【課題】高い応答速度と高いコントラスト比とを同時に達成可能とする。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、カー効果を示す液晶層と、前記液晶層の一方の主面と向き合った第１背面電極１０８ａと、前記一方の主面と向き合い、前記第１背面電極１０８ａから電気的に絶縁され、互いに電気的に接続された複数の第１部分を含み、前記複数の第１部分は、第１方向に延びた形状を各々が有し、前記第１方向と交差する第２方向に配列した第２背面電極１０８ｂと、前記液晶層の他方の主面と向き合った第２前面電極２０８ａと、前記他方の主面と向き合い、前記第１前面電極２０８ａから電気的に絶縁され、互いに電気的に接続された複数の第２部分を含み、前記複数の第２部分は、前記第１方向と交差する第３方向に延びた形状を各々が有し、前記第３方向と交差する第４方向に配列した第２前面電極２０８ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画面の大面積化を可能とするゲート電極とゲート配線を提供することを第１の課題とする。
【解決手段】同一基板上に表示領域と、表示領域の周辺に設けられた駆動回路と、を有し、表示領域は、第１の薄膜トランジスタを有し、駆動回路は、第２の薄膜トランジスタを有し、第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタは、リンがドープされたシリコンでなるゲート電極を有し、ゲート電極は、チャネル形成領域の外側に設けられた接続部でアルミニウムまたは銅を主成分とする層とタンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする層とを有する配線と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】
課題は、回路基板の有機ＴＦＴ素子の接続部において接続用電極配線のショートや寸法精度不良を改善するため、層間絶縁膜（絶縁バンク）を素子の電極間のみに形成することで接続用電極の隣接パターンショートを確実に回避することである。
【解決手段】
解決手段は、回路基板において、基板と、基板上に形成された薄膜トランジスタ素子と、該薄膜トランジスタ素子の金属電極群に外部回路基板の接続端子を電気的に接続するための接続部において、当該接続部の各々の金属電極間のみを覆う絶縁膜が形成された接続部と、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極と上記絶縁膜の両方に接する接続用電極群とを有することであり、そしてまた、上記薄膜トランジスタ素子の金属電極は接続部で周期的に配列され、上記絶縁膜はライン形状であり上記薄膜トランジスタ素子の金属電極間に周期的に配置され、上記絶縁膜の算術平均粗さＲａは２μｍ以下であることである。 （もっと読む）

【課題】入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るアクティブマトリクス基板は、入力端子と、上記入力端子に接続されたショートリングと、上記入力端子と上記ショートリングとを分断するための分断部１２とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記入力端子は、第１の金属層２を備えており、上記ショートリングは、上記第１の金属層２と上記分断部１２において隔てられて形成された第２の金属層３を備えており、上記入力端子と上記ショートリングとは、上記分断部１２と上記第１の金属層２とを覆っている導電性の膜１０により接続されているので、入力端子とショートリングとを分断する際、金属の腐食を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、寄生トランジスタの発生に基づくトランジスタの特性劣化を改善する。
【解決手段】半導体装置は、基板（１０）上に、所定種類のイオンが注入されることにより、第１の濃度で不純物領域が形成された本体部（４１０ｃ１）、及び本体部の縁部のうち所定の方向に延びる部分に沿って設けられ、第１の濃度より第２の濃度で不純物領域が形成されたエッジ部（４１０ｃ２）を有する第１チャネル領域（４１０ｃ）を含み、所定の方向に沿って長手状に形成された第１半導体層（４１０）、並びに第１チャネル領域に対向配置された第１ゲート電極（４３０）を有する第１トランジスタ（４００）と、第１チャネル領域と同じ導電型を有し、第１の濃度より高い第３の濃度で不純物領域が形成された第２チャネル領域（１ａ´）を含む第２半導体層（１ａ）、並びに第２チャネル領域に対向配置された第２ゲート電極（３ａ）を有する第２トランジスタとを備える。 （もっと読む）

