【課題】 フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、反射率を低下させずに工程数を増加させることなく低コストで、かつ電池腐食の発生を抑制して高い歩留で製造することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 反射画素電極１１（第３の金属膜）とその上層の第２の透明導電性膜１２を同じマスクパターンでパターニングし、同じエッチング液を用いて一括ウェットエッチング処理した。第２の透明導電性膜１２の膜厚を５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることにより、反射画素電極への現像液の侵入を防止し、下地の画素電極の電池反応による腐食を防止し、高い歩留で製造することが可能である。更に、対向電極基板の透明共通電極との仕事関数差を小さくし、フリッカや液晶の焼き付きの発生しない液晶表示装置を、工程数を増加させることなく低コストで製造することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 バンクに対する表面処理（撥液化処理）を不要にし、これにより工程を簡易化して生産性を向上した膜パターンの形成方法と、これによって得られる膜パターン、さらにはデバイス、電気光学装置等を提供する。
【解決手段】 機能液Ｘ１を基板Ｐ上に配置して膜パターンを形成する方法である。基板Ｐ上に膜パターンの形成領域に対応したバンクＢを形成する工程と、バンクによって区画された領域３４に機能液Ｘ１を配置する工程と、機能液Ｘ１を硬化処理して膜パターンとする工程と、を有する。バンクＢを形成する工程では、ポリシラザン液又はポリシロキサン液を塗布し、次いでこれを露光し現像してパターニングした後、焼成することにより、側鎖に疎水基を有し、シロキサン結合を骨格とする材質のバンクを形成するようにし、機能液Ｘ１として、水系の分散媒または溶媒を含有した液状体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 液滴吐出法によって形成するゲート電極を、その成分元素の拡散を起こさせることなく良好に形成することができるようにした薄膜トランジスタの製造方法、さらには電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に、ゲート電極８０の形成領域に対応したバンクＢ１またはその前駆体を形成する工程と、バンクＢ１またはその前駆体によって区画された領域に、導電性材料を含有してなる機能液を液滴吐出法で配置し、焼成することにより、ゲート電極８０を形成する工程と、ゲート電極８０上にポリシラザン液を配置し、焼成することにより、ゲート電極８０上を覆うゲート絶縁膜８３を、ポリシロキサンを骨格とする無機質層で形成する工程と、ゲート絶縁膜８３上に半導体層３３を形成する工程と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ６０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】充分な遮光性を有する一方、光を照射することで充分に硬化させることができるため、滴下工法により製造した場合であっても、光の漏れ出しがなく高いコントラストを有し、優れた画像表示品質を有する液晶表示素子を実現することができる液晶滴下工法用遮光シール剤、上下導通材料及び液晶表示素子を提供する。
【解決手段】環状エーテル基を有する硬化性化合物、光カチオン開始剤、及び、遮光性着色剤を含有する液晶滴下工法用遮光シール剤。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗アモルファスシリコン膜４の厚さを薄くするとともにコンタクト層６の膜厚を略一定にすることにより、特性が不安定になったり、不均一な特性を示すことのない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】 基板１上に形成されたゲート電極２、ゲート電極２上及び基板１上に形成されたゲート絶縁膜３、ゲート絶縁膜３上に形成された高抵抗アモルファスシリコン膜４、高抵抗アモルファスシリコン膜４上の各一部にコンタクト層６を介して形成されたドレイン電極７及びソース電極８を有する薄膜トランジスタであって、コンタクト層６は、高抵抗アモルファスシリコン膜４中に不純物５を拡散して得た低抵抗領域であり、ドレイン電極７及びソース電極８の接触部分に拡散されている不純物５の量が０．０１％以上になっている。 （もっと読む）

【課題】 耐久性に優れ高真空度での加熱でもガス発生を生じない導電回路と、この導電回路の形成方法、および、このような導電回路を備えた信頼性、耐久性の高い電子ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 導電回路を、ガラス層と、このガラス層上に無電解めっき膜または置換めっき膜である導電薄膜を介して設けられた主導電層とを有する構成とし、このような導電回路は、無電解めっき用の触媒化処理を施したガラスフリットと、該ガラスフリットの軟化点以下の温度で昇華または蒸発可能な媒体をバインダーとしてスラリー状の塗布液を調製し、この塗布液を用いて基体上に所望の回路パターンを形成し、ガラスフリットの軟化点以下の温度で媒体を除去し、次に、ガラスフリットを軟化して基体上にガラス層を形成した後、無電解めっきによりガラス層上に無電解めっき膜を形成して導電薄膜とし、この導電薄膜を給電層として、電解めっきにより主導電層を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】 例えば、ＴＦＴのソース電極及びドレイン電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減しつつ、オフ電流の発生を抑制する。
【解決手段】 レジスト膜３０９に形成された開口部３１０を介してソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´の夫々に不純物をドープする。ここで、ソース領域３０２ｂ´及びドレイン領域３０２ｃ´のうち開口部３１０に臨む領域、即ち最終的にソース電極及びドレイン電極が半導体層３０２の表面と接触する領域である接続領域３１１ａ及び３１１ｂに開口部３１０を介して選択的に不純物がドープされる。そして、レジスト膜３０９及び窒化膜３０８を除去した後、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、ゲート絶縁膜３０４、ゲート電極膜３０６を覆うように絶縁膜３１２を形成する。この状態で、半導体層３０２をアニール処理し、半導体層３０２におけるソース領域３０２ｂ´、ドレイン領域３０２ｃ´、接続領域３１１ａ及び３１１ｂ、並びにＬＤＤ領域３０３ａ及び３０３ｂを活性化する。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供する。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴのソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】光の透過性を維持しつつ、表面が平滑で、非晶質であり、かつ、成膜時に基板を加熱しなくても比抵抗が小さい透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】タングステン、亜鉛、マグネシウムを含有し、残部がインジウム、酸素および不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００４〜０．０３３、亜鉛がインジウムに対する原子数比で０．００５〜０．０３２、マグネシウムがインジウムに対する原子数比で０．００７〜０．０５６の割合で含有される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。