表示装置及びその製造方法
【課題】 表示装置の基板と駆動ICチップ接続に使用する導電性粒子の凝集により、画素電極間や駆動ICチップのバンプ間でショートが発生し、消費電流の増大や表示不良および素子劣化の原因となっている。
【解決手段】 絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起上に成膜された電極メタル層を備えることにより、電極メタルと駆動ICバンプの電気導通を取る。導電性微粒子を使用しないため、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させることが可能になる。また材料費のコストダウン、COG工程の工数削減になる。
【解決手段】 絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起上に成膜された電極メタル層を備えることにより、電極メタルと駆動ICバンプの電気導通を取る。導電性微粒子を使用しないため、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させることが可能になる。また材料費のコストダウン、COG工程の工数削減になる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置のTFTアレイの配線を外部と接続するための実装用電極と、TFTアレイへ信号や電源を供給するドライバICを接続する際に用いられる接続方法に関するものである。薄型で低消費電力であるTFT型液晶表示装置は、パーソナルコンピューターなどのOA機器、電子手帳や携帯電話などの携帯機器、テレビやオーディオなどのAV機器、カーナビゲーションなどの車載機器、などの電子機器に広く用いられている。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置において、高画質、高精細、広視角範囲、動画などの高速な応答速度のディスプレイとして、画素単位で選択駆動するためのスイッチング素子を有する液晶表示素子を用いたTFT型液晶表示装置が知られている。
【0003】
TFT型液晶表示装置を構成する液晶表示素子では、液晶層を介して互いに対向配置したガラスからなる一対の透明基板の一方の基板の液晶層側の面に、y方向に並設されるゲート線(走査信号線)と、このゲート線と絶縁されて、x方向に並設されるソース線(データ線)とが形成されている。ゲート線とソース線で囲まれた各領域がそれぞれ画素領域となり、この画素領域にスイッチング素子としてTFTと透明画素電極とが形成されている。ゲート線に走査信号が供給されることにより、TFTがオンされ、このオンされたTFTを介してソース線からの信号が画素電極に供給される。これらのゲート線とソース線には、駆動ICチップ(半導体集積回路)から信号が入力される。この接続には、一般的に導電性微粒子が分散された異方性導電膜により導通接続される。駆動ICチップはCOG接続により、液晶表示素子のTFTアレイ基板上に実装される。近年、液晶表示装置の高精細化にともないCOG接続端子数の増加と、駆動ICチップの小型化から、液晶表示素子の高密度実装化が進められている。
【0004】
図3は従来のCOG接続を説明する図で、液晶素子と駆動ICチップの断面図である。透明基板1の上に、絶縁膜2、ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6と導電性微粒子9が分散された異方性導電膜により、電極メタル5とバンプ7が電気導通される。
【0005】
図4は図3で示した従来のCOG接続の工程を説明する図である。図4(a)で透明基板1はガラスからなり、この上にクロム、モリブデン、アルミのメタルからなるゲート線やソース線のメタル配線4が成膜される(図4b)。メタル配線4には通常異なる金属が積層される。次に酸化ケイ素などの無機膜や有機膜からなる絶縁膜2が成膜される(図4c)。この絶縁膜2に接続用の開口部が形成される(図4d)。次に、ITOからなる電極メタル5が成膜される(図4e)。以上、図4(a)から図4(e)がTFTアレイ基板の製造プロセスである。
【0006】
次に駆動ICチップの接続について説明する。電極メタル5上に、熱硬化性樹脂6に導電性微粒子9が分散された異方性導電膜が貼り付けられる(図4f)。導電性微粒子9は直径2から4μmの樹脂粒子の球表面に金やニッケルが成膜された構成である。また、導電性微粒子の直径精度は、分散が0.1μm以下に制御され、安定した電気導通がとれるようになっている。駆動ICチップ8のバンプ7が絶縁膜の開口部に位置合わせされた状態で、駆動ICチップ8が熱圧着され、バンプ7が導電性微粒子9によりTFTアレイ基板に電気的に接続される(図4g)。
【0007】
図5は、図3で示した従来のCOG接続状態をTFTアレイ基板上方から見た模式図である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、9’は電気導通がとられていない導電性微粒子、9は電気導通がとられている導電性微粒子である。
【0008】
図6に図5中の線A−A’での断面を示す。透明基板1にメタル配線4が形成され、駆動ICチップ8との接続部を除いて絶縁膜2が成膜される。さらに駆動ICチップとの接続部には電極メタル5が成膜され、TFTアレイ基板が形成される。対向側はバンプ7を設けた駆動ICチップ8が配置される。熱硬化性樹脂6中には導電性微粒子(9’は導通の取れていない導電性微粒子、9は導通の取れている導電性微粒子)が分散され、導電性微粒子9によりTFTアレイ基板と駆動ICが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開平2−226610号公報(第1図)
【特許文献2】特開平7−316519号公報(第1図)
