【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】縦クロストークの発生を防止することができ、かつ、開口率を向上させることができる横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 共通電極と画素電極とを同層上に形成し、共通電極及び画素電極の双方を透明材料から形成する。共通電極はデータ線を完全に覆うように形成する。データ線と共通電極との間にある絶縁膜は、複数の層からなり、一方の層は、共通電極の下方においてのみ、形成されている。 （もっと読む）

【課題】制御性が良く、安定して動作する可変容量素子を提供する。消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】印加される電界により、ｎ型またはｉ型となる半導体、もしくは、ｐ型またはｉ型となる半導体を用いて可変容量素子を構成する。容量素子を構成する第１の電極と第２の電極の間に、誘電体層として絶縁層と上記半導体層の積層を設ける。第１の電極を誘電体層側に設け、第２の電極を半導体層側に設けた時に、第１の電極と半導体層が重畳する面積Ｃ１よりも、第１の電極と半導体層と第２の電極が重畳する面積Ｃ２の方を小さくなるようにする。動画像表示と静止画像表示で駆動方法を切り替える液晶表示装置に可変容量素子を適用することで、消費電力が少なく、表示品位の良い液晶表示装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２と、金属層Ｍおよび半導体層ＡＳＩの積層部分からなる映像信号線ＤＬと、金属層Ｍおよび半導体層ＡＳＩの積層部分からなるドレイン電極ＳＤ１とが形成され、前記第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の面から重なり部５０の端部を通じて画素電極ＭＩＴの面につながる部分であるつなぎ部６０を露出させる開口部ＴＨが形成され、開口部ＴＨによって露出されたつなぎ部６０に共通電極ＣＴに形成される導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素サイズが小さくなったときでも、信号線と保持容量端との間のクロストークを減少させ、良好な出力画像が得られる反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】各画素に画像信号を伝送する信号線２を第２メタル層で形成し、保持容量を構成する容量電極１０と信号線２との間に第１メタル層でシールド線１２を配置し、固定電位を与え、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。保持容量は半導体基板上に形成された拡散層からなる共通電極１１と容量電極１０とで構成される。信号線下に半導体基板上に形成された拡散層からなる容量電極と、固定電位とされた共通電極を配置し、シールドを施しクロストークの発生を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを備えた高精細な画素を有する電気光学装置、この電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の画素Ｐは、第１方向（Ｘ方向）に延在する走査線３ａと、走査線３ａに交差する第２方向（Ｙ方向）に延在するデータ線６ａと、走査線３ａおよびデータ線６ａに電気的に接続された薄膜トランジスター３０と、を備え、薄膜トランジスター３０は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に平面的に重なるように配置され、Ｘ方向に延在するドレイン領域３０ａ５と、Ｙ方向に延在するソース領域３０ａ１と、Ｘ方向に延在する第１延在部とＹ方向に延在する第２延在部とを含むチャネル領域３０ａ３と、を有する半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ３に対向するゲート電極部３０ｇと、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造に際して配線にヒロックが発生せず、かつエッチング形状の制御が容易な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板上にマトリクス配置された走査線と、信号線１２と、前記走査線及び信号線に接続される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続される画素電極２７とを有する液晶表示装置において、前記走査線が下層からアルミニウム−ネオジム合金層２１１と高融点金属層２１２との積層構造からなり、前記信号線１２が下層から高融点金属層２３１とアルミニウム−ネオジム合金層２３２と高融点金属層２３３との３層構造からなり、高融点金属の種類に応じて、ネオジム含有量を調整する。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のＴＦＴアレイ基板１００においては、ＴＦＴ５１と、ソース電極５３及びドレイン電極５４、並びにソース電極５３及びドレイン電極５４と同一材料により同層に形成される金属パターン５の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン６と、透明導電膜パターン６上を含むゲート絶縁膜８上を覆う上層絶縁膜９を備え、少なくとも額縁領域４２に形成される透明導電膜パターン６は、ソース電極５３、ドレイン電極５４或いは金属パターン５のパターン端面を覆うことなく形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置において、配線の断面積を増大させることなく、相性の悪い２つの膜（ＩＴＯ膜とアルミニウム膜）からなる配線や電極等を接続し、且つ、大画面化しても低消費電力を実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は、配線または電極をアルミニウム合金膜の単層とし、そのアルミニウム合金膜の組成を調節してＩＴＯとの良好なオーミック接合を目指すのではなく、３層構造とすることで課題を解決する。本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。さらに、その第２導電層の上に、ＩＴＯと反応しないアルミニウム合金からなる第３導電層を設け、配線又は電極を３層構造としてＩＴＯと接合させる。 （もっと読む）

