説明

Fターム[2H092NA11]の内容

液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 目的 (17,448) | 安定化 (3,125)

Fターム[2H092NA11]の下位に属するFターム

Fターム[2H092NA11]に分類される特許

161 - 180 / 575


【課題】コンタクトホール内へのスペーサの落ち込みが生じ易いFFS方式において、基板間を所定のギャップに良好に保持できる、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1基板10及び第2基板20を有し、第1基板10に設けられた第1電極11と第2電極17との間に生じる電界により液晶分子を駆動させる液晶表示装置100である。第1基板10は、画素毎に配置されたスイッチング素子と、スイッチング素子上に設けた絶縁膜25,27と、第1電極11または第2電極17のどちらか一方とスイッチング素子のドレイン電極7を電気的に接続するコンタクトホール12とを有し、第2基板20は、平面視した状態において、画素G毎の少なくとも一つにおけるコンタクトホール12及び半導体4層間のドレイン電極7に対応する第1スペーサP1と、ドレイン電極7における第1スペーサP1とは異なる位置に対応する第2スペーサP2と、を有する。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、カバレッジ性の優れた所望のパターンを簡便に得ることのできる透明導電膜、表示装置、及びこれらの製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる透明導電膜(画素電極18、ゲート端子パッド19、及びソース端子パッド20)は、2層以上の積層膜からなる透明導電膜であって、非晶質構造を有する第1透明導電膜(画素電極18a、ゲート端子パッド19a、及びソース端子パッド20a)と、前記第1透明導電膜上に形成され、結晶質構造を有する第2透明導電膜(画素電極18b、ゲート端子パッド19b、及びソース端子パッド20b)と、を備えるものである。 (もっと読む)


【課題】対向基板の帯電による影響を抑制しつつ、表示品位の良好な画像を表示可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アレイ基板ARと対向基板CTとの間に液晶層LQを保持した構成の液晶表示装置であって、アレイ基板ARは、画像を表示する表示領域DSPの各画素PXに配置された画素電極EPと、画素電極EPと間隔をおいて対向する対向電極ETと、を備え、対向基板CTは、絶縁基板30と、表示領域DSP全体において、液晶層LQと絶縁基板30との間に配置されたシールド電極ESと、を備え、液晶層LQは、負の誘電率異方性を有する液晶材料によって形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温環境で導電ゴムが膨張してしまう場合など、普段以上の圧縮力がかかる環境においても、座屈を起こしにくい導電ゴムを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器における2つの基板、例えばデジタル電子時計5において時刻を表示する液晶セル2と表示内容を制御する回路基板の間の電気的導通を確保する導電ゴム11において、導電ゴム11を、液晶セル2の上面側から見た時、長手方向の少なくとも一部が凸となる形状とすることにより、基板からの圧縮力を分散させ、座屈を抑制することができる。また、2列の導電ゴムを結合し中空部分を持たせて安定性を増したり、剛体の芯を介在させて変形を抑制したりするなどの手段によっても、座屈を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の液晶パネルに発生する液晶の焼きつきが認識されるのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置100は、サブ画素AとBとを含む画素11に対応するように配置され、薄膜トランジスタ(TFT)113に接続される画素電極11aの上面上または下面下のいずれか一方に絶縁膜16を介してサブ画素AとBとに対応するように、各々形成される第1COM電極3および第2COM電極4とを備える。また、第1COM電極3には、第1COM電極3および第2COM電極4に対する通電初期において表示領域1のちらつきを最小にする最適COM電圧が印加され、第2COM電極4には、第1COM電極3および第2共通電極4に対する通電後に時間の経過とともに最適COM電圧がシフトする方向に予めずらした電圧が印加されるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】銀及び/又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および/または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式(I)NH−A−Y−B−Z式中、A、Bは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数1〜5のアルキレン基であり、Yは、NHまたはOのいずれかであり、Zは、NH、OH、NH−D−NH(ここでDは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数1〜5のアルキレン基である、)で表される化合物、−式(II)NH−A−N(−B−OH)式中、A,Bは式(I)と同じで表される化合物、−モルホリン、−N−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される1種または2種以上と、1種または2種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 (もっと読む)