【特許文献3】特開平11−305208号公報(第1図、第29図)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
近年、液晶表示装置の高精細化にともないCOG接続端子数の増加と、駆動ICチップの小型化から、液晶表示素子の高密度実装化が進められている。図5の構成より駆動ICチップのバンプピッチを狭くするために、電極メタルのパッド電極を千鳥状に形成して実装密度を高めた構成を図7に模式的に示す。ここで、パッド電極はCOG実装における駆動ICチップとの接続部分である。図中、導電性微粒子の集まり(凝集)99が、電極メタル間に存在し、これにより短絡が発生している状態を示している。
【0011】
図8は、図7の線B−B’の断面図を示す。電極メタル5と5’は、導電性微粒子の凝集99により電気導通してしまう。これにより消費電流の増大や表示不良、および素子劣化の原因となっていた。導電性粒子が凝集しないようにするためには、熱硬化樹脂中の分散性を高めることが必要になるが、例えば粒子の数を少なくすると電極メタルと駆動ICバンプ間の接続抵抗が高くなり、表示品質の低下、非表示の原因となってしまう。また、分散を高めるために導電性微粒子の直径を小さくすると、接続抵抗が高くなるという問題があった。
【0012】
そこで、本発明は、導電性微粒子の凝集が原因となる短絡を解消し、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明による表示装置は、金属配線が形成された基板と、金属配線の一部が開口部から露出するように基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の開口部に成膜された電極メタルを備えている。開口部には突起が設けられ、電極メタルはこの突起を覆うように成膜されている。ICチップのバンプと突起の電極メタルが接触することにより、ICチップが金属配線に電気的に接続される。すなわち、導電性微粒子を使用せず、開口部の突起上に成膜された電極メタル層とICチップのバンプが導通することにより、基板にICチップが電気的に接続される。このような構成により、高密度実装においても短絡することなく電極メタルと駆動ICバンプの電気導通を取ることができる。
【0014】
このとき、開口部の一つあたりに突起を3個以上12個以下設けることとした。あるいは、突起の形状を、直径が4μm以上5μm以下の円柱または半球形状とした。
【0015】
さらに、開口部に設けられる突起の上面の総面積を、開口部の底面積の2〜20%の範囲とした。また、絶縁膜として1μm以上4μm以下の有機膜を用いた。この有機膜は、有機膜と無機膜の積層構造でもよい。
【発明の効果】
【0016】
本発明の液晶表示装置によれば、導電性微粒子を使用しないため、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させることが可能になる。また導電性粒子を使用しないため材料費のコストダウンになり、また熱硬化樹脂テープを貼る工程の位置精度も低くなるためCOG工程の工数削減にもなる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図2】本発明の液晶表示装置の製造プロセスを模式的に示す断面図である。
【図3】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図4】従来の液晶表示装置の製造プロセスを模式的に示す断面図である。
【図5】従来の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図6】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図7】従来の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図8】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図9】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図10】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図11】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図12】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図13】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図14】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
本発明の表示装置は、ICチップが実装された基板を用いて構成された表示素子を備えている。表示素子を構成する基板には金属配線が形成されており、この金属配線の一部が開口部から露出するように基板上に絶縁膜が形成されている。絶縁膜の開口部には電極メタルが成膜されている。開口部には突起が設けられ、電極メタルはこの突起を覆うように成膜されている。ICチップのバンプと突起の電極メタルが接触することにより、ICチップと金属配線が電気的に接続されることとなる。図1に表示素子の基板にICチップが実装された断面状態を模式的に示す。基板1の上にメタル配線4が作製され、この基板上に絶縁膜2が設けられている。絶縁膜2にはメタル配線4の一部が露出するように開口部が設けられており、開口部を覆うように電極メタル5が成膜されている。突起3の上面にも電極メタル5が設けられている。ICチップ8には接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、基板1とICチップ8が接着され、電極メタル5とバンプ7が電気導通する。
【0019】
