【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタにＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いたＴＦＴであって、ＯＦＦ電流が低く、高ＯＮ／ＯＦＦ比を有し、かつ閾値変化の少ない駆動安定性に優れたＴＦＴを提供することにある。
【解決手段】基板上に、少なくとも、該基板側から順に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極、並びに保護膜を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層がＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＣｄよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を有するアモルファス酸化物を含有する層であり、前記活性層と前記ソース電極又はドレイン電極の少なくとも一方との間にＧａ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ及びＳｉよりなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含有する酸化物又は窒化物を含有する抵抗層を有する薄膜電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】基板が設置されたステージをＸ方向やＹ方向に移動させるレーザー照射装置は、基板が大型化した場合、比例してフットプリント（処理に必要とされる平面での面積）が格段に大きくなり、装置全体の巨大化を招く問題が生じてしまう。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、ガルバノミラーやポリゴンミラーによりレーザー光を半導体膜に照射して走査させ、さらにレーザー光照射の際は、常に半導体膜への入射角度θをある角度に一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極３０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜３０３ａと、拡散層領域３０２ａ２，３０２ａ３上に形成された第２の絶縁膜３０３ｂとを備え、これら第１の絶縁膜３０３ａ及び第２の絶縁膜３０３ｂより上層に第１のゲート電極３０４ａが配置されており、かつ、第１の絶縁膜３０３ａが第２の絶縁膜３０３ｂよりも薄く形成され、第１のトランジスタの第２の絶縁膜３０３ｂは、第１のゲート電極３０４ａの下面縁部から内側まで入り込んで形成され、拡散層領域３０２ａ２，３０２ａ３は、第１の絶縁膜３０３ａの下までオーバーラップして形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びこれを有する液晶表示装置を提供する。
【解決手段】アレイ基板は、ゲート線と、ゲート線と電気的に絶縁状態で交差するように延長されたデータ線とが形成された基板と、ゲート線及びデータ線に接続されたスイッチング素子と、基板上に定義された画素領域に形成され、スイッチング素子の出力電極に接続された画素電極と、画素領域及び画素領域の間に対応して、データ線が形成された基板上に画素電極と絶縁されるように形成され、データ線の上部に対応する位置に１つ以上の第１スリットが形成された共通電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板上における各トランジスタの利用目的に応じてその配置の方向を変更し、効率の良い回路設計を行う。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、ゲートドライバ２１（第２の電気回路）およびソースドライバ２２（第１の電気回路）が設けられた周辺領域を有している。ゲートドライバ２１およびソースドライバ２２に設けられている各トランジスタ２５・２６は、基板上にラテラル成長させて形成された結晶化半導体膜４１を含んで構成されている。ソースドライバ２２内に形成されているトランジスタ２６では、半導体膜４１内の結晶の成長方向Ｄ１に沿って、ソース電極４５およびドレイン電極４６が配置されている。一方、ゲートドライバ２１内に形成されているトランジスタ２５では、ソース電極４５およびドレイン電極４６の配置が成長方向Ｄ１に沿っているものと、沿っていないものとが混在している。 （もっと読む）

【課題】額縁領域を小さくできる画像表示装置を提供すること
【解決手段】第１基板１０と第２基板２０と表示媒体層２２とを備えた画像表示装置１００であって、第１基板１０には、配線基板４０の端子４２と電気的に接続される端子電極１１が形成されており、端子電極１１は、画像表示装置１００の周辺領域６０に配置されており、第１基板１０の裏面１０ｂには、端子電極１１の裏面１１ｂを露出する開口部１５が形成されており、端子電極１１の表面１１ａの上には絶縁膜１４が形成されており、端子電極１１が存在する領域の上方における絶縁膜１４の上にはアクティブ駆動素子３０が形成されている、画像表示装置１００である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が良好な薄膜トランジスタを作製することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層を覆って設けられた第１の絶縁層と、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、離間して設けられた、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と、第１の絶縁層上に、ゲート電極層と少なくとも一部が重畳し、且つ一対の不純物半導体層の少なくとも一方と重畳せずしてチャネル形成領域の一部に設けられた微結晶半導体層と、第１の絶縁層と微結晶半導体層との間に接して設けられた第２の絶縁層と、第１の絶縁層上に第２の絶縁層及び微結晶半導体層を覆って設けられた非晶質半導体層と、を有し、第１の絶縁層は窒化シリコン層であり、第２の絶縁層は酸化窒化シリコン層である薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆを含み、Ｚｎ、Ｉｎ、及びＨｆ原子の全体含有量対比Ｈｆ原子含有量の組成比が２〜１６ａｔ％である酸化物半導体及びこれを備える薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトおよび配線形成時の合わせマージンがゼロであり、集積度を大幅に向