【課題】走査線に印加される電圧に起因する焼き付き防止手段を備えるとともに配向不良
防止手段を備えた液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】この液晶表示パネル１００は、基板上に平行に形成された複数の走査線１０
１及びコモン配線１０３と、走査線１０１及びコモン配線１０３と直交する方向に延伸す
る複数の信号線１０２と、走査線１０１と信号線１０２に区画された各画素領域内に形成
されたコモン電極１０４及び画素電極１０５とを備え、画素電極１０５は信号線１０２に
対して傾斜するスリット１０５ａを複数有し、画素電極１０５の外縁１９１、１９２の一
部がスリット１０５ａと略同方向に形成されている （もっと読む）

【課題】フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ₃）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。
【解決手段】フッ酸と硝酸とを混合した薬液である混酸、およびフッ化アンモニウムとフッ化水素酸とを混合した薬液であるバッファードフッ化水素酸の少なくとも２種類の薬剤をそれぞれの種類ごとに供給するので、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆに形成されたポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒに形成されたポリシリコン膜１８０ｒが残ることなく、マザー基板１１０の一方の面１１０ｆのポリシリコン膜１８０ｆ、および他方の面１１０ｒのポリシリコン膜１８０ｒを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】熱圧着工程における基板の平面性のバラツキ等を効果的に吸収して、異方性導電接着層（ＡＣＦ）による電気的及び物理的な接続を確実に行えるようにし、しかも熱圧着用冶具からＡＣＦへの熱伝達効率が低下しないようにする。
【解決手段】液晶表示パネル載置台１上に緩衝材層５を介して液晶表示パネル１０を載置し、その液晶表示パネル１０の基板１２の延設部１２ａ上に、ＩＣチップ２０をＡＣＦ２５を介して互いの電極端子を対向させて配置する。そのＩＣチップ２０の上面に熱圧着装置２の熱圧着用冶具２ａを当接させ、それを加熱しながら、液晶表示パネル載置台１の方向に押圧して、ＡＣＦ２５を一旦軟化させた後熱硬化させ、基板１２上とＩＣチップ２０の電極端子を導通させて接着固定する。 （もっと読む）

【課題】逆極駆動による狭スリット化を適用できるスリットの数を増やすことができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】サブ画素電極Ｐｘ１の分割サブ画素電極Ｐｘ１１〜Ｐｘ１４は、サブ画素電極Ｐｘ２の分割サブ画素電極Ｐｘ２２〜Ｐｘ２４，Ｐｘ２７〜Ｐｘ２９に隣接している。すなわち、分割サブ画素電極Ｐｘ２２，Ｐｘ１１，Ｐｘ２３，Ｐｘ１２，Ｐｘ２４が交互に配置されると共に、分割サブ画素電極Ｐｘ２７，Ｐｘ１３，Ｐｘ２８，Ｐｘ１４，Ｐｘ２９が交互に配置され、これらの間の８本のスリット１２Ａの間隔を狭くすることが可能となる。この構成は、面積が小さいサブ画素電極Ｐｘ１が８ドメインＤ以上となったときに適用可能となるので、サブ画素電極Ｐｘ１は、電圧印加時の液晶の配向方向が同一であるドメインＤを（４＋４＊ｎ）（ｎはｎ＞０である整数）有していることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル回路基板実装体のフレキシブル回路基板片を高精度に且つ容易に実装することができ、またフレキシブル基板片に何らかの外力が働いた場合に発生する位置ずれを防止し、安定して外部から信号を供給することができる、信頼性の高いフレキシブル回路基板実装体を提供すること。
【解決手段】フレキシブル回路基板実装体を構成するフレキシブル回路基板片に位置決め突起と位置決め孔を形成し、フレキシブル回路基板片を積層する際に位置決め突起と位置決め孔の双方を嵌合させることで位置決め精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコン膜をレーザアニール処理で結晶化する場合に、非晶質シリコン膜の高さに依存しないレーザアニール処理を可能にする。
【解決手段】「被照射物の高さに対して基準値を設定」し、「被照射物の高さを測定」し、「基準データとの比較・演算」を行って被照射物の膜厚を得て、その膜厚に対応したレーザ光を駆動する「レーザ発振の電流（電圧）のデータベース作成」し、アニールを開始する「原点に戻り、被照射物の高さ測定と同時にラインアニール」行い、「アニール終了と同時に照射後の照射むら画像取得および画像処理」してアニール状態を評価し、その評価に基づいてレーザ光のエネルギー補正量の「最適条件と比較、次ラインのアニール処理の補正値を求める」ことを順に行い、以下、前記「基準データとの比較・演算」以下を所定回数繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温において、スピンコートなどの溶液プロセスによって高品位の液晶性の薄膜を作製することができ、また、高いキャリア移動度、高いon/off比を示すと共にイオン化ポテンシャルが高く、酸化され難く耐久性に優れた薄膜トランジスターを得ることができる新規な液晶化合物およびこれを用いた薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるスメクティック液晶化合物。


