３の液層表示装置は第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。絶縁膜ＰＡＳ１の上面(液晶側面)には、ドレイン線ＤＬ及び共通電極ＣＴが形成されており、該ドレイン線ＤＬ及び共通電極ＣＴを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳ２の上面には、隣接画素との境界を跨ぐようにしてＹ方向に延在する凸状体ＷＬ１と、凸状体ＷＬ１の端部から画素表示部の辺縁部に沿ってＸ方向に延在する凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬが形成されている。この凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと、該壁状電極ＰＸＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＰＸＨとから壁画素電極ＰＸＡが形成されている。また、壁画素電極ＰＸＡの表面を含む第１基板ＳＵＢ１の全面には配向膜ＯＲＩが形成されている。ただし、実施形態３の液晶表示装置では、ドレイン線ＤＬの延在方向に沿った壁画素電極ＰＸＡのみを有する構成となっている。
【００７４】
一方、第２基板ＳＵＢ２の側の構成は実施形態１の液晶表示装置と同様の構成となっており、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩがそれぞれ積層されている。
【００７５】
なお、実施形態３の構成においては、ドレイン線ＤＬはＹ方向に伸延する構成となっており、共通電極ＣＴは画素の長手方向の端部におおて保持容量ＳＣを形成する平板状の電極である容量電極ＣＴＳと一体に形成され、当該容量電極ＣＴＳがＸ方向に伸延される構成となっている。このために、画素の角部においてドレイン線ＤＬと容量電極ＣＴＳとが交差することとなる。従って、実施形態３の液晶表示装置では、この交差領域においてドレイン線ＤＬと容量電極ＣＴＳとが短絡しないようにするために、図示しない絶縁膜が形成されている。ただし、共通電極ＣＴから延在して形成される容量電極ＣＴＳも画素毎に形成し、例えば、図示しないゲート線と同層にＸ方向に延在しＹ方向に並設され、共通信号が供給されるコモン線ＣＬを形成し、各画素の領域内でコモン線ＣＬと容量電極ＣＴＳとを電気的に接続する構成であってもよい。
【００７６】
前述する構成からなる実施形態３の液晶表示装置は、図１２に示すように、隣接画素との境界を跨ぐようにして形成される凸状体ＷＬ１と、この凸状体ＷＬ１の端部から図中左側にそれぞれ延在される凸状体ＷＬ２とからなるＣ字状（又はＭ字状）の外形を有する凸状体ＷＬを有している。このとき、実施形態３の構成では、凸状体ＷＬの側壁面の内で画素の長手方向に沿った側壁面にのみ壁画素電極ＰＸＡが形成される構成となっている。
【００７７】
実施形態３の壁画素電極ＰＸＡと共通電極ＣＴとでは、画素領域の辺縁部に沿って形成される壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜よりも、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜がドレイン線ＤＬ等の信号配線に近い層に形成される構成となっている。すなわち、実施形態３の構成では、共通電極ＣＴを形成する透明導電膜よりも壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜が液晶層ＬＣに近い層に形成されている。このために、実施形態３の液晶表示装置では、容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴが形成される構成となっており、その形成位置は共通電極ＣＴによって分割される図中右側の第２領域ＡＰ２となっている。すなわち、容量電極ＰＸＳの画素表示部側の端部が容量電極ＣＴＳの画素表示部側の端部よりも後退した構成となり、液晶層ＬＣの側から見て、この後退した領域（後退領域ＲＴ）から下層に形成される容量電極ＣＴＳが露出される構成となっている。ただし、実施形態３の画素構成では、ドレイン線ＤＬと同層に図示しない薄膜トランジスタのソース電極も形成される構成となっている。従って、壁画素電極ＰＸＡ及び容量電極ＰＸＳを形成する透明導電膜とソース電極とは、容量電極ＰＸＳの下層に配置される絶縁膜ＰＡＳ２に形成したスルーホールＴＨを介して電気的に接続される構成となっている。
【００７８】
さらには、実施形態３の液晶表示装置では、この後退した容量電極ＰＸＳの端部すなわち後退領域ＲＴの画素表示部から遠い側の辺縁部は、凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成される構成となっている。このような構成とすることにより、前述する実施形態１の液晶表示装置と同様にして、凸状体ＷＬ２の頭頂部と第２基板ＳＵＢ２との間隔が非常に狭い構成となり、液晶排除領域ＥＡを形成しているので、容量電極ＰＸＳの辺部や後退領域ＲＴの角部であっても液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を防止することができる。その結果、実施形態１と同様に、逆捩れ方向に回転した液晶分子ＬＣＭと順捩れ方向に回転した液晶分子ＬＣＭとが画素表示部の辺部において拮抗することに伴うドメインの発生を排除することができるので、表示モード効率を向上することができる。
