【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】駆動回路部及び画素部を有する表示パネルと、駆動回路部を駆動する制御信号及び画素部に供給する画像信号を生成するための信号生成回路と、画像信号をフレーム期間毎に記憶する記憶回路と、記憶回路でフレーム期間毎に記憶された画像信号のうち、連続するフレーム期間の画像信号の差分を検出する比較回路と、比較回路で差分を検出した際に連続するフレーム期間の画像信号を選択して出力する選択回路と、比較回路で差分を検出した際に制御信号及び選択回路より出力される画像信号の駆動回路部への供給を行い、比較回路で差分を検出しない際に制御信号を駆動回路部への供給を停止する表示制御回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】端子部、スイッチングトランジスタ、及び画素電極を有する画素回路が形成された第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記画素電極と前記対向電極との間には液晶素子が挟持されており、前記対向電極に入力される電位は、前記スイッチングトランジスタを介して端子部より供給され、前記スイッチングトランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体層である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた絶縁ゲート型トランジスタに関し、短チャネル効果を極力抑えることのできる構成を提供する。
【解決手段】絶縁ゲート型トランジスタのチャネル領域を形成する酸化物半導体層に、脱水または脱水素化の工程及び酸素を添加する工程を施してキャリア濃度が１×１０^１２／ｃｍ^３未満となる真性又は実質的に真性な半導体を使用し、酸化物半導体層に形成されるチャネルの長さが０．２μｍ以上３．０μｍ以下であって、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下もしくは、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、かつゲート絶縁層の厚さが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることで短チャネル効果を抑え、上記チャネル長の範囲でしきい値の変動量を０．５Ｖ未満とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比を増大し、静電容量性クロストークが殆どないＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】透明な第一基板上にゲート電極及びゲートアドレス線７を形成するステップと、前記ゲート電極を含む前記第一基板上にゲート絶縁層を形成するステップと、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成するステップと、前記半導体層上にドレーン電極及びソース電極とドレインアドレス線５、補助記憶コンデンサ電極１２を形成するステップと、前記補助記憶コンデンサ電極１２を含む前記第一基板上にフォトイメージ形成可能な有機絶縁層を設けるステップと、前記有機絶縁層にフォトイメージ工程を実施して前記補助記憶コンデンサ電極１２の表面が露出するコンタクト・ホール３６を形成するステップと、前記コンタクト・ホールを通じて前記補助憶補助コンデンサー電極１２の上部と電気的に接続されるピクセル電極３を形成するステップ、を有するＴＦＴアレイ。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた液晶表示装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】走査線とデータ線が絶縁層を介して交差する領域に、非晶質半導体又は有機半導体をチャネル部とする第１の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、結晶質半導体をチャネル部とする第２の薄膜トランジスタを有する第３の基板を有し、結晶質半導体は第２の薄膜トランジスタにおける電子又は正孔が流れる方向に沿って結晶粒界が延び、第１の基板と第２の基板は第１の基板が露出するように貼り合わされ、第３の基板は第１の基板上の露出した領域に貼り合わされ、第３の基板上には第２の薄膜トランジスタを形成する第１の領域と入出力端子を形成する第２の領域が設けられ、第３の基板の短辺は１乃至６ｍｍ、第１の領域の短辺は０．５乃至１ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。第１配線と第２配線間に層間絶縁膜が積層されていることで寄生容量の低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】特性の異なるトランジスタ、具体的には動特性（オン特性や周波数特性（ｆ特性と呼ばれる））に優れたトランジスタと、オフ電流が抑制されたトランジスタとを同一基板上に有する半導体装置を提供することを課題の一とする。また、当該半導体装置を簡便な方法で作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。真性又は実質的に真性な半導体は、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となる不純物を除去し、シリコン半導体よりもエネルギーギャップが大きいものを用いる。該酸化物半導体層の上下に絶縁膜を介して配置した一対の導電膜の電位を制御して、該酸化物半導体層に形成するチャネルの位置を変えることにより、トランジスタの電気特性を制御すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極と重なるように設けられたゲート絶縁層及び酸化物半導体層と、酸化物半導体層の一部と重なるソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタが、画素部に配設される信号線と画素電極との間に設けられており、薄膜トランジスタのオフ電流は、１×１０^−１３Ａ以下であって、液晶素子に並列した容量素子を設けずに液晶容量のみで電位を保持することが可能となり、画素部には画素電極と接続される容量素子が形成されていない構成の液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性シリコン薄膜トランジスタのオフ電流を低減させ、表示コントラストを向上させることが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】基板ＳＵＢ１上に形成されるゲート絶縁膜ＧＩを介してゲート電極ＧＴの上層に形成される第１の半導体層ＭＳＦと、第１の半導体層ＭＳＦの上面に形成され、凹部が形成される第２の半導体層ＡＳＦとからなる活性層と、凹部を挟んで対向配置される一対のコンタクト層ＣＮＬと、コンタクト層ＣＮＬの一方の上層に形成されるドレイン電極ＤＴと、他方の上層に形成されるソース電極ＳＴと、活性層の上面及び前記ドレイン電極ＤＴと前記ソース電極ＳＴの上面に連続して形成される保護膜ＰＡＳｉとを有する薄膜トランジスタを備え、凹部が形成されている領域の膜厚は１６０ｎｍ以上である装置。