ここで、突起を絶縁膜と同一の材料により形成することにより、突起形成工程を追加する必要がない。
【0020】
また、本発明の表示装置の製造方法は、基板上に金属配線を形成する工程と、前記基板上に前記金属配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記金属配線の一部が露出するように前記絶縁膜に開口部を設け、前記開口部に突起を形成する工程と、前記開口部の表面に電極メタルを成膜し、前記突起の表面に前記電極メタルを形成する工程と、前記開口部にICチップのバンプを位置合わせし、前記バンプと前記突起の電極メタルを接触させることにより、前記ICチップと前記金属配線を電気的に接続する工程と、前記ICチップが実装された基板を用いて表示素子を作製する工程を含んでいる。そして、突起を、絶縁膜をエッチング処理して開口部を形成する際に、同時に形成することとした。
【0021】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例1】
【0022】
本実施例の液晶表示装置は、絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起表面に電極メタルを設けた構造である。すなわち、本実施例の液晶表示装置は、金属配線が形成されたTFT基板と、TFT基板に成膜された絶縁膜と、絶縁膜に形成された開口部を成膜する電極メタルと、TFT基板と電気的に接続する駆動用ICを備えている。さらに、駆動用ICとの接続部となる開口部には、絶縁膜と同一の材料により形成された突起が設けられ、この突起は電極メタルにより成膜される。この突起に設けられた電極メタルと駆動用ICのバンプとが導通することにより、TFT基板に駆動用ICが電気的に接続され、本発明の液晶表示装置が構成される。
【0023】
本実施例では、液晶表示装置に用いられる液晶表示素子のアレイ基板製造、特に実装部分の製造過程と、COG接続について図2に基づいて説明する。図2Aで示したガラスからなる透明基板1の上に、ゲート線やソース線のメタル配線4が成膜される。メタル配線はクロム、モリブデン、アルミなどの異なる金属が積層される(図2B)。次に、この基板上に絶縁膜2が成膜される(図2C)。この絶縁膜2に接続用の開口部が形成される。この時、フォトマスクを用いたドライエッチングにより開口部が形成されるが、フォトマスクのパターンにより突起形状に絶縁膜(突起3)が残るようにする(図2D)。次に、ITOからなる電極メタル5を成膜する(図2E)。電極メタル5は突起3の表面にも成膜する。以上、図2Aから図2EがTFTアレイ基板の実装部分である電極パッドの製造プロセスである。
【0024】
次に駆動ICチップとの接続について説明する。電極メタル5上に、熱硬化性樹脂6を貼り付ける(図2F)。駆動ICチップ8が熱圧着されると突起3が形状変形して潰れ、バンプ7と突起3が電極メタル5を介して接触し、電気導通される。そして、熱硬化接着剤6によりTFTアレイ基板と駆動ICチップ8が固着される。
【0025】
突起3は電極メタル5上に柱状に形成する。密度は、駆動ICチップ8の圧着時にバンプ7での潰れ易さを考え、突起3の上面の総面積が電極パッドの底面積の2〜20パーセントになるように設定した。絶縁膜2はアクリル系樹脂をスピンナーで塗布後、紫外線と加熱により成膜している。成膜後は透明薄膜である。絶縁膜2の厚さは1から4μmである。電極メタル5の厚さは、0.05〜0.2μmである。熱硬化性樹脂6はテープ状であり厚さは20μmである。
【実施例2】
【0026】
図9は、実施例1で説明したCOG接続をTFTアレイ基板上から見た図で、駆動ICチップのバンプピッチが狭い場合を表している。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理し形成した突起で表面は電極メタル5で覆われている。
【0027】
図10に図9中の線C−C’の断面図を示す。透明基板1の上にメタル配線4が形成され、絶縁膜2の開口部に突起3が形成され、電極メタル5が絶縁膜の開口部を覆うように成膜されている。突起3は直径5μmの円柱で先端は丸くなっており突起は半球形状である。さらに、突起3の表面は電極メタル5で覆われている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、TFTアレイ基板と駆動ICチップ8が接着、固定されている。メタル配線4、電極メタル5、駆動ICチップのバンプ7は電気導通がとれている。本実施例では、駆動ICチップのバンプピッチが狭いが、図8で発生した導電性微粒子33の凝集は発生しないので、電極メタル間での短絡は発生しない。
【実施例3】
【0028】
図11は、電極あるいはバンプが細長い矩形形状で千鳥配列された駆動ICチップをCOG実装する場合の、TFTアレイ基板中の電極パッドを部分的に表す模式図である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理し形成された突起で表面は電極メタルで覆われている。L1は絶縁膜中の開口部の底面の縦方向寸法で85μm、W1は横方向寸法で16μmであり、駆動ICチップのバンプサイズと同じである。W2は隣り合う電極メタル間距離で4μmである。突起3は直径4μmの半円球状である。図は一つの電極パッドあたり5個の突起であるが、3個以上10個以下であれば、駆動ICバンプと電極メタルの導通抵抗は安定して得られる。
【実施例4】
【0029】