【００７９】
〈保持容量領域の詳細構成〉
次に、図１４に本発明の実施形態３の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図１５に壁画素電極のみを有する液晶表示装置の第１基板における画素端部の詳細構成を説明するための拡大図、図１６に図１４のＧ−Ｇ’線での断面図、図１７に図１４に実施形態３の凸状体の形成領域を説明するための図を示し、以下、図１４〜図１７に基づいて実施形態３の液晶表示装置における液晶分子の逆捩れの抑制効果について説明する。ただし、実施形態１と同様に、各画素の上側領域と下側領域とでは、液晶分子ＬＣＭに印加される電界の方向が異なり、液晶分子の回転方向が異なる構成が異なるのみで基本的な画素の構成は同じ構成となるので、以下の説明では、画素の上側領域での画素構成及び液晶分子ＬＣＭの回転動作について詳細に説明する。
【００８０】
図１４に示すように、保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとの内で、壁画素電極ＰＸＡから延在される透明導電膜が容量電極ＣＴＳよりも液晶層ＬＣに近い側に形成される場合、液晶分子ＬＣＭの逆捩れに起因するドメインの発生は第２領域ＡＰ２となる。このとき、逆捩れの発生する第２領域ＡＰ２の側の容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴを形成することにより、逆捩れ領域ＲＡを後退領域ＲＴの角部に移動させることができる。
【００８１】
従って、実施形態３の液晶表示装置では、共通電極ＣＴから延在する容量電極ＣＴＳの端部よりも、壁画素電極ＰＸＡから延在する容量電極ＰＸＳの端部が後退する形状となっている。すなわち、画素領域の上側端部に保持容量ＳＣを形成する一対の容量電極ＰＸＳ，ＣＴＳの内で、ドレイン線ＤＬ等の信号配線よりも遠い層に形成される容量電極ＰＸＳに後退領域ＲＴが形成される構成となっている。この後退領域ＲＴの形成により、容量電極ＣＴＳの画素表示部側の辺縁部よりも容量電極ＰＸＳの画素表示部の辺縁部が後退して形成される。
【００８２】
また、実施形態３の液晶表示装置では、画素領域の図中右側辺部にＹ方向に沿って形成される凸状体ＷＬ１の端部からＸ方向に沿って形成される凸状体ＷＬ２を備える構成となっている。この凸状体ＷＬ２は少なくとも共通電極ＣＴが形成される領域以下のＸ方向長さで形成され、液晶排除領域ＥＡを形成している。なお、凸状体ＷＬ２のＸ方向長さは、後に詳述する逆捩れ領域ＲＡを含む領域に形成される。また、実施形態３の液晶表示装置においても、後退領域ＲＴの画素表示部側の端部すなわちＸ方向に延在する辺縁部は、凸状体ＷＬ２の頭頂部又は凸状体ＷＬ２よりも画素境界側に形成される構成となっている。
【００８３】
この構成からなる実施形態３の液晶表示装置では、画素表示部の辺部の内で、壁画素電極ＰＸＡや共通電極ＣＴの端部すなわち保持容量ＳＣの形成領域の画素表示部側の辺部において、第１領域ＡＰ１では、壁画素電極ＰＸＡと同電位となる容量電極ＰＸＳの辺縁部が上層に形成される。従って、図１４に示すように、画素表示部の辺部においても順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも−θで示す順捩れ方向に平面内で回転することとなる。また、第２領域ＡＰ２の側の画素表示部の辺部においては、容量電極ＰＸＳが下層の容量電極ＣＴＳよりも後退した後退領域ＲＴが形成され、液晶層ＬＣの側に容量電極ＰＸＳが露出されている。すなわち、画素表示部の辺部には、容量電極ＣＴＳの辺縁部が配置されることとなるので、この辺縁部近傍の液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も順捩れ方向となり、液晶分子ＬＣＭも順捩れ方向に回転する。
【００８４】
一方、後退領域ＲＴの辺縁部すなわち容量電極ＰＸＳの辺縁部においては、容量電極ＰＸＳから容量電極ＣＴＳの辺縁部に向かう電気力線が生じこととなる。このとき、後退領域ＲＴの角部の内で、壁画素電極ＰＸＡに近い側であり、かつ画素境界に近い側の角部、すなわち容量電極ＰＸＳに形成されるＸ方向の凹部領域の底辺端部の内で壁画素電極ＰＸＡの側の角部においては、図１５に示すように、電界方向液晶分子ＬＣＭに印加される電界方向も逆捩れ方向となり、この領域（図１５中に逆捩れ領域ＲＡで示す領域）では液晶分子ＬＣＭもθで示す逆捩れ方向に回転することとなる。
【００８５】
このとき、実施形態３の液晶表示装置では、液晶分子ＬＣＭに逆捩れが生じることとなる後退領域ＲＴの角部に凸状体ＷＬ２が配置され、液晶排除領域ＥＡが形成される構成となっている。また、図１６に示すように、凸状体ＷＬ２の頭頂部に容量電極ＰＸＳの端部が形成される構成となっている。従って、前述する実施形態１と同様に、液晶排除領域ＥＡにより液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を排除することが可能となり、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
