【課題】 薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）

導電部所有体５００の表面に被覆膜１００を形成する工程と、上記被覆膜１００が形成された導電体５００上に感光性膜１１０を形成する工程と、上記感光性膜１１０を、凹部又は凸部のパターンに対応するパターンに露光する工程と、上記露光された感光性膜１１０を現像する工程と、上記現像された感光性膜１１０をベーキングする工程とを有する電子装置の製造方法。該製造方法により、金属膜が必要以上に除去されてしまう現象を防止又は緩和する。
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【課題】写真工程を減らす液晶表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】ＴＦＴ部及びパッド部の基板上に第１及び第２金属膜を順次積層し、第１金属膜の幅が底から狭くなるよう１次写真工程により第１及び第２金属膜をパターニングしてゲート電極及びゲートパッドをＴＦＴ部及びパッド部に形成する段階、基板全面上に絶縁膜を形成する段階、２次写真工程によりＴＦＴ部の絶縁膜上に半導体膜を形成する段階、３次写真工程によりＴＦＴ部に第３金属膜からなるソース及びドレイン電極を形成する段階、４次写真工程によりソース及びドレイン電極上とパッド部の絶縁膜上にドレイン電極とゲートパッドの第２金属膜上面を露出する保護膜パターンを形成する段階、ドレイン電極に連結の第１画素電極パターンとゲートパッドの第２金属膜に連結の第２画素電極パターンを５次写真工程により形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】 例えばＴＦＴ等の薄膜半導体装置において、耐電圧性を高め、オフリーク電流を低減する。
【解決手段】 チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含むと共に島状の平面パターンを有する半導体膜と、この上又は下に積層されたゲート絶縁膜と、これを介してチャネル領域に対向配置されたゲート電極とを備える。ゲート絶縁膜は、半導体膜における島状の平面パターンの周辺領域とゲート電極との層間に挟持される第１部分において、局所的に厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する液晶表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して、結晶性半導体膜を形成するとともに該結晶性半導体膜から触媒元素を除き、その後逆スタガ型薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、薄膜トランジスタのゲート電極層と画素電極層を同工程同材料を用いて液滴吐出法により選択的に形成し、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】 同一基板上に形成されたＴＦＴと容量素子に対して、高い耐電圧を確保するとともに、容量素子の静電容量を向上可能な薄膜半導体装置、電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板１０において、誘電体膜２ｃは、第１領域１ｃの外側領域には、第１領域２０１ｃよりも膜厚が厚い第２領域２０２ｃを備えているので、蓄積容量７０の耐電圧が高い。従って、蓄積容量７０では、高い耐電圧が得られるとともに、耐電圧を高くするために誘電体膜２ｃの膜厚を厚くしたことに起因する静電容量の低下を最小限に止めることができる。よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示パネルの一方の基板の共通電極と他方の基板のトランスファ電極との電気的接続の有無が簡単に確認できる接続のための導電性樹脂粒子を提供し、さらに、その電気的接続が簡単に確認できる液晶表示パネル及びその検査方法を提供すること。
【解決手段】 一方の基板に共通電極１８を有し、他方の基板にトランスファ電極１７_１〜１７₄を有し、両電極を導電性樹脂粒子４０で接続した液晶表示パネル１０において、該導電性樹脂粒子４０として所定の粒径の柔軟性を有する蛍光性材料含有樹脂粒子の表面を導電性の金属層４２で被覆したものを使用する。
製造された液晶表示パネルの導電性樹脂材料４０の表面の金属層４２にはクラック又は縦割れ４３が生じているため、液晶表示パネル１０に紫外線を含む光を照射すると、蛍光性材料含有樹脂粒子の表面が露出しているので、ここから蛍光が発生する。この蛍光を発しないものは不良品として識別できる。 （もっと読む）