【課題】電気光学装置に衝撃が加わった場合でも、割れにつながるような大きな応力が電気光学装置の内部に発生しなようにする。
【解決手段】電気光学物質を有しFPC基板5側の端部に端子を備えるパネル2Aと、パネル2Aを保護する保護カバー4と、パネル2Aの端部側と保護カバー4とで形成される空間部と、空間部のパネル2Aの端部側と保護カバー4との間に設けられると共にパネル2Aの表示領域Vの外周領域に設けられた付加部材10とを有する電気光学装置である。付加部材10の端部側領域である延在部15の全部は厚み部分24になっており、パネル2A端部と保護カバー4との間の空間を埋めている。このため、パネル端部である素子基板11の延在部18に保護カバー4へ向かう外力が加わっても、その延在部18は保護カバー4によって受けられていて撓むことがなく、割れることがない。 (もっと読む)


【課題】絶縁耐圧が高い高品質のTFT基板を提供する。
【解決手段】本発明によるTFT基板は、ゲート電極52、ソース電極、ドレイン電極56を有するTFT32と、前記ゲート電極52に電気的に接続された走査線と、前記ソース電極に電気的に接続された信号線とを備え、前記ゲート電極52、前記ソース電極、前記ドレイン電極56、前記走査線、及び前記信号線の少なくとも一つが、主配線層70と、前記主配線層70の上に形成されたバリア層72とを有し、前記バリア層72の少なくとも一部が窒化チタンからなり、前記バリア層72の前記主配線層70に接する下面の近傍における窒化率が、前記バリア層72の上面の近傍における窒化率よりも低い。 (もっと読む)


【課題】受光素子32の光感度を向上し、暗電流の発生を抑制する。
【解決手段】画素領域PAにて受光素子32が設けられたセンサ領域SAにおいて、平坦化膜60aの表面に絶縁膜60bを形成する。しかし、そのセンサ領域SAにおいて平坦化膜60aの表面に形成された絶縁膜60bを除去するドライエッチング処理については、実施をしない。 (もっと読む)


【課題】正極信号用の配線と、負極信号用の配線とが外部コネクタにおいて左右に分離され、差動信号にインピーダンス不整合が生じるのを防止する。
【解決手段】フレキシブル配線基板は、差動信号を伝送する複数対の差動信号配線を含む差動信号配線群を有し、前記フレキシブル配線基板は、前記第1の基板に形成された電極に電気的・機械的に接続される第1接続端子を含む第1の部分と、前記第1の部分に連続し、外部コネクタと接続される第2接続端子を含む第2の部分とから構成され、前記第1および第2の部分において、前記各対の差動信号配線の正極信号用の配線と、負極信号用の配線との両側には、一対のGND配線が配置され、前記第2の部分において、少なくとも前記各対の差動信号配線の正極信号用の配線と負極信号用の配線との間に、付加GND配線が配置されている。 (もっと読む)


【課題】 薄いガラス基板で構成される液晶表示装置では、COG実装時の熱ひずみによって液晶表示パネルが反り、この反りによる表示ムラが発生している。
【解決手段】 液晶表示装置が、ガラス基板とICチップに挟まれた領域の中央部にICチップのバンプと同じ高さの突起を設ける。突起は、ACF樹脂が熱硬化後冷却収縮する際にICチップと液晶表示パネルの間隔が狭まるのを防ぐスペーサの役割をする。 (もっと読む)


【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とTFTとの電気的な干渉を抑制する構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成され、前記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン電極上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された電磁シールド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第3の層間絶縁膜と、前記第3の層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソース配線と前記画素電極との間に設けられている。 (もっと読む)


【課題】 本発明はIPS方式等の液晶表示装置において、表示品質を劣化させる静電気などの影響を確実に抑えることができる構成を提供するものである。
【解決手段】 Feイオン及びNiイオンなどの金属イオンを高濃度でガラス基板表面に照射することにより、ガラス基板表面に導電パスが形成され、本来絶縁であるガラス基板表面に導電性が生じる。本発明では、このガラス基板2が観測者側にくるように液晶表示装置を構成することとした。そして、静電気をグラウンド11に落とすための金属などの導電性の部材12を組み込み、表面で発生した静電気の影響を抑制する。 (もっと読む)


