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Fターム[2H092KA15]の内容

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結晶状態 (30)
物質 (1,810)

Fターム[2H092KA15]に分類される特許

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【課題】 表示領域内に多数個のTFT素子がマトリクス状に配置された表示装置の画質むらを低減する。
【解決手段】 複数本の第1の配線と、絶縁層を介して前記複数本の第1の配線と立体的に交差するように配置された複数本の第2の配線と、隣接する2本の第1の配線および隣接する2本の第2の配線で囲まれた各領域にTFT素子および画素電極が配置された表示パネルを有する表示装置であって、前記表示パネル上の、ある箇所での前記第1の配線の厚さは、前記ある箇所とは別の箇所での前記第1の配線の厚さよりも薄く、前記ある箇所での前記第1の配線の幅は、前記別の箇所での前記第1の配線の幅よりも広い表示装置。 (もっと読む)


【課題】画面影像の品質低降を防止できる透明な基板における透明な基板が見えないようにするという処理方法を提供する。
【解決手段】複数本の透明電極20をレイアウトした透明な基板2に応用される。透明電極20と同じ屈折レートを持つ非導電ナノメートル材料粒子を均一に透明な基板2及び透明電極20に塗布する。透明な基板2に高温の熱処理を行い、ある時間の熱処理をしたあとで、透明な基板2及び透明電極20に整然平坦かつ均一な遮蔽層21が形成される。ナノメートル材料粒子により、透明な基板2に透明電極20をレイアウトしなかった部位と透明電極20をレイアウトした部位とは光に対する屈折レートが所定の間に維持されるため、画面映像の品質低降を有効に避けることができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、反射型表示装置、半導体回路の製造方法および反射型表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材3としてコーニング社製無アルカリガラス1737(厚さ0.5mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層4を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材3の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 (もっと読む)


【課題】基板上の半導体薄膜の結晶化において問題となる結晶の表面の凹凸の生じない結晶化装置および結晶化方法を提供する。
【解決手段】基板1上の半導体薄膜2に、基板1に平行な方向の結晶成長を生じさせる結晶化装置および方法であって、ビームは、所定の間隔を設けて同時に基板1に照射される主ビーム9と補助ビーム10とにより構成され、主ビーム9により結晶化される際に生じる半導体表面の凹凸を補助ビームで平坦化する。 (もっと読む)


【課題】TFTアレイを製造するための方法に提供する。
【解決手段】TFTアレイを製造するための方法は、基板と、複数の第1の導電性ラインと複数の第2の導電性ラインとを有し基板上にパターニングされた第1の金属層と、パターニングされた第1の金属層の上の絶縁層と、パターニングされたシリコン層と、パターニングされたシリコン層の上のパターニングされた保護層と、パターニングされた保護層の上のパターニングされたドープシリコン層及びパターニングされた第2の金属層とを準備し、パターニングされたシリコン層の露出した部分と第1の導電性ラインと第2の導電性ラインの露出した部分を埋め、パターニングされた第2の金属層が、複数の第3の導電性ラインと複数の第4の導電性ラインを備え、そのそれぞれが、複数の第1の導電性ラインと複数の第2の導電性ラインの1つにそれぞれに対応する。 (もっと読む)


【課題】視野角及び画質等の表示品質を改善することのできる液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】複数の画素領域と該各々の画素領域内に配置されるスイッチング素子とを含む下部基板と、前記スイッチング素子上に配置される有機膜と、前記下部基板上の前記画素領域内の前記有機膜上に配置され前記スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続される複数の画素電極部と、該画素電極部間を相互に電気的に接続する連結部とを含む画素電極と、前記連結部の下に配置される第1光遮断パターンと、前記画素領域に対応する表示領域と該表示領域を囲む周辺領域とを含む上部基板と、前記上部基板上に配置され前記各々の画素電極部に対応して、複数の凹部を具備する開口パターンを含む共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間に配置される液晶層とを有する。 (もっと読む)


