【課題】本発明は、液晶表示装置のＰＬＳモードで生じ易いオフ画素不良を軽減できる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】本発明による薄膜トランジスタ表示板基板は、前記基板上に形成されている複数のゲート線、前記基板上に形成されて透明な導電体で構成される複数の共通電極、前記ゲート線と交差するデータ線、前記ゲート線及び前記データ線と連結されている薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタと連結されており、前記共通電極と重なっている複数の画素電極を含み、前記画素電極は互いに分離されている第１及び第２副画素電極を含む。これにより共通電極と画素電極の一部が短絡されても画素が暗く表示される画素オフ不良を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】製造費用を低減でき、ゲート絶縁膜、キャパシタ絶縁膜等に印加されるストレスが軽減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置において、薄膜トランジスタ（１１ａＴＦＴ）は第１のガラス基板上（１０Ａ）に形成された半導体層（１０Ｂ）中に形成されており、蓄積容量３０は、前記半導体層（１０Ｂ）上に形成された絶縁膜（１０Ｃ）と、前記絶縁膜（１０Ｃ）上に形成されたキャパシタ電極（１１ｃ）と、前記半導体層中、前記キャパシタ電極に隣接して形成された第１の拡散領域（１１ｂ）と、前記半導体層中、前記キャパシタ電極に隣接して形成された第２の拡散領域（１１ｃ）とよりなり、前記第１の拡散領域は第１の導電型に、また前記第２の拡散領域は第２の、逆導電型にドープされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スイッチング素子を用いて画素を制御するアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関し、視角特性に優れて高輝度な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、制御容量が形成される制御容量部４２の保護絶縁膜４０、及び補助容量が形成される補助容量部４３の保護絶縁膜４０の膜厚が、ＴＦＴ５等を覆う保護絶縁膜４０の膜厚に比べて薄く形成された構造を有している。 （もっと読む）

【課題】正電圧に対しても負電圧に対しても、また低周波信号に対しても高周波信号に対しても実質的に同一の容量を示し、有効なキャパシタとして動作するＭＯＳ容量素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型容量素子は、基板と、前記基板上に形成された電極と、前記基板上に、前記電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層中、前記電極の一の縁部に隣接して形成された第１の拡散領域と、前記半導体層中、前記電極の他の縁部に隣接して形成された第２の拡散領域とよりなり、前記第１の拡散領域は第１の導電型に、また前記第２の拡散領域は第２の、逆導電型にドープされていることを特徴とする。 （もっと読む）

アクティブマトリクスアレイ装置が、複数のマトリクスアレイ要素（１００）を有し、各マトリクスアレイ要素は、容量性素子（１２０）をアドレス指定導体（２２ｎ）に応答する第１のスイッチ（１１０）により充電導体（３２ｍ）に結合したものである。加うるに、マトリクスアレイ要素（１００）は、イネーブル導体（４２ｎ）により提供されるイネーブル信号に応答する第２のスイッチ（１１２）によって第１の容量性素子（１２０）に結合された第２の容量性素子（１３０）を有する。第２の容量性素子（１３０）は、第３のスイッチ（１１４）の制御端子に結合され、第３のスイッチは、第１の容量性素子（１２０）と充電導体（３２ｍ）のような電位源との間に結合されている。第２の容量性素子（１３０）は、第１の容量性素子（１２０）の両端間の電圧をサンプリングするために用いられ、かかる電圧は、もし妥当な値のものならば、第３のスイッチ（１１４）を動作可能状態にし、かくして第１の容量性素子（１２０）と電位源との間に導電路が得られる。この構成は、マトリクスアレイ要素（１００）の低電力データリフレッシュモードを考慮に入れており、その後のリフレッシュサイクルでは極性反転が次々に生じる。
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【課題】 マトリクス構造における進行性のある欠陥を容易に検出可能にする。
【解決手段】 マトリクス構造で格子状に交差する複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａを有する。複数のゲート線４ｃ、４ｄ及び複数のデータ線３ａの交差部毎に配置された画素部２ａに所定の駆動電圧が印加される。駆動電圧よりも大きな電圧を画素部に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程と、駆動電圧を画素部２ａに連続的に印加して欠陥１１０の進行を加速させる工程との少なくともいずれか一方の工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

