【課題】 電気光学装置において、基板上の積層構造に形成されたコンタクトホール内の断線不良を防止する。
【解決手段】 基板上に下部層間絶縁層の前駆膜を成膜する第１工程と、前駆膜を加熱して流動化させることにより前駆膜の表面に対して平坦化処理を施す第２工程と、第２工程の後に、前駆膜の表面の少なくとも一部を第１のエッチング処理を施して後退させることで下部絶縁層を形成する第３工程と、下部層間絶縁層上に上部層間絶縁層を形成する第４工程と、上部導電層及び下部導電層を互いに電気的に接続するためのコンタクトホールを、下部層間絶縁層の表面において第１のエッチング処理により後退させた部分を通過するように、上部層間絶縁層及び下部層間絶縁層に第２のエッチング処理によって開孔する第５工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の活性半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の活性半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、結晶化の際に該活性半導体膜を局所的に加熱する局所加熱機構を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該局所加熱機構を設けない。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板の製造工程を単純化して製造単価を節減して、画素電極オープン不良を防止する。
【解決手段】複数の画素領域が定義された基板２１０と、画素領域の所定部分に一方向に構成された複数のゲート配線と、絶縁膜を介して交差するデータ配線と、ゲート配線とデータ配線との交差地点に位置して、ゲート配線から延長されたゲート電極、アクティブ層、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタでソース電極及びドレイン電極間のアクティブ層上に形成されたチャネル絶縁膜２４２と、画素領域でドレイン電極と接触して形成される画素電極２８１と、ゲート配線から延長されて一端に形成され、ゲート絶縁膜を介して透明電極パターンと接触するゲートパッド２７７と、データ配線から延長されて一端に形成され、アクティブ層パターン上に形成されたデータパッド２７８とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高速駆動が可能な駆動回路とオフ電流の低い負荷回路とを備えたアクティブマトリクス基板の形成を低温プロセスによって実現する技術等を提供する。
【解決手段】 駆動回路を構成するＴＦＴの半導体膜として略単結晶状態の半導体膜を形成する一方、画素回路を構成するＴＦＴの半導体膜として微結晶状態の半導体膜を形成する。具体的には、駆動回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴの半導体膜が結晶化する際の起点となるべき微細孔１４を設ける一方、画素回路を構成するＴＦＴが形成される領域には、該ＴＦＴが結晶化する際の起点となるべき微細孔を設けない。 （もっと読む）

第一のドーパント注入工程中にゲート（１０）をマスクとして用いてチャネル（１１）を覆うゲート（１０）を有する多結晶シリコンＧＯＬＤＤＴＦＴが製造される。エッチングプロセスにおいてフィレット（１７）により確定される薄い金属層（１９）の部分を備えるスペーサ（１３，１４）がゲート（１０）近傍に形成される。ソース及びドレイン領域をドーピングするためにスペーサ及びゲートがマスクとして用いられ、このように、自己整合製造技術が提供される。
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【課題】
静電破壊を防止した配線基板を提供し、表示不良を抑制した表示装置を提供する。
【解決手段】
ＴＦＴアレイ基板１００において、ゲート伝送配線１０５とコモン伝送配線１０７が交差する位置の近傍に、切り欠き部１１０を有し、この切り欠き部１１０に静電破壊防止部２００が形成されている。この切り欠き部１１０のコーナー部を鈍角または円弧状にすることによって、コーナー部における電荷の集中を抑制し、ＥＳＤによる静電破壊の発生を防止することができる。このＴＦＴアレイ基板１００を表示装置に用いることによって、静電破壊に起因した表示不良を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、製造コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲートラインに接続されたゲート電極と、前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインに接続されたソース電極と、前記ソース電極間に介在されたチャンネルに対向するドレーン電極と、前記チャンネルの半導体層と、前記画素領域に位置し、前記ドレーン電極と接触するように実際に全ての画素電極が前記ドレーン電極に重畳される画素電極と、前記チャンネルに対応する前記半導体層上に形成され、前記チャンネルの半導体層を保護するためのチャンネル保護膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