【課題】。画素トランジスターを構成する半導体膜と同層の半導体膜を保持容量電極として用いた場合でも、十分な容量値の保持容量を構成することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、保持容量６０を構成するにあたって、画素トランジスター３０を構成する半導体膜１ａと同層の第１保持容量電極１ｆと、画素トランジスター３０のゲート電極と同層の第２保持容量電極３ｂとの間に、ゲート絶縁層２と同層の第１誘電体層２ａを介在させる。また、画素トランジスター３０のチャネル領域１ｇと平面的に重ならない領域において、第１保持容量電極１ｆの下面に第２誘電体層１５を介して第３保持容量電極４ａを対向させる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の基板本体として半導体基板を用いた場合でも、複雑なウエル構造や大掛かりな遮光構造を必要とせず、かつ、基板本体としてガラス基板などを用いた場合に比較して画素トランジスターの特性を大幅に向上することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０では、基板本体として、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１１を用い、半導体基板１１の表面に不純物を導入することによって、バックゲート構造を備えた画素トランジスター３０の第１ゲート電極１１ａ、および保持容量６０の第１保持容量電極１１ｂを同時形成する。また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 （もっと読む）

【課題】クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアクティブマトリクス基板を有する表示装置を提供する。
【解決手段】基板３０上にマトリクス状に設けられている複数の走査線２及び複数の信号線１と、複数の走査線２及び複数の信号線１が交差して区画される複数の画素領域５２の各々に設けられている複数のスイッチング素子５１と、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている第１の絶縁膜１２と、複数のスイッチング素子５１の各々により駆動される複数の表示素子とを有する。第１の絶縁膜１２は、複数の画素領域５２が設けられている表示領域３の外側であって走査線２上又は信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】表層がＴｉからなる金属配線の表面に形成される絶縁膜としてプラズマＣＶＤ法
により形成された窒化ケイ素膜を用いても、金属配線と導電部材との間の接触抵抗が抑制
された電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも表層がＴｉからなる金属配線１７、１８の表面に、プラズマＣＶ
Ｄ法によって、第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを形成した後に窒化ケイ素からなる第２
の絶縁膜３７ｂないし３８ｂを形成し、第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂ及び第１の絶縁
膜３７ａないし３８ａにプラズマエッチング法によってコンタクトホール５１、５２を形
成して前記Ｔｉからなる金属配線１７、１８の表面を露出させる工程を備える電気光学装
置の製造方法であって、前記第１の絶縁膜３７ａないし３８ａを、前記窒化ケイ素からな
る第２の絶縁膜３７ｂないし３８ｂの形成時にボール状窒化ケイ素が形成しない材料で形
成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】配線や電極等による段差に起因する配向処理むらを抑制し、配向不良の発生を低減でき、充電時間を短くできるＴＦＴ基板の提供。
【解決手段】基材２と、基材上に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層４と、オーバーコート層６と、ソース線と、画素電極８と、基材２上に形成されゲート線に接続されたゲート電極１３、ＴＦＴ用ゲート絶縁層１４、ＴＦＴ用ゲート絶縁層上に形成された半導体層１５、ＴＦＴ用ゲート絶縁層および半導体層の上に上記オーバーコート層と連続して形成されたＴＦＴ用オーバーコート層１６、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、ソース線に接続され、半導体層にソース電極用コンタクトホールｈ１を介して接続されたソース電極１７、および、ＴＦＴ用オーバーコート層上に形成され、画素電極に接続され、半導体層に透明電極用コンタクトホールｈ２を介して接続された透明電極１８を有するＴＦＴ１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示欠陥を完全にリペアすることができ、開口率の低下を伴わない液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】紫外線の照射によって高導電率化されたＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物のソース領域及びドレイン領域を有する主ＴＦＴ及び冗長ＴＦＴを備え、冗長ＴＦＴの透明なドレイン領域を画素電極と重なり合うようにして信号線に設けられたリペア領域にまで延ばして形成する。リペア領域と冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部とは絶縁層によって絶縁されている。表示欠陥の生じた画素部に対して、主ＴＦＴを画素電極から切り離すとともに、冗長ＴＦＴのドレイン領域の端部と信号線とをリペア領域において溶着させる。これにより、冗長ＴＦＴがスイッチング素子として機能し表示欠陥が完全にリペアされる。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置において、半透過マスクを用いることなくフォトリソグラフィー工程数を削減することができる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線４３を覆うゲート絶縁膜１１上に形成されたソース配線４４と、ゲート絶縁膜１１上に形成され、ドレイン電極５の下のほぼ全面と、ソース電極４の下のほぼ全面と、ソース配線４４の下のほぼ全面と、ゲート電極の対面とに配設された半導体層２と、ドレイン電極５の上に直接重なり形成された画素電極６と、ソース電極４及びソース配線４４の上に、画素電極６と同じ層によって直接重なり形成された透明導電パターン６ａと、画素電極６及び透明導電パターン６ａを覆う層間絶縁膜１２上に形成され、画素電極６との間でフリンジ電界を発生させる対向電極８と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】 表示装置の基板と駆動ＩＣチップ接続に使用する導電性粒子の凝集により、画素電極間や駆動ＩＣチップのバンプ間でショートが発生し、消費電流の増大や表示不良および素子劣化の原因となっている。
【解決手段】 絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起上に成膜された電極メタル層を備えることにより、電極メタルと駆動ＩＣバンプの電気導通を取る。導電性微粒子を使用しないため、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させることが可能になる。また材料費のコストダウン、ＣＯＧ工程の工数削減になる。 （もっと読む）