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜を有する薄膜トランジスタ基板のドレイン電流のＯＮ／ＯＦＦ比を大きくすることができる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、ＩｎＭＺｎＯ（ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅのうち少なくとも１種）系半導体膜１５、ソース電極１６ｓ及びドレイン電極１６ｄが形成された薄膜トランジスタ基板１の製造方法であって、所定パターンのＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を形成する工程と、ＩｎＭＺｎＯ系半導体膜１５を覆う少なくとも１種の金属元素を含む金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物及び金属酸窒化物のいずれかからなる保護膜１７を設ける工程と、保護膜１７を覆うアルミニウム、チタン及びモリブデンのいずれかからなる金属膜１８を設ける工程と、金属膜１８を設けた後に熱処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極３２上に、ゲート絶縁膜３６として、第１ゲート絶縁膜５０と、第２ゲート絶縁膜５１とを形成する。第１ゲート絶縁膜５０を窒化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１を酸化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１の表面部にＡｒ含有層５２を形成する。Ａｒ含有層５２に接するように、微結晶シリコン膜６２を形成し、さらにｉ型非晶質シリコン膜６３およびＮ型非晶質シリコン膜６１を形成して、活性層３７を形成する。これによって、高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜３６を窒化シリコン膜５０と酸化シリコン膜５３とで構成する。酸化シリコン膜５３は、二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜５１と、組成式ＳｉＯ_x（ｘは１．２以上２未満の数）で表される組成を有する低酸化シリコン（ＳｉＯ_x）膜５２とで構成する。またはＳｉＯ₂膜５１と、屈折率が１．４６よりも大きく１．７以下であるＳｉＯ_x膜５２とで構成する。ＳｉＯ_x膜５２に接するように、活性層３７の微結晶シリコン膜６２を形成する。これによって、ＳｉＯ_x膜５２上に高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。したがって、オン特性の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタ又は該シフトレジスタを有する表示装置の消費電力を低減すること。
【解決手段】シフトレジスタは、クロック信号が１本の配線によって供給されるのではなく、複数の配線によって供給される。さらに、該複数の配線のいずれか一は、シフトレジスタの動作期間を通してクロック信号を供給するのではなく一部の期間においてのみクロック信号を供給する。そのため、クロック信号の供給に伴い駆動される容量負荷を低減することができる。その結果、シフトレジスタの消費電力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理の効率を高めることができ、また半導体膜の移動度を高めることができるレーザー結晶化法を用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体膜を成膜する成膜装置と、レーザー装置とを備えたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であり、レーザー装置は、被処理物に対するレーザー光の照射位置を制御する第１の手段と、レーザー光を発振する第２の手段（レーザー発振装置１２１３）と、前記レーザー光を加工または集光する第３の手段（光学系１２１４）と、前記第２の手段の発振を制御し、なおかつ第３の手段によって加工されたレーザー光のビームスポットがマスクの形状のデータ（パターン情報）に従って定められる位置を覆うように前記第１の手段を制御する第４の手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｄ／Ａ変換回路の構成を複雑にすることなく、多階調表示を可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】外部から入力されるｍビットデジタルビデオデータをｎビットデジタルビデオデータに変換し、ソースドライバに前記ｎビットデジタルビデオデータを供給する回路と（ｍ、ｎは共に２以上の正数、ｍ＞ｎ）、を有する表示装置であって、電圧階調と時間階調とを同時に行い、２m-n個のサブフレームによって１フレームの映像を形成することによって表示を行う。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】銅配線層の接着性を改善するとともに、銅配線層の抵抗値が大きくなることを抑制する配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造１０では、ガラス基板１１上に、チタンからなる接着層１２と、酸化銅からなるバリア層１３と、純銅からなる銅配線層１４とが順に積層されている。接着層１２は、銅配線層１４をガラス基板１１に確実に接着させて、銅配線層１４がガラス基板１１から剥がれるのを防止する。バリア層１３は、配線構造１０を熱処理したときに、接着層１２を構成するチタン原子が銅配線層１４内に拡散しないようにして、銅配線層１４の抵抗値が大きくならないようにする。このため、銅配線層１４は、熱処理された後も、比抵抗を小さな値に保つことができるので、信号の遅延を防止できる。 （もっと読む）