本発明は、基板１１０、基板上に形成されているゲート電極１２４、基板及びゲート電極を覆っているゲート絶縁膜１４０、ゲート絶縁膜上に形成されているソース電極１７３及びドレイン電極１７５、ゲート絶縁膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されている半導体層１５０、半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート絶縁膜を覆っている保護膜１８０を含み、ゲート絶縁膜及び保護膜はパリレンからなる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
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ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線を囲むように、平坦化層を形成し、ソース電極配線、ドレイン電極配線、及び、信号線が実質上平坦化層と同一平面を形成するようにしたアクティブマトリクス表示装置。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、ＩＺＯ及びＩＴＯの２重層で形成することに対する発明であって、ＩＺＯで形成された下部層とＩＴＯで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをＩＺＯとＩＴＯ二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ＩＴＯの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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【課題】 本発明では剥離技術を用いることにより様々な基板上に薄膜素子を形成し、従来の技術では不可能であると考えられていた部分に薄膜素子を形成することにより、省スペース化を図ると共に耐衝撃性やフレキシビリティに優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明では、剥離技術を用いて一旦基板から剥離させた膜厚５０μｍ以下の素子形成層を基板上に固着することにより、様々な基板上に薄膜素子を形成することを特徴とする。例えば、可撓性基板上に固着された薄膜素子をパネルの裏面に貼り付けたり、直接パネルの裏面に固着したり、さらには、パネルに貼り付けられたＦＰＣ上に薄膜素子を固着することにより、省スペース化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示品質と画像取込み性能に優れた表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置の製造工程にてＴＦＴ１１のチャネル部とフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層をともに水素化する際、ＴＦＴ１１とフォトダイオードＤ１，Ｄ２とで水素化の進行に違いが出るようにして、ＴＦＴ１１のチャネル部の欠陥密度を少なくし、かつフォトダイオードＤ１，Ｄ２のＩ層の欠陥密度を多くする。これにより、ＴＦＴ１１のリーク電流が抑制され、フォトダイオードＤ１，Ｄ２の光に対する感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 入射した光を適正に開口領域に導く構成を追加することにより、光透過率の向上を図ることができるとともに、ＴＦＴの誤動作を防止することのできる電気光学装置、この電気光学装置を用いた投射型表示装置並びに電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１００のアクティブマトリクス基板１０には、この基板に入射した光のうち、画素１００ａの開口領域１００ｂから外れてデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂやＴＦＴ３０に向かおうとする光を開口領域１００ｂに導く光学面８１が形成されている。このため、入射した光の利用効率が高く、かつ、光に起因してＴＦＴ３０が誤動作するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にＬＤＤまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板１上に、非晶質シリコン膜２ａを形成する。その非晶質シリコン膜２ａ上にＷシリサイド膜（導電膜）４ｂを形成する。そして、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂに対し、高周波やＹＡＧレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Ｗシリサイド膜（導電膜）４ｂを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜２ａを多結晶シリコン膜２に変える。 （もっと読む）

【課題】表示領域最外周画素部に設けられた画素電極のパターニング不良を無くし、表示品位の向上した液晶表示装置を提供することにある。
【解決手段】表示領域の最外周に沿って位置した画素部の着色層２５Ｂを黒着色層からなる額縁パターン３２側へ延在させて延在部２７を形成することにより、着色層と額縁パターンとの段差部分を画素電極３０から離して配置する。また、着色層の延出部の下方に、液晶表示素子を構成する金属配線を配置して、画素電極と額縁パターンとの間の領域を遮光する。 （もっと読む）

【課題】 付加容量の容量値のバラツキが小さく、表示品位の優れた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の液晶表示装置の付加容量１０は、絶縁性基板１１上に形成された第１導電層１２と、第１導電層１２上に形成され、第１導電層１２の一部を露出する開口部１４を有する第１絶縁層１３と、少なくとも開口部１４内に位置する第１導電層１２上に形成された第２導電層１７ａと、第２導電層１７ａを覆う第２絶縁層１８と、少なくとも開口部１４内に位置する第２絶縁層１８を覆う、第３導電層１９ａとから形成されている。 （もっと読む）