（式中、R₁は炭素数1〜12の直鎖アルキル基を、R₂は炭素数1〜12のアルキル基又はアルコキシ基を、ｎは１〜3の整数を示す）
該液晶化合物をスピンコートすることにより薄膜トランジスターを得る。該薄膜を基板に設け、熱アニールした後、ソース電極、およびドレイン電極を真空蒸着し、トランジスターを作製する。 （もっと読む）

【課題】保護フィルムを捲って剥離するときに剥離帯電が生じたとしても、それによって異常点灯が生じないようにして、表示パネルの外観検査時間を短縮する。
【解決手段】表示パネル１に貼着されているフィルム材７の剥離時に発生する静電気による異常点灯を防止する表示パネルの異常点灯防止装置で、表示パネル１が載置されるパネル載置台１０と、パネル載置台１０に載置されている表示パネル１の端子部４に対して進退可能な移動台２０とを備え、移動台２０に、端子部４に形成されている複数の電極端子に直接もしくは電極端子に取り付けられている端子ピン９を介して接触して、複数の電極端子を同電位とする弾性を有する導電接触手段２４を設ける。 （もっと読む）

【課題】ベンド配向を維持しやすい液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置は、対向して配置された第１の基板及び第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をもとりうる液晶層とを有している。第１の基板の液晶層側には、複数のゲート線１２と、複数のソース線１４と、ＴＦＴ素子２０と、ＴＦＴ素子２０に電気的に接続された画素電極１６とが配置され、第２の基板の液晶層側には共通電極が配置されている。第１の基板の液晶層側のうち平面視で画素電極１６と重ならない領域の少なくとも一部を含む領域には、転移防止電極１３が形成されている。転移防止電極１３は、ゲート線１２に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】配線基板を複数の伝送方式に対応させつつ、伝送品質等を維持する。
【解決手段】配線基板（２００）は、基板（２０１）と、該基板上に、基板上で平面的に見てストライプ状に形成された複数の配線（ａ１〜ａ６、ｂ１〜ｂ６、ｇ１、ｇ２）とを備える。前記複数の配線は、該複数の配線が第１伝送方式用の配線として使用される際にグランド配線として機能すると共に、前記複数の配線が第２伝送方式用の配線として使用される際に前記グランド配線とは異なる信号配線として機能する複数の第１配線（ａ１〜ａ６）を含む。 （もっと読む）

【課題】高周波信号を安定してＦＰＣで伝送することのできる電気光学装置を提供する。
【解決手段】可撓性を有するフィルム基板に、複数の端子と、複数の配線と、第１の導電部材とを備える。フィルム基板は、ＦＰＣのベースフィルムであり、可撓性を有するプラスティックフィルムからなる。複数の端子は、フィルム基板の一方の面に配列されている。複数の配線は、ＦＰＣにパターン形成された配線であり、フィルム基板の一方の面に配列され、複数の端子と電気的に接続されている。第１の導電部材は、銅（Ｃｕ）などで形成された金属膜であり、複数の配線のうち、すくなくとも１本の配線に平面的に重なり、且つ１本の配線に沿って、フィルム基板の他方の面に形成されている。また、第１の導電部材は、グラウンド配線に結線され、常に電位が０Ｖに設定されている。このようにすることで、高周波信号のロスを抑え、データ伝送を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ベンド配向への転移が容易な液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１は、基板１１と、基板１１に対向して配置された基板３１と、基板１１と基板３１との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層４０とを有する。また、基板１１の液晶層４０側には、複数のゲート線１２と、平面視でゲート線１２に交差するように形成された複数のソース線１４と、ＴＦＴ素子２０と、画素電極１６とが形成されている。画素電極１６は、平面視でゲート線１２の一部に重なっている。 （もっと読む）

