【課題】使用者が、場所を選ばず情報を閲覧、さらには画面に表示されたキーボードに直接またはスタイラスペンなどを用いて間接的に触れることにより情報を入力でき、その入力情報を利用することができる新規の電子機器を提供することを課題の一とする。
【解決手段】フレキシブル基板上に反射電極と電気的に接続する第１のトランジスタと、フォトセンサとを有し、表示部の第１画面領域にタッチ入力ボタンを静止画として表示し、表示部の第２画面領域に動画として出力表示する。表示部に表示される画像が静止画である場合と、動画である場合とで異なる信号供給を表示部の表示素子に行う映像信号処理部を有し、静止画を書き込んだ後に表示素子制御回路を非動作とすることで、消費電力の節約ができる。 （もっと読む）

【課題】液晶層の電荷の偏りを減らす。
【解決手段】本発明の液晶装置は、画素電極３５、スイッチング素子３４、対向電極８２、液晶層２８、第１配向膜７１、および第２配向膜８３を備える。液晶層２８のダイレクターが液晶層の厚み方向となすプレチルト角が、対向電極８２側で画素電極３５側よりも大きくなっている。画素電極３５にスイッチング素子３４を介して対向電極電位に対する高電位と低電位とが交互に印加される。画素電極３５に高電位が印加されているときのスイッチング素子３４の寄生容量による画素電極３５の電位の変化量と、画素電極３５に前記低電位が印加されているときの寄生容量による画素電極３５の電位の変化量との平均値の分だけ、高電位と前記低電位との平均電位をシフトさせた電位を基準電位としたときに、対向電極電位が基準電位よりも高い。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルム上に形成した薄膜トランジスタにクラックが発生し難い薄膜トランジスタ基板並びにそれを備えた表示装置及び電磁波センサを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板１００は、樹脂フィルム１０と、前記樹脂フィルム上に設けられており、圧縮応力性の層１２Ａ，１２Ｂと引張応力性の層１４とが少なくとも３層交互に積層され、最下層及び最上層が前記圧縮応力性の層である積層構造を有するバッファ層１６と、前記バッファ層上に設けられている薄膜トランジスタ２１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】より良い動作を実現する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタと、第１のトランジスタのゲートに電気的に接続される第２のトランジスタとを有し、第１のトランジスタの第１の端子は第１の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタの第２の端子は第２の配線に電気的に接続され、第１のトランジスタのゲートは第２のトランジスタの第１の端子又は第２の端子に電気的に接続されることにより半導体装置が構成されるものである。上記において、第１乃至第２のトランジスタは、少なくともチャネル領域に酸化物半導体を有し、かつ、オフ電流が小さなものを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 非晶質シリコンＴＦＴの特性を大幅に向上させつつ、その製造プロセスにおける膜飛びを抑制する。
【解決手段】まず、基板１０上にゲート電極１１を形成する。次に、基板１０上に、ゲート電極１１を平面視で覆うゲート絶縁膜１２を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃとソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとを有する非晶質の半導体膜１３を形成し、その上に、チャネル領域１３ｃを平面視で覆うチャネル保護層１４を形成する。次に、半導体膜１３とチャネル保護層１４とにレーザーを照射することにより、チャネル領域１３ｃを微結晶化する。次に、半導体膜１３上に、チャネル保護層１４を平面視で覆い、ソース領域１３ｓとドレイン領域１３ｄとに平面視で重なる導電膜を形成する。次に、導電膜をエッチングしてソース電極１６ｓとドレイン電極１６ｄとを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成する。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路において、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その結果、正確な表示を行う表示装置を提供することが出来る。 （もっと読む）

【課題】誤整列を少なくすることができると共に開口率を確保することができる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は、絶縁基板の上に形成されているデータ配線と、画素に形成されている赤、緑、青のカラーフィルターと、データ配線及びカラーフィルターを覆う絶縁膜と、データ線と交差して画素を定義するゲート線及びゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、ゲート配線を覆っており絶縁膜と共にデータ線の一部を露出させる第１接触孔を有するゲート絶縁膜と、ゲート電極のゲート絶縁膜の上部に形成されている半導体層パターンと、第１接触孔を通じてデータ線と連結されているソース用電極とゲート電極を中心にしてソース用電極と分離されて対向するドレーン用電極とドレーン用電極と連結されており画素に形成されている画素電極とを含む画素配線を含む。 （もっと読む）