【課題】 表示領域が非矩形状を有する補助容量共通配線方式のアレイ基板、および、このアレイ基板と表示媒体を用いた表示装置を提供すると共に、補助容量配線の共通電位のバラツキによる表示ムラを低減する。
【解決手段】 表示領域Dが非矩形状を有するアレイ基板110において、画素50には補助容量Csを形成する補助容量配線3が配置され、表示領域Dの外の額縁領域Eには、走査引き出し配線21と信号引き出し配線71の交差領域Fが存在し、走査引き出し配線21の配置された額縁領域E側に、補助容量配線3を共通に接続する共通引き出し配線31が配置され、共通引き出し配線31は、交差領域Fには配置されず、走査引き出し配線の領域Gと、信号引き出し配線71の領域Sとの間の領域Comに、走査引き出し配線21、または信号引き出し配線71のいずれか一方と交差して配置されるものである。 (もっと読む)


【課題】導電性、透明性、耐湿熱性に優れ、タッチパネル型入力装置に好適に用いることができる導電性フィルム、および該導電性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に、下記一般式で表される繰り返し単位からなるカチオン性のポリチオフェンとポリアニオンとからなる導電性高分子を含む透明導電塗膜層が積層された導電性フィルムであって、該透明導電塗膜層が含有しているFe金属濃度が2000ppb以下であり、該透明導電塗膜層の厚み斑が10%以下である導電性フィルム。
【化1】


(式中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素または炭素数1以上4以下のアルキル基を表すか、あるいは一緒になって、任意に置換されていてもよい炭素数1以上12以下のアルキレン基を表す。) (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の製造において、差込み防止性に優れる液晶滴下工法用シール剤、上下導通材料、及び、液晶表示装置を提供する。
【解決手段】硬化性樹脂、並びに、光反応開始剤及び/又は熱硬化剤を含有する液晶滴下工法用シール剤であって、上記硬化性樹脂は、グリセリンとビスフェノールの縮合体の両末端にアクリロキシ基またはエポキシ基を有する化合物を含有することを特徴とする液晶滴下工法用シール剤。 (もっと読む)


【課題】液晶表示パネル内に転移部を形成しても信頼性が低下しない液晶表示パネルを提供する。
【解決手段】
第1基板20と、第2基板10と、第1基板と第2基板との間に設けられた液晶層40と、液晶層を包囲するシール部32と、転移部60とを有し、表示領域と表示領域の周辺の非表示領域とを備える液晶表示パネルであって、第1基板20は非表示領域内の表示領域側に設けられた第1遮光層22A、22B、22Cを有し、第1遮光層は外側の境界の近傍に設けられた切欠き部または開口部22a、22b、22cを含む少なくとも1つの透光部を有し、転移部の少なくとも一部は少なくとも1つの透光部に設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板の粘着テープの貼付部位の一側縁に対して粘着テープを位置精度良く貼り付けることができる粘着テープ貼付装置及び貼付方法を提供する。
【解決手段】粘着テープ5を供給するテープ供給部7と、基板2の側縁部に設けられた貼付部位の上に配置された粘着テープ5を押圧して貼付部位に粘着材層を貼り付ける圧着ヘッド11と、貼り付けられた粘着材層を剥離した支持テープ5Aを回収するテープ回収部9と、圧着ヘッド11の両側位置に配設されてテープ供給部7から供給された粘着テープ5を貼付部位の上方に配置するように案内するテープ走行案内手段23a、23bとを備え、テープ走行案内手段23a、23bに、粘着テープ5及び/あるいは支持テープ5Aの幅方向の少なくともいずれか一方の一側縁を貼付部位の幅方向一側の規定位置から所要間隔の位置に位置規正する、第1の規正ローラ31と第2の規正ローラ32から成る位置規正手段30を設けた。 (もっと読む)


【課題】高温環境下での保存による反射率の低下を抑制した表示媒体、及びそれを利用した書き込み装置を提供すること。
【解決手段】それぞれ電極16及び電極18を備えた基板12及び基板14間に、光導電層24と、光選択透過層22と、液晶層20と、を積層させて、表示媒体10を構成する。そして、着色層としての光選択透過層22を、脱イオン処理を施した材料により構成させる。また、当該光選択透過層22のイオン濃度を所定範囲にする。 (もっと読む)


【課題】構造を複雑化させることなく安定した特性が得られ、さらには抵抗素子を含む回路の高集積化を実現できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板本体(基板)10Aと、基板本体10A上に形成された半導体素子(インバータINV1,INV2)と、半導体素子に接続された配線121,122と、配線121,122に形成された抵抗素子R1,R2とを備えており、配線121,122が、積層された複数の導電層131,132を有しており、異なる抵抗値を有する複数の抵抗素子R1,R2が、複数の導電層のうち少なくとも一部の導電層を用いて配線121,122に形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


161 - 180 / 575