【課題】クラックが発生することを防止する。
【解決手段】パターニングされた複数の導電性膜と前記導電性膜相互間に形成される層間
絶縁膜との層構造を有し、複数の走査線と複数のデータ線の交差に対応して画素が設けら
れた電気光学装置であって、前記導電性膜の凹凸によって前記層間絶縁膜に生じる段差部
分に対応する領域を含み前記導電性膜上に形成される第1の窒化膜31と、前記第1の窒
化膜上に形成された前記層間絶縁膜上に、前記第1の窒化膜と同一の平面形状に形成され
る第2の窒化膜32と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】非線形性の向上、残像現象の原因となる素子ドリフト現象の発生防止、および焼き付きの原因となる非線形特性の不可逆的なシフト現象の発生防止のいずれをも実現することのできる非線素子、この非線形素子を画素スイッチング素子として用いた電気光学装置、および非線形素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】非線形素子10xは、下電極13x、この下電極13xの表面側を覆う絶縁層14x、およびこの絶縁層14xを介して下電極13xに対向する上電極15xを備えたTFD素子である。絶縁層14xに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極13xは、下電極13xから絶縁層14xの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 (もっと読む)


【課題】有機絶縁物の損傷を防止して表示品質を向上させるための表示基板と、それの製造方法及びそれを具備した表示パネルを提供する。
【解決手段】表示基板はデータ線、ゲート線、画素部及び有機スイッチング素子及び画素電極を含む。データ線は第1方向に延長されて形成される。ゲート線は第1方向と交差する第2方向に延長されて形成される。画素部はデータ線とゲート線によって定義される。有機スイッチング素子は各画素部に形成され、データ線と電気的に連結されたソース電極とゲート線、電気的に連結されたゲート電極、及びゲート電極上に形成された有機半導体層を含む。画素電極は透明な酸窒化物で前記画素部に形成され、前記有機スイッチング素子と電気的に連結される。それにより、透明電極層を酸窒化物で形成することで前記透明電極層の下部に形成される有機絶縁層の損傷を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】画像むらを低減し、生産性を良好にし、省資源化やコスト低減が図れ、透明電極膜の光透過率を98%以上とする。
【解決手段】半導体基板1と透明基板10とが所定の間隙d1を有して対向しその所定の間隙に液晶20が充填された反射型液晶表示素子50を製造する反射型液晶表示素子の製造方法において、透明基板の半導体基板と対向する面側に第1のITO膜11aを形成し、この第1のITO膜上にSiO2膜12aを形成し、このSiO2膜上に第2のITO膜13aを酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスを用いこの混合ガスに対する酸素ガスの流量比を0.8〜5%の範囲内とする真空成膜法により形成する。 (もっと読む)


【課題】結晶化半導体薄膜の表面上に低温及び短時間において絶縁耐性に優れた良質な膜質を有する絶縁膜を形成する絶縁膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜(ゲート絶縁膜3)及び薄膜トランジスタ10の製造方法において、基板1上に半導体薄膜2を形成し、半導体薄膜2を結晶化し、結晶化半導体薄膜20を形成し、結晶化半導体薄膜20の表面に異方性酸化を行い、結晶化半導体薄膜20の表面上に異方性酸化膜31を形成し、異方性酸化膜31の表面上に絶縁膜32を成膜する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減でき、かつ、製造歩留りを向上させることが可能なTFT基板及びTFT基板の製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】ガラス基板10と、ゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート絶縁膜30と、n型酸化物半導体層40と、酸化物導電体層60を具備し、チャンネル部41を保護するチャンネル部用エッチストッパー53と、酸化物導電体層60を有する、ソース配線65,ドレイン配線66,ソース電極63,ドレイン電極64及び画素電極67とを備えている。 (もっと読む)


【課題】平坦性の高いパターンを形成可能とする。
【解決手段】基板P上に積層構造の配線41、42を形成する。基板P上に下地層F1を形成する工程と、下地層F1の上に液状体の液滴を吐出して配線本体F2を形成する工程とを有する。液状体は、銀を含む第1微粒子と、第1微粒子に添加され銀とは異なる第2微粒子とを含む。 (もっと読む)