図12は、本実施例のTFTアレイ基板中の電極パッド部分の模式図であり、駆動ICドライバの入力部分である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理しできた突起で表面は電極メタルで覆われている。L2は絶縁膜中の開口部の底面の縦方向寸法で50μm、W3は横方向寸法で50μmであり、駆動ICチップのバンプサイズと同じである。W4は隣り合う電極メタル間距離で4μmである。突起3は直径4μmの半円球状である。図は一つの電極パッドあたり12個の突起であるが、5個以上12個以下であれば、駆動ICバンプと電極メタルの導通抵抗は安定して得られた。図11中の突起3と図12中の突起3は、サイズと形は同一にする必要はない。特にメタル配線の膜厚に違いがある場合には、突起3の高さを変えることによりメタル配線の厚さ違い分を吸収し、導通抵抗を安定させることができる。
【実施例5】
【0030】
図13は液晶表示素子のTFTアレイ基板に駆動ICチップが実装された状態の断面図である。透明基板1の上に、無機絶縁膜2bと有機絶縁膜2aが成膜されている。突起3は無機絶縁膜2bと有機絶縁膜2aの積層構造である。透明基板1には、ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜され、液晶表示素子のTFTアレイ基板の実装部分が構成されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、TFTアレイ基板と駆動ICチップが接着され、電極メタル5とバンプ7が電気導通される。無機絶縁膜2bは厚さが0.1から0.8μmのシリコン膜か多結晶シリコン膜である。無機膜のみで突起3を形成すると、駆動ICチップのバンプがTFTアレイへ圧着される際、突起が潰れにくくなり、導通不良の原因になってしまう。無機膜上に有機膜を成膜すると、無機膜より有機膜の硬度が低いため、突起中の有機膜が潰れ、導通が取りやすくなる。また突起を形成するために絶縁膜は1μm以上の厚さが必要であるが、無機膜はスパッタ法で成膜されるため、1μmの厚さに成膜するためにはコストがアップしてしまう。さらに無機膜と有機膜の積層構造とすることにより絶縁膜としての絶縁特性を高めることができる。図13の様に無機膜と有機膜を積層させる構成により、導通抵抗を安定させることができる。
【実施例6】
【0031】
図14は液晶表示素子のTFTアレイ基板に駆動ICチップが実装された状態の断面図である。透明基板1の上に、有機絶縁膜2aが成膜されている。3は突起である。ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜され、液晶表示素子のTFTアレイ基板の実装部分が構成されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成されている。TFTアレイ基板と駆動ICチップが接着剤12により接着される。これにより電極メタル5とバンプ7が電気導通される。接着剤12はエポキシ系あるいはシリコン系熱硬化タイプでも紫外線硬化タイプでも駆動ICチップとTFTアレイ基板が固定されればどちらでもよい。図14の様に簡単な構成により、導通抵抗を安定させることができる。
【産業上の利用可能性】
【0032】
導電性微粒子を使用しないCOG実装方法なので、バンプピッチの小さな駆動ICチップ実装において、歩留りなどの生産性改善、材料費のコストダウンに効果があり、あらゆる液晶表示装置に適応できる。
【符号の説明】
【0033】
1 透明基板
2 絶縁膜
3 突起
4 メタル配線
5 電極メタル
6 熱硬化性樹脂
7 バンプ
8 駆動ICチップ
9 導電性微粒子
10 接続用の開口部
11 接続用の開口部の底面
12 接着剤
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置のTFTアレイの配線を外部と接続するための実装用電極と、TFTアレイへ信号や電源を供給するドライバICを接続する際に用いられる接続方法に関するものである。薄型で低消費電力であるTFT型液晶表示装置は、パーソナルコンピューターなどのOA機器、電子手帳や携帯電話などの携帯機器、テレビやオーディオなどのAV機器、カーナビゲーションなどの車載機器、などの電子機器に広く用いられている。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置において、高画質、高精細、広視角範囲、動画などの高速な応答速度のディスプレイとして、画素単位で選択駆動するためのスイッチング素子を有する液晶表示素子を用いたTFT型液晶表示装置が知られている。
【0003】
TFT型液晶表示装置を構成する液晶表示素子では、液晶層を介して互いに対向配置したガラスからなる一対の透明基板の一方の基板の液晶層側の面に、y方向に並設されるゲート線(走査信号線)と、このゲート線と絶縁されて、x方向に並設されるソース線(データ線)とが形成されている。ゲート線とソース線で囲まれた各領域がそれぞれ画素領域となり、この画素領域にスイッチング素子としてTFTと透明画素電極とが形成されている。ゲート線に走査信号が供給されることにより、TFTがオンされ、このオンされたTFTを介してソース線からの信号が画素電極に供給される。これらのゲート線とソース線には、駆動ICチップ(半導体集積回路)から信号が入力される。この接続には、一般的に導電性微粒子が分散された異方性導電膜により導通接続される。駆動ICチップはCOG接続により、液晶表示素子のTFTアレイ基板上に実装される。近年、液晶表示装置の高精細化にともないCOG接続端子数の増加と、駆動ICチップの小型化から、液晶表示素子の高密度実装化が進められている。
【0004】
図3は従来のCOG接続を説明する図で、液晶素子と駆動ICチップの断面図である。透明基板1の上に、絶縁膜2、ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6と導電性微粒子9が分散された異方性導電膜により、電極メタル5とバンプ7が電気導通される。
【0005】