【課題】 輝度むらがなく、均一な画像表示を可能とした表示装置用の配線形成基板およびこの基板を用いた低消費電力および高開口率の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 基板１上にバンク２を設け、このバンク２に配線材料インク３をインクジェット装置で滴下して塗布する。バンク２の溝４は配線材料インク３の最大盛り込み量が規定され、薄膜配線の膜厚は当該バンク2の溝4に薄膜配線３Aを形成する配線材料インク3の最大盛り込み量に比例した厚みHを有する。これにより、薄膜配線３Aがバンク２の溝４の幅Wに応じて異なるものとなる。画素内での薄膜配線の膜厚に差があっても、画素間では同一部分が同一膜厚となり、画素間での輝度差が生じない。また、薄膜配線３Aの幅を狭くし、厚みを厚くすることができるため、開口率が大きく、低消費電力の液晶表示装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、工程を単純化すると共に、コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供するところにある。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイ基板は、基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートライン上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を挟んで前記ゲートラインと交差されるように形成され、ＷＳｉ_ｘ、ＣｏＳｉ_ｘ、ＮｉＳｉ_ｘのうち少なくともいずれか一つを含むデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインの交差部に位置する薄膜トランジスタと、前記ゲートライン及びデータラインの交差で設けられた画素領域に形成され、前記薄膜トランジスタと接続される画素電極と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３５、３６とを接続する接続配線の一部である上層接続配線４８、５１、５４は、トップゲート電極８が設けられたトップゲート絶縁膜３９上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。
【解決手段】 アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４２を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４２を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９、ソース・ドレイン電極１０及びトップゲート電極８と薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極に接続される導電体層３５、３６とを接続するための上層接続配線４９、５２、５５、５８は、トップゲート電極８を覆う層間絶縁膜４０上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリングのための構造として、電極としても用いることができ、かつ遮光を実現する構造としての、半導体素子の支持体及び半導体素子の支持体の駆動方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の支持体１００上に形成されているＭＯＳトランジスタ３０２や、保持容量３０３等の半導体素子に印加されている最低電位を０Ｖとしたとき、半導体素子の支持体１００の構成要素であるタングステン膜１０３には、−３Ｖの電位を与えて駆動する。タングステン膜１０３に半導体素子の最低電位０Ｖよりも低い電圧が与えられているため、珪酸ガラス基体１０１や酸化珪素膜１０２、１０４に存在している正の電荷を有する可動性のあるナトリウムイオン等のアルカリ金属は、低い電位に保たれているタングステン膜１０３の方へ移動し、タングステン膜１０３に捕らえられることで固定される。 （もっと読む）

【課題】 光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】 表示装置において、表示パネルは、複数のゲート線と複数のデータ線が設けられた第１基板と、第１基板と対向する第２基板、及び第１基板と第２基板を結合する密封材からなる。ゲート駆動部は、外部から複数の信号を受信する配線部、及び複数の信号に応答して駆動信号を出力する回路部からなる。配線部には、密封材を硬化するため前記第１基板の背面を通じて入射された光を透過させる開口部が設けられ、前記密封材による前記第１基板と第２基板の結合力を向上させる。その結果、外部から流入する湿気による腐蝕不良などを改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 新規な構成で確実に液晶分子を配向規制することができ、しかも信頼性の高い配向膜を備えた液晶装置を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶装置は、一対の基板１０，２０間に液晶層５０を挟持してなる液晶装置であって、前記基板１０の液晶層５０側に配設された酸化物層９と、該酸化物層９の液晶層５０側に配設された配向層１１とを備え、前記配向層１１が、前記酸化物層９と化学的に結合されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

フラットパネルディスプレイ（ＬＤＣ、ＥＬＤ、プラズマディスプレイ、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ）、タッチパネル、光学フィルター、太陽電池および他の用途における透明な電極を製造するのに適した２層型透明導体スキームが提示される。上層は典型的にインジウム・スズ酸化物からなり、より薄い下層はＡｌ_２Ｏ_３でドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）、または酸化ガリウムでドープされたＺｎＯ（ＧＺＯ）、またはＡｌ_２Ｏ_３およびＧａ_２Ｏ_３の両方でドープされたＺｎＯ（ＡＧＺＯ）からなる。下層は上層よりも顕著に高い湿式化学エッチング速度を有し、これにより上部のＩＴＯ層のより迅速でより均一なエッチングを可能にし、そうしてＩＴＯ「アイランド」の形成を防止する。 （もっと読む）