【課題】光漏れを防止することのできる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されるゲート配線と、前記ゲート配線と絶縁され交差して前記基板上に配置される第１データ配線、第２データ配線、及び第１電源配線と、前記ゲート配線と前記第１データ配線に接続される第１スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続される第２スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第２データ配線に接続されている第３スイッチング素子と、前記ゲート配線と前記第１電源配線に接続されている第４スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子、第２スイッチング素子、第３スイッチング素子、及び第４スイッチング素子とそれぞれ接続される第１画素電極、第２画素電極、第３画素電極、及び第４画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 第１絶縁基板の上方に配置された共通電極と、共通電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に配置され共通電極と向かい合うとともにスリットが形成された複数の画素電極と、画素電極の各々を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板の第１基板と対向する内面において画素電極の間の直上に配置されたブラックマトリクスと、画素電極の各々の直上に配置されたカラーフィルタと、カラーフィルタの第１基板側に配置された第２配向膜と、を備えた第２基板と、第１基板と第２基板との間に保持されるとともに画素電極の間の直上に位置する第１領域と画素電極の直上に位置する第２領域とを含む液晶層と、を備え、液晶層の屈折率異方性をΔｎとし液晶層の厚みをｄとし液晶層の位相差値をΔｎ・ｄで定義したとき、第１領域の位相差値は第２領域の位相差値よりも小さい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】製造工程中に生じる静電気に起因する不良を防止しつつ、簡便なプロセスで製造可能であり、かつ、薄膜トランジスタ特性を維持しつつ検査に適した薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線１及びソース配線２の少なくとも一方と、抵抗体４を介して電気的に接続されるショートリング配線３を備える。抵抗体４は、ソース配線２及びショートリング配線３と同一の層からなり、ショートリング配線３と一体的に形成されたメタル膜１３と、メタル膜１３の直下に形成された第２半導体膜１２と、その直下に形成された第１半導体膜１１の積層体からなる。抵抗体４の平面視上の形状は、少なくとも一部の領域において第１半導体膜１１の幅Ｗ１に比して第２半導体膜１２及び前記メタル膜１３の幅Ｗ２を小さくし、抵抗体４の抵抗値は、メタル膜１３の形状により調整する。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＳにおける従来の技術は、工程数が多く、開口率が低いので、実用化できな
い。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極が多く、画素表示部にお
ける個々の液晶にかかる電界が不均一であった。
【解決手段】本発明は、ゲイト線１０２、１０５とコモン線１０３、１０４を最初に同時
に形成し、層間膜形成後、画素電極１０８とコモン電極１１０、１１１とソ─ス線１０６
、１０７を同時に形成する。こうすることによって、電極パタ─ンを単純化でき、工程を
簡略化した。また、液晶層に最も近接している層に存在する配線及び電極を画素電極とコ
モン電極とソ─ス線とし、その形状を単純なものにした。 （もっと読む）