図4は図3で示した従来のCOG接続の工程を説明する図である。図4(a)で透明基板1はガラスからなり、この上にクロム、モリブデン、アルミのメタルからなるゲート線やソース線のメタル配線4が成膜される(図4b)。メタル配線4には通常異なる金属が積層される。次に酸化ケイ素などの無機膜や有機膜からなる絶縁膜2が成膜される(図4c)。この絶縁膜2に接続用の開口部が形成される(図4d)。次に、ITOからなる電極メタル5が成膜される(図4e)。以上、図4(a)から図4(e)がTFTアレイ基板の製造プロセスである。
【0006】
次に駆動ICチップの接続について説明する。電極メタル5上に、熱硬化性樹脂6に導電性微粒子9が分散された異方性導電膜が貼り付けられる(図4f)。導電性微粒子9は直径2から4μmの樹脂粒子の球表面に金やニッケルが成膜された構成である。また、導電性微粒子の直径精度は、分散が0.1μm以下に制御され、安定した電気導通がとれるようになっている。駆動ICチップ8のバンプ7が絶縁膜の開口部に位置合わせされた状態で、駆動ICチップ8が熱圧着され、バンプ7が導電性微粒子9によりTFTアレイ基板に電気的に接続される(図4g)。
【0007】
図5は、図3で示した従来のCOG接続状態をTFTアレイ基板上方から見た模式図である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、9’は電気導通がとられていない導電性微粒子、9は電気導通がとられている導電性微粒子である。
【0008】
図6に図5中の線A−A’での断面を示す。透明基板1にメタル配線4が形成され、駆動ICチップ8との接続部を除いて絶縁膜2が成膜される。さらに駆動ICチップとの接続部には電極メタル5が成膜され、TFTアレイ基板が形成される。対向側はバンプ7を設けた駆動ICチップ8が配置される。熱硬化性樹脂6中には導電性微粒子(9’は導通の取れていない導電性微粒子、9は導通の取れている導電性微粒子)が分散され、導電性微粒子9によりTFTアレイ基板と駆動ICが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開平2−226610号公報(第1図)
【特許文献2】特開平7−316519号公報(第1図)
【特許文献3】特開平11−305208号公報(第1図、第29図)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
近年、液晶表示装置の高精細化にともないCOG接続端子数の増加と、駆動ICチップの小型化から、液晶表示素子の高密度実装化が進められている。図5の構成より駆動ICチップのバンプピッチを狭くするために、電極メタルのパッド電極を千鳥状に形成して実装密度を高めた構成を図7に模式的に示す。ここで、パッド電極はCOG実装における駆動ICチップとの接続部分である。図中、導電性微粒子の集まり(凝集)99が、電極メタル間に存在し、これにより短絡が発生している状態を示している。
【0011】
図8は、図7の線B−B’の断面図を示す。電極メタル5と5’は、導電性微粒子の凝集99により電気導通してしまう。これにより消費電流の増大や表示不良、および素子劣化の原因となっていた。導電性粒子が凝集しないようにするためには、熱硬化樹脂中の分散性を高めることが必要になるが、例えば粒子の数を少なくすると電極メタルと駆動ICバンプ間の接続抵抗が高くなり、表示品質の低下、非表示の原因となってしまう。また、分散を高めるために導電性微粒子の直径を小さくすると、接続抵抗が高くなるという問題があった。
【0012】
そこで、本発明は、導電性微粒子の凝集が原因となる短絡を解消し、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
本発明による表示装置は、金属配線が形成された基板と、金属配線の一部が開口部から露出するように基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜の開口部に成膜された電極メタルを備えている。開口部には突起が設けられ、電極メタルはこの突起を覆うように成膜されている。ICチップのバンプと突起の電極メタルが接触することにより、ICチップが金属配線に電気的に接続される。すなわち、導電性微粒子を使用せず、開口部の突起上に成膜された電極メタル層とICチップのバンプが導通することにより、基板にICチップが電気的に接続される。このような構成により、高密度実装においても短絡することなく電極メタルと駆動ICバンプの電気導通を取ることができる。
【0014】
このとき、開口部の一つあたりに突起を3個以上12個以下設けることとした。あるいは、突起の形状を、直径が4μm以上5μm以下の円柱または半球形状とした。
【0015】
さらに、開口部に設けられる突起の上面の総面積を、開口部の底面積の2〜20%の範囲とした。また、絶縁膜として1μm以上4μm以下の有機膜を用いた。この有機膜は、有機膜と無機膜の積層構造でもよい。
【発明の効果】
【0016】
本発明の液晶表示装置によれば、導電性微粒子を使用しないため、消費電流の増大や表示不良をなくし、および素子劣化の信頼性を向上させることが可能になる。また導電性粒子を使用しないため材料費のコストダウンになり、また熱硬化樹脂テープを貼る工程の位置精度も低くなるためCOG工程の工数削減にもなる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図2】本発明の液晶表示装置の製造プロセスを模式的に示す断面図である。
【図3】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図4】従来の液晶表示装置の製造プロセスを模式的に示す断面図である。