作製したスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを実施して、透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なるパターンを組み合わせて、膜厚の均等な薄膜パターンを形成した表示装置用基板とこの表示装置用基板を用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】 基板１上に薄膜形成材料インクで分割塗布された幅狭のパターン２と幅広のパターン３との分割部を橋絡させて塗布したインク５で接続部６を形成する。接続部６で幅狭のパターン２と幅広のパターン３とを一体化し、均一な膜厚の薄膜パターンを得る。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線または第一の電極配線間の短絡による歩留りの低下を防止すると共に、比抵抗が小さい材料を用いてゲート配線または第一の電極配線を構成することによりそのパターンを細線化し、高開口率化による低消費電力の液晶表示装置と、それを高歩留りで製造する製造方法、およびそれに用いられるＴＦＴアレイ基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ゲート電極とゲート配線、または第一の電極、第一の電極配線、第二の電極が、ＡｌまたはＡｌ合金と、その表面側のＡｌより硬度の高い金属層との二層膜、または多層膜で構成され、それらは、Ａｌより硬度の高い金属膜をブラシ洗浄し、パターニングすることができ、それらの配線間短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極における少なくとも前記画素電極に対向する表面が凹凸状に構成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置において、表示パネルはパッドを通じて駆動チップ１２０から駆動信号の入力を受け、駆動信号に応答して画像を表示する。前記駆動チップ１２０は駆動信号を出力する端子ＯＴ１を有する。表示パネルと前記駆動チップ１２０は異方性導電フィルム１３０によって表示パネル上に付着され、表示パネルと電気的に接続される。潤滑層１４０は前記異方性導電フィルム１３０の表面上に形成され、表示パネル上に前記駆動チップ１２０を付着する過程で発生する電気的な接続不良を防止する。従って、表示装置の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 画素面積が減少しても容量比を確保することが可能な電気光学装置の構造を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、電気光学物質１３０と、該電気光学物質の一側に配置された画素電極１１４と、該画素電極に接続されたスイッチング素子１１７と、前記電気光学物質を介して前記画素電極に対向する対向電極１２２とを有する電気光学装置において、前記画素電極に対して前記電気光学物質とは反対側に対向配置され、前記画素電極との間に補助容量を構成する容量電極１１２を設け、前記容量電極は、前記複数の画素電極に対向する領域に跨って一体に形成され、当該容量電極と、前記スイッチング素子と前記画素電極とを接続するコンタクトホールと、を絶縁する開口１１２ａを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表示素子に適用される液晶表示装置及びその製造方法に係り、必要となるマスク工程の数を減少させることができる構造及び製造工程を提供する。
【解決手段】本発明に係る液晶表示装置は、第１基板及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、第１基板上の共通ラインと、第１基板上に配設され、共通ラインと接続する共通電極と、ゲートラインと、共通ライン及び共通電極上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配設され、ゲートラインと交差するデータラインと、ゲートラインと接続するゲート電極と、データラインと接続するソース電極と、ドレイン電極及びソース電極とドレイン電極との間にチャネルを形成する半導体層を備える薄膜トランジスタと、ドレイン電極と接続し、画素電極の一部と重畳する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブ基板上に柱状スペーサを形成し、液晶表示装置の生産コストの低減を図る。
【解決手段】アクティブ基板を保護する機能を有するパシベーション絶縁層またはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層パターンの形成にあたり、ハーフトーン露光技術を併用して、パシベーション絶縁層上に局所的に感光性有機絶縁層パターンを形成する、感光性有機絶縁層よりなるパシベーション絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する、あるいはソース・ドレイン配線上に形成された感光性有機絶縁層の一部の膜厚を厚く形成する等の手段によりアクティブ基板上に柱状スペーサを形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを有するアクティブマトリクス基板において、基板の伸縮のため製造時に複数のパターンの位置あわせが全面に渡って達成することが困難になる。
【解決手段】基材上に複数の第１配線と、複数の前記第１配線と交差する複数の第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とを絶縁する絶縁膜と、前記第２配線に隣り合う複数の画素電極と、を備え、前記複数の画素電極の各々に対応した半導体膜が設けられ、前記半導体膜は前記複数の第１配線と前記複数の第２配線とが交差する複数の交差部のうち少なくとも１つの交差部と前記複数の画素電極のうち１つとに重なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の開口率を向上し、視野角が広く、かつ、鮮明で明るい画像表示を実現することを目的とする。
【解決手段】第１の基板上に形成された信号配線と、画素電極と、共通電極と、を有し、画素電極と共通電極とは、基板面と平行な電界が生じるように配置され、第１の基板に対向する第２の基板は、画素部の各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層と、第２の基板の前記カラーフィルター層が形成された反対側の面に形成された透光性導電膜と、を有し、各画素に対応した赤色、青色、緑色のカラーフィルター層は、それぞれ、隣接する画素間において該隣接する画素のカラーフィルター層と重なる部分を有し、第１の基板上の信号配線は、第２の基板上のカラーフィルター層が重なる部分と重畳するように配置される液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗性及び信頼性を同時に確保できる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタ表示板は、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されるゲート線と、ゲート線上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるソース電極を含むデータ線と、ソース電極と対向しているドレイン電極と、ドレイン電極と接続される画素電極とを有し、ゲート線と、データ線及びドレイン電極とのうちの少なくとも一つは、導電性酸化物からなる第１導電層及び銅を含む第２導電層を有する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）