【課題】静電気によるＴＦＴ、層間絶縁膜の絶縁破壊を、面積を小さく抑え、かつ低コストで実現する。
【解決手段】端子２００よりも内側に形成された表示領域および制御領域においては、映像信号線ＤＬ、あるいは映像信号線と同層で形成された配線Ｇ１、Ｇ２と、走査線ＧＬ、あるいは走査線と同層で形成された配線が交差する部分においては、間に層間絶縁膜とａ−Ｓｉ膜を介して絶縁する。一方、端子２００よりも外側に形成された静電気防止線２３０とアース線２１０との間には層間絶縁膜のみを形成する。これによって、静電気が誘起した場合は、端子２００の外側の領域において絶縁破壊を発生させ、表示領域および制御領域を静電気から保護する。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】画像表示機能の低下を抑え、かつ十分に低消費電力化を図ることのできる液晶表示装置、及び液晶表示装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】液晶表示装置において、電源をオフする前に、液晶に電界がかからないように、容量素子に固定電位を入力して容量素子の電極間の電位差をなくし（容量をほぼゼロとし）、液晶を初期状態とする。初期状態画像を表示した後に電源を停止すれば、液晶はオフ状態において不必要な電界をかかり続けることはなく安定な初期状態でいることができるので、液晶の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の作製工程においてマスク枚数を追加することなく、反射電極の散乱構造を作製する。
【解決手段】層間膜に感光性樹脂膜を用いる。フォトマスク１００の第１の透光部１０１を通して露光してパターニングしてコンタクトホール１０３〜１０６を得る。フォトマスク１００の第２の透光部１０２を通して露光すると、感光性樹脂膜が解像不能となり、感光性樹脂膜の表面に凹凸ができる。これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 （もっと読む）

【課題】特性の優れた半導体膜を簡便に得ることができる微結晶半導体膜の結晶化方法と、これを応用した薄膜トランジスタ、半導体装置、及び薄膜トランジスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２の対面に形成され、ソース領域となる第１非晶質領域４１、ドレイン領域となる第２非晶質領域４２、及び第１非晶質領域４１と第２非晶質領域４２との間に配置されたチャネル領域となる結晶性領域４３を有する半導体膜４と、半導体膜４上に結晶性領域４３と直接接触することなく形成され、ソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続されたソース電極８１及びドレイン電極８２と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高くリーク電流の少ない絶縁膜を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ゲート電極に所定の電圧を印加することによりソース電極とドレイン電極との間にチャネルが形成される半導体層を有し、前記ゲート電極と前記半導体層の間にゲート絶縁層と、を備え、前記ゲート絶縁層は、アルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含むアモルファス複合金属酸化物絶縁膜により形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】表示装置に置いて、多階調表示を実現することを目的とする。
【解決手段】トランジスタ及び表示素子を有する画素がマトリクス状に配置された画素部と、前記トランジスタのゲートに電気的に接続されたゲートドライバと、前記トランジスタのソース又はドレインに電気的に接続されたソースドライバと、前記ソースドライバに信号を出力するデータ処理回路とを有し、前記トランジスタは、酸化物半導体を用いており、前記データ処理回路は、入力されるｍビットのデジタルデータのうち、ｎビットのデジタルデータ（ｍ、ｎは共に正の整数、かつｍ＞ｎ）を電圧階調に用い、（ｍ−ｎ）ビットのデジタルデータを時間階調に用いる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させる熱処理を行う表示装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】画素の電圧変動を低減することにより、多階調表示を実現できる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置において、並設された複数本のソース信号線１０，２０と、ソース信号線と交差するように並設された複数本のゲート信号線３０と、ソース信号線とゲート信号線との交差部近傍に設けられた酸化物半導体を用いたトランジスタ４０を介して、ソース信号線の信号電圧が印加される画素電極７０と、を備え、隣接する一対のソース信号線間に設けられる画素電極の側縁部を、ソース信号線の側縁部に重畳させ、かつ、一方のソース信号線との重畳面積を、他方のソース信号線との重畳面積と等しくする。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比較回路で差分を検出した際に連続するフレーム期間の画像信号を選択して出力する選択回路と、比較回路で差分を検出した際に制御信号及び選択回路より出力される画像信号の駆動回路部への供給を行い、比較回路で差分を検出しない際に制御信号を駆動回路部への供給を停止する表示制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）