下部電極層21、透明上部電極層13、上部及び下部電極層13, 21の間に配置される液晶層10、及び、液晶層10を通過した入射光を少なくとも部分的に反射するための少なくとも部分的な反射層20, 30を有する、複数のピクセル1を有する液晶ディスプレイ。反射層20, 30は下部電極層21から電気的に絶縁され、液晶層10と下部電極層21との間に配置される。この配置によって、液晶層中の電場の直流成分を除去し又は少なくとも大幅に低減することができ、それによってフリッカーフリーの反射型又は半透過型LCDが実現される。さらに、反射層の反射率の低下、並びにそれに伴うディスプレイ明るさ及びコントラストの低下といった代償を払う必要が無く、フリッカーが除去される。
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【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極は、前記複数の画素電極に対向する領域に跨って一体に形成され、当該容量電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続するコンタクトホールと、を絶縁する開口１１２ａを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極における少なくとも前記画素電極に対向する表面が凹凸状に構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、輝度が高く表示品質の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】一対の基板と、基板間に封止された液晶と、一方の基板に形成された画素電極１６と画素電極１６から分離された画素電極１７とをそれぞれ備えた複数の画素領域と、画素電極１６に接続されたソース電極２２を備えたＴＦＴ２０と、ソース電極２２に接続され、絶縁膜を介して画素電極１７の少なくとも一部に対向して配置された制御容量電極２５を備え、ソース電極２２と画素電極１７とを容量結合する制御容量部と、他方の基板に形成された線状突起４２と、基板面に垂直に見て線状突起４２に重なる領域の一部で画素電極１６、１７を開口して形成され、液晶の配向ベクトルの特異点の位置を制御する開口部５０、５１、５２とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 補助容量形成用の導電層パターンを備えた光透過型の平面表示装置において、充分な補助容量（Ｃｓ）の確保と、画素開口率の向上とを実現できるものを提供する。
【解決手段】画素電極６１が厚型樹脂膜５上に形成される。補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。第２透明導電パターン１９が、補助容量線１２に直接積層されて導通されている。ＴＦＴ７のソース電極３３には、コンタクトホールが設けられず、第１透明導電パターン３９の端部が直接積層される。第２透明導電パターン１９が補助容量線１２と重なる個所には、画素電極６１と第１透明導電パターン３９とを導通させるコンタクトホール４１，５１が設けられるとともに、ゲート絶縁膜１５上に、半導体層を含む島状パターン３５が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 補助容量を設けた場合でも、画素の開口率が低下することのない電気的光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。第２電極１３３と二端子型非線形素子１４の第２導電層１３１は一体の導電パターン１３９から構成されている。画素電極１６は、層間絶縁膜１９の上層側に形成され、かつ、層間絶縁膜１９のコンタクトホール１９１を介して第２電極１３３に電気的接続している。 （もっと読む）

【課題】 再作業が容易であって、設計マージンを確保することができる表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子を各々含む複数の画素と、前記スイッチング素子に連結されている第１及び第２表示信号線とを各々含む第１及び第２表示部と、前記第１表示部の一辺に付着されている第１結合部と、前記第２表示部の一辺に付着されている第２結合部と、前記第１結合部の一部及び前記第２結合部の一部が付着されている可撓性印刷回路基板とを含む。このような方式で、液晶表示装置全体の横及び縦の大きさを減少させ、補助フレキシブル印刷回路基板を必要としないため原価を節減することができる。また、フレキシブル印刷回路基板に不良がある場合、表示部からフレキシブル回路基板を外して表示部を再び利用することができるので材料を節約することができる。 （もっと読む）

【課題】 １つの積層蓄積コンデンサ構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＴＦＴ−ＬＣＤに用いられる各画素の積層蓄積コンデンサ構造を提供する。第一蓄積コンデンサは、第一金属層、ゲート絶縁層と、第二金属層より形成される。第二蓄積コンデンサは、第二金属層、保護絶縁層と、インジウムスズ酸化物層より形成される。前記第一金属層と前記インジウムスズ酸化物層は、バイアホールを介して互いに接続される。前記バイアホールは、１つの絶縁層のエッチングステップによって、前記ゲート絶縁層と前記保護絶縁層をエッチングして形成される。前記インジウムスズ酸化物層と画素電極層は、保護絶縁層上の異なる位置に堆積する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、視認性を安定的に確保することができ、染みを防止することができる、薄膜トランジスタ表示板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の実施例による薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板、絶縁基板上に形成されているゲート線、ゲート線と分離されている容量性補助電極、ゲート線と絶縁されて交差しているデータ線、各々のゲート線及びデータ線と連結されていて、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ、容量性補助電極と重畳して容量性補助電極の上部に位置する容量性結合電極、ドレイン電極及び容量性結合電極を連結して、データ線を中心に両側に対称的に配置されている連結部、そしてドレイン電極と連結されている第１画素電極及び容量性補助電極と連結されている第２画素電極を有する画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 金属配線、金属配線の製造方法、金属配線を含むアレイ基板及び液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】 金属配線は金属膜１１１、１３１及び障壁膜１１３、１３３を含む。金属配線は絶縁基板１０１上に配置される。障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含む障壁膜１３１、１３３を金属膜１１１、１３１を覆うように形成することで、高温プロセスでの拡散を防止し、金属配線の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】フィラーの直下に存在することになる周辺駆動回路の薄膜トランジスタや配線にフィラーからの圧力が加わり、断線やコンタクト不良が発生し易くなる。
【解決手段】低濃度不純物領域を有するＮチャネル型の薄膜トランジスタと、Ｐチャネル型の薄膜トランジスタとを有する周辺駆動回路、及びアクティブマトリクス回路が第１の基板に形成され、シール材が前記周辺駆動回路の上方に配置され、前記第１の基板と第２の基板との基板の間隔を保持する、樹脂材料でなるスペーサーが前記周辺駆動回路の上方に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
開口率が高いアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】
本発明に係るアクティブマトリクス基板１は、容量形成用のトレンチ６４を有する容量形成部ａ表面に形成された基板６０と、基板６０の容量形成部ａ以外の部分の上に設けられ、ゲート絶縁層４１を有するＴＦＴ４０と、基板６０の容量形成部ａの上に設けられ、誘電層５１を有する補助容量素子５０と、を有し、誘電層５１とゲート絶縁層４１とは、同一膜で形成されており、誘電層５１の層厚はゲート絶縁層５１の層厚よりも薄いものである。 （もっと読む）