【課題】表示領域の配線とＩＣドライバの端子を接続する引き出し線において、ＩＣドライバの中央部の端子を接続する引き出し線とＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における長さが異なることによる引き出し線抵抗に差が生ずることを防止する。
【解決手段】映像信号線とＩＣドライバの端子を接続するドレイン層引出し線５０を途中で分断し、分断した部分を画素ＩＴＯと同時に形成される橋絡ＩＴＯ５０によって橋絡する。ＩＣドライバの中央部分の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さをＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さより大きくすることによって、引き出し線の配線抵抗の差を小さくする。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】現在、良質な膜を得るために、下地膜から非晶質シリコン膜までの形成プロセスは、各々の成膜室にて行われている。これらの成膜条件をそのまま用いて同一成膜室にて下地膜から非晶質シリコン膜までを連続形成すると、結晶化工程で十分に結晶化されない。
【解決手段】水素希釈したシランガスを用いて非晶質シリコン膜を形成することにより、下地膜から非晶質シリコン膜までを同一成膜室内で連続形成しても、結晶化工程で十分に結晶化可能となる。 （もっと読む）

【課題】素子基板の対向面の平坦性を確保し、対向基板の観察側から照射光に加え、素子基板の背面側からの照射光によってシール材を硬化させる。
【解決手段】素子基板の対向面における有効表示領域ａでは、反射性を有する画素電極１１８が所定のピッチでマトリクス状に配列する。平面視したときに有効表示領域ａよりも外側であってシール領域ｃよりも内側の無効表示領域ｂには、画素電極１１８と同一層からなる第１導電パターン１３１を設ける。シール領域ｃには画素電極１１８と同一層からなる第２導電パターン１３２を設ける。平面視したときの第２導電パターン１３２の面積密度は、第１導電パターン１３１の面積密度よりも小さくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】画素の開口領域における開口率を確保しつつ、所望の電気容量を確保可能な保持容量を備えた電気光学装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、透光性の画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたＴＦＴ３０および保持容量と、ＴＦＴ３０に電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線６ａと、データ線６ａと交差する第２方向に延在する遮光性の走査線３ａと、を備え、保持容量は、ＴＦＴ３０を覆うように設けられた遮光性の第１電極１６ｂと、第１電極１６ｂに対向し、第１方向および第２方向の一方に延在する本線部と第１方向および第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極１６ａと、を有し、本線部は第１電極１６ｂおよびデータ線６ａよりも幅広に設けられ、突出部は第１電極１６ｂおよび走査線３ａよりも幅広に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
配線層に銅を用い、遮光層も銅で形成し、且つディッシングの発生を抑制する。
【解決手段】
複数の画素の各々に対応してスイッチ用半導体素子が形成された半導体基板の上方に、第１、第２の銅配線層とその上にアルミニウム反射電極層を配置し、銅配線層から配線と遮光層をパターニングし、第１、第２の遮光層にそれぞれ複数の第１、第２の開口を設け、第１の開口と第２の開口とは、平面視において２つの方向に関して、それぞれ重ならない位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の組み立て工程における不良率を低減することが可能な技術を提供することである。
【解決手段】
表示パネルと、バックライト光を照射するバックライトユニットと、前記バックライトユニットの前記バックライト光の照射面側に重ねた前記表示パネルを固定し保持するフレームとを備える表示装置であって、前記フレームは、前記バックライトユニット及びその照射面側に配置される前記表示パネルからなる表示ユニットの表示面側を覆う第１の面と、前記第１の面と対向し前記表示ユニットの裏面側を覆う第２の面と、前記表示ユニットの側壁面を覆う側壁部を有するフレーム部材からなり、前記第１の面は前記表示パネルの表示領域を露出させる開口部を有し、前記側壁部は前記表示ユニットの側壁面を覆う側壁面の内で、前記第１の面及び前記第２の面並びに隣接する側壁面の内壁面に沿って開口する挿入口を有し、前記挿入口から前記フレームに前記表示ユニットが挿入される表示装置である。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜に対する非晶質半導体膜のエッチング選択比が高いエッチング方法を提供する。
【解決手段】結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜が設けられた積層半導体膜の一部に対して、Ｂｒ系ガスと、Ｆ系ガスと、酸素ガスの混合ガスを用いてエッチングを行い、前記積層半導体膜に設けられた前記結晶性半導体膜の一部を露出させる。このようにエッチングを行うことで、露出された部分の膜減りを抑えることができる。更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。該薄膜トランジスタ上には絶縁層が設けられていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層２０５のエッチングと、画素電極２１０とドレイン電極２０６ｂを接続するためのコンタクトホール２０８の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程時に銅が露出して不純物が発生することを最小化できる薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板の上にゲート線１２４、ゲート絶縁膜１４０、第１非晶質シリコン膜１５４、第２非晶質シリコン膜１６４、第１金属膜１７４ａ、及び第２金属膜１７４ｂを順次形成する段階と、第２金属膜１７４ｂの上に第１部分と第１部分より厚さの厚い第２部分とを有する感光膜パターン５２を形成する段階と、感光膜パターン５２をマスクとして第２金属膜１７４ｂ及び第１金属膜１７４ａをエッチングして、第２金属パターン及び第１金属パターンを形成する段階と、第２金属パターンにＳＦ_６気体またはＳＦ_６とＨｅの混合気体で前処理する段階とを含む。 （もっと読む）