【課題】ベンド配向への転移が容易な液晶装置及び電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１は、基板１１と、基板１１に対向して配置された基板３１と、基板１１と基板３１との間に配置された、スプレイ配向又はベンド配向のいずれの配向状態をも取りうる液晶層４０とを有する。また、基板１１の液晶層４０側には、複数のゲート線１２と、平面視でゲート線１２に交差するように形成された複数のソース線１４と、ＴＦＴ素子２０と、画素電極１６とが形成されている。基板１１の液晶層４０側のうち、平面視でゲート線１２に沿った領域には反射膜１８が形成され、基板３１の液晶層４０側のうち、平面視で反射膜１８と重なる領域には液晶層厚調整層３５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】一方の基板に画素電極と共通電極を設けた液晶装置において、対向基板が帯電することを防止するための信頼性の高い導電接続構造を、製造工数及び製造コストを増やすことなく設ける。
【解決手段】液晶層を挟んで互いに対向する第１基板２１及び第２基板２２を有する液晶装置である。第１基板２１の液晶層側の面には電界を形成する共通電極及び画素電極が設けられ、第２基板２２の液晶層と反対側の面には帯電防止用のＩＴＯ膜２４が設けられる。第１基板２１にはグランド配線を備えたＦＰＣ基板７が接続される。第１基板２１及び第２基板２２は導電性を備えた金枠５に収容される。金枠５の一部がＩＴＯ膜２４に接触し、金枠５の他部５４ｂがＦＰＣ基板７のグランド端子５９に接触する。こうして、ＩＴＯ膜２４が金枠５を介してグランド電位につなげられ、基板２２の帯電が防止される。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置において、共通電極の電位が不安定になることに起因する画質の劣化を容易に低減する。
【解決手段】 ＴＦＴ基板および対向基板を有する液晶表示パネルと、液晶表示パネルの外周部に設置される導電性のフレーム部材とを有し、ＴＦＴ基板は、表示領域の外周部に環状に配線され、かつ、共通電極に接続しているコモン給電線を有し、当該コモン給電線の信号入力端は、ＴＦＴ基板の第１の辺に沿って配置されている液晶表示装置であって、前記コモン給電線は、ＴＦＴ基板の前記第１の辺の反対側に位置する第２の辺の近傍に端子を有し、前記フレーム部材は、前記液晶表示パネルと対向する面に、絶縁層、第１の導電層、および第２の導電層が、この順番で積層されており、かつ、前記第２の導電層の上に、当該第２の導電層と前記コモン給電線の前記端子とを接続する柱状の導電部材を有する液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】実装端子と外部回路との実装において、位置合わせ精度の許容誤差範囲を拡大することが可能な配線基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること
【解決手段】本発明にかかる配線基板は、基板１上に設けられた複数の配線２ａと、複数の２ａ配線にそれぞれ設けられ、千鳥配置で複数の列をなす複数の実装端子６と、を備える配線基板であって、実装端子６は、配線２ａと同じ層の第１導電膜２と、配線２ａ及び第１導電膜２を覆い、第１導電膜２上に開口部５を有する絶縁膜４と、開口部５を介して第１導電膜２と電気的に接続する上層導電膜７と、を備え、絶縁膜４は、複数の実装端子６が千鳥配置で複数の列を成して設けられた領域の外側に設けられた厚膜部と、開口部５と千鳥配置の列方向に隣接する領域に設けられ、厚膜部より膜厚の薄い薄膜部５ａと、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に高エネルギーを有する少なくとも一種類の粒子により該高エネルギーを供給することにより加熱し、加熱した半導体層表面に研磨処理を行う。高エネルギーの供給による加熱処理により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの特性を低減することなく、量産が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜が形成されている。微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた形状加工性及び作業性を維持しつつ、接続信頼性を向上させた電子デバイスの接続構造を提供する。
【解決手段】本発明は、導電層１２と、その導電層１２に対向して配置された基板１６と、導電層１２の上面の一部と直接接触した下面を有し、かつ導電層１２の上面上に非接着の状態で固定された金属箔１７ａ、ｂと、導電層１２の上面、金属箔１７ａ、ｂの上面及び基板１６の下面に接着した接着フィルム１８とを備える電子デバイス１０の接続構造を提供する。 （もっと読む）