【図5】従来の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図6】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図7】従来の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図8】従来の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図9】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図10】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図11】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図12】本発明の液晶表示装置のCOG接続部分を表す俯瞰図である。
【図13】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図14】本発明の液晶表示装置の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
本発明の表示装置は、ICチップが実装された基板を用いて構成された表示素子を備えている。表示素子を構成する基板には金属配線が形成されており、この金属配線の一部が開口部から露出するように基板上に絶縁膜が形成されている。絶縁膜の開口部には電極メタルが成膜されている。開口部には突起が設けられ、電極メタルはこの突起を覆うように成膜されている。ICチップのバンプと突起の電極メタルが接触することにより、ICチップと金属配線が電気的に接続されることとなる。図1に表示素子の基板にICチップが実装された断面状態を模式的に示す。基板1の上にメタル配線4が作製され、この基板上に絶縁膜2が設けられている。絶縁膜2にはメタル配線4の一部が露出するように開口部が設けられており、開口部を覆うように電極メタル5が成膜されている。突起3の上面にも電極メタル5が設けられている。ICチップ8には接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、基板1とICチップ8が接着され、電極メタル5とバンプ7が電気導通する。
【0019】
ここで、突起を絶縁膜と同一の材料により形成することにより、突起形成工程を追加する必要がない。
【0020】
また、本発明の表示装置の製造方法は、基板上に金属配線を形成する工程と、前記基板上に前記金属配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記金属配線の一部が露出するように前記絶縁膜に開口部を設け、前記開口部に突起を形成する工程と、前記開口部の表面に電極メタルを成膜し、前記突起の表面に前記電極メタルを形成する工程と、前記開口部にICチップのバンプを位置合わせし、前記バンプと前記突起の電極メタルを接触させることにより、前記ICチップと前記金属配線を電気的に接続する工程と、前記ICチップが実装された基板を用いて表示素子を作製する工程を含んでいる。そして、突起を、絶縁膜をエッチング処理して開口部を形成する際に、同時に形成することとした。
【0021】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例1】
【0022】
本実施例の液晶表示装置は、絶縁膜のパターニングプロセスで形成させた突起と、突起表面に電極メタルを設けた構造である。すなわち、本実施例の液晶表示装置は、金属配線が形成されたTFT基板と、TFT基板に成膜された絶縁膜と、絶縁膜に形成された開口部を成膜する電極メタルと、TFT基板と電気的に接続する駆動用ICを備えている。さらに、駆動用ICとの接続部となる開口部には、絶縁膜と同一の材料により形成された突起が設けられ、この突起は電極メタルにより成膜される。この突起に設けられた電極メタルと駆動用ICのバンプとが導通することにより、TFT基板に駆動用ICが電気的に接続され、本発明の液晶表示装置が構成される。
【0023】
本実施例では、液晶表示装置に用いられる液晶表示素子のアレイ基板製造、特に実装部分の製造過程と、COG接続について図2に基づいて説明する。図2Aで示したガラスからなる透明基板1の上に、ゲート線やソース線のメタル配線4が成膜される。メタル配線はクロム、モリブデン、アルミなどの異なる金属が積層される(図2B)。次に、この基板上に絶縁膜2が成膜される(図2C)。この絶縁膜2に接続用の開口部が形成される。この時、フォトマスクを用いたドライエッチングにより開口部が形成されるが、フォトマスクのパターンにより突起形状に絶縁膜(突起3)が残るようにする(図2D)。次に、ITOからなる電極メタル5を成膜する(図2E)。電極メタル5は突起3の表面にも成膜する。以上、図2Aから図2EがTFTアレイ基板の実装部分である電極パッドの製造プロセスである。
【0024】
次に駆動ICチップとの接続について説明する。電極メタル5上に、熱硬化性樹脂6を貼り付ける(図2F)。駆動ICチップ8が熱圧着されると突起3が形状変形して潰れ、バンプ7と突起3が電極メタル5を介して接触し、電気導通される。そして、熱硬化接着剤6によりTFTアレイ基板と駆動ICチップ8が固着される。
【0025】
突起3は電極メタル5上に柱状に形成する。密度は、駆動ICチップ8の圧着時にバンプ7での潰れ易さを考え、突起3の上面の総面積が電極パッドの底面積の2〜20パーセントになるように設定した。絶縁膜2はアクリル系樹脂をスピンナーで塗布後、紫外線と加熱により成膜している。成膜後は透明薄膜である。絶縁膜2の厚さは1から4μmである。電極メタル5の厚さは、0.05〜0.2μmである。熱硬化性樹脂6はテープ状であり厚さは20μmである。
【実施例2】
【0026】
図9は、実施例1で説明したCOG接続をTFTアレイ基板上から見た図で、駆動ICチップのバンプピッチが狭い場合を表している。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理し形成した突起で表面は電極メタル5で覆われている。
【0027】