前述する実施形態３の液晶表示装置に対して、図１５に示す凸状体ＷＬ２を有しない液晶表示装置では、壁画素電極ＰＸＡを形成しＹ方向に延在する透明導電膜の画素表示部側の端辺と、後退領域ＲＴの辺部の内で、Ｘ方向に伸延する端部とが交差する領域ＲＡにおいて、液晶分子ＬＣＭに逆捩れが発生することとなる。この逆捩れは、画素表示部の液晶分子ＬＣＭの順捩れに影響を与えるので、画素表示部の端部においてドメインが生じ、表示モード効率が低下してしまうこととなる。
【００８７】
また、図１７に示すように、各画素の画素表示部の短手方向の幅をＷ０、凸状体ＷＬ２の幅をＷ１とした場合、Ｗ１＝Ｗ０×１０％であってもよく、Ｗ１＝Ｗ０×５０％であってもよい。すなわち、凸状体ＷＬ２の幅Ｗ１は、Ｗ０×１０％≦Ｗ１≦Ｗ０×５０％が好適である。この領域で規定される凸状体ＷＬ２を形成することにより、ドメイン発生の原因となる逆捩れ方向の液晶が排除され、ドメインを抑制できる。その結果、画素全体でドメインを抑制でき、表示モード効率を向上できる。なお、凸状体ＷＬ２の幅について、後述する実施形態４，５にも同様にして適用可能である。
【００８８】
〈実施形態４〉
図１８は本発明の実施形態４の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図、図１９は本発明の実施形態４の液晶表示装置における第２共通電極の概略構成を説明するための図、図２０は図１８に示すＪ−Ｊ’線での断面図である。ただし、実施形態４の液晶表示装置は第２基板ＳＵＢ２の側に形成される第２共通電極ＣＴ２の共通電極ＣＴの構成を除く他の構成は、実施形態３の液晶表示装置と同様の構成となる。従って、以下の説明では、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とからなる共通電極ＣＴについて詳細に説明する。
【００８９】
図２０から明らかなように、実施形態４の液晶表示装置においても、第１基板ＳＵＢ１の側には、図示しないゲート線、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される絶縁膜ＰＡＳ１、及び該絶縁膜ＰＡＳ１の上面(液晶側面)に同層に形成されるドレイン線ＤＬと第１共通電極ＣＴ１とを有する構成となっている。また、ドレイン線ＤＬ及び第１共通電極ＣＴ１を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される絶縁膜ＰＡＳ２、該絶縁膜ＷＬ２の上面に隣接画素との境界を跨ぐようにしてＹ方向に延在して形成される凸状体ＷＬ１と該凸状体ＷＬ１の端部から画素表示部の辺縁部に沿ってＸ方向に延在する凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬを有する構成となっている。さらには、該凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状電極ＰＸＶと、該壁状電極ＰＸＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＰＸＨとからなる壁画素電極ＰＸＡ、及び該壁画素電極ＰＸＡの表面を含む第１基板ＳＵＢ１の全面に形成される配向膜ＯＲＩを有する構成となっている。
【００９０】
一方、実施形態４の第２基板ＳＵＢ２には、実施形態２の第２基板ＳＵＢ２と同様に、液晶面側にブラックマトリクスＢＭ、該ブラックマトリクスＢＭを形成されるＲＧＢの各色に対応したカラーフィルタＣＦ、該カラーフィルタＣＦの上層に形成される第２共通電極ＣＴ２、及び該第２共通電極ＣＴ２を覆うようにして第２基板ＳＵＢ２の全面に形成される配向膜ＯＲＩを有する構成となっている。
【００９１】
この構成からなる実施形態４の画素構成では、図１８に示すように、図中左側が開放されるＣ字状の凸状体ＷＬが隣接画素との境界を跨ぐようにして配置されている。このとき、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１と液晶層ＬＣを介して対峙する位置に、図１９に示す第１共通電極ＣＴ１よりも配線幅の広い線状の第２共通電極ＣＴ２が形成されている。この第２共通電極ＣＴ２には、実施形態２と同様に、第１共通電極ＣＴ１と同じ共通信号が供給される構成となっている。その結果、第１共通電極ＣＴ１と第２共通電極ＣＴ２とが平面的に見て重畳される領域では、液晶層ＬＣを介して電位が同じとなり、擬似的な壁状の共通電極ＣＴが形成される。
【００９２】
