【課題】透明導電膜とその下層の絶縁膜との界面からの水分等の異物質の侵入を防止し、信号線の接続領域での信頼性と表示装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】信号線は、第１の信号線と、第１の絶縁膜を介して前記第１の信号線の上層に形成される第２の信号線と、第２の絶縁膜を介して第２の信号線の上層に形成される透明導電膜ＣＨＬとからなり、透明導電膜ＣＨＬは、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とを貫通して第１の絶縁膜に至る第１の接続孔ＴＨ１と、第２の絶縁膜を貫通して第２の信号線に至る第２の接続孔ＴＨ２とを覆うようにして形成され、第１の接続孔ＴＨ１又は第２の接続孔ＴＨ２の内で、基板の辺縁部に近い側の接続孔と前記基板の辺縁部との間に配置され、第１の絶縁膜又は／及び第２の絶縁膜に形成される溝部ＤＣＨを備え、透明導電膜ＣＨＬの辺縁部が、溝部ＤＣＨの底部まで伸延してなる表示装置である。 （もっと読む）

【課題】液晶素子に印加される電圧を異ならせて視野角特性を改善する。
【解決手段】 本発明の一は、一画素に三以上の液晶素子を有し、該液晶素子の各々に印
加される電圧値が異なる液晶表示装置である。各液晶素子に印加される電圧を異ならせる
には、加えた電圧を分圧する素子を配置することにより行う。印加される電圧を異ならせ
るためには、容量素子、抵抗素子、又はトランジスタ等を用いる。 （もっと読む）

【課題】画品位に影響を及ぼす、２層目の平坦化膜のコンタクト部を自由にレイアウトできるようにする。
【解決手段】回路部が形成された基板表面を平坦化するための平坦化膜を、基板上に順に積層された第１，第２の平坦化膜７４，７７からなる２層構造とする。そして、第１，第２の平坦化膜７４，７７間に中継配線７６を形成し、この中継配線７６によって、第１の平坦化膜７４に形成され、トランジスタ（ＴＦＴ）７２を含む回路部に接続された第１のコンタクト部７５と、第２の平坦化膜７７の第１のコンタクト部７５と平面視で異なる位置に形成された第２のコンタクト部７５とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】トランジスターの静電破壊を抑制する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法は、基板上に第１トランジスターを形成する工程と
、第１トランジスターが形成された基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、第１絶縁膜を
エッチングして、第１トランジスターに通じる第１貫通孔を形成する工程と、第１貫通孔
を介して第１トランジスターに接続された第１部分および第１部分とは接続されていない
第２部分を有する第１導体膜を第１絶縁膜上に形成する工程と、第１導体膜上に第２絶縁
膜を形成する工程と、第２絶縁膜をエッチングして第１導体膜の第１部分および第２部分
のそれぞれに通じる第２貫通孔および第３貫通孔を形成する工程と、第２貫通孔および第
３貫通孔を介して、第１導体膜の第１部分および第２部分を電気的に接続する第２導体膜
を第２絶縁膜上に形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】全白及び中間調の双方において透過率の画面内均一性のよい液晶パネル及び液晶表示装置の提供。
【解決手段】入力端子からの距離が近い画素に対してはＴＦＴ基板３と対向基板５との間隔ｄを小さくして配向規制力を大きくし、入力端子からの距離が遠い画素に対してはＴＦＴ基板３と対向基板５との間隔ｄを大きくして配向規制力を小さくし、液晶４の回転角を変化させる。これによりゲート配線やドレイン配線の配線抵抗による信号波形の遅延に起因する透過率の面内不均一性を補償する。 （もっと読む）

【課題】開口率を大きくすることができ、表示性能を向上できる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】複数の信号線は、２本と１本との各組として複数の画素電極の第１の方向における間にそれぞれ配線し、複数の第２の座標検知配線は、信号線が配線された以外の複数の画素電極の第１の方向における間にそれぞれ配線し、これら配線によって第１の方向で第２の座標検知配線の両側に配置された各画素用トランジスタの間に、土台部と、第１と第２の座標検知部と、を第１の方向と直交する第２の方向に詰めて配置し、各画素電極の間隔を狭くする。 （もっと読む）

【課題】 製造コストの増大を抑制しつつ低温気泡の発生を抑制し且つ耐荷重性を確保する。
【解決手段】 スイッチング素子の上に配置された着色層と、前記着色層の上に配置された樹脂層と、前記樹脂層の上に配置され前記着色層及び前記樹脂層に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続された画素電極と、を備えた第１基板と、前記第１基板に対向して配置された第２基板と、前記第１基板の前記第２基板と対向する側に配置され、前記第２基板を支持し前記第２基板との間にセルギャップを形成するスペーサと、前記第１基板と前記第２基板との間の前記セルギャップに保持された液晶層と、を備え、前記スペーサは、前記コンタクトホールの内側において前記着色層及び前記樹脂層の少なくとも一方が欠落した領域と、前記コンタクトホールの外側において前記着色層の上に前記樹脂層が積層された領域と、に跨って配置されたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜との界面状態が良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。具体的には酸化物半導体層に窒素の濃度勾配を作り、窒素を多く含む領域をゲート絶縁層との界面に設ける。この窒素の添加によって、酸化物半導体層の界面近傍に結晶性の高い領域を形成でき、安定した界面状態を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と、横方向のゲートラインと、ネット状のＶｃｏｍ線と、縦方向のデータラインと、を備えるＴＦＴ基板であって、前記ネット状のＶｃｏｍ線の各行におけるＶｃｏｍ線は電気的に接続され、Ｖｃｏｍ線はＶｃｏｍ線ＩＣ接続部を介してＩＣ素子と電気的に接続される。また、データラインの数をＮとする場合、前記Ｖｃｏｍ線ＩＣ接続部の数は０より大きく、且つＮ＋１より小さくなり、隣接する両行Ｖｃｏｍ線との間に少なくとも一組の対応するＶｃｏｍ線縦方向電気接続段がある。 （もっと読む）