図10に図9中の線C−C’の断面図を示す。透明基板1の上にメタル配線4が形成され、絶縁膜2の開口部に突起3が形成され、電極メタル5が絶縁膜の開口部を覆うように成膜されている。突起3は直径5μmの円柱で先端は丸くなっており突起は半球形状である。さらに、突起3の表面は電極メタル5で覆われている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、TFTアレイ基板と駆動ICチップ8が接着、固定されている。メタル配線4、電極メタル5、駆動ICチップのバンプ7は電気導通がとれている。本実施例では、駆動ICチップのバンプピッチが狭いが、図8で発生した導電性微粒子33の凝集は発生しないので、電極メタル間での短絡は発生しない。
【実施例3】
【0028】
図11は、電極あるいはバンプが細長い矩形形状で千鳥配列された駆動ICチップをCOG実装する場合の、TFTアレイ基板中の電極パッドを部分的に表す模式図である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理し形成された突起で表面は電極メタルで覆われている。L1は絶縁膜中の開口部の底面の縦方向寸法で85μm、W1は横方向寸法で16μmであり、駆動ICチップのバンプサイズと同じである。W2は隣り合う電極メタル間距離で4μmである。突起3は直径4μmの半円球状である。図は一つの電極パッドあたり5個の突起であるが、3個以上10個以下であれば、駆動ICバンプと電極メタルの導通抵抗は安定して得られる。
【実施例4】
【0029】
図12は、本実施例のTFTアレイ基板中の電極パッド部分の模式図であり、駆動ICドライバの入力部分である。図中5は電極メタル、4はメタル配線、10は接続用の開口部、11は接続用の開口部の底面、3は絶縁膜をエッチング処理しできた突起で表面は電極メタルで覆われている。L2は絶縁膜中の開口部の底面の縦方向寸法で50μm、W3は横方向寸法で50μmであり、駆動ICチップのバンプサイズと同じである。W4は隣り合う電極メタル間距離で4μmである。突起3は直径4μmの半円球状である。図は一つの電極パッドあたり12個の突起であるが、5個以上12個以下であれば、駆動ICバンプと電極メタルの導通抵抗は安定して得られた。図11中の突起3と図12中の突起3は、サイズと形は同一にする必要はない。特にメタル配線の膜厚に違いがある場合には、突起3の高さを変えることによりメタル配線の厚さ違い分を吸収し、導通抵抗を安定させることができる。
【実施例5】
【0030】
図13は液晶表示素子のTFTアレイ基板に駆動ICチップが実装された状態の断面図である。透明基板1の上に、無機絶縁膜2bと有機絶縁膜2aが成膜されている。突起3は無機絶縁膜2bと有機絶縁膜2aの積層構造である。透明基板1には、ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜され、液晶表示素子のTFTアレイ基板の実装部分が構成されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成され、熱硬化性樹脂6により、TFTアレイ基板と駆動ICチップが接着され、電極メタル5とバンプ7が電気導通される。無機絶縁膜2bは厚さが0.1から0.8μmのシリコン膜か多結晶シリコン膜である。無機膜のみで突起3を形成すると、駆動ICチップのバンプがTFTアレイへ圧着される際、突起が潰れにくくなり、導通不良の原因になってしまう。無機膜上に有機膜を成膜すると、無機膜より有機膜の硬度が低いため、突起中の有機膜が潰れ、導通が取りやすくなる。また突起を形成するために絶縁膜は1μm以上の厚さが必要であるが、無機膜はスパッタ法で成膜されるため、1μmの厚さに成膜するためにはコストがアップしてしまう。さらに無機膜と有機膜の積層構造とすることにより絶縁膜としての絶縁特性を高めることができる。図13の様に無機膜と有機膜を積層させる構成により、導通抵抗を安定させることができる。
【実施例6】
【0031】
図14は液晶表示素子のTFTアレイ基板に駆動ICチップが実装された状態の断面図である。透明基板1の上に、有機絶縁膜2aが成膜されている。3は突起である。ゲート線やソース線のメタル配線4、電極メタル5が成膜され、液晶表示素子のTFTアレイ基板の実装部分が構成されている。駆動ICチップ8には、接続用のバンプ7が形成されている。TFTアレイ基板と駆動ICチップが接着剤12により接着される。これにより電極メタル5とバンプ7が電気導通される。接着剤12はエポキシ系あるいはシリコン系熱硬化タイプでも紫外線硬化タイプでも駆動ICチップとTFTアレイ基板が固定されればどちらでもよい。図14の様に簡単な構成により、導通抵抗を安定させることができる。
【産業上の利用可能性】
【0032】
導電性微粒子を使用しないCOG実装方法なので、バンプピッチの小さな駆動ICチップ実装において、歩留りなどの生産性改善、材料費のコストダウンに効果があり、あらゆる液晶表示装置に適応できる。
【符号の説明】
【0033】
1 透明基板
2 絶縁膜
3 突起
4 メタル配線
5 電極メタル
6 熱硬化性樹脂
7 バンプ
8 駆動ICチップ
9 導電性微粒子
10 接続用の開口部
11 接続用の開口部の底面
12 接着剤
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示素子を構成するとともに、金属配線が形成された基板と、
前記金属配線の一部が開口部から露出するように前記基板上に成膜された絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部に成膜された電極メタルと、
前記開口部の電極メタルと接続するバンプを有するICチップと、を備え、
前記開口部には突起が設けられ、前記電極メタルは前記突起を覆うように成膜され、