このとき、実施形態４の画素構成では、第１基板ＳＵＢ１に形成される第１共通電極ＣＴ１がドレイン線ＤＬ等の信号配線と近い層に形成されている。従って、後退領域ＲＴの保持容量ＳＣが形成される画素の端部においては、壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜の第２領域ＡＰ２に対応する部分に後退領域ＲＴが形成される構成となっている。すなわち、実施形態４の液晶表示装置においては、容量電極ＣＴＳよりも容量電極ＰＸＳが液晶層ＬＣに近い側に形成される構成となっているので、第２領域ＡＰ２の側に後退領域ＲＴが形成される構成となっている。さらには、実施形態４の画素構成では、実施形態３の画素構成と同様に、壁画素電極ＰＸＡを形成する透明導電膜の後退領域ＲＴの端部が凸状体ＷＬ２の頭頂部すなわち液晶排除領域ＥＡに配置される構成となっているので、実施形態４と同様に効果を得ることができる。
【００９３】
また、実施形態４の第２共通電極ＣＴ２も実施形態２の第２共通電極ＣＴ２と同様の形状で形成されているので、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得ることができる。
【００９４】
さらには、平板電極ＣＴ２Ｓの距離（後退領域ＲＴ２のＹ方向長さ）Ｙ１が容量電極ＣＴＳの後退領域ＲＴ２のＹ方向長さと同じ又は大きい構成とすることにより、後退領域ＲＴ２の辺部（平板電極ＣＴ２Ｓの辺縁部）と画素表示部の辺部との距離を大きくできるので、液晶分子ＬＣＭの逆捩れの発生を抑制しつつ、表示モード効率をさらに向上できるという格別の効果を得られる。
【００９５】
〈実施形態５〉
図２１は本発明の実施形態５の液晶表示装置における画素構成を説明するための２画素分の拡大図、図２２は図２１に示すＫ−Ｋ’線での断面図である。ただし、実施形態５の液晶表示装置は凸状体ＷＬ１の側壁面に形成される壁状の共通電極(以下、壁共通電極と記す)ＣＴＡと、一対の壁共通電極ＣＴＡとの間の領域に形成される線状の画素電極ＰＸの構成を除く他の構成は、実施形態３の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、壁共通電極ＣＴＡと画素電極ＰＸの構成について詳細に説明する。
【００９６】
図２２に示すように、実施形態５の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に、図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。該絶縁膜ＰＡＳ１の上面には、Ｙ方向に延在するドレイン線ＤＬと、Ｙ方向に延在する線状の透明導電膜からなる画素電極ＰＸとがそれぞれ形成され、ドレイン線ＤＬ及び画素電極ＰＸを覆うようにして、第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ２が形成されている。この絶縁膜ＰＡＳの上面には画素境界を跨ぐようにしてＣ字状（Ｍ字状）の凸状体ＷＬが形成され、該凸状体ＷＬの内の凸状体ＷＬ１を覆うようにして、該凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状電極ＣＴＶと、該壁状電極ＣＴＶの下端側辺部から所定量だけ第１基板ＳＵＢ１に面内方向に延在するように形成される平面電極ＣＴＨとからなる壁共通電極ＣＴＡが形成されている。また、壁共通電極ＣＴＡの上面には当該壁共通電極ＣＴＡを覆うようにして、配向膜ＯＲＩが第１基板ＳＵＢ１の全面に形成されている。
【００９７】
この構成から明らかなように、実施形態５の液晶表示装置においては、共通信号が供給される共通電極ＣＴの側を壁状の電極すなわち壁共通電極ＣＴＡで形成する構成としている。さらには、共通信号は各画素に共通な信号すなわち各画素に同じ信号が供給されるので、実施形態５の画素構成においても壁共通電極ＣＴＡに同じ信号が共通される構成となる。従って、壁状の電極を形成するための第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に段差を形成するための凸状体ＷＬ１の側壁面と共に、頭頂面にも共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成され、隣接画素の壁共通電極ＣＴＡを電気的に接続する構成となっている。
【００９８】
また、実施形態５の壁共通電極ＣＴＡにおいても、実施形態３の壁画素電極ＰＸＡと同様に、各壁共通電極ＣＴＡは凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状電極ＣＴ１と、該壁状電極ＣＴ１から連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿って長さＷで形成される平面電極ＣＴ２とから形成されている。この構成により、第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設（傾斜）される、すなわち第２基板ＳＵＢ２が配置される側に向かって該第１基板ＳＵＢ１の主面に対して立設される壁状電極ＣＴ１を形成し、壁共通電極ＣＴＡが画素ＰＸＬの周縁部に沿って当該画素ＰＸＬの長手方向の辺縁部に対向配置される構成としている。なお、実施形態５においては、壁共通電極ＣＴＡは隣接する画素ＰＸＬとの境界部分に形成されているので、透光性を有する導電膜材料に限定されることはなく、アルミニウムやクロムをはじめとする金属薄膜等の透光性を有しない導電膜材料で形成する構成であってもよい。