【課題】所定の機能を確保しつつ、安定してパターンを形成する。
【解決手段】機能液を基板上に配置して線状の第1膜パターン40と、第1膜パターン4
0より幅狭で基端部で第1膜パターン40に接続される第2膜パターン41とを形成する
。第1膜パターン40に対応する第1開口部55及び第2膜パターン41に対応する第2
開口部56を有する隔壁34を形成する工程と、第1開口部55に機能液の液滴を配置し
、機能液の自己流動により機能液を第2開口部56に配置する工程とを有する。第2膜パ
ターン41の先端部は、矩形輪郭を欠落させた形状の欠落部41aを有する。 (もっと読む)


【課題】共通電位を第1の基板側から第2の基板側に供給する液晶表示装置において、その信頼性を向上させると共に狭額縁化、または歩留まりの向上を図る。
【解決手段】第1の基板10及び第2の基板20は、共通電位線COM1の形成領域よりも平面的に広く延在するシール領域兼パッド領域に形成されたシール樹脂30を介して貼り合わされている。シール樹脂30には、スペーサ粒子31及び導電粒子32が含まれている。また、第1の基板10側に形成された透明電極パッド16は、コンタクトホールH1を通して共通電位線COM1と接続され、垂直駆動回路102上に一部重畳するように平坦化膜15上に至るまで延在するように形成されている。透明電極パッド16は、シール樹脂30の導電粒子32を介して、第1の基板10に対向する第2の基板20の表面に形成された対向電極21と電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】製造プロセスを増やすことなく、対向基板側のブラックマトリクスによる開口率の低下を解消した液晶表示パネルおよび該液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルは、複数の画像信号配線2と、複数の走査信号配線1と、スイッチング素子5と、画素電極3と、対向電極11と、液晶材料10とを有しており、画素電極3よりも画像信号配線2側に張り出し且つ画素毎に分離された光反射性の金属膜4を、画素電極3の裏面側に絶縁膜8を介して設けてなる。また、金属膜4は、画素毎に一対の帯状金属膜からなり、画素電極3と一対の帯状金属膜の一方との間の重なり容量が一対の帯状金属膜の一方と対向電極11との間の液晶容量の2倍以上であり、画素電極3と一対の帯状金属膜の他方との間の重なり容量が一対の帯状金属膜の他方と対向電極11との間の液晶容量の2倍以上である。 (もっと読む)


【課題】
端子間の狭ピッチ化にも低コストで確実に端子の短絡を防ぐことが可能な電子部品の実装方法、実装構造体の製造方法、電気光学装置の製造方法、その実装構造体、その実装構造体を用いた電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】
電極用端子等が設けられた第1の基板5と、当該第1の基板上に実装され、当該電極用端子等に電気的に接続されたバンプ23を有するX,Yドライバー17,18と、その電極用端子等とバンプ23との間のみに配置された導電粒子25とを具備することとした。 (もっと読む)


【課題】腐食を抑制することができ、しかも、信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アレイ基板200は、対向電極330に対して所定の電位を供給するための給電配線250と、給電配線250を覆う絶縁膜223及び229上に配置された給電パッド260と、絶縁膜223及び229に形成されたコンタクトホール270を介して給電配線250と給電パッド260とを接続する接続部280と、を備えている。接続部280は、シール領域111の外縁111Aより内側に配置されている。 (もっと読む)


【課題】 透明電極膜(画素電極)との接続にAl合金よりも電気抵抗の低いCu合金膜を使用し、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明電極との間で低抵抗の直接接続を実現し、液晶パネルなどに適用した場合に高い表示品質を与える表示デバイスを提供すること。
【解決手段】 Cu合金膜からなる配線・電極部と透明導電膜が、高融点金属薄膜を介することなく直接接続している表示デバイスであって、前記Cu合金膜中に、Znおよび/またはMgを総量で0.1〜3.0原子%含有させ、あるいはNiおよび/またはMnを総量で0.1〜0.5原子%含有させ、バリアメタルなしで透明電極との間で低抵抗の直接接続を可能にした。 (もっと読む)


【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にLDD領域を少なくとも一つ備えたTFTを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なTFT、例えば、チャネル形成領域の片側にLDD領域を有するTFTと、チャネル形成領域の両側にLDD領域を有するTFTとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にLDD領域を形成する。 (もっと読む)


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