【課題】横方向電界の強度を強め、コントラスト比を低下を抑制する。
【解決手段】ブルー相を示す液晶層を挟持する第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板上に設けられたトランジスタと、第１の画素電極および第１の共通電極と、前記第２の基板上に設けられた第２の画素電極および第２の共通電極とを有し、前記第１の画素電極は、前記トランジスタと電気的に接続され、前記第１の画素電極は、前記第２の画素電極と電気的に接続されている液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するこ
とを課題とし、安価な表示装置を提供することを課題とする。また、本発明の表
示装置を表示部に用いた安価な電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 アクティブマトリクス型表示装置の製造コストを低減するために
画素部に用いるＴＦＴを全て一導電型ＴＦＴ（ここではｐチャネル型ＴＦＴもし
くはｎチャネル型ＴＦＴのいずれか一方を指す）とし、さらに駆動回路もすべて
画素部と同じ導電型のＴＦＴで形成することを特徴とする。これにより製造工程
を大幅に削減し製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定してブルー相を発現することのできる液晶表示装置を作製する。
【解決手段】液晶組成物を含む液晶層を挟持して、シール材によって第１の基板と第２の基板とを固着し、熱処理により液晶層の配向状態を等方相とし、液晶層に光を照射して、液晶層の高分子安定化処理を行うとともに、光照射中に液晶層の配向状態を等方相からブルー相へと相転移を行う。これによって、ブルー相以外の配向状態を示す欠陥（配向欠陥）を抑制した液晶表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、所望の色温度を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層（１ａ）を有する画素トランジスター（３０）と、画素トランジスターに対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に対応して設けられたカラーフィルター（２２０）と、平面的に見てカラーフィルターと少なくとも部分的に重なるように、且つ半導体層と同じ層に形成されており、透過する光の色温度を調整する色温度調整層（５００）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 （もっと読む）

【課題】インクジェット法により微細なパターンでショートさせることなく機能性膜を形成することができる機能性膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被印刷面上に、低表面エネルギー領域を隔てて隣接する高表面エネルギー領域２３１，２４１を有する表面において、高表面エネルギー領域２３１，２４１の形状及び機能液の着弾範囲に基づいて、高表面エネルギー領域２３１（２４１）に機能液を供給する際に該機能液が高表面エネルギー領域２３１（２４１）のみに触れるための滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）を決定し、ついで滴下許容範囲２３１Ａ（２４１Ａ）内の任意の位置を高表面エネルギー領域２３１（２４１）に対する機能液の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）として決定し、高表面エネルギー領域２３１（２４１）の滴下位置２３１Ｃ（２４１Ｃ）にインクジェット法を用いて選択的に機能液を供給して所定パターンの機能性膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたモリブデン系導電性薄膜、または、モリブデン系導電性薄膜とアルミニウム系導電性薄膜とが積層された積層導電性薄膜を、効率よく、側面が良好な順テーパー形状となるようなエッチングを行うことが可能なエッチング液、および、該エッチング液を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。
また、上記エッチング液を用いて、アルミニウム系導電性薄膜と、モリブデン系導電性薄膜とを備えてなる２層構造の積層導電性薄膜、または、アルミニウム系導電性薄膜と、アルミニウム系導電性薄膜を挟み込むようにその両主面側に配設された第１のモリブデン系導電性薄膜および第２のモリブデン系導電性薄膜を備えてなる３層構造の積層導電性薄膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高い表示品質を実現することができるＴＦＴ、アクティブマトリクス基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタは、ゲート電極２ａと、ゲート電極２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に設けられ、ゲート電極の上方に配置された半導体膜５と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたソース電極７と、半導体膜５の上に設けられ、半導体膜５と電気的に接続されたドレイン電極９と、ソース電極７又はドレイン電極９の少なくとも一方とゲート絶縁膜３との間に設けられ、半導体膜５と分離して配置された低反射膜６と、を備え、低反射膜６が、平面視におけるゲート電極２ａの外側において、ソース電極７、ドレイン電極９のパターンと略同一形状、又は、はみ出しているものである。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】多層基板内にＴＦＴ素子の構成要素のうちの少なくとも１つを内蔵させることによって薄膜トランジスタの高精細化を実現できる薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の第１基板３０（素子基板３００）は、表面に制御トランジスタの構成要素の少なくとも一部を備え、内部には制御トランジスタの構成要素に接続される走査線６６、データ線６８、保持容量線、保持容量が埋め込まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示領域に平坦化膜が形成された配向が均一で良好な構造で、蓄積容量を小面積で大きく確保し、高開口率化できるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。
【解決手段】ソース電極１０６上の一部に、平坦化膜１０８が存在しない凹部領域１１４がある。凹部領域１１４において、透明導電膜からなる共通電極１１０が、ソース電極１０６を覆って第２蓄積容量１４２を形成している。 （もっと読む）