【００９９】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、実施形態３と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成される構成となっている。
【０１００】
このような構成から実施形態１の液晶表示装置では、図２１に示すように、壁共通電極ＣＴＡを形成する透明導電膜は、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側の内で各画素の画素表示部を除く領域（第１の容量電極となる容量電極ＣＴＳを含む領域）に環状に形成されている。これに対して、線状の画素電極ＰＸを形成する透明導電膜は、各画素領域の上側端部及び下側端部において保持容量ＳＣを形成する第２の容量電極となる容量電極ＰＸＳを有する構成となっている。
【０１０１】
このとき、実施形態５の液晶表示装置においては、画素の長手方向（Ｙ方向）の端部において保持容量ＳＣを形成する容量電極ＰＸＳと容量電極ＣＴＳとの内で、ドレイン線ＤＬやゲート線等の信号配線に近い層の側に容量電極ＰＸＳが形成されることとなる。従って、実施形態５の画素構成においては、信号配線から遠い層すなわち液晶層ＬＣに近い側の層に形成される容量電極ＣＴＳに後退領域ＲＴが形成されている。このとき、壁状の電極に共通信号が供給されると共に、線状の電極に映像信号が供給される構成となっているので、容量電極ＣＴＳの第２領域ＡＰ２の側に後退領域ＲＴが形成されることとなる。さらには、後退領域ＲＴの端部すなわち容量電極ＣＴＳの端部が、凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成されると共に後退領域ＲＴの角部も凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の頭頂面に形成される、すなわち凸状体ＷＬ２により形成される液晶排除領域ＥＡに形成される構成となっているので、実施形態３と同様の効果を得ることができる。
【０１０２】
〈実施形態６〉
図２３は本発明の実施形態６の液晶表示装置における画素構成を説明するための拡大図、図２４は図２３に示すＭ−Ｍ’線での断面図である。ただし、実施形態６の液晶表示装置は凸状体ＷＬの側壁面に形成される壁状の共通電極(壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢ)と、画素表示部を挟んで対向配置される壁共通電極ＣＴＡとの間の領域に形成される線状の画素電極ＰＸの構成を除く他の構成は、実施形態１の液晶表示装置と同様となる。従って、以下の説明では、壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢと画素電極ＰＸの構成について詳細に説明する。
【０１０３】
図２４に示すように、第１基板ＳＵＢ１の液晶面側には、Ｘ方向に延在する図示しないゲート線が形成され、該ゲート線を覆うようにして第１基板ＳＵＢ１の全面に絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。絶縁膜ＰＡＳ１の上層にはＹ方向に延在するドレイン線ＤＬが形成されると共に、少なくとも画素表示部に対応する領域のドレイン線ＤＬを覆うと共に、隣接画素との境界を跨ぐようにして凸状体ＷＬが形成されている。ここで、実施形態６の画素構成においては、凸状体ＷＬ１と凸状体ＷＬ２とからなる凸状体ＷＬの側壁面及び頭頂面に共通電極ＣＴを形成する透明導電膜が形成され、壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢを形成している。壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢの上層には、第１基板ＳＵＢ１の全面を覆うようにして絶縁膜ＰＡＳ２が形成され、該絶縁膜ＰＡＳ２の上面に線状の画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸの上層には配向膜ＯＲＩが形成されている。
【０１０４】
また、実施形態６の壁共通電極ＰＸＡ，ＰＸＢにおいても、凸状体ＷＬ１，ＷＬ２の側壁面に形成される壁状電極ＣＴＶと、該壁状電極ＣＴＶから連続して第１基板ＳＵＢ１の主面に沿って形成される平面電極ＣＴＨとから壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢが形成されている。
【０１０５】
また、第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、実施形態１と同様に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び配向膜ＯＲＩが順番に形成される構成となっている。
【０１０６】
この構成からなる実施形態６の液晶表示装置では、図２３に示すように、画素の長手方向（Ｙ方向）の辺部に沿って形成される凸状体ＷＬ１と、該凸状体ＷＬ１の端部から画素の短手方向に沿って形成される凸状体ＷＬ２とからなるＣ字状の凸状体ＷＬを有している。このとき、実施形態１と同様に、凸状体ＷＬ２は凸状体ＷＬ１の端部から線状の電極である画素電極ＰＸの形成位置まで延在されている。この構成により、実施形態６の画素構成においては、凸状体ＷＬの側壁面及び頭頂面はそれぞれ壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢを形成する透明導電膜で覆われる構成となる。