【課題】共通配線の低抵抗および高開口率を維持しつつ、外光の映り込みがない横電界方式の液晶表示装置及びそれを用いた電子機器の提供。
【解決手段】第１の基板と第２の基板と、該２枚の基板に狭持された液晶層とを有し、該第１の基板には２次元的にマトリクス状に画素が配置され、各画素には少なくとも薄膜トランジスタと画素電極と共通電極とを有し、該マトリクスは複数の映像信号線と複数の走査信号線が交差して形成された横電界方式の液晶表示装置であって、該映像信号線および該走査信号線上には透明絶縁膜が設けられ、該透明絶縁膜上に画素電極と共通電極と共通配線とが設けられ、該共通配線は格子状に形成され、その一方向は金属よりも可視光の反射率が小さい第１の導体からなり、他の一方向は金属層を含む第２の導体からなる。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有する基板を容易に製造できる製造方法を提供すること。
【解決手段】金属線１４を有する基板１０の製造方法であって、基板層１２に金属層１４ａを積層する工程と、金属層１４ａの表面の少なくとも一部を樹脂層１６で被覆する工程と、樹脂層１６により被覆されていない金属層１４ａの部分をエッチングにより除去することで、基板層１２上に金属線１４を形成する工程と、を含む、基板１０の製造方法とすること。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜の腐食を抑制でき、透明導電膜との接触電気抵抗も低減された表示デバイスを製造する。
【解決手段】下記（１）〜（４）の工程によってＡｌ合金膜を透明導電膜と直接接触させる。（１）Ａｌよりも貴な金属元素を含むＡｌ合金膜を形成する第１の工程、（２）フォトリソグラフィおよびドライエッチングによってコンタクトホールを形成する第２の工程、（３）フォトリソグラフィで生成したフォトレジストの剥離を行なう第３の工程、（４）透明導電膜を形成する第４の工程と、をこの順序で包含し、第２の工程は、オーバーエッチングにおけるガスの流量比を、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率で３０％以下に制御して前記Ａｌ合金膜の表面をＡｌの酸化物で覆う工程を含み、第３の工程は、ｐＨ１０．５以上のアルカリ溶液に接触させて前記Ａｌの酸化物を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】オン電流が大きく、かつ電気的特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。しかし、多結晶シリコンからなるチャネル層を有する周辺ＴＦＴと比べて、小さなオン電流しか流すことができない。そこで、周辺ＴＦＴ１１０のゲート電極１２５と対向する窒化シリコン膜１８０の表面に、さらにゲート電極１９５を形成する。この結果、チャネル層３４１を流れるオン電流は、２つのゲート電極１２５、１９５によって制御されるので、オン電流の不足分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】金属配線と金属酸化物を有する層を形成する際、電蝕といわれる腐食の発生をおさえることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、歩留まりの向上を実現することを目的とする。
【解決手段】配線は、耐酸化性金属からなる第１の層と、その上に形成されたアルミニウムもしくはアルミニウムを主成分とする第２の層と、その上に形成された耐酸化性金属からなる第３の層からなる３層構造とし、前記配線と電気的に接続する金属酸化物を有する層を有する。また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 （もっと読む）

【課題】アクティブ基板と該アクティブ基板の上方に配置された対向基板とがほぼ方形枠状のシール材を介して貼り合わされ、シール材の内側における両基板間に液晶が封入された液晶表示装置において、アクティブ基板の外形を小さくする。
【解決手段】アクティブ基板１上に設けられたアクティブ基板側対向電極用接続パッド部１４と対向基板２下に設けられた対向基板側対向電極用接続パッド部１８とは、その間に設けられた上下導通部材２０を介して、互いに接続されている。アクティブ基板側対向電極用接続パッド部１４は、走査線データ線駆動用ドライバ搭載領域１０の近傍において、絶縁膜を介して、走査引き回し線９の少なくとも一部と重なり合う位置に配置されている。 （もっと読む）