【課題】補助容量電極を薄膜トランジスタに重ねる構造とした場合であっても、光リーク電流の発生を抑制することができる液晶表示素子を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ８の上層側に金属からなる補助容量電極１１が前記薄膜トランジスタ８と重なるように配置された液晶表示素子であって、前記薄膜トランジスタ８は、半導体層２１上に該半導体層２１に接するように配置された絶縁性材料からなるエッチング防止層２４と、前記エッチング防止層２４との間に前記半導体層２１が介在するように配置されたゲート電極Ｇと、を有し、前記薄膜トランジスタ８の前記ゲート電極Ｇと重なる領域における前記補助容量電極１１は、前記薄膜トランジスタ８におけるチャネル長方向に沿う方向の長さが、前記ゲート電極Ｇの前記方向の長さよりも短く且つ前記エッチング防止層２４の前記方向の長さよりも長く形成されている。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高い信頼性を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたトランジスター（３０）と、トランジスターと電気的に接続されたデータ線（６ａ）と、画素電極及びトランジスター間に設けられ、第１電極（７２）及び第２電極（７１）が容量絶縁膜（７５）を介して対向配置されることで形成される蓄積容量（７０）と、第１電極と同一層に設けられた第１付加容量電極（４０１）と、第１電極及び第２電極とは異なる層に設けられた第２付加容量電極（４０２）とが、付加容量絶縁膜（４２）を介して対向配置されることで形成され、データ線と電気的に接続された付加容量（４００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置において、製造工程中に残留する導電膜によって画素電極及びデータ配線が互いに短絡されることを防止して画素欠陥を減少させる。
【解決手段】液晶表示装置は、絶縁基板と、絶縁基板の上に位置するゲート線と、ゲート線を覆っているゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜上に位置し、ドレーン電極とデータ線とを含むデータ配線と、データ配線を覆っている保護膜７０と、保護膜の上に位置してデータ配線と電気的に連結されている画素電極８０とを含み、ゲート絶縁膜は第１開口部を有し、保護膜は第２開口部と接触口７２とを含み、第２開口部は前記第１開口部を露出させ、第１開口部と前記第２開口部は画素の縁領域に位置し、接触口７２は前記ドレーン電極の一部分を露出させる。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶表示装置において、回路素子へ到達する入射光の量を低減するための技術を提供する。
【解決手段】回路素子に電気的に接続された、第１金属層１１２の上に、開口部１２７及び第１スルーホール１２６を有するようにパターニングされた第１絶縁層１１３を形成し、第１絶縁層に、開口部１２７に埋め込まれた金属部１１４及び第１スルーホール１２６に埋め込まれた第１プラグ１１５を形成した後、第２絶縁層１１６を形成する。第２絶縁層１１６の上に、開口部を有するようにパターニングされた第２金属層１１７を形成し、第２金属層の上に第３絶縁層１１９を形成した後、第２金属層１１７の開口部を通り且つ第１プラグ１１５の上面を露出させる第２スルーホール１２０を、第２絶縁層１１６及び第３絶縁層１１９に形成し、第２スルーホール１２０に埋め込まれた第２プラグ１２１と、第２プラグに接続された反射電極１２２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】迷光の発生あるいはヒロックの発生を防止しつつ、素子基板に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型の液晶装置１００において、反射性の画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なるアルミニウム配線からなる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。データ線６ａおよび容量線５ｂの表面には、隙間領域９ｓ、９ｔと重なる領域を露出させる遮光性保護層８６ａ、８５ｂが窒化シリコン膜等により形成されている。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法を用いた場合でも高いスループットで微細な導電層を有する積層構造体を製造可能な積層構造体の製造方法、並びに積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリクス基板及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、同一パターンの高表面エネルギー部４０を一定の間隔で周期的に配列しておき、インクジェット装置の主走査方向（Ｘ軸方向）における吐出ノズル１，２の間隔を、高表面エネルギー部４０のパターン間隔と一致させて選択的に機能液の液滴ｄを滴下してソース電極２３０、ソース電極線２９０、ドレイン電極２４０となる導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子基板の一方面側に入射した光を効率よく反射して、表示光量を増大させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００では、対向基板２０の側から素子基板１０の一方面側に入射した光を反射性の画素電極９ａの表面で反射して画像を表示する。また、画素電極９ａより下層側には、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた隙間領域９ｓ、９ｔに重なる反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）が設けられ、隙間領域９ｓ、９ｔに入射した光を反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）で反射し画像の表示に利用することができる。ここで、画素電極９ａ、および反射性配線（データ線６ａおよび容量線５ｂ）の表面は鏡面になっている。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】共通電極を備えることなく、単位画素毎に隣接するデータラインからデータ電圧を受けて横電界を形成する電極を形成することにより、ライン・ディレイ現象、開口率の減少、及びスイッチング素子のバラツキによる画質の低下などの問題を改善できるインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートライン４０１と前記複数のゲートライン４０１と垂直に交差する複数のデータライン４０２ａ、４０２ｂとにより定義される単位画素４３０と、前記単位画素４３０毎に、前記ゲートライン４０１とデータライン４０２ａ、４０２ｂとの交差領域に形成される１対のスイッチング素子４１０、４２０と、前記１対のスイッチング素子４１０、４２０とそれぞれ連結される電極４０４、４０５とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。
【解決手段】窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。この時、エッチング源のプラズマからの紫外線やＸ線等の放射は、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６によって防ぐことができ、半導体膜４のチャネル領域が放射ダメージを受けることはない。なお、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６は、後工程で２つに分離される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、遮光性能を向上させることにより、光リーク電流の抑制を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、半導体層（１ａ）及びゲート電極（３１）を有するトランジスター（３０）と、該トランジスターより上層側に形成された有色絶縁膜（１４）と、トランジスターより層間絶縁膜（１２）を介して下層側に形成された下側遮光膜（１１）を備える。ゲート電極は、層間絶縁膜のうち半導体層に重なる部分の脇に開孔されたコンタクトホール（８１０）の内壁に沿って形成されることにより、下側遮光膜に電気的に接続されている。有色絶縁膜は、ゲート電極のうちコンタクトホールの内壁に沿って形成された部分の表面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、各画素のＴＦＴに係る遮光性能を高め、画像表示の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、画素電極（９）と、これに電気的に接続された薄膜トランジスタ（３０）と、この少なくともチャネル領域を上層側から覆う遮光膜（３００，７１ｍ）と、この上にベタ状に形成された上側層間絶縁膜（４２）と、薄膜トランジスタ及び遮光膜間の積層位置にベタ状に形成された第１層間絶縁膜（４１ａ）と、第１層間絶縁膜及び上側層間絶縁膜間の積層位置にて且つ基板上で平面的に見た場合に遮光膜より一回り大きい周縁領域に形成された第２層間絶縁膜（４１ｂ）とを備える。第２層間絶縁膜は、周縁領域においてチャネル領域（１ａ’）を斜め上方から包む側に基板の面に対して傾斜しており、上側層間絶縁膜及び第１層間絶縁膜よりも低い屈折率を持つ。 （もっと読む）

【課題】表示された画像が良好に認識できる表示装置を提供することを課題の一とする。また、その表示装置を生産性良く作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に液晶層を介して入射する光を反射する画素電極と、透光性を有する画素電極と、透光性を有する画素電極と重なる位置に側面が反射層で覆われた構造体を設ける。構造体は、透光性を有するエッチングストップ層上に形成され、エッチングストップ層は、構造体の下に透光層として残存する。 （もっと読む）

【課題】反射層をパターニングするためのレジスト剥離工程において反射層にダメージが発生するのを抑制することができる表示装置用基板及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域に反射層が設けられた表示装置用基板であって、上記表示装置用基板は、端子領域を除いて上記表示領域よりも外側の領域で、かつ上記反射層と同じ面側に配置されるパターン膜を有し、上記パターン膜は、上記反射層の材料とイオン化のしやすさが同じ材料、又は、上記反射層の材料よりもイオン化しやすい材料を含む表示装置用基板である。 （もっと読む）