【０１０７】
さらには、実施形態６の画素構成では、ドレイン線ＤＬと壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢとが同層に形成され、その上層に形成される絶縁膜ＰＡＳ２を介して画素電極ＰＸが形成される、すなわち壁共通電極ＣＴＡ，ＣＴＢが画素電極ＰＸよりも信号配線に近い層に形成されることとなる。従って、保持容量ＳＣを形成する容量電極ＣＴＳと容量電極ＰＸＳにおいても、容量電極ＣＴＳが信号配線に近い側すなわち容量電極ＰＸＳが液晶層ＬＣに近い側に形成されている。このとき、壁状の電極に共通信号が供給されると共に、線状の電極に映像信号が供給される構成となっているので、容量電極ＰＸＳの第１領域ＡＰ１の側に後退領域ＲＴが形成されることとなる。さらには、後退領域ＲＴの端部すなわち容量電極ＰＸＳの端部が凸状体ＷＬ２の頭頂面に形成される、すなわち凸状体ＷＬ２により形成される液晶排除領域ＥＡに位置することとなるので、実施形態１と同様の効果を得ることが可能となる。
【０１０８】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板
ＡＲ……表示領域、ＳＬ……シール材、ＤＲ……駆動回路、ＣＬ……コモン線
ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板、ＧＬ……ゲート線、ＤＬ……ドレイン線
ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……共通電極
ＰＸＡ，ＰＸＢ……壁画素電極、ＳＣ……保持容量、ＰＸＬ……画素、ＬＣ……液晶層
ＰＡＳ１，ＰＡＳ２……絶縁膜、ＯＲＩ……配向膜、ＰＸＶ……壁状電極
ＰＸＨ……平面電極、ＣＦ……カラーフィルタ、ＰＯＬ１，ＰＯＬ２……偏光板
ＢＭ……ブラックマトリクス、ＬＣＭ……液晶分子、ＣＴＳ，ＰＸＳ……容量電極
ＡＰ１……第１領域、ＡＰ２……第２領域、ＣＴ１……第１共通電極
ＣＴ２……第２共通電極、ＴＨ……スルーホール、ＷＬ，ＷＬ１，ＷＬ２……凸状体
ＲＴ……後退領域、ＣＴＡ，ＣＴＢ……壁共通電極、ＰＸＶ，ＣＴＶ……壁状電極
ＰＸＨ，ＣＴＨ……平面電極、ＣＴ２Ｓ……平板電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、
前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、
前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、
前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、
前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、
前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成され、前記液晶層側から平面的に見て、前記第２の容量電極が前記第１の容量電極の後退領域から露出されると共に、
前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は薄膜トランジスタを介して前記映像信号が供給される画素電極であり、前記第２電極は前記映像信号の基準となる共通信号が供給される共通電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素表示部は 前記一対の第１電極の内で一方の第１電極と前記第２電極との間の第１領域と、前記他方の第１電極と前記第２電極との間の第２領域とからなり、
前記後退領域は前記第２領域の端部に形成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記後退領域は、当該画素の長手方向に沿って形成される第１の辺部と、短手方向に沿って形成される第２の辺部とからなり、
前記第１の辺部と第２の辺部により形成される角部の内で、少なくとも前記第１電極に近い側の角部が前記第２凸状体の頭頂面に形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極を有することを特徴とする請求項１乃至４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１電極は前記映像信号の基準となる共通信号が供給される共通電極であり、前記第２電極は薄膜トランジスタを介して前記映像信号が供給される画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素表示部は 前記一対の第１電極の内の一方の第１電極と前記第２電極との間の第１領域と、前記他方の第１電極と前記第２電極との間の第２領域とからなり、
