【課題】液晶形成材料の等方相温度領域及びネマティック相温度領域においても表示でき
る液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置１０Ａは、一対の電極間に印加する電圧の制御手段３
７及び温度検出器３６を備え、制御手段３７は、温度検出器３６によって検出された温度
Ｔが液晶形成材料の等方相温度領域にあるときは、一対の電極間に液晶形成材料からのネ
マティック相の誘起及び消失現象に基く光透過率の変化が生じる電圧を印加し、温度検出
器３６によって検出された温度Ｔが液晶形成材料のネマティック相温度領域（Ｔ<Ｔ_ＮＥ
）にあるときは、一対の電極間に液晶のダイレクターの配置の変化に基く光透過率の変化
が生じる電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型基板において、薄膜トランジスタと、その端子接続部を同時に作り込み、少ないマスク数で歩留まりの良い表示装置を提供する。
【解決手段】画素部および外部入力端子を有する表示装置であって、画素部は、ゲート電極と、半導体膜と、ゲート電極上に形成された絶縁膜、および絶縁膜上に半導体膜と電気的に接続された電極を有するＴＦＴを有し、外部入力端子は、ゲート電極と同じ層に形成された第１の配線と、電極と同じ層に形成され、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介し第１の配線と接続された第２の配線と、第２の配線に接続され、第２の配線上に形成された透明導電膜と、第２の配線と透明導電膜が接続している位置で透明導電膜と電気的に接続するフレキシブルプリント配線板を有する表示装置。 （もっと読む）

【課題】接触検出機能を兼ね備えた液晶表示装置を低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され第１方向に延在した第１検出要素と、第１方向に交差する第２方向に延在する第２検出要素と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間に介在する絶縁膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向した第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１検出要素と前記第２検出要素との間の静電容量の変化を検出する検出回路と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化が可能であり、表示特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】駆動回路及び画素部を有し、駆動回路は、デュアルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成され、画素部はシングルゲート型の薄膜トランジスタを用いて構成される表示装置である。該表示装置おけるデュアルゲート型の薄膜トランジスタは、半導体層が微結晶半導体領域及び一対の非晶質半導体領域で形成され、ゲート絶縁層及び絶縁層が半導体層の微結晶半導体領域に接する。 （もっと読む）

【課題】極性の偏向による画質の低下を防止することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板の上に具備され、第１方向に延長された複数のゲートライン２０と、複数のゲートライン２０と交差する複数のデータライン３０と、各々が四つの副画素を含む複数の主画素と、複数のデータライン３０に連結され、第１伝送部８１と第２伝送部８２とを有し、複数のデータ信号を副画素に伝達する伝送部８０と、を含み、第１伝送部８１は、互いに交差する少なくとも一対の伝送ライン４０を含み、第２伝送部８２は、互いに交差しない少なくとも一対の伝送ライン４０を含む。 （もっと読む）

【課題】十分なコントラストが得られる表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る表示装置によれば、間隙Ｄにおいて、容量線７７と走査線１１とが重ねて構成されているため、２本の配線の重なり分、反射電極９間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、Ｘ軸方向における間隙Ｄに露出する配線を容量線７７のみとすることができる。よって、間隙Ｄにおいて配線によって反射される光量が減るため、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程を複雑にしないと共に画素電極及び基準電極とデータ線の間の寄生容量を減らす液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された二重保護膜と、前記二重保護膜は第１保護膜と第２保護膜とを含み、前記第１保護膜の屈折率は前記第２保護膜の屈折率と異なり、前記第１保護膜の窒素含有率は前記第２保護膜の窒素含有率と異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた液晶表示装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】走査線とデータ線が絶縁層を介して交差する領域に、非晶質半導体又は有機半導体をチャネル部とする第１の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、結晶質半導体をチャネル部とする第２の薄膜トランジスタを有する第３の基板を有し、結晶質半導体は第２の薄膜トランジスタにおける電子又は正孔が流れる方向に沿って結晶粒界が延び、第１の基板と第２の基板は第１の基板が露出するように貼り合わされ、第３の基板は第１の基板上の露出した領域に貼り合わされ、第３の基板上には第２の薄膜トランジスタを形成する第１の領域と入出力端子を形成する第２の領域が設けられ、第３の基板の短辺は１乃至６ｍｍ、第１の領域の短辺は０．５乃至１ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大画面化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造を提供する。
【解決手段】 絶縁表面上に形成されたゲート電極と、前記絶縁表面上に形成された第１の配線と、前記ゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された半導体膜と、第１の配線上に形成された第２の配線と、を有し、前記第１の配線は、前記ゲート電極と同じ材料からなり、表面に前記ゲート電極よりも低抵抗な材料を有し、前記第２の配線を介して前記半導体層と電気的に接続し、前記第１の配線の低抵抗化を図る。 （もっと読む）

