【課題】ＴＦＴの光リーク電流が低減され、かつ、従来よりも少ないフォトリソフォグラフィ工程で製造することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、絶縁性基板１上に、基板１側から、ゲート電極２と、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜６と、互いに離間形成されたドレイン電極９及びソース電極１１と、チャネル層を含む少なくとも１層の半導体膜２１とが順次形成された薄膜トランジスタ１０１と、画素電極１０とが複数対アレイ状に形成されたものである。ドレイン電極９及びソース電極１１は、基板１側から透光性導電膜ＥＭ２と非透光性導電膜ＥＭ３とが順次積層された積層構造を有し、かつ、ドレイン電極９の透光性導電膜ＥＭ２及び／又は非透光性導電膜ＥＭ３が延設され、この延設部分により画素電極１０が形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】有機パッシベーション膜の上に形成されたＩＴＯによる電極を覆う層間絶縁膜が剥離する現象を防止する。
【解決手段】
トップゲートのＴＦＴには映像信号線と接続するためのコンタクトホール１３０が形成されている。ＴＦＴを覆って、無機パッシベーション膜１０８、有機パッシベーション膜１０９がこの順で形成され、その上にコモン電極１１０が形成され、さらにその上に層間絶縁膜１１１が形成されている。層間絶縁膜１１１にはガス抜きのためのスルーホール１４０が形成されている。スルーホール１４０の径をコンタクトホール１３０の径よりも大きくする。ガス抜きのためのスルーホール１４０から有機パッシベーション膜１０９からのガスを放出させ、層間絶縁膜１１１の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】誘電体層に高誘電率絶縁膜を用い、高誘電率絶縁膜等のエッチングにドライエッチングを採用した場合でも、静電破壊の発生を防止することができる電気光学装置の製造方法、および当該方法により製造した電気光学装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００を製造するにあたって、高誘電率絶縁膜形成工程および高誘電率絶縁膜パターニング工程によって誘電体層４２ａを所定領域に形成した後、第２電極形成用導電膜形成工程および第２電極形成用導電膜パターニング工程によって容量線５ｂ（第２電極）を形成する。このため、高誘電率絶縁膜４２は、広い領域にわたって形成された状態でドライエッチング時のプラズマを受けるのは、高誘電率絶縁膜パターニング工程の間だけであり、第２電極形成用導電膜パターニング工程を行う時点では、すでにパターニングされている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイパネルにおいて、酸化シリコン膜の厚さを減少させる。
【解決手段】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタアレイパネルは、絶縁基板と、絶縁基板上に配置され、ゲート電極を含むゲート線と、ゲート線上に配置され、窒化シリコンを含む第１ゲート絶縁膜と、第１ゲート絶縁膜上に配置され、酸化シリコンを含む第２ゲート絶縁膜と、第２ゲート絶縁膜上に配置される酸化物半導体と、酸化物半導体上に配置され、ソース電極を含むデータ線と、酸化物半導体上に配置され、ソース電極と対向するドレイン電極と、ドレイン電極と接続される画素電極と、を含み、第２ゲート絶縁膜の厚さは２００Å以上５００Å未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰと、半導体層１２の一部を含み画素電極ＥＰへの映像信号Ｖｓの書き込みを切替えるスイッチＷと、半導体層１２と対向して補助容量Ｃｓを形成する補助容量線ＣｓＬと、を備えた第１基板ＡＲと、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリアＤＳＰの両端部に配置された端部画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰは、他の画素電極ＥＰよりも大きくなるようにアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤ側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、エッチストッパー層を設けなくてもウェットエッチング時の加工性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層と、金属配線膜とを有しており、前記半導体層と前記金属配線膜との間にバリア層を有する配線構造であって、半導体層は酸化物半導体からなり、バリア層は、高融点金属系薄膜とＳｉ薄膜の積層構造を有し、Ｓｉ薄膜は半導体層と直接接続している。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】信号線と共通電極との間に形成される配線容量を低く抑えつつ、画素電極を駆動するために必要な電圧も低く抑えることの可能な表示パネルおよびその製造方法と、上記の表示パネルを備えた表示装置および電子機器とを提供する。
【解決手段】ソース線３６のうちゲート線３５との交差部分以外の部分（部分ソース線３６Ｂ）と、画素電極２４とが互いに異なる面上に形成されている。具体的には、部分ソース線３６Ｂは透光性基板２２の表面上に形成されており、画素電極２４は絶縁膜２３の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、一面に、ソース電極４１ｃおよびドレイン電極４１ｄを有する第１基板３４と、一面に、ゲート電極４１ｅ、ゲート絶縁膜４１ｂおよび半導体層４１ａを有する第２基板３９と、第１基板３４および第２基板３９が互いの一面側を対向させて貼り合わされることによりこれら第１基板３４と第２基板３９との間に構成される薄膜トランジスタＴＲと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽いフレキシブル性を有するものであって、表示装置の薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高牢性（高信頼性）を実現することのできる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ形成用基板は、フレキシブル性又は伸縮性を有する基板と、基板内に埋め込まれた少なくとも１つの電子部品と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高融点メタルバリア層を有していなくても、高温熱処理後の電気特性を良好にする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、透明絶縁性基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順次に形成されたＳｉ半導体能動膜７と、ｎ型の導電型を有するオーミック低抵抗Ｓｉ膜８とを含む半導体層５１と、半導体層５１と直接接合された、少なくともアルミニウム（Ａｌ）を含むソース・ドレイン電極９，１０とを備える。半導体層５１は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、Ｓｉ半導体能動膜７の側面とソース・ドレイン電極９，１０との界面近傍である第１領域には、少なくとも窒素（Ｎ）が含まれる。 （もっと読む）