前記バンプと前記突起の電極メタルが接触することにより、前記ICチップが前記金属配線に電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記突起が前記絶縁膜と同一の材料により形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記開口部の一つあたりに前記突起が3個以上12個以下設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
【請求項4】
前記突起は、直径が4μm以上5μm以下の円柱または半球形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
【請求項5】
前記開口部に設けられる前記突起の上面の総面積は、前記開口部の底面積の2〜20%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項6】
前記絶縁膜は1μm以上4μm以下の有機膜であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記有機膜は、有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
【請求項8】
基板上に金属配線を形成する工程と、
前記基板上に前記金属配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記金属配線の一部が露出するように前記絶縁膜に開口部を設け、前記開口部に突起を形成する工程と、
前記開口部の表面に電極メタルを成膜し、前記突起の表面に前記電極メタルを形成する工程と、
前記開口部にICチップのバンプを位置合わせし、前記バンプと前記突起の電極メタルを接触させることにより、前記ICチップと前記金属配線を電気的に接続する工程と、
前記ICチップが実装された基板を用いて表示素子を作製する工程と、を含む表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記突起は、前記絶縁膜をエッチング処理することにより、前記開口部と同時に形成されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
【請求項1】
表示素子を構成するとともに、金属配線が形成された基板と、
前記金属配線の一部が開口部から露出するように前記基板上に成膜された絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部に成膜された電極メタルと、
前記開口部の電極メタルと接続するバンプを有するICチップと、を備え、
前記開口部には突起が設けられ、前記電極メタルは前記突起を覆うように成膜され、
前記バンプと前記突起の電極メタルが接触することにより、前記ICチップが前記金属配線に電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記突起が前記絶縁膜と同一の材料により形成されたことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
【請求項3】
前記開口部の一つあたりに前記突起が3個以上12個以下設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
【請求項4】
前記突起は、直径が4μm以上5μm以下の円柱または半球形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
【請求項5】
前記開口部に設けられる前記突起の上面の総面積は、前記開口部の底面積の2〜20%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項6】
前記絶縁膜は1μm以上4μm以下の有機膜であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項7】
前記有機膜は、有機膜と無機膜の積層構造であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
【請求項8】
基板上に金属配線を形成する工程と、
前記基板上に前記金属配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記金属配線の一部が露出するように前記絶縁膜に開口部を設け、前記開口部に突起を形成する工程と、
前記開口部の表面に電極メタルを成膜し、前記突起の表面に前記電極メタルを形成する工程と、
前記開口部にICチップのバンプを位置合わせし、前記バンプと前記突起の電極メタルを接触させることにより、前記ICチップと前記金属配線を電気的に接続する工程と、
前記ICチップが実装された基板を用いて表示素子を作製する工程と、を含む表示装置の製造方法。
【請求項9】
前記突起は、前記絶縁膜をエッチング処理することにより、前記開口部と同時に形成されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2010−191200(P2010−191200A)
【公開日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−35516(P2009−35516)
【出願日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【出願人】(000002325)セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年9月2日(2010.9.2)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【出願人】(000002325)セイコーインスツル株式会社 (3,629)
【Fターム(参考)】
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