前記後退領域は前記第１領域の端部に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記後退領域は、当該画素の長手方向に沿って形成される第１の辺部と、短手方向に沿って形成される第２の辺部とからなり、
前記第１の辺部と第２の辺部により形成される角部の内で、少なくとも前記第２電極に近い側の角部が前記第２凸状体の頭頂面に形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は隣接画素との境界を跨いで形成される前記第１凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記第１基板側の端辺から第１基板の主面に沿って延在する平面電極とからなることを特徴とする請求項１乃至８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１凸状体と前記第２凸状体とが一体に形成されるＣ字状の凸状体からなることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素は、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極が時計回りに傾斜してなる領域と、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極が反時計回りに傾斜してなる領域とからなることを特徴とする請求項１乃至１０の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、
前記第１基板は、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、
前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、
前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、
前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、
前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第３電極と電気的に接続される第４電極と、を備え、
前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極及び前記第４電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、
前記第１基板は、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素は、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極並びに前記第３電極が時計回りに傾斜してなる領域と、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極並びに前記第３電極が反時計回りに傾斜してなる領域とからなることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、
前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、
前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、
前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、
前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、
前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成され、前記液晶層側から平面的に見て、前記第２の容量電極が前記第１の容量電極の後退領域から露出されると共に、
前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電極は薄膜トランジスタを介して前記映像信号が供給される画素電極であり、前記第２電極は前記映像信号の基準となる共通信号が供給される共通電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記画素表示部は 前記一対の第１電極の内で一方の第１電極と前記第２電極との間の第１領域と、前記他方の第１電極と前記第２電極との間の第２領域とからなり、
前記後退領域は前記第２領域の端部に形成されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記後退領域は、当該画素の長手方向に沿って形成される第１の辺部と、短手方向に沿って形成される第２の辺部とからなり、