【課題】１画素毎にパターニングした反射層を素子基板に設けなくても反射方式でカラー
画像表示を行なうことができる液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、画素電極９ａおよび素子基板１０は透光性を備
え、対向基板２０は反射面２０ａを備えている。このため、素子基板１０側から入射した
光を対向基板２０で反射して素子基板１０から出射することができる。素子基板１０にお
いて画素トランジスター３０と画素電極９ａとの間にカラー表示用の着色層１１を備えて
いる。素子基板１０側から入射した光のうち、画素トランジスター３０の能動層に向かう
光は遮光層７ａで遮られる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ基板に有機膜を設けて性能を高めた液晶表示装置を、より少ない製造工程数により製造することができ、生産性を向上させることができる液晶表示装置用トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板２５の上に、ゲート電極２６、ゲート絶縁膜２７、半導体層１９、ソース電極２０及びドレイン電極２１、パッシベーション膜２８が、記載順に積層され、対向基板１２との間に液晶層３０を充填して対向配置された液晶表示装置用トランジスタ基板において、データ配線１８及びドレイン電極２１の下の半導体層１９と、ソース電極２０の下の半導体層１９を切り離した。 （もっと読む）

【課題】表示装置の薄膜トランジスタ基板において、水素プラズマ処理時の水素による影響を低減する。
【解決手段】非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の輝度を向上しながらも、色濃度の低下を防止し、画質を向上する。
【解決手段】４色液晶表示装置は、互いに交差する複数のゲート線１２１及び複数のデータ線１７１、そして前記ゲート線１２１及び前記データ線１７１と連結され、赤色副画素ＲＰ、緑色副画素ＧＰ、青色副画素ＢＰ及び白色副画素ＷＰを各々含む複数の画素を含み、前記白色副画素ＷＰの大きさが他の副画素よりも小さく、前記各データ線１７１は前記副画素間を通り、少なくとも一つの屈折部を有し、前記データ線１７１の長さは実質上同一である。白色副画素ＷＰの大きさを他の副画素の大きさよりも小さく設計するので、輝度を向上しながらも、色濃度の低下を防止し、躍動感のある映像を表示する。そして、副画素間を通るデータ線１７１の長さが実質上同一であるため、データ線１７１の長さ差異による負荷差が生じなく、負荷差による画質劣化を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】表示装置を構成するアレイ基板の異なる配線層の接続構造において、接続部材が酸化物導電膜では、耐腐食性に優れるが、接続抵抗が高抵抗という問題があった。接続部材が金属膜の場合は、接続抵抗は低抵抗であるが、シール材より外側の領域では、大気中に含まれる水分の影響で腐食が起き易いという問題があった。
【解決手段】 液晶表示装置１００は、走査配線２、信号配線５と同一層からなる異なる２層を電気的に接続する接続部Ｍ、Ｎにおいて、接続部材８を、シール材４０に囲まれた領域５１の接続部Ｍでは、低抵抗な金属膜からなる接続部材８ａで構成することにより、接続抵抗の低抵抗化を図り、シール材４０より外側の領域５６の接続部Ｎでは、少なくとも表面が側壁面も含めて耐腐食性に優れた酸化物導電膜からなる接続部材８ｂで構成することにより、耐腐食性を向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、工程を単純化することのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１及び第２基板と、第１基板上のゲートラインと、ゲートライン１０２とゲート絶縁膜１４４を間に置いて交差された画素領域を定義するデータライン１０４と、この画素領域でゲート絶縁膜１４４を貫通する画素ホールに透明導電膜で形成された画素電極１１８及び、ゲート電極とソース電極とドレイン電極及びソース電極とドレイン電極の間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタを含み、この半導体層は、データライン１０４と、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳され、ドレイン電極は上記半導体層から画素電極１１８の内側に突出され画素電極１１８と接続される。 （もっと読む）

【課題】クロストーク等が生じにくい、電力消費量が小さい、静電破壊を防止した、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板２上において、行列状に配置された複数の走査電極８および複数の信号電極９と走査電極８と信号電極９との交点近傍に配置された複数の画素電極１０と、各走査電極８と各信号電極９と各画素電極１０に接続された各スイッチング素子１１と、第１絶縁基板上に配置された複数の第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０と、各画素電極１０と各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０との間に接続された各補助コンデンサ１２と、各第１共通電極Ｃ１〜Ｃ２２０に接続された第２共通電極１３とを備え、各走査電極８と第２共通電極１３との交点において、両基板８，１３との間に、第１絶縁層および第２絶縁層が積層された。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネル保護型を用い、かつ、画素用薄膜トランジスタの主要な部分を透光性材料で構成することにより、開口率を上げる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アレイ基板は回路パターンが配置されたベース基板と、前記回路パターンの上面及び側面を覆うと共に接したクラッド層とを備える。 （もっと読む）