【課題】表示基板、表示パネル、及び表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル１００、ガンマ電圧生成部、制御部及びデータ駆動部を含む。表示パネル１００は第１下部電極１１３＿１及び第１下部電極１１３＿１にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１を有する第１上部電極１１４＿１を含む第１画素と、第１画素の第１方向に配置されて第２下部電極１１３＿２及び第２下部電極１１３＿２にオーバーラップし第１スリットパターン１１５＿１の延長方向と異なる方向に延長した第２スリットパターン１１５＿２を有する第２上部電極１１４＿２を含む第２画素と、第１方向と異なる第２方向に延長し第１画素と第２画素との間に配置された第１ゲートラインＧＬ１を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】光照射されてトランジスタの電気特性が変動した場合でも、その電気特性をほぼ光照射前の状態にする手法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタのゲート電極に、正のバイアス電圧を１０ｍｓｅｃ以上印加することにより、光照射されて変動した当該トランジスタの電気特性をほぼ光照射前の状態にすることが可能になる。なお、当該トランジスタのゲート電極に対する正のバイアス電圧印加は、当該トランジスタが受光する光量を参照して適切なタイミングで行う。これより光照射されても表示品位の低下が抑制された表示装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】縦クロストークの発生を防止することができ、かつ、開口率を向上させることができる横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 共通電極と画素電極とを同層上に形成し、共通電極及び画素電極の双方を透明材料から形成する。共通電極はデータ線を完全に覆うように形成する。データ線と共通電極との間にある絶縁膜は、複数の層からなり、一方の層は、共通電極の下方においてのみ、形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程を増やすことなく蓄積容量の領域に形成でき、電気的にも安定な、柱状スペーサの台座の構造を与える。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、蓄積容量形成部５内で半導体層１６から形成され、かつ、すべての画素１ａ，１ｂ，…で同一の面積を有する台座１７を、更に備えている。画素１ａ，１ｂ，…には、柱状スペーサ２４が台座形成部６に当接する位置に設けられた画素１ｂと、柱状スペーサ２４が台座形成部６から離れた位置に設けられた画素１ａと、が含まれる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極表面でのヒロックの発生を防止することのできる電気光学装置、該電気光学装置を用いた投射型表示装置、および当該電気光学装置の製造方法を提供すること。
【課題手段】電気光学装置１００の素子基板１０においては、画素電極９ａを形成するための反射性導電膜と、絶縁保護膜１７を形成するためのシリコン酸化膜をこの順に成膜した後、反射性導電膜およびシリコン酸化膜を同時にパターニングして反射性の画素電極９ａと絶縁保護膜１７とを同一工程でパターニングし、しかる後に、絶縁保護膜１７の上層側にシリコン酸化膜からなる平坦化絶縁膜１８を形成する。従って、絶縁保護膜１７は、画素電極９ａと同一パターン形状をもって画素電極９ａに重なっている。 （もっと読む）

【課題】高電圧に対する高い耐久性と信頼性を有する酸化物半導体薄膜トランジスタを提供することが可能な、新規かつ改良された酸化物半導体薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、基板の上部に形成されて第１面積を有するゲート電極、ゲート電極をカバーするためにゲート電極の上部に形成されるゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜の上部に形成されて第１面積より狭い第２面積を有する活性層、活性層のソース領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるソース電極、活性層のドレーン領域にコンタクトし、活性層の上部に形成されるドレーン電極及び活性層、ソース電極及びドレーン電極をカバーする保護膜を含む。従って、酸化物半導体薄膜トランジスタは高電圧に対する高耐久性及び信頼性を有することができる。 （もっと読む）

【課題】入射光が確実に遮光され安定した動作が得られるトランジスターを備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、ソース領域３０ｓと、ドレイン領域３０ｄと、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃとドレイン領域３０ｄの間に形成された接合領域３０ｆとを有する半導体層３０ａと、半導体層３０ａを覆う第１絶縁膜を介してチャネル領域３０ｃに対向するゲート電極部３０ｇと、平面的に接合領域３０ｆに沿って第１絶縁膜および第２絶縁膜に設けられた溝としてのコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６と、コンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ６内に、ゲート電極部３０ｇから延在して設けられる第１導電膜と、データ線６ａを構成する第２導電膜とを含む少なくとも２層の導電膜を有する遮光性の側壁部と、を備えた。 （もっと読む）