前記第１の辺部と第２の辺部により形成される角部の内で、少なくとも前記第１電極に近い側の角部が前記第２凸状体の頭頂面に形成されることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極を有することを特徴とする請求項１乃至４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１電極は前記映像信号の基準となる共通信号が供給される共通電極であり、前記第２電極は薄膜トランジスタを介して前記映像信号が供給される画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素表示部は 前記一対の第１電極の内の一方の第１電極と前記第２電極との間の第１領域と、前記他方の第１電極と前記第２電極との間の第２領域とからなり、
前記後退領域は前記第１領域の端部に形成されることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記後退領域は、当該画素の長手方向に沿って形成される第１の辺部と、短手方向に沿って形成される第２の辺部とからなり、
前記第１の辺部と第２の辺部により形成される角部の内で、少なくとも前記第２電極に近い側の角部が前記第２凸状体の頭頂面に形成されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１電極は隣接画素との境界を跨いで形成される前記第１凸状体の側壁面に形成される側壁面電極と、前記側壁面電極の前記第１基板側の端辺から第１基板の主面に沿って延在する平面電極とからなることを特徴とする請求項１乃至８の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１凸状体と前記第２凸状体とが一体に形成されるＣ字状の凸状体からなることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素は、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極が時計回りに傾斜してなる領域と、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極が反時計回りに傾斜してなる領域とからなることを特徴とする請求項１乃至１０の内の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、前記第１基板はＹ方向に延在しＸ方向に並設される映像信号線と、Ｘ方向に延在しＹ方向に並設される走査信号線とを有し、前記映像信号線と前記走査信号線とで囲まれる画素の領域がマトリクス状に形成される液晶表示装置であって、
前記第１基板は、前記画素の対向する長辺の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記液晶層側に突出する第１凸状体に、少なくともその一部が重畳されてなる一対の壁状の第１電極と、
前記一対の第１電極に挟まれる画素表示部に形成され、前記第１電極の延在方向に沿って形成される線状の第２電極と、
前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第１電極と電気的に接続される第１の容量電極と、
前記第１の容量電極と絶縁膜を介して重畳配置され、前記第２電極と電気的に接続される第２の容量電極と、を備え、
前記第２基板は、前記第２電極と前記液晶層を介して対峙する位置に形成される線状の第３電極と、前記画素の長辺方向の少なくとも一方の端部に形成され、前記第３電極と電気的に接続される第４電極と、を備え、
前記容量電極の内で、前記液晶層に近い階層に形成される第１の容量電極及び前記第４電極の前記画素表示部側の辺縁部は、前記液晶層から遠い階層に形成される第２の容量電極の前記画素表示部側の辺縁部よりも後退して形成されると共に、
前記第１基板は、前記後退領域の角部及び辺縁部と重畳する領域、又は前記後退領域の辺縁部と他方の容量電極との間の領域に形成され、当該画素の短手方向に延在する第２凸状体を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記画素は、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極並びに前記第３電極が時計回りに傾斜してなる領域と、前記液晶の初期配向方向に対して前記第１電極及び前記第２電極並びに前記第３電極が反時計回りに傾斜してなる領域とからなることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１３−３７１１０（Ｐ２０１３−３７１１０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７１８１９（Ｐ２０１１−１７１８１９）
【出願日】平成２３年８月５日（２０１１．８．５）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月５日（２０１１．８．５）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社ジャパンディスプレイイースト (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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