上し、パターンレイアウトの自由度の拡大を可能とする薄膜半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１０上に形成され、第１導電型の不純物を含むソース領域及びドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極１８、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された高融点金属と半導体との化合物からなる層、前記島状半導体層及びゲート電極を覆う層間絶縁膜２９、及び前記ソース領域又はドレイン領域に接続された局所配線２８を具備し、前記局所配線２８は、前記ソース領域又はドレイン領域の表面に形成された前記化合物層と高融点金属層との２層構造、及び前記ソース領域又はドレイン領域の外側に形成された前記高融点金属層の延長からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一絶縁基板上に形成された２つのトランジスタの拡散層の抵抗値を同じにすることのできる新構造のトランジスタを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】同一絶縁基板上に第１及び第２のトランジスタが形成された半導体装置において、第１のトランジスタ（図中左側のトランジスタ）は、第１のゲート電極１０４ａ下部に形成された第１の絶縁膜１０３ａと、拡散層１０２ａ２，１０２ａ３領域上に形成された第２の絶縁膜１０３ｂとを備え、第２のトランジスタ（図中右側のトランジスタ）は、第２のゲート電極１０４ｂ下部及び拡散層１０２ｂ２，１０２ｂ３領域上に形成された膜厚の厚い第２の絶縁膜１０３ｂを備え、これら第１の絶縁膜１０３ｂ及び第２の絶縁膜１０３ａより上層に第１及び第２のゲート電極１０４ａ，１０４ｂがそれぞれ配置されており、かつ、第１の絶縁膜１０３ａが第２の絶縁膜１０３ｂよりも薄く形成された構造となっている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】画素の透過率を向上し、表示品質を高めるＦＦＳ型液晶表示装置のアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、共通電極と、ゲートラインと、データラインと、ゲート絶縁層と、薄膜トランジスタと、パッシベーション層と、画素電極とを備えるアレイ基板であって、薄膜トランジスタは、ゲートラインと連結するゲート電極と、活性層と、データラインと連結するソース電極と、画素電極と連結するドレイン電極とを有し、パッシベーション層は、ソース・ドレイン電極及びデータ電極を覆い、ドレイン電極を覆うパッシベーション層にパッシベーション層スルーホールが形成され、画素電極は、パッシベーション層上に形成されパッシベーション層スルーホールを介してドレイン電極と連結する∧形画素電極であり、データラインは、∧形画素電極の「／」形部分と「＼」形部分との境界部に対応する位置の下方に位置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト組成物及びこれを用いたアレイ基板の製造方法が開示される。
【解決手段】フォトレジスト組成物は、ａ）メタクレゾールを７０〜８５重量％で含むフェノール系化合物で製造されるノボラック系樹脂、ｂ）ジアジド系化合物、及びｃ）有機溶媒を含む。これにより、露光領域及び非露光領域の現像対比比、感光速度に依存する感度、半露光部の残膜均一度及び基板に対する接着力を向上させることにより、製造工程の信頼性及び生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】生産性を大幅に低下させることなく、表示特性の良好な表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置は、ゲート絶縁膜５、ＴＦＴ１０８、及び保持容量１０９を有する。ゲート絶縁膜５は、薄膜部及び厚膜部を有する。ＴＦＴ１０８は、表示領域１０１に配置され、ゲート電極６及び多結晶半導体膜４を有し、ゲート電極６と多結晶半導体膜４とによってゲート絶縁膜５の厚膜部を挟むように形成されている。保持容量１０９は、上部電極７及び下部電極４ｄを有し、上部電極７と下部電極４ｄとによってゲート絶縁膜５の薄膜部を挟むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルの表示品質を高める。
【解決手段】ＴＦＴ基板を、絶縁性基板１に形成した凹部１ａを含む領域にＴＦＴのゲート電極２ａを形成し、その上に絶縁膜層５を形成して、その凹部１ａの直上の領域にソース電極３ｂが配置されるようにする。これにより、ゲート電極２ａとソース電極３ｂとの間の距離が広がって寄生容量Ｃｇｓが小さく抑えられ、露光時にズレが生じた場合でも画素間の寄生容量Ｃｇｓの差が小さく、ショットムラの程度を軽減することが可能になる。さらに、フィードスルー電圧Ｖを低減して液晶パネル面内での輝度分布を目立たなくすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのオフ電流を低減することを目的の一とする。また、薄膜トランジスタの電気特性を向上させることを目的の一とする。また、薄膜トランジスタを用いる表示装置の画質の向上を目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して該ゲート電極の端部に至らない内側領域に設けられた５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜と、少なくとも５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜と、５ａｔｏｍｓ％以上１００ａｔｏｍｓ％以下のゲルマニウムを含む半導体膜または導電膜の側面を覆う膜上に形成される一対の配線とを有する薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】チャンバー外からチャンバー内へのリーク量が低減された成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバー外からチャンバー内へのリークが生じたとしても、チャンバー外壁を囲む雰囲気に含まれる酸素及び窒素を極力低減し、希ガスまたは水素で充填することにより、大気における酸素濃度及び窒素濃度の１００分の一以下、好ましくは１０００分の一以下とし、チャンバー内をさらにクリーンに保つ。チャンバーの外側に気密性の高い空間を隣接して設けるため、チャンバーを袋体で覆い、高純度のアルゴンガスを袋体内に供給する。 （もっと読む）